JPH0149754B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0149754B2
JPH0149754B2 JP4578586A JP4578586A JPH0149754B2 JP H0149754 B2 JPH0149754 B2 JP H0149754B2 JP 4578586 A JP4578586 A JP 4578586A JP 4578586 A JP4578586 A JP 4578586A JP H0149754 B2 JPH0149754 B2 JP H0149754B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
adhesive sheet
radiation
wafer
sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP4578586A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62205179A (ja
Inventor
Kazuyoshi Ebe
Hiroaki Narita
Katsuhisa Taguchi
Yoshitaka Akeda
Takanori Saito
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FSK Corp
Original Assignee
FSK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by FSK Corp filed Critical FSK Corp
Priority to JP61045785A priority Critical patent/JPS62205179A/ja
Priority to DE19863639266 priority patent/DE3639266A1/de
Priority to US06/932,210 priority patent/US4756968A/en
Priority to PH34523A priority patent/PH23580A/en
Priority to MYPI86000164A priority patent/MY100214A/en
Priority to KR1019860010787A priority patent/KR910007086B1/ko
Priority to NL8603269A priority patent/NL191241C/xx
Priority to FR8618037A priority patent/FR2592390B1/fr
Priority to GB8630956A priority patent/GB2184741B/en
Publication of JPS62205179A publication Critical patent/JPS62205179A/ja
Priority to US07/111,849 priority patent/US4965127A/en
Priority to MYPI89000327A priority patent/MY104709A/en
Priority to GB8916857A priority patent/GB2221470B/en
Priority to GB8916855A priority patent/GB2221468B/en
Priority to GB8916856A priority patent/GB2221469B/en
Publication of JPH0149754B2 publication Critical patent/JPH0149754B2/ja
Priority to US07/549,496 priority patent/US5187007A/en
Priority to SG1145/92A priority patent/SG114592G/en
Priority to SG1144/92A priority patent/SG114492G/en
Priority to SG1146/92A priority patent/SG114692G/en
Priority to SG1143/92A priority patent/SG114392G/en
Priority to HK1054/92A priority patent/HK105492A/xx
Priority to HK1055/92A priority patent/HK105592A/xx
Priority to HK1056/92A priority patent/HK105692A/xx
Priority to HK1057/92A priority patent/HK105792A/xx
Priority to NL9302147A priority patent/NL9302147A/nl
Priority to NL9302150A priority patent/NL193617C/nl
