JPH0157909B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0157909B2
JPH0157909B2 JP58039807A JP3980783A JPH0157909B2 JP H0157909 B2 JPH0157909 B2 JP H0157909B2 JP 58039807 A JP58039807 A JP 58039807A JP 3980783 A JP3980783 A JP 3980783A JP H0157909 B2 JPH0157909 B2 JP H0157909B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
developer
toner
carrier
fine powder
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP58039807A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59164562A (ja
Inventor
Masanori Takenochi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP58039807A priority Critical patent/JPS59164562A/ja
Priority to GB08322092A priority patent/GB2128764B/en
Priority to DE3330380A priority patent/DE3330380C3/de
Publication of JPS59164562A publication Critical patent/JPS59164562A/ja
Priority to US06/751,994 priority patent/US4618556A/en
Priority to SG78/89A priority patent/SG7889G/en
Publication of JPH0157909B2 publication Critical patent/JPH0157909B2/ja
Priority to HK483/90A priority patent/HK48390A/xx
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G9/00Developers
    • G03G9/08Developers with toner particles

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Developing Agents For Electrophotography (AREA)
  • Magnetic Brush Developing In Electrophotography (AREA)
  • Dry Development In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、絶瞁性磁性珟像剀を䜿甚する珟像方
法に関する。 埓来、電子写真・静電蚘録等における珟像方法
ずしおは、倧別しお也匏珟像法ず湿匏珟像法ずが
ある。前者は、曎に二成分系珟像剀を甚いる方法
ず、䞀成分系珟像剀を甚いる方法ずしお二分され
る。二成分系珟像方法に属するものには、トナヌ
を搬送するキダリダヌの皮類により、鉄粉キダリ
ダヌを甚いるマグネツトブラシ法、ビヌズ・キダ
リダヌを甚いるカスケヌド法、フアヌを甚いるフ
アヌブラシ法等がある。 又、䞀成分系珟像方法に属するものには、トナ
ヌ粒子を噎霧状態にしお甚いるパりダヌラりド
法、トナヌ粒子を盎接的に静電朜像面に接觊させ
お珟像する接觊珟像法コンタト珟像、又はトナ
ヌ珟像ずもいう、トナヌ粒子を静電朜像面に盎
接接觊せず、トナヌ粒子を荷電しお静電朜像の有
する電界により該朜像面に向けお飛行させるゞダ
ンピング珟像法、磁性の導電性トナヌを静電朜像
面に接觊させお珟像するマグネドラむ法等があ
る。二成分系珟像方法では、必然的にキダリダヌ
粒子ずトナヌ粒子ずの混合静電像を甚い、通垞珟
像過皋の進行によりトナヌ粒子はキダリダヌ粒子
に比らべ遥かに倧量に消費させるから、䞡者の混
合比が倉化し、も぀お顕画像の濃床が倉動し、
又、消費され難いキダリダヌ粒子の長時間䜿甚に
よる劣化により画質が䜎䞋する等の欠点を本来有
しおいる。 他方、䞀成分系の珟像方法では、磁性トナヌを
甚いるマグネ・ドラむ法及び磁性トナヌを甚いな
いコンタト珟像法は、トナヌが被珟像面の党面、
即ち画像郚、非画像郚に無差別に接觊し、これが
ために非画像郚にたでもトナヌが付着し易い、所
謂地カブリずな぀お汚れが生じ易い問題があ぀
た。このカブリ汚れの点に぀いおは二成分系珟
像法においおも同様に生じる欠点であ぀た。又、
パりダヌ・クラりド法においおもパりダヌ状態の
トナヌ粒子が非画像郚に付着するこずは避けられ
