JPH01501749A - 自己タイミング回路 - Google Patents

自己タイミング回路

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JPH01501749A
JPH01501749A JP62506941A JP50694187A JPH01501749A JP H01501749 A JPH01501749 A JP H01501749A JP 62506941 A JP62506941 A JP 62506941A JP 50694187 A JP50694187 A JP 50694187A JP H01501749 A JPH01501749 A JP H01501749A
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パウエル,スコツト・アール
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ヒユーズ・エアクラフト・カンパニー
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 自己タイミング回路 発明の背景 ここに開示された本発明は一般にタイミング回路に関するものであり、特に疑似 CMO8論理回路として知られているMO8回路のための自己タイミングクロッ ク回路に関するものである。
標準または典型的CMO8論理回路はゲート8力について相補対称であることを 特徴とし、一般に各nチャンネルトランジスタのための1つのpチャンネルトラ ンジスタを含むCMO5論理回路の重要な利点は電力消費が低いことである。
しかしながら、標準CMO8論理回路の既知の欠点は設計(レイアウト)の複雑 さと、pチャンネルトランジスタにより広い面積が必要とされることである。更 に標準CMO5論理回路の設計は各並列トランジスタのため相補型の直列トラン ジスタを必要とし、それはより遅い特性を結果として生じる。
低電力消費を維持しながら間標準CMO8論理回路の欠点を避ける論理回路を開 発することに努力が注がれた。例えば、また疑似CMOSとして知られている“ ドミノCMO8”は主としてnチャンネルトランジスタを用い、設計の複雑さを 減少し、ゲート面積を減少し、より高速な特性を達成する。
疑似CMOSの議論については、文献(“CMO5を具備する高速小型回路”  、Kraibeek等、I EEE Journal of614−619ペー ジ、1982年6月:および“CMO5設計様式の概説” * Vol、5、N 009.88−96’<−’)、1984年9月)を参照されたい。
しかしながら、疑似CMOSは、(a)論理ゲートの出力が高レベル状態ヘブリ チャージされその間論理ゲートの入力の変化が発生するようなプリチャージ位相 と、(b)その間論理ゲートの出力がその入力に従って変化するような評価位相 とを定めるため付加的タイミング位相を要求する。単一クロック信号はプリチャ ージ位相および評価位相を定めるために用いられ、例えば正方向へのクロックレ ベルの移行はプリチャージ位相を開始し評価位相を終了し、負方向クロック移行 は評価位相を開始しプリチャージ位相を終了する。
プリチャージおよび評価位相のためのクロック位相はラッチデータ入力およびラ ッチデータ出力のため標準クロック位相へ加えられる。従って、疑似CMO8設 計は4つまでの別々のクロック位相を用いることができる。VLSI構成に関し て、4つまでの別々のクロック位相の使用および全クロック位相間の固定された 位相関係の維持はある困難さを与える。
更に、固定された位相クロックの使用は個々の回路の能力にかかわらずチップ上 の全疑似CMO8回路のため同様に固定された動作遅延を必要とする。チップ上 の全疑似CMO8回路のための共通の固定された位相クロックのこのような使用 は最大遅延の決定を必要とし安全マージンを加える。
個々の疑似CMO8回路のためのプリチャージおよび評価クロック位相を与える ための既知の1アプローチは、チップ上の疑似CM OS回路のための全ての単 安定マルチバイブレータ(ワンショット)12対して共通であるり、ロック信号 の予め決められた縁部に応答してパルスを供給するため単安定マルチバイブレー タを使用する。このアプローチを成功させるため、各疑似CMO5回路の遅延は 、直接測定が一般に可能ではないので広い回路シミュレーションによって決定さ れなければならない。更に、ワンショットのパルス幅はRC時定数によって決定 され、方法のバリエーションは抵抗性および容量性素子の両方に影響を及ぼす。
従って、大きいマージンは各疑似CMO8回路のためワンショットの使用へ設計 されなければならない。