Priority to NL9302149A priority patent/NL9302149A/nl
Priority to NL9302148A priority patent/NL9302148A/nl
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は粘着シートに関し、さらに詳しくは、
半導体ウエハを小片に切断分離する際に用いられ
るウエハ貼着用粘着シートに関する。
発明の技術的背景ならびにその問題点 シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハは
大径の状態で製造され、このウエハは素子小片に
切断分離(ダイシング)された後に次の工程であ
るマウント工程に移されている。この際、半導体
ウエハは予じめ粘着シートに貼着された状態でダ
イシング、洗浄、乾燥、エキスパンデイング、ピ
ツクアツプ、マウンテイングの各工程が加えられ
ている。
このような半導体ウエハのダイシング工程で用
いられている粘着シートとしては、従来、ポリ塩
化ビニル、ポリプロピレンなどの汎用の重合体フ
イルムからなる基材面上にアクリル系などの粘着
剤層が設けられたものが用いられてきた。ところ
がこのようなアクリル系の粘着剤層を有する粘着
シートでは、ダイシングされた半導体ウエハの各
チツプをピツクアツプする際にチツプ面に粘着剤
が残存してチツプが汚染されてしまうという問題
点があつた。
このような問題点を解決するため、従来、基材
面へ粘着剤を全面的に塗布するのではなく部分的
に塗布して粘着剤の量を少なくする方法が提案さ
れている。この方法によれば、全体のチツプ数に
対する粘着剤量は減少してチツプ面の粘着剤によ
る汚染はある程度減少させることはできるが、ウ
エハチツプと粘着シートとの接着力は減少するた
め、ダイシング工程に引続いて行なわれる洗浄、
乾燥、エキスパンデイングの各工程中にウエハチ
ツプが粘着シートから脱離してしまうという新た
な問題点が生じている。
このような半導体ウエハのダイシング工程から
ピツクアツプ工程に至る工程で用いられる粘着シ
ートとしては、ダイシング工程からエキスパンデ
イング工程までではウエハチツプに対して充分な
接着力を有しており、ピツクアツプ時にはウエハ
チツプに粘着剤が付着しない程度の接着力を有し
ているものが望まれている。
このような粘着シートとしては、特開昭60−
196956号公報および特開昭60−223139号公報に、
基材面に、光照射によつて三次元網状化しうる分
子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも
2個以上有する低分子量化合物からなる粘着剤を
塗布した粘着シートが提案されている。そして該
公報では、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合
を少なくとも2個以上有する低分子量化合物とし
ては、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペン
タエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレ
ート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
トあるいは1,4−ブチレングリコールジアクリ
レート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレー
ト、ポリエチレングリコールジアクリレート、市
販のオリゴエステルアクリレートなどが例示され
ている。
上記に例示されたような、ポリ塩化ビニル、ポ
リプロピレンなどの汎用の重合体フイルムからな
る基材上に、分子内に光重合性炭素−炭素二重結
合を少なくとも2個以上有する低分子量化合物か
らなる粘着剤層を塗布した粘着シートは、次のよ
うな問題点があることが本発明者らによつて見出
された。すなわち、粘着シート上にウエハを貼着
する際あるいは貼着されたウエハをダイシングす
る際に該粘着シートに張力がかかるため、ウエハ
のダイシング工程終了後基材シートに伸びが生じ
て粘着シートにたわみが発生し、この粘着シート
を次の工程に移送するためにウエハボツクスに収
納する際に収納できなかつたり、あるいは収納さ
れたウエハ同士が接したりするという問題がある
ことが見出された。また、粘着シート上に貼着さ
れたウエハをダイシング工程終了後に、紫外線な
どの放射線照射を行なう際にも粘着シートに伸び
またはたわみが新たに生じたり、あるいは前述し
たようなウエハのダイシング工程で生じた粘着シ
ートの伸びまたはたわみがそのまま保持されるこ
とがあるため、放射線照射後の粘着シートを次の
ピツクアツプ工程に移送するためのウエハボツク
スに粘着シートを収納できなかつたり、あるいは
収納されたウエハ同士が接したりするという問題
点があることが見出された。
本発明者らは、このような従来技術に伴なう問
題点を解決すべく鋭意検討したところ、粘着シー