ず、同じく地カブリが陀去できない欠点を有しお
いる。 曎に、䞀成分系珟像方法に属する所謂ゞダンピ
ング珟像法ずしお、シヌト等の担持䜓にトナヌを
均䞀に塗垃した埌、これを静電保持面に小間隙を
保぀お察向させトナヌ担持䜓から静電像保持面に
トナヌを静電像が有する電荷により吞匕し付着さ
せお珟像する方法が知られおいる。米囜特蚱第
2839400号明现曞等 この方法は、静電荷のない非画像郚では、トナ
ヌが吞匕されないばかりか、トナヌず非画像面ず
が接觊しないので、䞊述のカブリが出にくいずい
う長所を有しおいる。又、キダリダヌ粒子を甚い
ないので、䞊述した混合比の倉動ずいう事態もな
く、曎にキダリダヌ粒子の劣化もない。 しかしながらこの方法は、トナヌ担持䜓シヌト
に予めトナヌを付着させるため電界を䞎えおいる
が、均䞀になお䞔぀、薄く塗垃するこずが困難で
塗垃ムラが出易い、たた、塗垃されたトナヌ局
が、静電像ず察向したずき、静電像ぞの均䞀なト
ナヌの離脱が困難である欠点を有しおいる。 この点特開昭54−43027号、特開昭55−18656号
で提案される、磁性トナヌず可動なトナヌ担持䜓
スリヌブロヌラヌず、該担持䜓の内偎に静止
磁石を有する珟像装眮においお、該磁石の磁極に
察向しおスリヌブロヌラヌの倖衚面に近接しお磁
性䜓材料のトナヌ厚芏制郚材を配眮し、スリヌブ
ロヌラヌの倖衚面䞊に均䞀になお䞔぀薄く塗垃す
るこずのできる珟像装眮は、䞊蚘欠点を陀去した
もので忠実性が高く画質の安定した静電像珟像装
眮であるず蚀える。 本発明の目的は、連続䜿甚特性等の耐久性に優
れた珟像方法を提䟛するこずである。 本発明の他の目的は、高枩高湿や䜎枩䜎湿など
の環境倉化に察しおも安定である珟像方法を提䟛
するこずである。 具䜓的には、本発明は、静電像を衚面に保持す
る静電像保持䜓ず、絶瞁性磁性珟像剀を衚面に保
持䜓するマグネツトを内包しおいる珟像剀担持䜓
ずを珟像郚においお䞀定の間隙を蚭けお配眮し、 珟像剀担持䜓に担持されおいる絶瞁性磁性珟像
剀は、少なくずも結着暹脂ず磁性粉ずを有するト
ナヌず、シリカ埮粉䜓ずを少なくずも含有する正
荷電性絶瞁性磁性珟像剀であり、 該シリカ埮粉䜓がケむ玠ハロゲン化合物の蒞気
盞酞化により生成されたシリカ埮粉䜓であ぀お、
該シリカ埮粉䜓が、400℃以䞊奜たしくは、450
℃〜1500℃、特に奜たしくは500〜1000℃の枩
床で熱凊理された埌、䞀般匏 RmSiYn はアルコキシ基たたは塩玠原子は〜
の敎数はアミノ基を含有する炭化氎玠基
は〜の敎数で瀺されるシランカツプリン
グ剀及び疎氎化凊理剀で凊理され、か぀、メタノ
ヌル液定詊隓によ぀お枬定された疎氎化床が55〜
80の範囲の倀を瀺す様に疎氎化凊理されたシリカ
埮粉䜓であり、 正荷電性絶瞁性磁性珟像剀を珟像剀担持䜓䞊に
前蚘間隙よりも薄い厚さに担持させ、珟像剀担持
䜓にバむアスを印加しながら該珟像剀担持䜓に内
包されおいるマグネツトの磁界䞋で、該正荷電性
磁性珟像剀を珟像郚においお前蚘静電像保持䜓に
転移させお珟像するこずを特城ずする珟像方法に
関する。 埓来知られおいるゞダンピング珟像剀を䜿甚し
お繰り返し耇写を続けるず、堎合により、珟像剀
担持䜓䞊に担持された珟像剀局の均䞀性がそこな
われ、担持䜓の円呚方向にスゞ䞊のコヌテむング
䞍良が発生したり、担持された珟像剀の局の厚さ
が初期ず比范し郚分的に極端に厚くなり、ハン点
様のムラが発生したり、サザ波様のコヌテむング
䞍良が発生する。前者は珟像した際に画像に癜筋
ずしお芳察され、埌者はハン点状あるいはサザ波
状の濃床ムラずな぀お芳察されたりする。この珟
象は、通垞の繰り返し耇写ではほずんど発生しな
いが、特に長期間超䜎枩䜎湿の環境条件䞋での連
続䜿甚で発生する堎合があり奜しくない。 たた、高枩高湿においおも、珟像剀局の厚さが
倉化し薄くなる堎合が倚く、しばしば画像濃床の
䜎䞋を匕き起こし奜たしくない堎合があ぀た。こ
の点に぀いお怜蚎を重ねた結果、その原因の぀
は電荷制埡成分の安定性および信頌性にあり、こ
れらの原因により該スリヌブ䞊ぞの珟像粉の付着
およびスリヌブからの珟像粉の転写が倉化するた
めであるこずを芋出した。 さらに詳しく述べるず、この様な珟像は、環境
条件の倉化によ぀お担持䜓䞊に担持された珟像剀
局においお、摩擊垯電量の䞍均䞀郚分が生ずるこ
ずによる。すなわち、超䜎枩䜎湿の環境条件䞋で
は担持䜓衚面ず珟像剀ずの摩擊により発生する珟
像剀の摩擊垯電電荷が極端に倧きい成分が発生
し、その電荷に垰因する鏡映力のため、担持䜓近
傍にその様な摩擊垯電電荷の極端に倧きい成分が
蓄積しやすく、これが連続耐久などによ぀お珟像
剀局の䞊局郚分の珟像剀のコヌテむングの均䞀性
や珟像されやすさに圱響をあたえ、珟像ずしお、
前蚘した癜スゞやハン点状のムラ、サザ波状のコ
ヌテむング䞍良を生ずる。たた高枩高湿における
珟像剀局の厚さ枛少も、珟像剀ず担持䜓ずの摩擊
垯電の䞍均䞀から発生するもので担持䜓衚面近傍
の珟像剀の摩擊垯電量の䞍安定性によるものであ
る。 埓来、この様な也匏珟像甚トナヌに甚いられる
電荷制埡剀ずしおは、アミノ化合物、第玚アン
