JPH0137729Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0137729Y2 JPH0137729Y2 JP4660984U JP4660984U JPH0137729Y2 JP H0137729 Y2 JPH0137729 Y2 JP H0137729Y2 JP 4660984 U JP4660984 U JP 4660984U JP 4660984 U JP4660984 U JP 4660984U JP H0137729 Y2 JPH0137729 Y2 JP H0137729Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust
- drain tank
- cup
- spin cup
- coating device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
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- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は半導体ウエーハ上に、アルコールを溶
媒とし、シラノールと不純物化合物（たとえば、
P2O5，AsCl3など）とを含む液状拡散源を回転塗
布する塗布装置に関するものである。
媒とし、シラノールと不純物化合物（たとえば、
P2O5，AsCl3など）とを含む液状拡散源を回転塗
布する塗布装置に関するものである。
一般に、半導体ウエーハの液状拡散源塗布装置
において、くもり及び溶媒ミストからの粒粉の落
下のない均一な塗布膜を形成するためには、スピ
ンカツプ内の排気を制御する必要がある。
において、くもり及び溶媒ミストからの粒粉の落
下のない均一な塗布膜を形成するためには、スピ
ンカツプ内の排気を制御する必要がある。
しかし従来の塗布装置は、第１図に示すように
スピンカツプ３内に設けられた回転チヤツク２上
に半導体ウエーハ１を真空吸着せしめ、スピンモ
ーター４によつて半導体ウエーハ１を高速回転さ
せながら半導体ウエーハ１上に液状拡散源を滴下
させ、その際に飛散した余分の薬液を排液チユー
ブ５により排液タンク６内に排出させ、この排液
タンク６より工場配管７を通じ、薬液を気流にの
せて強制排気を行なうというものであつたが、カ
ツプ３内の排気量を単独に制御できなかつたため
に、液状拡散源からの溶媒の蒸発が急激となり、
表面の塗布酸化膜にくもりが発生するという不良
が生じていた。
スピンカツプ３内に設けられた回転チヤツク２上
に半導体ウエーハ１を真空吸着せしめ、スピンモ
ーター４によつて半導体ウエーハ１を高速回転さ
せながら半導体ウエーハ１上に液状拡散源を滴下
させ、その際に飛散した余分の薬液を排液チユー
ブ５により排液タンク６内に排出させ、この排液
タンク６より工場配管７を通じ、薬液を気流にの
せて強制排気を行なうというものであつたが、カ
ツプ３内の排気量を単独に制御できなかつたため
に、液状拡散源からの溶媒の蒸発が急激となり、
表面の塗布酸化膜にくもりが発生するという不良
が生じていた。
本考案は上記のような欠点を解決するもので、
排液タンクからの排気とは別に、カツプ内の排気
を自動的に制御できるようにすることを可能とし
た塗布装置を提供するものである。
排液タンクからの排気とは別に、カツプ内の排気
を自動的に制御できるようにすることを可能とし
た塗布装置を提供するものである。
本考案は塗布装置のスピンカツプ３内に生じた
余分の薬液を捕集させる排液タンク６と、該排液
タンク６内に前記スピンカツプ３内よりの薬液を
吸引しこれを強制排気する工場配管７とを有する
塗布装置において、前記工場配管７が開口された
排液タンク６に、一端が大気に開放された排気ダ
クト８が接続し、該ダクト８内にスピンカツプ３
内からの排気を制御する排気調整用ダンパー９を
装備したことを特徴とする塗布装置である。
余分の薬液を捕集させる排液タンク６と、該排液
タンク６内に前記スピンカツプ３内よりの薬液を
吸引しこれを強制排気する工場配管７とを有する
塗布装置において、前記工場配管７が開口された
排液タンク６に、一端が大気に開放された排気ダ
クト８が接続し、該ダクト８内にスピンカツプ３
内からの排気を制御する排気調整用ダンパー９を
装備したことを特徴とする塗布装置である。
以下図面を用いて本考案の実施例について説明
する。
する。
第２図に本考案による塗布装置の排気系の概要
を示す。図は第１図における排液タンク６の部分
を示している。すなわち、第１図におけるカツプ
３内の半導体ウエーハ１に薬液を供給したとき
に、余分の薬液が排液チユーブ５を通つて集めら
れる部分である。この排液タンク６には飛散した
薬液を気流にのせて吸引しこれを強制排気する工
場配管７が接続されている点は従来と同じであ
る。
を示す。図は第１図における排液タンク６の部分
を示している。すなわち、第１図におけるカツプ
３内の半導体ウエーハ１に薬液を供給したとき
に、余分の薬液が排液チユーブ５を通つて集めら
れる部分である。この排液タンク６には飛散した
薬液を気流にのせて吸引しこれを強制排気する工
場配管７が接続されている点は従来と同じであ
る。
本考案はこの排液タンク６に、前記工場配管７
とは別個に大気中に開放された排気ダクト８を設
け、そのダクト８内に、モーター、エアシリンダ
等で駆動される排気調整用ダンパー９を装備した
ものである。このダンパー９の開閉並びにその開
度調整により、排液タンク６からの排気量を変化
させずにスピンカツプ３内の排気の制御を行う。
とは別個に大気中に開放された排気ダクト８を設
け、そのダクト８内に、モーター、エアシリンダ