トの基材シートとして、特定の重合体フイルムを
用いれば上記の問題点が一挙に解決されることを
見出して本発明を完成するに至つた。
発明の目的 本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題
点を解決しようとするものであり、粘着シートに
ウエハを粘着した後のウエハダイシング工程で基
材シートに伸びまたはたわみが生ずることがな
く、またダイシングされたウエハが貼着された粘
着シートに放射線照射を行なう際にも新たな伸び
またはたわみが生ずることがなく、しかもたとえ
ウエハのダイシング工程で基材シートにわずかな
伸びまたはたわみが生じても放射線照射工程を経
ることによつてたわみが消滅し、粘着シートを収
納ボツクスに確実に収納できるような粘着シート
を提供することを目的としている。
発明の概要 本発明に係るウエハ貼着用粘着シートは、基材
面上に粘着剤と放射線重合性化合物とからなる粘
着剤層を塗布してなるウエハ貼着用の粘着シート
において、基材として、架橋フイルムを用いるこ
とを特徴としている。
本発明に係るウエハ貼着用粘着シートでは、基
材として架橋フイルムを用いているため、粘着シ
ートにウエハを貼着してダイシングする際に粘着
シートに伸びによるたわみが生ずることがなく、
また粘着シートに放射線照射を行なう際に粘着シ
ートに新たなたわみが生ずることがなく、しかも
たとえダイシング工程で粘着シートにたわみがわ
ずかに生じていても放射線照射工程を経ることに
よつて粘着シートに生じたわずかなたわみが消滅
し、したがつてウエハが貼着された粘着シートを
収納ボツクスに確実に収納できるとともに、収納
された粘着シートが互いに接触することがないと
いう大きな効果が得られる。しかも放射線照射後
にダイシングされたウエハチツプをピツクアツプ
する際には、基材シートはエキスパンデイング時
に充分に伸びるため、ウエハチツプのピツクアツ
プを確実に行なうことができる。
発明の具体的説明 以下本発明に係る粘着シートを具体的に説明す
る。
本発明に係る粘着シート1は、その断面図が第
1図に示されるように、基材2とこの表面に塗着
された粘着剤層3とからなつており、使用前には
この粘着剤層3を保護するため、第2図に示すよ
うに粘着剤3の上面に剥離性シート4を仮粘着し
ておくことが好ましい。
本発明に係る粘着シートの形状は、テープ状、
ラベル状などあらゆる形状をとりうる。本発明で
は、基材2として、架橋フイルムが用いられる。
本発明で用いられる架橋フイルムは、架橋点を
有するフイルムに放射線を照射するか、あるいは
架橋反応の開始剤をフイルムの原料ポリマーに添
加して化学的に架橋させて得られたものである。
このような架橋フイルムとしては、架橋ポリオレ
フインフイルム、架橋ポリジエンフイルム、架橋
エチレン酢酸ビニル共重合体フイルムあるいは架
橋ポリオレフインポリジエン共重合体フイルムな
どが具体的に用いられうる。
本発明の粘着シートでは、後述するように、そ
の使用に当り、EBあるいはUVなどの放射線照
射が行なわれるため、本発明で用いられる架橋フ
イルムはEB照射をして用いる場合には透明であ
る必要はないが、UV照射をして用いる場合には
透明な材料である必要がある。
このような基材として用いられる架橋フイルム
は、ダイシングされたウエハチツプのピツクアツ
プ時にはエキスパンデイング処理が施こされる
が、このエキスパンデイング時に充分に伸張性を
有しており、ウエハチツプを確実にピツクアツプ
することができる。
上記のような基材2上には、粘着剤層3が設け
られているが、この粘着剤層3は、粘着剤と、放
射線重合性化合物とを含んで形成されている。
粘着剤としては従来公知のものが広く用いられ
うるが、アクリル系粘着剤が好ましく、具体的に
は、アクリル酸エステルを主たる構成単量体単位
とする単独重合体および共重合体から選ばれたア
クリル系重合体その他の官能性単量体との共重合
体およびこれら重合体の混合物である。たとえ
ば、モノマーのアクリル酸エステルとして、メタ
アクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル、メタ
アクリル酸−2−エチルヘキシル、メタアクリル
酸グリシジル、メタアクリル酸−2−ヒドロキシ
エチルなど、また上記のメタアクリル酸をたとえ
ばアクリル酸に代えたものなども好ましく使用で
きる。
さらに後述するオリゴマーとの相溶性を高める
ため、(メタ)アクリル酸、アクリロニトリル、
酢酸ビニルなどのモノマーを共重合させてもよ
い。これらのモノマーから重合して得られるアク
リル系重合体の分子量は、2.0×105〜10.0×105
あり、好ましくは、4.0×105〜8.0×105である。
また放射線重合性化合物としては、たとえば特
開昭60−196956号公報および特開昭60−223139号
公報に開示されているような光照射によつて三次
元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重
結合を少なくとも2個以上有する低分子量化合物
