JPH0132956B2 - - Google Patents

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JPH0132956B2
JPH0132956B2 JP56020850A JP2085081A JPH0132956B2 JP H0132956 B2 JPH0132956 B2 JP H0132956B2 JP 56020850 A JP56020850 A JP 56020850A JP 2085081 A JP2085081 A JP 2085081A JP H0132956 B2 JPH0132956 B2 JP H0132956B2
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ram
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JP56020850A
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Toshio Sugano
Katsuzo Kobayashi
Kaneyoshi Hasumi
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NEC Corp
Nippon Avionics Co Ltd
Original Assignee
Nippon Avionics Co Ltd
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP56020850A priority Critical patent/JPS57135380A/ja
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Publication of JPH0132956B2 publication Critical patent/JPH0132956B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/02Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S13/00
    • G01S7/28Details of pulse systems
    • G01S7/285Receivers
    • G01S7/295Means for transforming co-ordinates or for evaluating data, e.g. using computers
    • G01S7/298Scan converters

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Television Systems (AREA)
  • Radar Systems Or Details Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、走査変換装置に係り、特にレーダ等
に用いられるPPI走査を直交座標走査に走査変換
するためのデジタル走査変換装置に関する。
通常、レーダ等におけるPPI走査画像のデイラ
イト・デイプレイには、極座標走査から直交座標
走査への走査変換が必要である。この走査変換を
デイジタル画像データ記憶装置(以下画像メモリ
と略称する)を用いて行う場合、TV走査速度に
合わせた読み出しと、PPI走査によるランダムな
画素の書き込みとが見かけ上同時に見えるような
速度で行なわれなければならない。
ところで、PPI走査によるレーダ画像をTV走
査に走査変換するために、16K×1ビツトのよう
なIC RAMで構成された画像メモリを使用する
場合、TV走査による読み出し速度は毎秒約30画
面程度が必要であるから、画像メモリをかなりの
高速で読み出す必要がある。そのため一般には、
画像メモリからの画素の読み出しを並列にし得る
ように、そのメモリを構成し、見かけ上の1画素
当りの読み出し速度を高速化するようにしてい
る。この場合、画像メモリの構成はTV走査読み
出し時に並列画素読み出しが可能なように配列さ
れているため、従来はPPI走査による画素データ
の書き込みを1画素単位で行なつていた。
しかし、このような従来の方法によると、1画
素単位の書き込みのため、PPI走査による画素デ
ータの書き込み速度がIC RAMの動作時間で制
限されてより高速化できないという欠点があつ
た。
本発明の目的は、上述の欠点に鑑みなされたも
ので、画像メモリからのTV走査による読み出し
を並列に行ない、同時にPPI走査のような極座標
走査によるデータ書き込みを2画素以上並列に多
重化して画像メモリに書き込めるように構成する
ことによつて、走査変換の高速化を可能にするデ