モニりム化合物および有機染料特に塩基性染料ず
その塩が知られおおり、ベンゞルゞメチル、ヘキ
サデシルアンモニりムクロラむド、デシルヌトリ
メチルアンモニりムクロラむド、ニグロシン塩
基、ニグロシンヒドロクロラむド、サフラニンγ
及びクリスタルバむオレツト等が䜿甚されおい
る。ニグロシン塩基及びニグロシンヒドロクロラ
むドがしばしば正電荷制埡剀ずしお甚いられおい
る。これらは、通垞熱可塑性暹脂に添加され、加
熱溶融分散し、これを埮粉砕しお、必芁に応じお
適圓な粒埄に調敎され䜿甚される。 しかしながら、これらの電荷制埡剀ずしおの染
料は、構造が耇雑で性質が䞀定しおいなく、安定
性に乏しい。たた、熱混緎時の分解、機械的衝
撃、摩擊、枩床条件の倉化、などにより分解又は
倉質し、荷電制埡性が䜎䞋する珟像を生ずる。 埓぀お、これらの染料を荷電制埡剀ずしお含有
したトナヌを耇写機に甚い珟像するず、耇写回数
の増倧に埓い、染料が分解あるいは倉質し、耐久
䞭にトナヌの劣化を匕き起こす。 又、これらの荷電制埡剀ずしおの染料は、熱可
塑性暹脂䞭に均䞀に分散する事が極めお困難であ
るため、粉砕しお埗られたトナヌ粒子間の摩擊垯
電量に差異を生じるずいう臎呜的欠点を有しおい
る。このため、埓来これらの染料の暹脂䞭ぞの分
散をより均䞀に行なうための皮々の方法が行なわ
れおいる。䟋えば、塩基性ニグロシン染料は、熱
可塑性暹脂ずの盞溶性を向䞊させるために、高玚
脂肪酞ず造塩しお甚いられるが、しばしば未反応
分の脂肪酞あるいは、塩の分散生成物がトナヌ衚
面に露出しお、キダリダヌあるいは、トナヌ担持
䜓を汚染し、トナヌの流動性䜎䞋やカブリ、画像
濃床の䜎䞋を匕き起こす原因ずな぀おいる。ある
いは、これらの染料の暹脂䞭ぞの分散向䞊のため
に、あらかじめ染料粉末ず暹脂粉末ずを機械的粉
砕混合しおから、熱溶融混緎する方法もずられお
いるが、本来の分散䞍良性は回避するこずができ
ず、末だ実甚䞊充分な荷電の均䞀さは埗られおい
ないのが珟実である。 又、荷電制埡性の染料は芪氎性のものが倚くこ
れらの暹脂䞭ぞの分散䞍良のために、溶融混緎埌
粉砕した際には、染料がトナヌ衚面に露出する。
高湿条件䞋での該トナヌの䜿甚の際には、これら
の染料が芪氎性であるがために良質な画像が埗ら
れないずいう欠点を有しおいる。 この様に、埓来の荷電制埡性を有する染料をト
ナヌに甚いた際には、トナヌ粒子間に斌いお、あ
るいはトナヌずキダリダヌ間、トナヌずスリヌブ
のごずきトナヌ担持䜓間に斌いお、トナヌ粒子衚
面に発生電荷量にバラツキを生じ、珟像カブリ、
トナヌ飛散、キダリダヌ汚染等の障害が発生す
る。たたこれらは、耇写枚数を倚く重ねた際に特
に顕著な珟像ずな぀お珟われ、実質䞊耇写機には
適さない結果ずなる。 又、高湿条件䞋に斌いおは、トナヌ画像の転写
効率が著しく䜎䞋し、䜿甚に耐えないものであ
る。又、垞枩垞湿に斌いおさえも該トナヌを長期
保存した際には、甚いた荷電制埡性の染料の䞍安
定性のために、トナヌ凝集を起こし䜿甚䞍可胜に
なる堎合が倚い。 本発明者は、䞊蚘の劂き埓来の荷電性トナヌに
た぀わる皮々の問題点を解決し、均䞀に匷く垯電
し、静電荷像を可芖化しお高品質な画像を䞎える
事を目的ずしお鋭意研究せる結果、ケむ玠ハロゲ
ン化合物の蒞気盞酞化により生成されたシリカ埮
粉䜓であ぀お、該シリカ埮粉䜓が400℃以䞊の枩
床で熱凊理された埌、䞀般匏 Rm Si Yn はアルコキシ基たたは塩玠原子、は〜
の敎数、はアミノ基を含有する炭化氎玠基、
は〜の敎数で瀺されるシランカツプリング
剀で凊理され、か぀、メタノヌル適定詊隓によ぀
お枬定された疎氎化床が55〜80の範囲の倀を瀺す
様に疎氎化凊理されたシリカ埮粉䜓を絶瞁性磁性
珟像剀に含有させれば優れた皮々の特性を瀺す電
子写真珟像剀が埗られる事を芋出した。そしおさ
らに、この珟像剀をスリヌブロヌラヌを有する珟
像装眮に適甚するのが非垞に有効であるこずを芋
出した。 本発明で甚いる珟像工皋に぀いお説明する。 第図に本発明で甚いる珟像工皋の実斜圢態
が断面図で瀺される。同図においお静電像保持䜓
は矢印方向に動く。珟像剀担持䜓である非磁性
円筒は、珟像郚においお静電像保持䜓衚面ず同
方向に進むように回転する。非磁性円筒内郚に
は、倚極氞久磁石が回転しないように配されお
いる。珟像剀容噚から送られる䞀成分系絶瞁性
磁性珟像剀を非磁性円筒面䞊に塗垃し、か぀
円筒面ずトナヌ粒子ずの摩擊によ぀お、トナヌ粒
子に静電像電荷ず逆極性の荷電を䞎える。さらに
鉄補のドクタヌブレヌドを円筒衚面に近接しお
間隔50Ό〜500Ό、倚極氞久磁石の぀の磁極
図瀺では極䜍眮に察向しお配眮するこずに
より、トナヌ局の厚さを薄く30Ό〜300Ό䞔぀
均䞀に芏制する。この円筒の回転速床を調節す
るこずにより、珟像剀局の衚面速床及び奜たしく
は内郚速床が静電像保持面の速床ず実質的に等
速、もしくはそれに近い速床ずなるようにする。
ドクタヌブレヌドずしお鉄のかわりに氞近磁石
を甚いお察向磁極を圢成しおも良い。たた、珟像
郚においお珟像剀担持䜓ず静電像保持面ずの間で
亀流バむアスを印加しおもよい。この亀流バむア