が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、テトラメチロールメタ
ンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールト
リアクリレート、ペンタエリスリトールテトラア
クリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロ
キシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトー
ルヘキサアクリレートあるいは1,4−ブチレン
グリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジ
オールジアクリレート、ポリエチレングリコール
ジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレ
ートなどが用いられる。
さらに放射線重合性化合物として、上記のよう
なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアク
リレート系オリゴマーを用いることもできる。ウ
レタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステ
ル型またはポリエーテル型などのポリオール化合
物と、多価イソシアナート化合物たとえば2,4
−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレン
ジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシ
アナート、1,4−キシリレンジイソシアナー
ト、ジフエニルメタン4,4−ジイソシアナート
などを反応させて得られる末端イソシアナートウ
レタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する
(メタ)アクリレートたとえば2−ヒドロキシエ
チル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロ
ピル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコ
ール(メタ)アクリレートなどを反応させて得ら
れる。このウレタンアクリレート系オリゴマー
は、炭素−炭素二重結合を少なくとも1個以上有
する放射線重合性化合物である。
このようなウレタンアクリレート系オリゴマー
として、特に分子量が3000〜10000好ましくは
4000〜8000であるものを用いると、半導体ウエハ
表面が粗い場合にも、ウエハチツプのピツクアツ
プ時にチツプ表面に粘着剤が付着することがない
ため好ましい。またウレタンアクリレート系オリ
ゴマーを放射線重合性化合物として用いる場合に
は、特開昭60−196956号公報に開示されたような
分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくと
も2個以上有する低分子量化合物を用いた場合と
比較して、粘着シートとして極めて優れたものが
得られる。すなわち粘着シートの放射線照射前の
接着力は充分に大きく、また放射線照射後には接
着力が充分に低下してウエハチツプのピツクアツ
プ時にチツプ表面に粘着剤が残存することはな
い。
本発明における粘着剤中のアクリル系粘着剤と
ウレタンアクリレート系オリゴマーの配合比は、
アクリル系粘着剤100重量部に対してウレタンア
クリレート系オリゴマーは50〜900重量部の範囲
の量で用いられることが好ましい。この場合に
は、得られる粘着シートは初期の接着力が大きく
しかも放射線照射後には粘着力は大きく低下し、
容易にウエハチツプを該粘着シートからピツクア
ツプすることができる。
また必要に応じては、粘着剤層3中に、上記の
ような粘着剤と放射線重合性化合物とに加えて、
放射線照射により着色する化合物を含有させるこ
ともできる。このような放射線照射により、着色
する化合物を粘着剤3に含ませることによつて、
粘着シートに放射線が照射された後には該シート
は着色され、したがつて光センサーによつてウエ
ハチツプを検出する際に検出精度が高まり、ウエ
ハチツプのピツクアツプ時に誤動作が生ずること
がない。また粘着シートに放射線が照射されたか
否かが目視により直ちに判明するという効果が得
られる。
放射線照射により着色する化合物は、放射線の
照射前には無色または淡色であるが、放射線の照
射により有色となる化合物であつて、この化合物
の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられ
る。ロイコ染料としては、慣用のトリフエニルメ
タン系、フルオラン系、フエノチアジン系、オー
ラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用い
られる。具体的には3−[N−(p−トリルアミ
ノ)]−7−アニリノフルオラン、3−[N−(p−
トリル)−N−メチルアミノ]−7−アニリノフル