ジタル走査変換装置を提供しようとすることにあ
る。
本発明によれば、記憶回路と、該記憶回路にデ
ータを書き込むための書込みデータレジスタおよ
び書込みデータアドレスレジスタと、前記記憶回
路からデータを読出すための読出しデータレジス
タおよび読出しデータアドレスレジスタとを有す
る極座標から直交座標に走査を変換するためのデ
ジタル走査変換装置において、個々の記憶容量を
nセル毎に区分けしたn2個のIC RAMをn個ず
つブロツク化し、各IC RAMの前記区分けされ
た中の1セルを各ブロツクごと列方向にnブロツ
ク分走査し得るようにアドレスを定め、かつn行
まで行数が進むにつれて各前列の2番目のブロツ
クからそれぞれ列方向にnブロツク前記セルを異
ならせて走査し得るようにアドレスを定めてなる
単位記憶回路を、行・列方向に配置した1画面分
の画像メモリと、予め該画像メモリの各セル位置
と当該セルの属するIC RAMとの対応関係を定
め、前記書込みデータアドレスレジスタから同時
に入力された前記nセルの画面上のアドレスデー
タにより、それらのnセルが記憶されるIC
RAMを指定するIC RAM検出回路と、該検出回
路からのIC RAM指定信号と前記アドレスデー
タとからnセル分の書込みアドレスデータを出力
する画像記憶位置選択回路と、該選択回路および
前記読出しデータアドレスレジスタの出力をうけ
書込み時には前記画像メモリの選ばれたブロツク
に書込みアドレスを入力し、読出し時にはラスタ
ー走査するべく前記画像メモリの全IC RAMに
同一アドレスを入力する切替回路とを備えたこと
を特徴とするデジタル走査変換装置が得られる。
次に、本発明によるデジタル走査変換装置につ
いて図面を参照して詳細に説明する。
第1図は本発明に適用される画像メモリの画面
を斜視的に示したもので、縦yビツト、横xビツ
トおよび深さZビツトで構成される。ここで、z
ビツトは画素当りの量子化したデータ量に対応
し、これを1セルとすると、この画素メモリは、
y×xセルの容量を持ち、各画素のアドレス指定
は(y、x)で指定できる。この画像メモリを構
成するために、kビツトのIC RAM(ランダム・
アクセス・メモリ)を使用する場合に必要なIC
RMAの個数Iは、次式の通りになる。
I=Z×y×x/K そして、画像メモリへの書き込み及び読み出し
のための番地指定はセル単位で行う。1個のIC
RAMはKビツトの容量を持ち、このKビツトの
データは1ビツト単位でアクセスできるものであ
る。そのため、このIC RAMで構成した画像メ
モリをアクセスする場合に、同時に並列にアクセ
スできる最大のセル数Jは、次式の通りとなる。
J=y×x/K 従つて、例えば縦、横、深さが(1024×1024×
5)ビツトの画像メモリを16KビツトのIC RAM
で構成すると、その使用IC RAMの合計数は320
個となり、その場合に同時にアクセスできるセル
数は64セルとなる。
ところで、TV走査方向に並列に画素データを
読み出すためには、第2図のフオーマツトに示す
ように、1本のTV水平走査をx個の画素で構成
し、それを左端からP1,P2,−−,Pj,−−,Px
の順に決めると、Jセル分の各セルをP1〜Pjの
画素に対応させ、このJセルのRAMを1度に並
列に読み出すように構成すればよい。
他方、PPI走査はTV走査とは異なり、基本的
にはランダムな番地の指定が必要である。しかし
ながら、第3図に示すように、PPI走査方向に向
けて指定される画素は縦、または横方向に隣接す
る。従つて、PPI走査方向に隣接する画素を予測
することができれば、並列に書き込むことができ
るようになる。例えば、第3図におけるP1〜P4
を1組として並列に書き込み、次の書き込み時に
P5〜P8を並列に処理するようにIC RAMを配列
すれば、PPI走査方向に並列に画像データを書き
込むことができる。この考え方を画面全体にわた
つて適用する場合につき、第4図および第5図を
参照して説明する。第4図は画面の中心たるP0
0の画素から、上下、左右にn個の画素が含まれ
る領域を示す図であつて、この領域内の画素を
Pi,jで示している。ここで、iは−(n−1),
−−,0,−−,(n−1)の範囲を示し、jは−
(n−1),−−,0,−−,(n−1)の範囲を示
している。この図において、P00を起点として任
意の角度方向に向け連続してPPI走査で画素を書
込む場合において、縦方向にP00からP0,(n−
)と横方向にP00からP(n−1),0の行列で囲ま
れた範囲のPPI走査を考えると、この範囲を横切
るPPI走査線を構成する最小画素数はn個であ
る。従つて、P00を起点としてこの領域内を横切
る任意のPPI走査線の最初のn個目までの走査線
を形成する画素は、この領域内に必ずあり、この
ことは残りの3領域についても同様である。PPI
の走査線は一度に1本ずつ走査していくものとす