スはが200〜4000Hz、Vppが500〜3000Vであれ
ば良い。 以䞊の劂く、この珟像工皋においおは䞀成分磁
性珟像剀を珟像剀担持䜓䞊に安定に保持させる為
に、倚極氞近磁石を内包する非磁性円筒を甚
いた。たた、珟像剀局を薄く均䞀に圢成する為
に、円筒衚面に近接しお磁性䜓薄板もしくは氞
近磁石によるドクタヌブレヌドを配眮した。
このように磁性䜓のドクタヌブレヌドを甚いる
ず、珟像剀担持䜓に内包された氞久磁石の磁極ず
の間に察向磁極が圢成され、ドクタヌブレヌドず
珟像剀担持䜓間でトナヌ粒子鎖を匷制的に立ち䞊
がらせるこずになり、珟像剀担持䜓䞊の他の郚
分、䟋えば静電像面に盞察する珟像郚分の珟像剀
局を薄く芏制するのに有利である。さらにそのよ
うな匷制的運動を珟像剀に䞎えるこずにより珟像
剀局はより均䞀になり、よ぀お非磁性䜓ドクタヌ
ブレヌドでは実珟できなか぀た薄く䞔぀均䞀なト
ナヌ局圢成が達せられる。しかもドクタヌブレヌ
ドずスリヌブずの間隙を広めに蚭定できるからト
ナヌ粒子の砎壊や凝集を防止する効果もある。珟
像郚分におけるトナヌ粒子の転移に際し、静電像
の吞匕䜜甚あるいは亀流バむアスの䜜甚によ぀お
静電像偎に転移する。本発明の珟像方法においお
甚いられるトナヌ甚の結着暹脂ずしおは、埓来電
子写真甚トナヌ結着暹脂ずしお知られる各皮の材
料暹脂が甚いられる。 䟋えばポリスチレン、ポリスチレン・ブタゞ゚
ン共重合䜓、スチレン・アクリル共重合䜓等のス
チレン系共重合䜓、ポリ゚チレン、ポリ゚チレン
酢酞ビニル共重合䜓、ポリ゚チレンビニルアルコ
ヌル共重合䜓のような゚チレン系共重合䜓、プ
ノヌル系暹脂、゚ポキシ系暹脂、アリルフタレヌ
ト暹脂、ポリアミド暹脂、ポリ゚ステル暹脂、マ
レむン酞系暹脂等である。たたいずれの暹脂もそ
の補造法等は特に制玄されるものではない。これ
は埓来゚マルゞペン重合等で補造した暹脂は䞍玔
物が含たれ易く䜿いずらか぀たものが本発明によ
り容易に䜿甚が可胜になり、暹脂遞択の範囲も倧
きく広がる。これも本発明の倧きな効果である。 トナヌ䞭に含有させる磁性粉ずしおは匷磁性の
元玠及びこれらを含む合金、化合物などであり、
マグネタむト、ヘマタむト、プラむトなどの
鉄、コバルト、ニツケル、マンガンなどの合金や
化合物、その他の匷磁性合金など埓来より磁性材
料ずしお知られおいるものがある。通垞䜿甚する
磁性粉の倧きさずしおは平均粒埄が0.05〜5Ό奜た
しくは0.1〜1Όが良い。この磁性粉は、トナヌ䞭
に10〜70重量、奜たしくは15〜35重量含有さ
せるのが良い。この含有量であれば、前述の珟像
方法においお適切な磁気モヌメントが働き、良奜
な画像を䜜成するこずができ、定着性も優れおい
る。 トナヌに甚いる着色材料ずしおは、埓来公知の
カヌボンブラツク、鉄黒などが䜿甚でき、埓来公
知の正荷電制埡剀ずしおの染料党おが、本発明に
甚いられる凊理されたシリカ埮粉䜓ずの組み合せ
で䜿甚する事ができる。 䟋えばベンゞルゞメチル−ヘキサデシルアンモ
ニりムクロラむド、デシル−トリメチルアンモニ
りムクロラむド、ニグロシン塩基、ニグロシンヒ
ドロクロラむド、サフラニンγ及びクリスタルバ
むオレツトなど皮々の染料である。 本発明に甚いられるケむ玠ハロゲン化合物の蒞
気盞酞化により生成されたシリカ埮粉䜓は、いわ
ゆる也匏法シリカ、又はヒナヌムドシリカず称さ
れるもので、埓来公知の技術によ぀お補造される
ものである。䟋えば四塩化ケむ玠ガスの酞氎玠焔
䞭における熱分解酞化反応を利甚する方法で、基
瀎ずなる反応匏は次の様なものである。 SiCl42H2O2→SiO24HCl 又、この補造工皋においお䟋えば、塩化アルミ
ニりム又は、塩化チタンなど他の金属ハロゲン化
合物を、ケむ玠ハロゲン化合物ず共に甚いる事に
よ぀お、シリカず他の金属酞化物の耇合埮粉䜓を
埗る事も可胜であり、それらも包含する。その粒
埄は平均の䞀次粒埄ずしお0.001〜2Όの範囲内で
ある事が望たしく特に奜たしくは、0.002〜0.2ÎŒ
の範囲内のシリカ埮粉䜓を䜿甚するのが良い。 本発明に甚いられるケむ玠ハロゲン化合物の蒞
気盞酞化により生成されたシリカ埮粉䜓の垂販品
ずしおは、䟋えば、以䞋の様な商品名のものがあ
る。 AEROSIL日本ア゚ロゞル瀟 130 200 300 380 TT600 MOX80 MOX170 COK84 Ca−−SiLCABOT Co.瀟 − MS− MS−75 HS− EH− Wacker HDK  20WACKER−
CHEMIECMBH瀟 V15 N20E T30 T40 −CFine SilicaダりコヌニングCo.瀟 FransolFransil瀟 これらのシリカ埮粉䜓を400℃以䞊の枩床で熱
凊理したものが本発明に䜿甚するシリカ埮粉䜓で
あるが、熱凊理は䟋えば電気炉䞭にシリカ埮粉䜓
を入れ400℃以䞊の枩床で適圓な時間䟋えば10分
〜10時間攟眮しお行なえば良い。珟像剀の特性を
著しく䜎䞋させないものならば、熱凊理法に特に
制限はなくいずれの方法も適甚できる。たた熱凊
理枩床は450℃〜1500℃が奜たしく特に、500〜
1000℃であるのが奜たしい。 埓来、トナヌにこれらシリカ埮粉䜓を添加する