発明の概要 プリチャージおよび評価クロック信号間のグローバル固定位相を使用しない疑似 CMO5論理回路のためのタイミング回路を供給することはそれ故有利である。
もう1つの利点は、スタチックな集積回路チップ中の各疑似CMO8回路のため 各ワンショットを用いず、ワンショットに依存せずにデユーティサイクルを維持 する集積回路チップ中の各疑似CMOS論理回路のためのタイミング回路を提供 することである。
その対応する疑似CMO5回路の実施特性ヘクロツタ位相を整合する集積回路チ ップ中の各疑似CMO5論理回路のためのタイミング回路を提供することもまた 利点である。
更に別の利点はこのような外部回路の動作速度を能率的に利用する外部回路のた めのタイミング回路を提供することである。
前述およびその他の利点および特徴はプリチャージ終了および評価終了を示すプ リチャージ/評価終了信号を供給する外部回路によって用いられる本発明のタイ ミング回路によって提供される。タイミング回路はクロック信号および外部回路 によって供給されるプリチャージ/評価終了信号に応答し、(a)評価が終了さ れクロック信号が予め決められたレベルである予め決められた状態と、(b)プ リチャージ終了とを各々示す第1および第2の状態を有するクロックイネーブル 信号を供給するためクロック信号およびプリチャージ/評価終了信号に応答する クロックイネーブル回路を含む。レベルシフト回路はクロック信号およびタロツ クイネーブル信号に応答し、疑似CMOS回路へ位相制御信号を供給し、このよ うな位相制御信号は(a)予め決められた状態を示す前記クロックイネーブル信 号および予め決められた移行を行うクロック信号に応答するプリチャージ位相と 、(b)プリチャージの終了を示すプリチャージ/評価終了信号に応答する評価 位相とを定める。ラッチ回路はその各位相において位相制御信号を選択的にラッ チするためクロックイネーブル信号およびクロック信号に応答する。
本発明の自己タイミング回路は単一位相クロック信号を4つの別々の位相を有す るクロック信号へ変換する。これらは入力ラッチ位相、プリチャージ位相、評価 位相および出力ラッチ位相である。この回路はスタチックであり、縁部でトリガ ーされ、単一位相クロックの周波数およびデユーティサイクルに依存せずに動作 する。
本発明のこの回路は疑似CMO5回路を伝統的単一位相同期または非同期スタチ ックCMO8回路設計と統合させることを可能にする。この回路設計は通常2レ ベルの結合論理ゲートと単一ゲート遅延を有する回路内へ3ゲート遅延を生じる フリップフロップとを必要とする複雑な論理設計を減少する。
本発明の自己タイミング回路は外部初期化が必要とされないように既知の状態へ それ自身を予め設定する。特に、26のトランジスタは開示される実施例の自己 タイミング回路を構成するため用いられ、第1の回路出力は入力の直接制御下で 3個のトランジスタのみによって駆動され、入力と第1の出力との間の1ゲ一ト 信号遅延を生じるだけである。
図面の簡単な説明 開示された発明の利点および特徴は、以下の図面と結合して読まれるとき以下の 詳細な説明から当業者によって容易に明らかとされる。
第1図は本発明のタイミング回路の使用を示すブロック図である。
第2図は本発明のタイミング回路の回路概略図である。
第3図は第2図のタイミング回路のある入力と出力との間のタイミング関係を示 すタイミング図である。
第4A図乃至第4C図はタイミング回路を駆動する第1のある。
以下の詳細な説明および図面のいくつかの図において、同様の素子は同様の参照 番号で識別される。
開示された発明は疑似CMOSおよび関連する回路のためのタイミング位相に関 するものである。それ故、よく知られている用語“プリチャージ(precha nge )”および“評価(evalution ) ”は、(a)クロックさ れる疑似CMO8回路の出力が高い状態のような予め決められた状態ヘプリチャ ージされるプリチャージ位相と、(b)疑似CMO5回路の出力がプリチャージ 位相中供給される入力に反応して変化する評価位相に対してそれぞれ用いられる 。
第1図を参照すると、対応する疑似CMOS回路110を具備する開示されたタ イミング回路1oの使用を示すブロック図がここに示され、それは例としてプロ グラム可能な論理アレイ(PLA)であって良い。集積回路中の各疑似CMO8 回路が対応するタイミング回路を有することが予期される。
本発明のタイミング回路lOは、疑似CMOS回路110への以下の信号、即ち プリチャージ/評価制御信号PECTRL。
入力ラッチ信号IL、および出力ラッチ信号OLを供給する。
タイミング回路はクロック信号源(図示されていない)からクロック信号CLK を受信し、更に疑似CMOS回路110からプリチャージ/評価終了信号PEC OMPを受信する。これらの入力および出力タイミング信号は特に以下のように 定義される。