オラン、3−[N−(p−トリル)−N−エチルア
ミノ]−7−アニリノフルオラン、3−ジエチル
アミノ−6−メチル−7−アニリノフルオラン、
クリスタルバイオレツトラクトン、4,4′,4″−
トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、
4,4′,4″−トリスジメチルアミノトリフエニル
メタンなどが挙げられる。
これらロイコ染料とともに好ましく用いられる
顕色剤としては、従来から用いられているフエノ
ールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボ
ン酸誘導体、活性白土などの電子受容体が挙げら
れ、さらに、色調を変化させる場合は種々公知の
発色剤を組合せて用いることもできる。
このような放射線照射によつて着色する化合物
は、一旦有機溶媒などに溶解された後に接着剤層
中に含ませてもよく、また微粉末状にして粘着剤
層中に含ませてもよい。この化合物は、粘着剤層
中に0.01〜10重量%好ましくは0.5〜5重量%の
量で用いられることが望ましい。該化合物が10重
量%を越えた量で用いられると、粘着シートに照
射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてし
まうため、粘着剤層の硬化が不十分となり好まし
くなく、一方該化合物が0.01重量%未満の量で用
いられると放射線照射時に粘着シートが充分に着
色しないことがあり、ウエハチツプのピツクアツ
プ時に誤動作が生じやすくなるため好ましくな
い。
また場合によつては、粘着剤層3中に上記のよ
うな粘着剤と放射線重合性化合物とに加えて、光
散乱性無機化合物粉末を含有させることもでき
る。
このような光散乱性無機化合物粉末を粘着剤層
3に含ませることによつて、たとえ半導体ウエハ
などの被着物表面が何らかの理由によつて灰色化
あるいは黒色化しても、該粘着シートに紫外線な
どの放射線を照射すると、灰色化あるいは黒色化
した部分でもその接着力が充分に低下し、したが
つてウエハチツプのピツクアツプ時にウエハチツ
プ表面に粘着剤が付着してしまうことがなく、し
かも放射線の照射前には充分な接着力を有してい
るという効果が得られる。
この光散乱性無機化合物は、紫外線(UV)あ
るいは電子線(EB)などの放射線が照射された
場合に、この放射線を乱反射することができるよ
うな化合物であつて、具体的には、シリカ粉末、
アルミナ粉末、シリカアルミナ粉末、マイカ粉末
などが例示される。この光散乱性無機化合物は、
上記のような放射線をほぼ完全に反射するものが
好ましいが、もちろんある程度放射線を吸収して
しまうものも用いることができる。
光散乱性無機化合物は粉末状であることが好ま
しく、その粒径は1〜100μm好ましくは1〜20μ
m程度であることが望ましい。この光散乱性無機
化合物は、粘着剤層中に0.1〜10重量%好ましく
は1〜4重量%の量で用いられることが望まし
い。該化合物を粘着剤層中に10重量%を越えた量
で用いると、粘着剤層の接着力が低下したりする
ことがあるため好ましくなく、1方0.1重量%未
満であると、半導体ウエハ面が灰色化あるいは黒
色化した場合に、その部分に放射線照射しても、
接着力が充分に低下せずピツクアツプ時にウエハ
表面に粘着剤が残るため好ましくない。
粘着剤層中に光散乱性無機化合物粉末を添加す
るとによつて得られる粘着シートは、半導体ウエ
ハ面が何らかの理由によつて灰色化あるいは黒色
化したような場合に用いても、この灰色化あるい
は黒色化した部分に放射線が照射されると、この
部分においてもその接着力が充分に低下するの
は、次のような理由であろうと考えられる。すな
わち、本発明に係る粘着シート1は粘着剤層3を
有しているが、この粘着剤層3に放射線を照射す
ると、粘着剤層3中に含まれる放射線重合性化合
物が硬化してその接着力が低下することになる。
ところが半導体ウエハ面に何らかの理由によつて
灰色化あるいは黒色化した部分が生ずることがあ
る。このような場合に粘着剤層3に放射線を照射
すると、放射線は粘着剤層3を通過してウエハ面
に達するが、もしウエハ面に灰色化あるいは黒色
化した部分があるとこの部分では放射線が吸収さ
れて、反射することがなくなつてしまう。このた
め本来粘着剤層3の硬化に利用されるべき放射線
が、灰色化あるいは黒色化した部分では吸収され
てしまつて粘着剤層3の硬化が不充分となり、接
着力が充分には低下しないことになる。したがつ
てウエハチツプのピツクアツプ時にチツプ面に粘
着剤が付着してしまうのであろうと考えられる。
ところが粘着剤層3中に光散乱性無機化合物粉
末を添加すると、照射された放射線はウエハ面に
達するまでに該化合物と衝突して方向が変えられ
る。このため、たとえウエハチツプ表面に灰色化
あるいは黒色化した部分があつても、この部分の
上方の領域にも乱反射された放射線が充分に入り
込み、したがつてこの灰色化あるいは黒色化した
部分も充分に硬化する。このため、粘着剤層中に
光散乱性無機化合物粉末を添加することによつ
て、たとえ半導体ウエハ表面に何らかの理由によ