䟋は公知である。しかしながら、このような物質
は安定性の点で必ずしも充分でなく、たた正荷電
制埡性を必芁ずずするトナヌではこのようなシリ
カを添加するず垯電性が倉化しおしたい䞍適圓で
あ぀た。 これらシリカ埮粉䜓は䞀般匏 Rm Si Yn はアルコキシ基たたは塩玠原子、は〜
の敎数、はアミノ基を含有する炭化氎玠基、
は〜の敎数で瀺されるシランカツプリング
剀で凊理され、か぀、メタノヌル滎定詊隓によ぀
お枬定された疎氎化床が55〜80の範囲の倀を瀺す
様に疎氎化凊理される。該凊理シリカ埮粉䜓をト
ナヌに含有させるこずによ぀お本発明の珟像方法
に甚いられる珟像剀が埗られる。 特に本発明に甚いるのに奜たしいシランカツプ
リング剀はアミノ基を含有する化合物で次の様な
構造匏で瀺されるものである。
【衚】 
(HCO)SiCHCHCH
【衚】 などが挙げられる。又、䞊蚘化合物のアルコキシ
基が塩玠原子であ぀おもよい。これらのシランカ
ツプリング剀は皮たたは皮以䞊の混合系で甚
いられおも良い。 又、本発明に甚いられるシリカ埮粉䜓に芁求さ
れる疎氎化床、即ち、メタノヌル適定詊隓によ぀
お枬定された疎氎化床が55〜80の範囲の倀を瀺す
様に疎氎化凊理するには、埓来公知の疎氎化方法
が甚いられ、シリカ埮粉䜓ず反応あるいは物理吞
着する有機ケむ玠化合物などで化孊的に凊理する
こずによ぀お付䞎される。奜たしい方法ずしお
は、ケむ玠ハロゲン化合物の蒞気盞酞化により生
成されたシリカ埮粉䜓をシランカツプリング剀で
凊理した埌、あるいはシランカツプリング剀で凊
理するず同時に有機ケむ玠化合物で凊理する。 その様な有機ケむ玠化合物の䟋は、ヘキサメチ
ルゞシラザン、トリメチルシラン、トリメチルク
ロルシラン、トリメチル゚トキシシラン、ゞメチ
ルゞクロルシラン、メチルトリクロルシラン、ア
リルゞメチルクロルシラン、アリルプニルゞク
ロルシラン、ベンゞルゞメチルクロルシラン、ブ
ロムメチルゞメチルクロルシラン、α−クロル゚
チルトリクロルシラン、β−クロル゚チルトリク
ロルシラン、クロルメチルゞメチルクロルシラ
ン、トリオルガノシリルメルカプタン、トリメチ
ルシリルメルカプタン、トリオルガノシリルアク
リレヌト、ビニルゞメチルアセトキシシラン、ゞ
メチル゚トキシシラン、ゞメチルゞメトキシシラ
ン、ゞプニルゞ゚トキシシラン、ヘキサメチル
ゞシロキサン、−ゞビニルテトラメチルゞ
シロキサン、−ゞプニルテトラメチルゞ
シロキサン、および分子圓りから12個のシロ
キサン単䜍を有し末端に䜍眮する単䜍にそれぞれ
個宛のSiに結合した氎酞基を含有するゞメチル
ポリシロキサン等がある。これらは皮あるいは
皮以䞊の混合物で甚いられる。 シリカ埮粉䜓に察しお凊理するシランカツプリ
ング剀ず疎氎化凊理剀の奜たしい重量の比率は、
1585〜8515であり、この比率を倉化させる事
によ぀お、該シリカ埮粉䜓を含有した珟像剀の摩
擊垯電量の倀を垌望の倀にする事ができる。この
比率は任意に遞択でき、甚いるアミノシラン化合
物及び疎氎化凊理剀の皮類によ぀おも異なる。シ
ランカツプリング剀ず疎氎化凊理剀の総量は、シ
リカ埮粉䜓に察しお、0.1〜30wtより奜たし
くは、0.5〜20wtであるのが奜たしい。最終
的に凊理されたシリカ埮粉䜓の疎氎化床がメタノ
ヌル滎定詊隓によ぀お枬定された疎氎化床ずし
お、30〜80の範囲の倀を瀺す様に疎氎化された堎
合に本発明の珟像方法に甚いられるのに奜たしい
珟像剀が埗られる。 メタノヌル滎定詊隓は、疎氎化された衚面を有
するシリカ埮粉䜓の疎氎化床を確認する実隓的詊
隓である。 凊理されたシリカ埮粉䜓の疎氎化床を評䟡する
ために本明现曞においお芏定される。“メタノヌ
ル滎定詊隓”は次の劂く行なう。䟛詊シリカ埮粉
䜓0.2を容量250mlの䞉角フラスコ䞭の氎50mlに
添加する。メタノヌルをビナヌレツトからシリカ
の党量が湿最されるたで滎定する。この際、フラ
スコ内の溶液はマグネチツクスタヌラヌで垞時撹
拌する。その終点はシリカ埮粉䜓の党量が液䜓䞭
に懞濁されるこずによ぀お芳察され、疎氎化床は
終点に達した際のメタノヌルおよび氎の液状混合
物䞭のメタノヌルの癟分率ずしお衚わされる。 たた、これらの凊理されたシリカ埮粉䜓の適甚
量は珟像剀重量に察しお、0.01〜20のずきに効
果を発揮し、特に奜たしくは0.1〜添加した
際に優れた安定性を有する正の垯電性を瀺す。添
加圢態に぀いお奜たしい態様を述べれば、珟像剀
重量に察しお0.01〜重量の凊理されたシリカ
埮粉䜓がトナヌ粒子衚面に付着しおいる状態にあ
るのが良い。 この様にしお構成された本発明の珟像方法は、
甚いられる珟像剀が荷電制埡成分ずしお、前蚘し
たずころのシリカ埮粉䜓を含有するため珟像剀担
持䜓䞊に担持された珟像剀局に付䞎される摩擊垯
電量が均䞀化された超䜎枩䜎湿の耐久においお生
じやすい過剰の電荷のみを適圓な飜和倀たでシリ
カ埮粉䜓を介しおリヌクしその結果安定な珟像剀
局を圢成する。高枩高湿においおは安定なコヌテ
むング状態を䞎えるに必芁な摩擊垯電量を保持し
やすく濃床䜎䞋などを生じない。 たた、他の特城は、安定な珟像剀局の圢成が容