タイミング信号 クロック信号CLKは、例えばタイミング回路10を含む超大規模集積(VLS I)回路のためのマスタークロック信号であってもよい入力クロック信号である 。別の例として、クロック信号CLKは非同期適用におけるデータ準備信号であ って良い。
入力ブリチャージ/評価終了信号PECOMPはタイミング回路10によってク ロックされる疑似CMO5回路110がら受信される入力信号である。プリチャ ージ/評価終了信号RECOMPはクロックされた疑似CMOS回路の各プリチ ャージおよび評価機能の終了を示す。
プリチャージ/評価終了信号PECOMPはプリチャージ位相に反応する回路の 終了に従う順方向移行と、評価位相に反応する回路の終了に従う逆方向移行とを 行う疑似CMO8回路110中の構造・によって供給される。例によって説明す ると、プリチャージ/評価終了信号PECOMPは疑似CMO8のプログラム可 能論理アレイ(PLA)の“タミー1出力によって供給される。このようなダミ ー出力は、(a)PLAへの全ての入力に基づ<AND平面によって与えられた “ダミー”積の項と、(b) “ダミー積の項を含むOR平面へ供給された全て の積の項に基づ<OR平面の“ダミー”出力とを含む構造によって供給される。
OR平面のこのような“ダミー°出力はPLAの“ダミー”出力であり、PLA のための最悪の場合の遅延路を提供する。
プリチャージ/評価制御信号PECTRLはタイミング回路10によってクロッ クされる疑似CMO5回路110ヘブリチャージおよび評価クロック位相を与え る。
入力ラッチ信号ILはクロックされる疑似CMO8回路110への入力がラッチ されることを示すためにタイミング回路10によって生成される。
出力ラッチ信号OLはクロックされる疑似CMO5回路11Gの出力がラッチさ れることを示すためにタイミング回路lOによって生成される。
タイミング回路 第2図を参照すると、一般にクロックイネーブル回路20、プルアップ/ダウン 回路30、プリチャージラッチ40.およびデータ人力/出力(I 10)ラッ チ信号発生器50を含むタイミング回路の概略的回路図が示されている。クロッ クイネーブル回路20はクロック信号CLKおよびプリチャージ/評価終了信号 PEZOMPに応答する。プルアップ/ダウン回路30はクロック信号CLKお よびクロックイネーブル回路20に反応してプリチャージおよび評価位相を定め るためプリチャージ/評価回路信号PECTRL信号のレベルをシフトする。
プリチャージラッチ40はクロック信号CLK、クロックイネーブル回路20、 およびプルアップ/ダウン回路30に反応し、プリチャージ/評価制御信号PE CTRLを浮遊しないようにラッチするよう機能する。データI10ラッチ信号 発生器50はプリチャージ/評価制御信号PECTRLおよびプリチャージ/評 価終了信号PECOMPに反応し、クロックされる疑似CM OS回路の入力お よび出力のラッチを制御するため用いられる入力ラッチ信号ILおよび出力ラッ チ信号OLを発生する。
クロックイネーブル信号20は特に、そのゲートへプリチャージ/評価終了信号 PECOMPを供給されるnチャンネルトランジスタ11を含む。nチャンネル トランジスタ11のソースは基準電圧Vddへ接続され、nチャンネルトランジ スタ11のドレインはもう1つのnチャンネルトランジスタ18のソースへ結合 される。nチャンネルトランジスタ13のゲートはクロック信号CLKを受信し 、一方そのドレインはそのゲートがクロック信号CLKを供給されるnチャンネ ルトランジスタ15のドレインへ結合される。nチャンネルトランジスタ15の ソースは基準電圧Vddより小さい別の基準電圧VSSへソースが結合されたn チャンネルトランジスタ17のドレインへ結合される。
クロックイネーブル回路20は更にそのゲートにプリチャージ/評価終了信号P ECOMPを受信し、そのソースが基準電圧VSSへ結合されたnチャンネルト ランジスタ19を含む。
nチャンネルトランジスタ19のドレインはnチャンネルトランジスタ13のド レインとnチャンネルトランジスタ15のドレインとの間のノード12へ結合さ れる。nチャンネルトランジスタ19のドレインはその出力がnチャンネルトラ ンジスタ17のゲートへ結合されたインバータ21の入力にもまた接続される。
インバータ21の出力は更にnチャンネルトランジスタ23のゲートへ結合され 、このnチャンネルトランジスタ23のソースはnチャンネルトランジスタ11 のドレインとnチャンネルトランジスタ13のソースとの間のノード14へ結合 されている。