つて灰色化あるいは黒色化した部分があつても、
この部分で粘着剤層の硬化が不充分になることが
なく、したがつてウエハチツプのピツクアツプ時
にチツプ表面に粘着剤が付着することがなくな
る。
また上記の粘着剤中に、イソシアナート系硬化
剤を混合することにより、初期の接着力を任意の
値に設定することができる。このような硬化剤と
しては、具体的には多価イソシアナート化合物、
たとえば2,4−トリレンジイソシアナート、
2,6−トリレンジイソシアナート、1,3−キ
シリレンジイソシアナート、1,4−キシレンジ
イソシアナート、ジフエニルメタン−4,4′−ジ
イソシアナート、ジフエニルメタン−2,4′−ジ
イソシアナート、3−メチルジフエニルメタンジ
イソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナー
ト、イソホロンジイソシアナート、ジシクロヘキ
シシルメタン−4,4′−ジイソシアナート、ジシ
クロヘキシルメタン−2,4′−ジイソシアナー
ト、リジンイソシアナートなどが用いられる。
さらに上記の粘着剤中に、UV照射用の場合に
は、UV開始剤を混入することにより、UV照射
による重合硬化時間ならびにUV照射を少なくな
ることができる。
このようなUV開始剤としては、具体的には、
ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾ
インエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエ
ーテル、ベンジルジフエニルサルフアイド、テト
ラメチルチウラムモノサルフアイド、アゾビスイ
ソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β
−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。
以下本発明に係る粘着シートの使用方法につい
て説明する。
本発明に係る粘着シート1の上面に剥離性シー
ト4が設けられている場合には、該シート4を除
去し、次いで粘着シート1の粘着剤層3を上向き
にして載置し、第3図に示すようにして、この粘
着剤層3の上面にダイシング加工すべき半導体ウ
エハAを貼着する。この貼着状態でウエハAにダ
イシング、洗浄、乾燥、エキスパンデイングの諸
工程が加えられる。この際、粘着剤層3によりウ
エハチツプは粘着シートに充分に接着保持されて
いるので、上記各工程の間にウエハチツプが脱落
することはない。
次に、各ウエハチツプを粘着シートからピツク
アツプして所定の基台上にマウンテイングする
が、この際、ピツクアツプに先立つてあるいはピ
ツクアツプ時に、第4図に示すように、紫外線
(UV)あるいは電子線(EB)などの電離性放射
線Bを粘着シート1の粘着剤層3に照射し、粘着
剤層3中に含まれる放射線重合性化合物を重合硬
化せしめる。このように粘着剤層3に放射線を照
射して放射線重合性化合物を重合硬化せしめる
と、粘着剤の有する接着力は大きく低下し、わず
かの接着力が残存するのみとなる。
粘着シート1への放射線照射は、基材2の粘着
剤層3が設けられていない面から行なうことが好
ましい。したがつて前述のように、放射線として
UVを用いる場合には基材2は光透過性であるこ
とが必要であるが、放射線としてEBを用いる場
合には基材2は必ずしも光透過性である必要はな
い。
このようにウエハチツプA1,A2……が設けら
れた部分の粘着剤層3に放射線を照射して、粘着
剤層3の接着力を低下せしめた後、この粘着シー
ト1をピツクアツプステーシヨン(図示せず)に
移送し、第5図に示すように、ここで常法に従つ
て粘着シート1を廷して基材2の下面から突き上
げ針杆5によりピツクアツプすべきチツプA1
…を突き上げ、このチツプA1……をたとえばエ
アピンセツト6によりピツクアツプし、これを所
定の基台上にマウンテイングする。このようにし
てウエハチツプA1,A2……のピツクアツプを行
なうと、ウエハチツプ面上には粘着剤が全く付着
せずに簡単にピツクアツプすることができ、汚染
のない良好な品質のチツプが得られる。なお放射
線照射は、ピツクアツプステーシヨンにおいて行
なうこともできる。
放射線照射は、ウエハAの貼着面の全面にわた
つて1度に照射する必要は必ずしもなく、部分的
に何回にも分けて照射するようにしてもよく、た
とえば、ピツクアツプすべきウエハチツプA1
A2……の1個ごとに、これに対応する裏面にの
み照射する放射線照射管により照射しその部分の
粘着剤のみの接着力を低下させた後、突き上げ針
杆5によりウエハチツプA1,A2……を突き上げ
て順次ピツクアツプを行なうこともできる。第6
図には、上記の放射線照射方法の変形例を示す
が、この場合には、突き上げ針杆5の内部を中空
とし、その中空部に放射線発生源7を設けて放射
線照射とピツクアツプとを同時に行なえるように
しており、このようにすると装置を簡単化できる
と同時にピツクアツプ操作時間を短縮することが
できる。
発明の効果 本発明に係るウエハ粘着シートでは、基材とし