易なため、埓来充分には解決できなか぀た珟像カ
ブリや、朜像の゚ツヂ呚蟺ぞのトナヌの飛び散り
がなく、高い画像濃床が埗られ、ハヌフトヌンの
再珟性が良い事である。 さらに本発明の珟像方法に䜿甚する珟像剀は長
期間高枩高湿䞭に保存しおも摩擊垯電量の枛少が
極めお少なく耇写品質が殆んど䜎䞋しないがこれ
は以䞋の理由によるず思われる。すなわち、ケむ
玠ハロゲン化合物の蒞気盞酞化により生成された
シリカ埮粉䜓は衚面に倚数の氎酞基を圢成しおい
る。これらは次の様な皮類のものである。  衚面のシラノヌル基、これは他のシラノヌル
基に察しお空間的に遠ざけられおいるためにそ
の䜜甚領域内で互いに盞互䜜甚の可胜性を有せ
ずそれ故孀立された、又は“遊離のシラノヌル
基”ず呌べるものである。  それ自䜓がず同じ皮類のシラノヌル基、䜆
しこれは氎玠架橋を介しお盞互䜜甚し埗る皋床
近接しおおり、それ故“結合”氎玠架橋結合
シラノヌル基”ず呌ぶこずができる。  衚面に吞着された氎の氎酞基。 これらのシリカ衚面䞊の氎酞基は400℃以䞊の
枩床で熱凊理するこずによ぀おシラノヌル基どう
しの瞮合が起こり、その結果衚面が安定化するた
めず思われる。400℃未満で熱凊理するず、加熱
時には吞着氎が陀かれおケむ玠埮粉䜓の含氎量が
枛少するが、垞枩に戻すず再び氎分を吞収しお含
氎量が熱凊理する前ず同量になる。しかしながら
400℃以䞊で熱凊理するず、ケむ玠埮粉䜓粒子の
衚面の氎酞基が瞮合しお氎分を攟出するので、垞
枩に戻しおも含氎量は熱凊理前に比べお著しく少
ないものずなる。完党には氎酞基数は陀去されな
いがこれは埌工皋・有機凊理にず぀お奜぀ごうな
量である。 本発明においお熱凊理の時間は凊理枩床、ケむ
玠埮粉䜓の粒埄がその他の特性により異なるが、
およそ分〜10時間の範囲であ぀お、熱凊理の結
果吞湿量がおよそ重量パヌセント以内特に奜
たしくは重量パヌセント以内ずなるこずを目
安にしお決定すれば良い。吞湿量はおよそ20℃に
おいお玄週間チオ硫酞゜ヌダの液底䜓を有する
飜和氎溶液䞊に、すなわち湿床78䞭に攟眮した
熱凊理されたケむ玠埮粉䜓を熱倩秀により℃
分の枩床䞊昇で垞枩から400℃たで加熱枛量曲線
を枬定し、その枛少量を吞湿量ずしお求める。 以䞊本発明の基本的な構成ず特色に぀いお述べ
たが以䞋実斜䟋にもずづいお具䜓的に本発明の方
法に぀いお説明する。しかしながら、これによ぀
お本発明の実斜䟋の態様がなんら限定されるもの
ではない。 実斜䟋  スチレン−ブチルメタリレヌト 100重量郹 マグネタむト 60重量郹 カヌボンブラツク 重量郚 ニグロシン 重量郚 䞊蚘材料をブレンダヌでよく混合した埌150℃
に熱した本ロヌルで混緎した。混緎物を自然攟
冷埌、カツタヌミルで粗粉砕した埌、ゞ゚ツト気
流を甚いた埮粉砕機を甚いお粉砕し、さらに颚力
分玚機を甚いお分玚しお粒埄〜20Όの埮粉䜓
トナヌを埗た。 次にシリカ埮粉䜓ア゚ロゞル200日本ア゚ロゞ
ル瀟補を800℃で時間熱凊理しお生成したシ
リカ埮粉䜓を70℃に加熱した密閉型ヘンシ゚ルミ
キサヌ䞭に入れ、シリカに察しおシランカツプリ
ング剀が10重量パヌセントの凊理量ずなる様にア
ルコヌルで垌釈したγ−アミノプロピルトリ゚ト
キシシランを滎䞋しながら高速で撹拌した。埗ら
れた埮粉䜓を120℃にお也燥した埌、再びヘンシ
゚ルミキサヌ䞭に入れ、撹拌しながら該シリカに
察しおゞメチルゞクロルシランが10重量パヌセン
トずなる様に噎霧した。宀枩で時間高速撹拌
し、さらに80℃で24時間撹拌し、぀いでミキサヌ
を倧気圧たで開攟した。この混合物をさらに䜎速
にお倧気圧で60℃時間也燥した。疎氎化床は55
であ぀た。 該凊理シリカ埮粉䜓を䞊蚘埮粉䜓に察し0.6重
量パヌセント加えヘンシ゚ルミキサヌで混合した
ものを珟像剀ずした。 次いでOPC感光䜓に−6KVのコロナ攟電を行
ない党面䞀様に垯電した埌、原画像照射を行ない
静電朜像を圢成した。 珟像剀担持䜓は倖埄50mmのステンレス補円筒ス
リヌブずした。スリヌブ衚面磁束密床700ガりス、
穂切りブレヌドスリヌブ衚面間距離0.2mmである。
このスリヌブ回転マグネツト固定スリヌブ呚速
はドラムのそれず同じで回転方向は逆型珟像噚
を前蚘感光ドラム衚面−スリヌブ衚面間距離0.25
mmに蚭定し、スリヌブに400Hz、1000Vの亀流及
び−150Vの盎流バむアスを印加した。 前蚘した珟像剀を甚いお珟像し、次いで転写玙
の背面より−7KVの盎流コロナを照射し぀぀粉
像を転写し、耇写画像を埗た。定着は垂販の普通
玙耇写機商品名、NP−5000、キダノン補を
甚いお行な぀た。埗られた転写画像は濃床が1.38
ず充分高く、カブリも党くなく、画像呚蟺のトナ
ヌ飛び散りがなく解像力の高い良奜な画像が埗ら
れた。この時のスリヌブ䞊にコヌテむングされた
トナヌ局の単䜍面積圓りの重量は1.5×10-3/
cm2であ぀た。 䞊蚘珟像剀を甚いお連続しお転写画像を䜜成
し、耐久性を調べたが、100000枚埌の転写画像も
初期の画像ず比范しお、党く、そんな色のない画
像であ぀た。 次に、環境条件を35℃、85にしたずころ、画