nチャンネルトランジスタ28のドレインはノード12へ結合される。ノード1 2での信号は、ここで更に説明されるようにクロック信号CLKに従ってプルア ップ/ダウン回路30にプリチャージ/評価制御信号PECTRLを直接制御さ せるクロックイネーブル信号CEとして識別される。
プルアップ/ダウン回路30はノード12に供給されたクロックイネーブル信号 へゲートが結合されたnチャンネルトランジスタ25を含む。nチャンネルトラ ンジスタ25のソースは基準電圧Vddへ結合され、一方そのドレインはノード 16でnチャンネルトランジスタ27のドレインへ結合される。クロック信号C LKはnチャンネルトランジスタ27のゲートへ供給され、このトランジスタ2 7のソースはnチャンネルトランジスタ29のドレインへ結合される。nチャン ネルトランジスタ29のゲートはクロックイネーブル回路20のノード12から 供給されるクロックイネ−“プル信号CEを受信する。nチャンネルトランジス タ29のソースは基準電圧VSSへ結合される。簡単に言うと、トランジスタ2 5.27.29は基準電圧Vddと基準電圧Vssとの間に直列に接続される。
プリチャージラッチ回路40はノード12へ結合されるゲートを有するnチャン ネルトランジスタ31を含み、それ故クロックイネーブル信号CEを受信する。
nチャンネルトランジスタ31のソースおよびドレインはもう1つのnチャンネ ルトランジスタ33のソースおよびドレインへ各々接続される。nチャンネルト ランジスタ33のゲートはクロック信号CLKを受信する。nチャンネルトラン ジスタ31.33のドレインはnチャンネルトランジスタ25とnチャンネルト ランジスタ27との間のノード16へ結合される。nチャンネルトランジスタ3 5のドレインはまたプリチャージ/評価制御信号PECTRLを供給するノード 16へ結合される。nチャンネルトランジスタ35のゲートはノード12へ結合 され、クロックイネーブル信号CEを受゛信し、そのソースはnチャンネルトラ ンジスタ37のドレインへ結合される。nチャンネルトランジスタ37のソース は基準電圧VSSへ結合される。
ノードlBは、プリチャージ/評価信号PECTRLを供給するが、それは更に インバータ39の入力へ結合される。インバータ39の出力はnチャンネルトラ ンジスタ37のゲートへ結合され、またnチャンネルトランジスタ41のゲート へ結合される。nチャンネルトランジスタ41のソースは基準電圧Vddへ結合 され、そのドレインはnチャンネルトランジスタ31゜33のソースへ結合され る。
データI10ラッチ信号発生器50は、プリチャージ/評価終了信号PECOM Pを受信し2人力NANDゲート45へのその出力を供給するインバータ43を 含む。NANDゲート45の他方の入力はプリチャージ/評価制御信号PECT RLを供給される。NANDゲート45の出力は更に出力データラッチ信号OL を供給するインバータ47の入力へ結合される。
安定状態動作 第3図を参照して、タイミング回路10によって供給されたクロッキングをタイ ミング回路10がクロック信号CLKの正方向移行の前に以下のような状態にあ るような安定状態動作について説明する。プリチャージ/評価終了信号PECO MPは低レベルで、ノード12でのクロックイネーブル信号CEは高レベルにラ ッチされ、プリチャージ/評価制御信号PECTRLは高レベルにラッチされ、 入力データラッチ信号ILは低レベルであり、出力データラッチ信号OLは高レ ベルである。信号PECOMPを低レベルにするプリチャージ/評価終了信号P  E COMPの負方向移行は評価が終了することを示す。ここで更に論議され るように、タイミング回路lOは任意の必要な初期化なしにこのような安定状態 状況を与える。
ノード12でのクロックイネーブル信号CEは高レベルにラッチされ、それ故イ ンバータ21は低出力を供給する。インバータ21の低出力の結果として、トラ ンジスタ17はオフでありトランジスタ23はオンでる。プリチャージ/評価終 了信号PECOMPが低レベルなので、トランジスタ11はオンでありトランジ スタ19.25はオフである。ノード12でのクロックイネーブル信号CEは高 レベルであるから、トランジスタ29゜35はオンであり、トランジスタ25. 31はオフである。クロック信号CLKは低レベルで、それ故トランジスタ15 .27がオフであり、トランジスタ13.33はオンである。ノード1Bでのプ リチャージ/評価制御信号PECTRLは高レベルで、それ故インバータ39へ の入力は高レベルで、それは低レベルインバータ出力を結果として生じる。イン バータ39の低レベル出力の結果として、トランジスタ41はオンでありトラン ジスタ37はオフである。トランジスタ33.41はオンであり、それ故プリチ ャージ/評価制御信号PECTRLは高レベルにラッチされる。