て架橋フイルムを用いているため、粘着シートに
ウエハを貼着してダイシングする際に粘着シート
に伸びによるたわみが生ずることがなく、また粘
着シートに放射線照射を行なう際に粘着シートに
新たなたわみが生ずることがなく、しかもたとえ
ダイシング工程で粘着シートにたわみがわずかに
生じていてもフイルムに放射線を照射すると粘着
シートに生じたわずかなたわみが消滅し、したが
つてウエハが貼着された粘着シートを収納ボツク
スに確実に収納できるとともに、収納された粘着
シートが互いに接触することがないという大きな
効果が得られる。しかも放射線照射後にダイシン
グされたウエハチツプをピツクアツプする際に
は、基材シートはエキスパンデイング時に充分に
伸びるため、ウエハチツプのピツクアツプを確実
に行なうことができる。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明
はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例 1 アクリル系粘着剤(n−ブチルアクリラートと
アクリル酸との共重合体)100重量部と分子量
3000〜10000のウレタンアクリラート系オリゴマ
ー100重量部と硬化剤(ジイソシアナート系)25
重量部と、UV硬化反応開始剤(ベンゾフエノン
系)10重量部とを混合し、粘着剤組成物を形成し
た。
この粘着剤組成物を基材である厚さ50μmで電
子線により架橋された架橋ポリエチレンの片面に
乾燥厚さ10μmとなるように塗布し、100℃で1
分間加熱して、本発明の粘着シートを作製した。
得られた粘着シート上にシリコンウエハと貼付
しダイシングした後、シートの状態を目視により
確認したところ、たわみあるいはそれに類するも
のは確認できなかつた。また収納ボツクスへの収
納は全てスムーズに行なわれた。また収納後はシ
ート同士が接触することはなかつた。紫外線を照
射し、粘着力を低下させた後も、同様に、たわみ
が生ずることなく、収納ボツクスへの収納がスム
ーズに行なわれ粘着シート同士の接触も確認され
なかつた。また、この後のピツクアツプ時にも確
実にエキスパンドされ正確にセンサーが位置決め
をして、ピツクアツプがスムーズに行なわれた。
比較例 1 上記実施例1において、放射線照射をしていな
い未架橋ポリエチレンを基材として用いた以外
は、実施例1と同様に粘着シートを形成して、シ
リコンウエハを貼着し、ダイシング工程及び紫外
線照射を行なつたところ各々の工程後、基材にた
わみが生じ、収納ボツクスへの収納時に粘着シー
ト同士が接触し、トラブルが生じた。またピツク
アツプ時に、たわみに起因するとみられる誤動作
が生じた。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明に係る粘着シート
の断面図であり、第3図〜第6図は該粘着シート
を半導体ウエハのダイシング工程からピツクアツ
プ工程までに用いた場合の説明図である。 1……粘着シート、2……基材、3……粘着剤
層、4……剥離シート、A……ウエハ、B……放
射線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 基材面上に粘着剤と放射線重合性化合物とか
    らなる粘着剤層を塗布してなるウエハ貼着用の粘
    着シートにおいて、基材として、架橋フイルムを
    用いることを特徴とするウエハ貼着用粘着シー
    ト。 2 架橋フイルムが、架橋ポリオレフインフイル
    ムである許請求の範囲第1項に記載の粘着シー
    ト。 3 架橋フイルムが、架橋ポリエチレンフイルム
    である特許請求の範囲第1項に記載の粘着シー
    ト。
JP61045785A 1985-12-27 1986-03-03 ウエハ貼着用粘着シ−ト Granted JPS62205179A (ja)

Priority Applications (27)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61045785A JPS62205179A (ja) 1986-03-03 1986-03-03 ウエハ貼着用粘着シ−ト
DE19863639266 DE3639266A1 (de) 1985-12-27 1986-11-17 Haftfolie
US06/932,210 US4756968A (en) 1985-12-27 1986-11-18 Adhesive sheets
PH34523A PH23580A (en) 1985-12-27 1986-11-24 Adhesive sheet
MYPI86000164A MY100214A (en) 1985-12-27 1986-12-02 Adhesive sheet
KR1019860010787A KR910007086B1 (ko) 1985-12-27 1986-12-15 점착시이트
NL8603269A NL191241C (nl) 1985-12-27 1986-12-23 Kleefvel voor halfgeleiders.