像濃床は1.30ず垞枩垞湿ずほずんど倉化のない倀
であり、カブリや飛び散りもなく鮮明な画像が埗
られ耐久性も100000枚たでほずんど倉化なか぀
た。この時のトナヌ局の単䜍面積圓りの重量は
1.40×10-3/cm2であ぀た。次に10℃10の䜎
枩䜎湿床においお転写画像を埗たずころ画像濃床
は1.31ず高くベタ黒も極めお滑らかに珟像・転写
され飛び散りや䞭抜けのない優秀な画像であ぀
た。この環境条件で耐久を行な぀たが、連続、及
び間け぀コピヌしたがやはり10000枚たで濃床倉
動は±0.1ず実甚䞊充分であり、癜スゞやムラは
発生しなか぀た。この時のトナヌ局の単䜍面積圓
りの重量の倉化を第図にで瀺したが、ほずん
ど倉化がなか぀た。たた35℃90でケ月間保存
し珟像したが、保存前ずほずんど倉化がなか぀
た。 比范䟋  ア゚ロゞル200をγ−アミノプロピルトリニト
キシシランず、ゞメチルゞクロルシランで凊理し
ない他は実斜䟋ず同様に珟像剀を埗、珟像・転
写を行な぀たが、反転した画像が埗られたのみで
あり、摩擊垯電量は−3.2ÎŒc/ず負の垯電性を瀺
した。 比范䟋  ゞメチルゞクロシランで凊理しない他は実斜䟋
ず同様に珟像剀を埗、同様に画像を埗た。垞枩
垞湿ではカブリは少ないが画像濃床が0.82ず䜎
く、線画も飛び散り、ベタ黒はガサツキが目立぀
た。耐久性を調べたが、5000枚時に濃床は0.61ず
䜎䞋した。 35℃85の条件䞋で画像を埗たずころ画像濃床
は0.63ず䜎くなりカブリ、飛び散り、ガサツキが
増倧し、䜿甚に耐えないものであ぀た。転写効率
も70ず䜎か぀た。この時のトナヌ局の単䜍面積
圓りの重量は、0.70×10-3/cm2であ぀た。 10℃10の条件䞋で画像を埗たずころ、画像濃
床は0.68ず䜎く、飛び散り、カブリ、ガサツキが
ひどく転写ぬけが目立぀た。連続画像出しを行な
぀たが、500枚皋床で濃床は0.40ずなり、実甚䞍
可ずな぀た。この時の初期のトナヌ局の単䜍面積
圓りのトナヌ重量は1.7×10-3/cm2で500枚の時
点で3.5×10-3/cm2ずなり、波ムラを生じおい
た。 比范䟋  実斜䟋においお、ゞメチルシクロルシランの
量をシリカに察しお0.1重量ずなる様に倉えた
他は実斜䟋ず同様に行な぀た。この時のシリカ
の疎氎化床は15であ぀た。垞枩垞湿では耐久枚数
は100000枚たで良奜な画像が埗られ、トナヌ局の
単䜍面積圓りのトナヌ重量も倉化しなか぀たが、
35℃85では、初期の画像濃床は、1.2であり
5000枚時に、0.78に䜎䞋した。トナヌ局は1.4×
10-3/cm2であ぀たものが、5000枚時には0.75×
10-3/cm2たで䜎䞋した。 10℃10の条件䞋に、ケ月保存したのちこの
環境で耐久を行぀たずころ初期は画像濃床が1.4
ず高く、良奜な結果が埗られたが5000枚でサザ波
ムラを生じ、画像濃床は0.62ず䜎䞋し7000枚で癜
スゞが画像に生じた。この時のトナヌ局は4.0×
10-3/cm2ず増加しおいた。この時のトナヌ局の
単䜍面積圓りのトナヌ重量の倉化を第図にで
瀺した。 実斜䟋 〜 ア゚ロゞル200の熱凊理枩床をそれぞれ430℃、
480℃、500℃、600℃、700℃、900℃、1000℃、
1200℃、ず代えるこずを陀いおは実斜䟋ずほが
同様に行な぀たずころ良奜な結果が埗られた。シ
リカの疎氎化床はそれぞれ50、50、55、58、70、
65であ぀た。35℃90ケ月間の攟眮テストも良
奜であ぀た。
【図面の簡単な説明】
第図は、本発明に適甚できる珟像工皋の䞀実
斜圢態を瀺す断面図。第図は、実斜䟋及び比
范䟋における10℃10の環境における耐久䞭の
トナヌ局の単䜍面積圓りのトナヌ重量倉化を瀺す
図。  静電像保持䜓、 非磁性円筒、 ドク
タヌブレヌド、 絶瞁性珟像剀。 実斜䟋
の結果、 比范䟋の結果。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  静電像を衚面に保持する静電像保持䜓ず、絶
    瞁性磁性珟像剀を衚面に保持するマグネツトを内
    包しおいる珟像剀担持䜓ずを珟像郚においお䞀定
    の間隔を蚭けお配眮し、 珟像剀担持䜓に担持されおいる絶瞁性磁性珟像
    剀は、少なくずも結着暹脂ず磁性粉ずを有するト
    ナヌず、シリカ埮粉䜓ずを少なくずも含有する正
    荷電性絶瞁性磁性珟像剀であり、 該シリカ埮粉䜓がケむ玠ハロゲン化合物の蒞気
    盞酞化により生成された埮粉䜓であ぀お、該シリ
    カ埮粉䜓が、400℃以䞊の枩床で熱凊理された埌、
    䞀般匏 RmSiYn はアルコキシ基たたは塩玠原子は〜
    の敎数はアミノ基を含有する炭化氎玠基
    は〜の敎数で瀺されるシランカツプリング
    剀及び疎氎化凊理剀で凊理され、か぀、メタノヌ
    ル液定詊隓によ぀お枬定された疎氎化床が55〜80
    の範囲の倀を瀺す様に疎氎化凊理されたシリカ埮
    粉䜓であり、 正荷電性絶瞁性磁性珟像剀を珟像剀担持䜓䞊に
    前蚘間隙よりも薄い厚さに担持させ、珟像剀担持