クロック信号CLKがサイクルを開始する正方向移行を行うとき、トランジスタ 15.27はオンになりトランジスタ13、33はオフになる。ノード16での プリチャージ/評価制御信号PECTRLはそれ故低レベルにされる。制御信号 PECTRLは低レベルにされると、インバータ39の出力は高くなりトランジ スタ37はオンになる。クロックイネーブル信号CEは高くラッチされたままで あり、プリチャージ/評価制御信号PECTRLはプリチャージ/評価終了信号 PECOMPの正方向移行に従って容易に制御される。制御信号PECTRLの 低レベル状態はクロックされる疑似0M08回路のためプリチャージ位相を定め る。
プリチャージ評価制御信号PECTRLが低レベルにされるとき、プリチャージ /評価終了信号PECOMPが低レベルなので入力ラッチ信号ILは高レベルへ 移行する。出力ラッチ信号OLは、入力ラッチ信号の逆であり、低レベルへ移行 する。
プリチャージ/評価制御信号PECTRLの低レベルへの移行後、プリチャージ /評価終了信号PECOMPは負方向クロック移行の発生にかかわらず高レベル へ移行を完了するまで低レベルにラッチされる。クロック信号CLKのこのよう な負方向移行はトランジスタ13.33をオンにし、トランジスタ15.17を オフにする。しかしながら、トランジスタ35゜37はオンのままであり、それ によってプリチャージ/評価制御信号PECTRLは低レベルを維持する。
疑似CMO5回路110からプリチャージ/、評価終了信号PE COM Pは プリチャージが終了であるこ止を示す正方向移行を行う。このような正方向移行 に従って、トランジスタ11はオフ、になり、トランジスタ19はオンになり、 ノード12におけるイネーブル信号CEは低レベルにされる。インバータ21は 高レベル出力を供給し、トランジスタ17はオンになり、トランジスタ23はオ フになる。ノード12でのクロックイネーブル信号CEはそれ故低レベルにされ 、プリチャージ/評価終了信号PECOMPおよびクロック信号CLKの両方が 低レベルになるまで低レベルのままである。
ノード12でクロックイネーブル信号CEが低レベルにされる結果として、トラ ンジスタ25.31はオンになり、トランジスタ29.35はオフになる。ノー ド16でのプリチャージ/評価制御信号PECTRLはそれ放鳥レベルに移行し 、インバータ39は低レベル出力を供給する。この低レベル出力の結果として、 トランジスタ37はオフになりトランジスタ41はオンになる。
ノード16でのプリチャージ/評価制御信号PECTRLはプリチャージ/評価 信号PECOMPが低レベルになるとき(クロックイネーブル信号CEが高くさ れる)まで高いままであり、クロック信号CLKは正方向移行を行う。プリチャ ージ/評価制御信号PECTRLの高レベル状態はタイミング回路10によって クロックされる疑似CMO5回路110のため評価位相を定める。
プリチャージ/評価終了信号PECOMPは疑似CMO5110により供給され 評価が終了されることを示すため負方向移行を行う。プリチャージ/評価終了信 号PECOMPが負方向移行を行うので、入力ラッチ信号ILは低レベルへ下げ られ、出力ラッチ信号OLは高レベルへ上げられる。更にプリチャージ/評価終 了信号PECOMPの負方向移行の結果として、トランジスタ11はオンにされ 、トランジスタ19はオフにされる。プリチャージ/評価制御信号PECTRL の状態はクロック信号CLKの次の正方向移行によって制御される。言替えると 、プリチャージ/評価終了信号PECOMPが負方向移行を行うときクロック信 号CLKの状態にかかわらず、制御信号PECTRLはクロック信号CLKの次 の正方向移行まで高レベルヘラッチされる。
プリチャージ/評価制御信号PECTRLがクロック信号CLKの次の正方向移 行まで高レベルヘラッチされるという事実は、プリチャージ/評価終了信号PE COMFが負方向移行を行うときクロック信号CLKの2つの可能な状態の考慮 からより良く理解され得る。もしクロック信号CLKが低レベルなら、トランジ スタ13.33はオンであり、トランジスタ15.27はオフである。ノード1 2でのクロックイネーブル信号CEはそれ故、プリチャージ/評価終了信号PE COMPが低レベルへ移行するとき高レベルへ上げられる。ノード12でのクロ ックイネーブル信号CEが高レベルへ上げられるので、インバータ21の出力は 低レベルへ下げられ、それによってトランジスタ17をオフにし、トランジスタ 23をオンにする。クロックイネーブル信号CEはそれ故、クロック信号CLK の状態にかかわらず、プリチャージ/評価終了信号PECOMPが低レベルを維 持する限り高レベルヘラッチされる。
