JPH0134478Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0134478Y2 JPH0134478Y2 JP1981181321U JP18132181U JPH0134478Y2 JP H0134478 Y2 JPH0134478 Y2 JP H0134478Y2 JP 1981181321 U JP1981181321 U JP 1981181321U JP 18132181 U JP18132181 U JP 18132181U JP H0134478 Y2 JPH0134478 Y2 JP H0134478Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulator
- fet
- back electrode
- condenser microphone
- press
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 15
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
- Details Of Audible-Bandwidth Transducers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はエレクトレツトコンデンサマイクロホ
ンに関する。
ンに関する。
従来のエレクトレツトコンデンサマイクロホン
について第1図により説明する。1は面布、2は
ケース、3は膜張りリング、4は振動膜(エレク
トレツトフイルム)、5はスペーサ、6は背電極、
7は絶縁体、8はプリント基板(以下基板と称
す)、9は例えば電界効果トランジスタ等の電気
インピーダンス変換用素子(以下FETと称す)、
9aは前記FET9のゲート端子、10は前記絶
縁体7と基板8とを結合する固定部である。この
構成において、FET9のゲート端子9aを接触
にて背電極6と接続する場合、絶縁体7と基板8
とFET9とを一体とする如く構成後、背電極6
を絶縁体7に圧入してアンプブロツクを組立てる
必要があるので、第2図Aのように絶縁体7に凸
部7aを設けてこの凸部7aを基板8の孔に挿入
し、超音波又は熱融着等により凸部7aをつぶし
て第2図Bのように固定部10を形成しなければ
ならず、多大の工数を要していた。
について第1図により説明する。1は面布、2は
ケース、3は膜張りリング、4は振動膜(エレク
トレツトフイルム)、5はスペーサ、6は背電極、
7は絶縁体、8はプリント基板(以下基板と称
す)、9は例えば電界効果トランジスタ等の電気
インピーダンス変換用素子(以下FETと称す)、
9aは前記FET9のゲート端子、10は前記絶
縁体7と基板8とを結合する固定部である。この
構成において、FET9のゲート端子9aを接触
にて背電極6と接続する場合、絶縁体7と基板8
とFET9とを一体とする如く構成後、背電極6
を絶縁体7に圧入してアンプブロツクを組立てる
必要があるので、第2図Aのように絶縁体7に凸
部7aを設けてこの凸部7aを基板8の孔に挿入
し、超音波又は熱融着等により凸部7aをつぶし
て第2図Bのように固定部10を形成しなければ
ならず、多大の工数を要していた。
本考案は上記の点に鑑み、アンプブロツク部の
組立てが容易で、量産に適する安価なエレクトレ
ツトコンデンサマイクロホンを提供することを目
的とする。
組立てが容易で、量産に適する安価なエレクトレ
ツトコンデンサマイクロホンを提供することを目
的とする。
すなわち本考案は、背電極が圧入保持される絶
縁体に、電気インピーダンス変換用素子が圧入ま
たはそれに類似する形で挿入される挿入部を設
け、前記挿入部は内壁面に突設された複数の補強
リブを有し、前記絶縁体は、前記挿入部に挿入さ
れた電気インピーダンス変換用素子のゲート端子
を背電極との間で挟み込む凹部を有しているもの
であり、電気インピーダンス変換用素子は絶縁体
に圧入保持されるので、従来のように絶縁体に固
定部を設ける必要がなく、アンプブロツクを容易
に組立てることができ、量産に適しており安価に
製作できる。
縁体に、電気インピーダンス変換用素子が圧入ま
たはそれに類似する形で挿入される挿入部を設
け、前記挿入部は内壁面に突設された複数の補強
リブを有し、前記絶縁体は、前記挿入部に挿入さ
れた電気インピーダンス変換用素子のゲート端子
を背電極との間で挟み込む凹部を有しているもの
であり、電気インピーダンス変換用素子は絶縁体
に圧入保持されるので、従来のように絶縁体に固
定部を設ける必要がなく、アンプブロツクを容易
に組立てることができ、量産に適しており安価に
製作できる。
以下本考案の一実施例を図面に基づいて説明す
る。第3図は本考案の一実施例を示すアンプブロ
ツクの断面図、第4図は基板を除去した状態の要
部の底面図であり、第1図に示す構成要素と同一
の構成要素には同一の符号を付してその説明を省
略する。第3図及び第4図に示す実施例におい
て、従来の構成との相違点は、絶縁体7にFET