等で駆動される排気調整用ダンパー９を装備した
ものである。このダンパー９の開閉並びにその開
度調整により、排液タンク６からの排気量を変化
させずにスピンカツプ３内の排気の制御を行う。
第３図に本考案の塗布シーケンスの一例を示
す。図中、縦軸は半導体ウエーハの回転数、横軸
はシーケンスのステツプである。
す。図中、縦軸は半導体ウエーハの回転数、横軸
はシーケンスのステツプである。
プログラム入力により、塗布シーケンス中の任
意のステツプにおいて、制御部（図示略）の指令
によりエアーシリンダー、モーター等を駆動させ
て、ダンパー９を開閉できるようにしておく。そ
して塗布シーケンス中の液状拡散源塗布後に、数
秒間はひきつづき半導体ウエーハを低速回転させ
て充分に溶媒を振り切るまで（ステツプまで）
ダンパー９を開放にしておくと、塗布装置のタン
ク６内の気流は矢印１０のようにダクト８から工
場配管７側に流れ、カツプ３内の排気はほとんど
行なわれず気流が安定し、ウエーハ表面に形成さ
れた酸化膜のくもりの発生がなくなる。
意のステツプにおいて、制御部（図示略）の指令
によりエアーシリンダー、モーター等を駆動させ
て、ダンパー９を開閉できるようにしておく。そ
して塗布シーケンス中の液状拡散源塗布後に、数
秒間はひきつづき半導体ウエーハを低速回転させ
て充分に溶媒を振り切るまで（ステツプまで）
ダンパー９を開放にしておくと、塗布装置のタン
ク６内の気流は矢印１０のようにダクト８から工
場配管７側に流れ、カツプ３内の排気はほとんど
行なわれず気流が安定し、ウエーハ表面に形成さ
れた酸化膜のくもりの発生がなくなる。
さらに、溶媒を充分に蒸発させた後（ステツプ
以後）にダンパー９を閉じると塗布装置内の気
流は矢印１１のように排液チユーブ５からタンク
６内に流入して工場配管７へ強制排気され、カツ
プ３内の排気が行なわれるようになり、溶媒ミス
トが排気され、酸化膜表面への粒粉の落下が防止
される。
以後）にダンパー９を閉じると塗布装置内の気
流は矢印１１のように排液チユーブ５からタンク
６内に流入して工場配管７へ強制排気され、カツ
プ３内の排気が行なわれるようになり、溶媒ミス
トが排気され、酸化膜表面への粒粉の落下が防止
される。
以上詳記したように本考案による塗布装置によ
れば、排液タンクからの排気量を変化させずに、
塗布シーケンス中の所要のステツプでカツプ内の
排気量を制御することができ、半導体ウエーハ表
面のくもり及び溶媒ミストからの粒粉の落下のな
い均一な塗布酸化膜を得ることができる。
れば、排液タンクからの排気量を変化させずに、
塗布シーケンス中の所要のステツプでカツプ内の
排気量を制御することができ、半導体ウエーハ表
面のくもり及び溶媒ミストからの粒粉の落下のな
い均一な塗布酸化膜を得ることができる。
第１図は従来の塗布装置の排気系の概要図、第
２図は本考案による排気系の概要図、第３図は本
考案による塗布シーケンスの一例を示す図であ
る。 １……半導体ウエーハ、３……スピンカツプ、
４……スピンモータ、５……排液チユーブ、６…
…排液タンク、７……工場排管、８……排気ダク
ト、９……排気調整用ダンパー。
２図は本考案による排気系の概要図、第３図は本
考案による塗布シーケンスの一例を示す図であ
る。 １……半導体ウエーハ、３……スピンカツプ、
４……スピンモータ、５……排液チユーブ、６…
…排液タンク、７……工場排管、８……排気ダク
ト、９……排気調整用ダンパー。
Claims (1)
- 塗布装置のスピンカツプ３内に生じた余分の薬
液を捕集させる排液タンク６と、該排液タンク６
内に前記スピンカツプ３内よりの薬液を吸引しこ
れを強制排気する工場配管７とを有する塗布装置
において、前記工場配管７が開口された排液タン
ク６に、一端が大気に開放された排気ダクト８を
接続し、該ダクト８内にスピンカツプ３内からの
排気を制御する排気調整用ダンパー９を装備した
ことを特徴とする塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4660984U JPS60161468U (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4660984U JPS60161468U (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60161468U JPS60161468U (ja) | 1985-10-26 |
| JPH0137729Y2 true JPH0137729Y2 (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=30561166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4660984U Granted JPS60161468U (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60161468U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2674756B2 (ja) * | 1987-09-10 | 1997-11-12 | 九州日本電気株式会社 | 半導体製造装置 |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP4660984U patent/JPS60161468U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60161468U (ja) | 1985-10-26 |
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