ノード12でのクロックイネーブル信号CEは高レベルにされ、トランジスタ2 5.31はオフにされ、トランジスタ29.35はオンになる。ノード16での プリチャージ/評価制御信号はそれ故トランジスタ33.41による導通のため に高レベルのままである。クロックイネーブル信号CEは高レベルにラッチされ 、それ故クロック信号CLKの次の正方向移行はクロック信号CLKが高レベル になるときトランジスタ27がオンになるのでプリチャージ/評価制御信号PE CTRLを負方向に移行させる。
プリチャージ/評価終了信号PECOMPが負方向移行を行うときクロック信号 CLKが高レベルなら、トランジスタ15、27はオンであり、トランジスタ1 8.33はオフである。プリチャージ/評価終了信号PECOMPが低レベルへ 移行するとき、トランジスタ11はオンになり、トランジスタ19はオフになる 。トランジスタ15がオンであり、トランジスタ17がオン(ノード12でのク ロックイネーブル信号CEがプリチャージ/評価終了信号PECOMPの前に低 レベルである結果として)になるので、ノード12でのクロックイネーブル信号 CEは低レベルのままである。プリチャージ/評価制御信号PECTRLは両ト ランジスタ31.41がオンであるので高レベルのままである。
プリチャージ/評価終了信号が負方向移行を行うときクロック信号CLKが高レ ベルの状態を続けるので、クロック信号CLKが負方向移行を行うとき、トラン ジスタ13.33はオンになり、トランジスタ15.27はオフになる。クロッ クイネーブル信号CEが高レベルにされ、プリチャージ/評価制御信号PECT RLは高レベルのままである。
従って、プリチャージ/評価終了信号PECOMPは負方向移行を行なった後、 タイミング回路lOは先に説明されるようにクロック信号CLKの次の正方向移 行に応じ、負方向移行を行うプリチャージ−/評価終了信号PECTRLによづ ては信号がノード16におけるプリチャージ/評価制御信号PECTRLを制御 することを決定する。ノード12でのクロックイネーブル信号CEが高レベルの とき、クロック信号CLKの正方向移行はトランジスタ27を経てプリチャージ /評価制御信号PECTRLの負方向移行を直接制御する。上述のように、ノー ド12でクロックイネーブル信号CEは、(a)プリチャージ/評価終了信号が 、クロック信号CLKが既に低い状態にあるとき評価が終了することを示す負方 向移行を行うとき、または(b)プリチャージ/評価終了信号PECOMPが既 に低レベルへ移行した後でクロック信号CLKが低レベルへ移行するとき、高レ ベルにされる。
ノード12でのクロックイネーブル信号CEが低レベルのとき、クロック信号C LKはノード16でプリチャージ/評価制御信号PECTRLを制御できなくさ れる。プリチャージ/評価制御信号PECTRLは高レベルになるプリチャージ /評価終了信号PECOMPによって低レベルに駆動され、それはまたプリチャ ージ/評価制御信号PECTRLを高レベルへ移行させる。クロックイネーブル 信号CEは上述の状態の1つがそれを高レベルに駆動するまで低レベルに保持さ れる。
回路に関して、クロックイネーブル回路2oが高レベルのクロックイネーブル信 号CEを供給するとき、プルアップ/ダウン30は直接的にプリチャージ/評価 制御信号PECTRLにクロック信号CLKの正方向移行に反応して負方向移行 させるように機能する。これはクロック信号CLKの正方向移行に関して最小の 遅延によってプリチャージ/評価制御信号−ブル回路20がプリチャージ/評価 終了信号PECOMPの正方向移行に従って低レベルクロックイネーブル信号C Eを供給するとき、プルアップ/ダウン回路3oはプリチャージ/評価制御信号 PECTRLを正方向に移行させる。
開示されたタイミング回路lOは多数のトランジスタを含むけれども、プリチャ ージ/評価制御信号PECTRrLは、クロック信号CLKおよびプリチャージ /評価終了信号PECOMPの直接制御下で3つのトランジスタ25.27.2 9のみによって駆動されることが認識されるべきである。従って、プリチャージ /評価制御信号PECTRLの位相を与えるという複雑な機能は制御入力に関し て1ゲート遅延のみによって実施される。
第4A図乃至第4C図を参照すると、プリチャージ/評価終了信号PECOMP に関するクロック信号CLKのための3つの可能な状態がここに概略的に説明さ れている。
第4A図のタイミング図はクロック信号の正パルス幅が疑似CMO8回路110 のプリチャージ/評価終了PECOMPが低レベルであるプリチャージ時間以乍 である状態を示す。