9のモールド部とほぼ同形状の挿入部11を設
け、この挿入部11にFET9を圧入もしくはこ
れと類似する如くしてFET9を挿入固定し、ま
た背気室14に連通する通気孔16を背電極6に
設けている点である。なお12はFET9の圧入
固定をより容易にするために挿入部11の内壁面
に複数個突設された補強リブ、13は前記FET
9のゲート端子9aが嵌入する凹部、14は背気
室である。
る。第3図は本考案の一実施例を示すアンプブロ
ツクの断面図、第4図は基板を除去した状態の要
部の底面図であり、第1図に示す構成要素と同一
の構成要素には同一の符号を付してその説明を省
略する。第3図及び第4図に示す実施例におい
て、従来の構成との相違点は、絶縁体7にFET
9のモールド部とほぼ同形状の挿入部11を設
け、この挿入部11にFET9を圧入もしくはこ
れと類似する如くしてFET9を挿入固定し、ま
た背気室14に連通する通気孔16を背電極6に
設けている点である。なお12はFET9の圧入
固定をより容易にするために挿入部11の内壁面
に複数個突設された補強リブ、13は前記FET
9のゲート端子9aが嵌入する凹部、14は背気
室である。
上記構成において、絶縁体7にFET9を圧入
する一方、ゲート端子9aを背電極6側に突出さ
せかつそのゲート端子9aを凹部13側にやや折
曲げた状態で背電極6を絶縁体7に圧入すれば、
その時点でゲート端子9aは背電極6に結合す
る。この場合、FET9を絶縁体7に圧入後、基
板8と電気接続するようにしてもよいし、またあ
らかじめFET9と基板8とを結合しておき、
FET9の圧入により基板8も同時に絶縁体7と
一体にできるようにしてもよい。したがつて、
FET9を挿入部11に圧入するのみでアンプブ
ロツクを保持でき、組立てが容易であり、自動化
にも適するので、安価に製作できる。
する一方、ゲート端子9aを背電極6側に突出さ
せかつそのゲート端子9aを凹部13側にやや折
曲げた状態で背電極6を絶縁体7に圧入すれば、
その時点でゲート端子9aは背電極6に結合す
る。この場合、FET9を絶縁体7に圧入後、基
板8と電気接続するようにしてもよいし、またあ
らかじめFET9と基板8とを結合しておき、
FET9の圧入により基板8も同時に絶縁体7と
一体にできるようにしてもよい。したがつて、
FET9を挿入部11に圧入するのみでアンプブ
ロツクを保持でき、組立てが容易であり、自動化
にも適するので、安価に製作できる。
なお上記実施例においては、FET9を絶縁体
7の下面すなわち基板8側から挿入するように構
成した例について説明したが、FET9を絶縁体
7の上面すなわち背電極6側から挿入するように
構成してもよい。この場合、FET9のゲート端
子9aと背電極6との結合は接触以外にスポツト
溶接により行なることも考えられる。
7の下面すなわち基板8側から挿入するように構
成した例について説明したが、FET9を絶縁体
7の上面すなわち背電極6側から挿入するように
構成してもよい。この場合、FET9のゲート端
子9aと背電極6との結合は接触以外にスポツト
溶接により行なることも考えられる。
また上記実施例においては、FET9の挿入部
11と背気室14とを分離しており、このように
すればFET9のアースあるいは出力端子と基板
8とのハンダ付け部分15のピンホールによる背
気室14のエアリークを防止できるので好ましい
が、必ずしもこのように構成する必要はなく、背
気室内にFET9の挿入部を形成してもよい。
11と背気室14とを分離しており、このように
すればFET9のアースあるいは出力端子と基板
8とのハンダ付け部分15のピンホールによる背
気室14のエアリークを防止できるので好ましい
が、必ずしもこのように構成する必要はなく、背
気室内にFET9の挿入部を形成してもよい。
また上記実施例においては、FET9を縦方向
に配置した例について説明したが、FET9は横
方向に配置してもよい。
に配置した例について説明したが、FET9は横
方向に配置してもよい。
また上記実施例においては、振動膜エレクトレ
ツトタイプの例について説明したが、本考案は背
電極6の表面にエレクトレツト層を形成して成る
電極エレクトレツトタイプについても同様に実施
し得ることは言うまでもない。
ツトタイプの例について説明したが、本考案は背
電極6の表面にエレクトレツト層を形成して成る
電極エレクトレツトタイプについても同様に実施
し得ることは言うまでもない。
以上説明したように、本考案にかかるエレクト
レツトコンデンサマイクロホンによれば、挿入部
の内壁面に突設された複数の補強リブを有するこ
とにより、軽い挿入力でFETを圧入でき、しか
も補強リブを介して弾性的に強固に固定すること
ができ、また、電気インピーダンス変換用素子の
ゲート端子を絶縁体と背電極との間で挟み込む凹
部を有することによりゲート端子を確実に背電極
に接続させることができるものであり、これによ
り、アンプブロツクを容易に組立てることがで
き、量産に適しており安価に製作し得る。また、
背気室に連通する通気孔を背電極に形成したた
め、周波数特性の感度を調整する際に通気孔の径