FR8618037A FR2592390B1 (fr) 1985-12-27 1986-12-23 Feuille adhesive utilisable notamment pour le decoupage de pastilles semiconductrices sous la forme de microplaquettes
GB8630956A GB2184741B (en) 1985-12-27 1986-12-29 Adhesive sheet suitable for use in the preparation of semiconductor chips
US07/111,849 US4965127A (en) 1985-12-27 1987-10-22 Adhesive sheets
MYPI89000327A MY104709A (en) 1985-12-27 1989-05-15 Adhesive sheet.
GB8916856A GB2221469B (en) 1985-12-27 1989-07-24 Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips
GB8916855A GB2221468B (en) 1985-12-27 1989-07-24 Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips
GB8916857A GB2221470B (en) 1985-12-27 1989-07-24 Adhesive sheet suitable for semiconductor wafer processing
US07/549,496 US5187007A (en) 1985-12-27 1990-06-29 Adhesive sheets
SG1145/92A SG114592G (en) 1985-12-27 1992-11-02 Adhesive sheet suitable for semiconductor wafer processing
SG1144/92A SG114492G (en) 1985-12-27 1992-11-02 Adhesive sheet suitable for use in the preparation of semiconductor chips
SG1146/92A SG114692G (en) 1985-12-27 1992-11-02 Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips
SG1143/92A SG114392G (en) 1985-12-27 1992-11-02 Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips
HK1057/92A HK105792A (en) 1985-12-27 1992-12-31 Adhesive sheet suitable for use in the preparation of semiconductor chips
HK1056/92A HK105692A (en) 1985-12-27 1992-12-31 Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips
HK1054/92A HK105492A (en) 1985-12-27 1992-12-31 Adhesive sheet suitable for semiconductor wafer processing
HK1055/92A HK105592A (en) 1985-12-27 1992-12-31 Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips
NL9302147A NL9302147A (nl) 1985-12-27 1993-12-09 Kleefvel voor halfgeleiders.
NL9302150A NL193617C (nl) 1985-12-27 1993-12-09 Kleefvel voor halfgeleiders.
NL9302149A NL9302149A (nl) 1985-12-27 1993-12-09 Kleefvel voor halfgeleiders.
NL9302148A NL9302148A (nl) 1985-12-27 1993-12-09 Kleefvel voor halfgeleiders.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61045785A JPS62205179A (ja) 1986-03-03 1986-03-03 ウエハ貼着用粘着シ−ト

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62205179A JPS62205179A (ja) 1987-09-09
JPH0149754B2 true JPH0149754B2 (ja) 1989-10-25

Family

ID=12728933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61045785A Granted JPS62205179A (ja) 1985-12-27 1986-03-03 ウエハ貼着用粘着シ−ト

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62205179A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5687897B2 (ja) * 2010-12-28 2015-03-25 日東電工株式会社 放射線硬化型粘着剤組成物及び粘着シート

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62205179A (ja) 1987-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4965127A (en) Adhesive sheets
JP2601956B2 (ja) 再剥離型粘着性ポリマー
US5187007A (en) Adhesive sheets
JP3388674B2 (ja) エネルギー線硬化型感圧接着剤組成物およびその利用方法
JP2726350B2 (ja) ウェハ貼着用粘着シート
US20050249909A1 (en) Wafer-adhering adhesive tape
JPH0827239A (ja) エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物およびその利用方法
JPS6317981A (ja) 粘着シ−ト
JPH0745557A (ja) ウェハ貼着用粘着シート
JPH0156112B2 (ja)
JPH0215595B2 (ja)
JPH0242393B2 (ja)
JP3299601B2 (ja) ウェハ貼着用粘着シート
JPH0258306B2 (ja)
GB2221469A (en) Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips
JP3073239B2 (ja) ウェハ貼着用粘着シート
JP2728333B2 (ja) ウェハ貼着用粘着シートおよびチップのピックアップ方法
JPH0214384B2 (ja)
JP2545170B2 (ja) ウェハ貼着用粘着シ―トおよびウェハダイシング方法
JP2005235795A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着テープ
JPH0149754B2 (ja)
JPS63299246A (ja) ウェハ貼着用粘着シ−ト
JPH0224872B2 (ja)
JPH057168B2 (ja)
JPH0251948B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term