前述の論議から、第4A図のタイミング図の状態下で、クロックイネーブル信号 CEが高レベルにラッチされ、プリチャージ/評価制御信号PECTRLがプリ チャージ/評価終了信号PECOMPが低レベルのときのクロック信号CLKの 順行移行に従って低レベルにラッチされることが思出されなければならない。従 って、プリチャージ/評価終了信号PECOMFの正方向移行の前のクロック信 号CLKの負方向移行はプリチャージ/評価制御信号PECTRLを変えない。
実際クロック信号CLKの次の正パルスがプリチャージ/評価終了信号PECO MPの次の正方向移行の前に発生することが注目されるべきであり、このような パルスはタイミング回路lOの動作に影響しない。プリチャージ/評価終了信号 P E COMFの負方向移行に続いて起こるクロック信号CLKの正方向移行 のみがプリチャージ/評価制御信号PECTRLの負方向移行を与える。
第4B図のタイミング図は、疑似CMOS回路110が評価モードであるときク ロック信号CLKが負方向移行を行うような状態を示す。また先の論議から、第 4B図のタイミング図の状態下でクロックイネーブル信号CEがプリチャージ/ 評価終了信号P E COMPの正方向移行に従って低レベルにラッチされ、プ リチャージ/評価制御信号PECTRLはプリチャージ/評価終了信号PECO MPの同じ正方向移行に従って高レベルにラッチされる。トランジスタ19.3 1.41はオンであり、それ故クロック信号CLKの負方向移行はクロックイネ ーブル信号CEとプリチャージ/評価制御信号PECTRLの状態に影響しない 。従って、タイミング回路は第4B図のタイミング図に示される状態に適切に機 能し、プリチャージ/評価制御信号PECTRLは、プリチャージ/評価終了信 号PECOMPが負方向移行を行った後までクロック信号CLKの正方向移行に 従って負方向移行を行わない。
第4C図のタイミング図は疑似CMOS回路110が評価を終了した後でクロッ ク信号CLKの負方向移行が発生するような状態を概略的に示す。先の論議から 、プリチャージ/評価制御信号PECTRLがプリチャージ/評価終了信号PE COMPの正方向移行の結果として高レベルにされ、クロック信号CLKの次の 正方向移行まで高レベルのままであることを認識すべきである。
第4A図乃至第4C図に関する前述の論議から、タイミング回路10はクロック 信号CLKのデユーティサイクルに依存しないままであることが認識されなけれ ばならない。第3図に概略的に示されたクロック信号CLKの別の負方向移行は タイミング回路10がクロック信号CLKのデユーティサイクルに依存しないま まであることを表わしている。
前述のように、タイミング回路10は自己初期化している。
更に説明すれば、タイミング回路lOはそれ自身の初期化を行ない、疑似CMO S回路110はクロックされる。もしプリチャージ/評価制御信号PECTRL が高レベルになり始めるなら(評価位相を定める)、疑似CMO5回路110は プリチャージ/評価終了信号PECOMPを強制的に低レベルにする(評価が終 了することを示す)。結果的にクロック信号CLKを低レベルにし始めると仮定 すると、プリチャージラッチ回路40はトランジスタ33.41を経てプリチャ ージ/評価制御信号PECTRLを高レベルにラッチする。この状態はタイミン グ回路10のための正しい初期状態である。
もしタイミング回路lOが正しくない状態でスタートするなら、プリチャージ/ 評価制御信号PECTRLは低レベルになり始め(プリチャージ位相を示す)、 それは疑似CMOS回路110に高いプリチャージ/評価終了信号PECOMP を供給させる(プリチャージが終了することを示す)。結果として、プリチャー ジ/評価制御信号PECTRLはトランジスタ25を経て高レベルにされる。プ リチャージ/評価制御信号PECTRLの高レベル状態は疑似CM OS回路1 10に低レベルのプリチャージ/評価終了信号PECOMPを供給させる(評価 が終了することを示す)。プリチャージ/評価制御信号PECTRLはそれから 、クロック信号CLKが低レベルの期間トランジスタ33.41を経て高レベル にラッチされ、それによって正しい初期状態へタイミング回路1.0を戻す1゜ 以下を含む疑似CMO8回酪の利用・の力めの利1点を与えるタイミング回路の 説明・について、前述した3゜タイミング回路は互いにilで・固定すれて夷) な(いブ・リチャージおよび評価クロック位相を与えるが、むしろクロックされ る疑似CMOS回路の動作速度能力に依存する。結果として、特定の疑似CMO 5回路の動作能力は完全に利用される。更に、固定された位相関係を有する4つ のクロック位相の実施に附随する複雑性が避けられる。加えて、従来の疑似CM OSクロック技術に必要な大規模回路シミュレーシ号ンもまた避けられる。