や数のみで制御でき、周波数特性の最適設計が非
常に容易である。
レツトコンデンサマイクロホンによれば、挿入部
の内壁面に突設された複数の補強リブを有するこ
とにより、軽い挿入力でFETを圧入でき、しか
も補強リブを介して弾性的に強固に固定すること
ができ、また、電気インピーダンス変換用素子の
ゲート端子を絶縁体と背電極との間で挟み込む凹
部を有することによりゲート端子を確実に背電極
に接続させることができるものであり、これによ
り、アンプブロツクを容易に組立てることがで
き、量産に適しており安価に製作し得る。また、
背気室に連通する通気孔を背電極に形成したた
め、周波数特性の感度を調整する際に通気孔の径
や数のみで制御でき、周波数特性の最適設計が非
常に容易である。
第1図は従来のエレクトレツトコンデンサマイ
クロホンの断面図、第2図A,Bは従来のエレク
トレツトコンデンサマイクロホンにおける絶縁体
と基板との結合作業の説明図、第3図は本考案の
一実施例におけるエレクトレツトコンデンサマイ
クロホンのアンプブロツク部分の断面図、第4図
は同アンプブロツク部分の基板を除去した状態の
要部の底面図である。 6……背電極、7……絶縁体、9……電気イン
ピーダンス変換用素子、9a……ゲート端子、1
1……挿入部、12……補強リブ、13……凹
部、16……通気孔。
クロホンの断面図、第2図A,Bは従来のエレク
トレツトコンデンサマイクロホンにおける絶縁体
と基板との結合作業の説明図、第3図は本考案の
一実施例におけるエレクトレツトコンデンサマイ
クロホンのアンプブロツク部分の断面図、第4図
は同アンプブロツク部分の基板を除去した状態の
要部の底面図である。 6……背電極、7……絶縁体、9……電気イン
ピーダンス変換用素子、9a……ゲート端子、1
1……挿入部、12……補強リブ、13……凹
部、16……通気孔。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 背電極が圧入保持される絶縁体と、前記絶縁
体に設けられた、電気インピーダンス変換用素
子が挿入される挿入部と、前記挿入部の外周の
前記絶縁体に形成された背気室と、前記背気室
と連通するように前記背電極に形成された通気
孔とを備えたエレクトレツトコンデンサマイク
ロホン。 (2) 挿入部は、内壁面に複数の補強リブが突設さ
れている実用新案登録請求の範囲第1項記載の
エレクトレツトコンデンサマイクロホン。 (3) 挿入部は、背電極と絶縁体との間に挟み込ま
れる電気インピーダンス変換用素子のゲート端
子が嵌入する凹部を有している実用新案登録請
求の範囲第1項または第2項記載のエレクトレ
ツトコンデンサマイクロホン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18132181U JPS5885892U (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | エレクトレツトコンデンサマイクロホン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18132181U JPS5885892U (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | エレクトレツトコンデンサマイクロホン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5885892U JPS5885892U (ja) | 1983-06-10 |
JPH0134478Y2 true JPH0134478Y2 (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=29978695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18132181U Granted JPS5885892U (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | エレクトレツトコンデンサマイクロホン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5885892U (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5830399Y2 (ja) * | 1978-12-23 | 1983-07-04 | 株式会社東芝 | コンデンサ形マイクロホン |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP18132181U patent/JPS5885892U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5885892U (ja) | 1983-06-10 |
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