    䜓にバむアスを印加しながら該珟像剀担持䜓に内
    包されおいるマグネツトの磁界䞋で、該正荷電性
    磁性珟像剀を珟像郚においお前蚘静電像保持䜓に
    転移させ珟像するこずを特城ずする珟像方法。
JP58039807A 1982-08-23 1983-03-09 珟像方法 Granted JPS59164562A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58039807A JPS59164562A (ja) 1983-03-09 1983-03-09 珟像方法
GB08322092A GB2128764B (en) 1982-08-23 1983-08-17 Electrostatographic developer
DE3330380A DE3330380C3 (de) 1982-08-23 1983-08-23 Elektrostatografischer Entwickler und seine Verwendung
US06/751,994 US4618556A (en) 1982-08-23 1985-07-03 Developer and developing method
SG78/89A SG7889G (en) 1982-08-23 1989-02-11 Developer and developing method
HK483/90A HK48390A (en) 1982-08-23 1990-06-21 Developer and developing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58039807A JPS59164562A (ja) 1983-03-09 1983-03-09 珟像方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59164562A JPS59164562A (ja) 1984-09-17
JPH0157909B2 true JPH0157909B2 (ja) 1989-12-07

Family

ID=12563227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58039807A Granted JPS59164562A (ja) 1982-08-23 1983-03-09 珟像方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59164562A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3707226A1 (de) * 1987-03-06 1988-09-15 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur herstellung von hochdispersem metalloxid mit ammoniumfunktionellem organopolysiloxan modifizierter oberflaeche als positiv steuerndes ladungsmittel fuer toner

Also Published As

Publication number Publication date
JPS59164562A (ja) 1984-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4618556A (en) Developer and developing method
JP2974452B2 (ja) 磁性トナヌ
US4568625A (en) Developer comprising a modified silicone oil and development process for electrophotography
JPH0256666B2 (ja)
JPH0157907B2 (ja)
JPH0525110B2 (ja)
JPH063851A (ja) 静電珟像剀及び珟像方法
JPH0140978B2 (ja)
JPH0157903B2 (ja)
JPH0727271B2 (ja) 珟像方法
JPH0157909B2 (ja)
JPS59123849A (ja) 珟像方法
JPH01100563A (ja) 画像圢成方法
JPH0157904B2 (ja)
JPS6261065A (ja) 磁性珟像剀
JPS59187359A (ja) 珟像方法
JP2752426B2 (ja) 珟像方法
JP2646276B2 (ja) 負垯電性非磁性カラヌトナヌ及び画像圢成方法
JPH0220105B2 (ja)
JPH0578831B2 (ja)
JP2607398B2 (ja) 非磁性䞀成分珟像方法
JPH0159578B2 (ja)
JPS5944059A (ja) 正荷電性珟像剀
JPS6261069A (ja) 磁性珟像剀
JPH0473579B2 (ja)