更にまた、開示されたタイミング回路は入力クロック信号によって厳密に縁部ト リガーされ、入力り6ツク信号のデユーティサイクルまたは周波数を束縛しない 。
開示された実施例は疑似0M08回路に関して説明された1けれども、本発明は NMO8および動作速度の効率的利用が所望されるディスクリートな回路のよう なその他の回路によって容易に用いられる。
本発明の特定の実施例について前述したけれども、様々な修正および変化が後続 する請求の範囲によって定義される本発明の技術的範囲から逸脱することなく当 業者によってなされることが可能である。
FICθルf、el 国際調査報告 国際V@盃報告 US 8702798 S^ 19346

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)プリチャージ終了及び評価終了を示すプリチャージ/評価終了信号を供給 する外部回路と共に使用され、外部回路によって供給されるクロック信号および ブリチャージ/評価終了信号に応答するタイミング回路であって、(a)評価が 終了されクロック信号が予め決められたレベルである予め決められた状態と、( b)プリチャージ終了とを各々示す第1および第2の状態を有するクロックイネ ーブル信号を供給するためクロック信号およびブリチャージ/評価終了信号に応 答するクロックイネーブル手段と、位相制御信号を外部回路へ供給するためクロ ック信号および前記クロックイネーブル信号に応答するレベルシフト手段であっ て、前記位相制御信号が(a)前記予め決められた状態を示す前記クロックイネ ーブル信号と予め決められた移行を行なうクロック信号とに応答するプリチャー ジ位相と、(b)プリチャージの終了を示すプリチャージ/評価終了信号に応答 する評価位相とを定めるようなレベルシフト手段と、その各位相において前記位 相制御信号を選択的にラッチするため前記クロックイネーブル信号およびクロッ ク信号に応答するラッチ手段とを含むタイミング回路。
  2. (2)前記クロックイネーブル手段がプリチャージ終了を示すプリチャージ/評 価終了信号に応答して前記クロックイネーブル信号を前記第2の状態へ単独に移 行させるための手段を含む請求項1記載のタイミング回路。
  3. (3)前記クロックイネーブル手段がブリチャージ/評価終了信号が評価終了を 示し、クロック信号が前記予め決められたレベルであるとき、前記クロックイネ ーブル信号を前記第1の状態へ移行させる手段を含む請求項1記載のタイミング 回路。
  4. (4)前記クロックイネーブル手段が前記第1及び第2の状態において前記クロ ックイネーブル信号をラッチするための手段を含む請求項1記載のタイミング回 路。
  5. (5)前記レベルシフト手段は、前記クロックイネーブル信号が前記予め決めら れた状態を示す前記第1の状態であるとき前記予め決められたクロック移行に直 接応答して前記位相制御信号を前記プリチャージ位相へ移行させる手段を含む請 求項1記載のタイミング回路。
  6. (6)前記レベルシフト手段が、ブリチャージ終了を示す前記第2の状態へ移行 する前記クロックイネーブル信号に応答して独自に前記位相制御信号を前記評価 位相へ移行させる手段を含む請求項1記載のタイミング回路。
  7. (7)前記位相制御信号によって定められた前記ブリチャージ位相の開始に応答 して、及び評価の終了を示すブリチャージ1評価終了信号に応答して各データ入 力および出力ラッチ信号を供給するための別のラッチ手段を含む請求項1記載の タイミング回路。
  8. (8)単独位相クロック入力信号および外部回路からのフィードバック信号から 得られる多重位相クロック信号を供給し、外部回路の動作速度を最適にする外部 回路と共に使用するためのタイミング回路において、 出力信号を外部回路へ供給するためクロック入力信号およびフィードバック信号 に応答する駆動手段であって、前記出力信号が(a)前記マスタークロック信号 が予め決められた状態へ移行するときのブリチャージ位相タイミング信号と、( b)前記フィードバック信号が予め決められた状態へ移行するときの評価位相タ イミング信号とを含む駆動手段と、外部回路の入力および出力が有効であること をそれぞれ示すため入力ラッチおよび出力ラッチタイミング信号を前記外部回路 へ供給するため前記フィードバック信号および前記出力信号に応答するラッチ手 段とを含むタイミング回路。
  9. (9)前記出力信号が浮遊しないように予め決められた状態において前記出力信 号をラッチするためクロック入力信号および前記クロックイネーブル信号に応答 するラッチ手段を含む請求項8記載のタイミング回路。
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