ると、これらの4つの領域のどれか1つの領域が
一度に走査されるだけであるから、n2の画素に対
応させてIC RAMをn2個用意すれば、走査線方
向にn画素の並列書き込みが可能となる。即ち、
n2個のIC RAMを第5図に示すようにa11〜a1n,
a21〜a2n,−−,an1〜annと縦n個、横n個の行
列に対応させて配列し、これを1つのブロツクと
する。そしてこのブロツクを単位として、画面全
体にわたつて縦横の方向にその画素を対応させて
いけばよいのである。従つて、前述のごとくTV
走査による並列読み出しの条件において、Jセル
のIC RAMが各画素に対応しているので、PPI走
査で並列書き込みができる画素数nは、次式のよ
うになる。
n=√ 但し、nは整数 前述の例においては、J=64セルであるので、
PPI走査による並列書き込みは、8画素までが可
能となる。
上記のTV走査読み出しとPPI走査書き込みに
おける並列入出力を同時に満足するような画像メ
モリの構成について、第5図ないし第9図を参照
して説明する。まず、第5図において、各ブロツ
クのそれぞれ対応する行は、TV走査の時には横
方向に同時で、かつ並列にnブロツク分を読み出
すことが必要条件となるから、このnブロツク分
のそれぞれ対応する行が格納されているそれぞれ
のセルを含むIC RAMは互いに異なつている必
要がある。そこで、IC RAMの配列を、第6図
に示すごとく、縦方向にn画素、横方向にn2画素
(即ちnブロツク×n画素)になるような行列に
配置し、この行列を全画面にわたつて繰り返すよ
うにする。即ち、第6図の行列のうち、1行目は
左からP11〜P1n,P21〜P2n,−−,Pn1〜Pnnの
順にn2個の画素が配列され、2行目は左からP21
〜P2n,P31〜P3n,−−,Pn1〜Pnn,P11〜P1nの
順に配列し、更に3行目はP31を左端にしてPnn
まで順に配列した後にP11からP2nまでが配列さ
れており、以下n行目も同様にPn1を左端にして
Pnnまで配列しその後P11からP(n−1),nまで
順に配列されている。
ここで、IC RAM内の記憶場所を第7図に示
すごとくn個に区分けしておき、第6図に示した
nブロツク分の画素のうち、1行目のP11から
Pnnまでのデータは対応する各IC RAM内のb1
領域に記憶し、2行目のP21からP1nまでのデー
タはb2の領域、3行目はb3の領域というように、
以下同様にしてn行目はbnの領域に記憶するよ
うに構成する。この行列(n2、n)の配列を単位
として画像メモリ全体にわたつて配置した様子を
第8図に示す。この図において、uは横方向の単
位行列の数であり、wは縦方向の単位行列の数で
あつて、それぞれ次の関係がある。
u=2X-(Y+X-K)=2K-Y w=2(Y−Y+X−K/2)=2(Y−X+K/2
) この第6図〜8図に見られるように構成された
画面を、KビツトのIC RAMn2個に対応させた
場合を第9図に示す。即ち、この図において、
P11〜Pn,nのn2個の画素を、横一列に並べた
n2個のIC RAMにそれぞれ対応させ、この対応
させた個々のIC RAMの内部を更にn区画に分
ける。そして、分けられたそれぞれを、第6図に
おける1行目からn行目までの行に対応させる。
このように構成することによつて、例えば、第6
図における3行目のP31は、第9図において、
P31の画素を記憶するために割当てられたIC
RAM内のしかも3行目の区画、即ち斜線で示さ
れた画素区画に記憶されることになる。
画像メモリのこのような構成によつて、各行の
読み出しにおいて横方向にn2画素が互いに異なる
IC RAMに対応することになり、更に、任意の
1画素を中心に任意の極座標方向に、n画素が互
いに異なるIC RAMの対応となるので、TV走査
でn2画素を並列に読み出すためのアドレスの指定
とn画素を並列にPPI走査で書き込むためのアド
レスの指定とがそれぞれ可能となる。そして、こ
の画像メモリを前述の例のJ=64で構成した場合
には、64セルのTV走査読み出しが並列に行なわ
れ、かつ8画素のPPI走査による書き込みも並列
に行うことができる。従つて、例えば、2μsで
TV読み出しとPPI書き込みを実行するとすれば、
PPI走査での見かけ上の画素の書き込み速度は1
画素当り2/8μs=250nsとなる。
以上の説明によつて、本発明の主要な構成要素
となる記憶回路、すなわち画像メモリの構成が理
解し得たであろう。次に、この記憶回路を適用し
た本発明によるデジタル走査変換装置について実
施例を挙げ、第10図のブロツク図を参照して説
明する。この図において、書き込みデータレジス
タ群1−1〜nはレーダ等(図示せず)のPPI走
査によつて得られたP1〜Pnのn画素分の画像デ
ータをうけて、それぞれ一時記憶する。書き込み
データアドレスレジスタ群2−1〜nは書き込み
データレジスタ群1−1〜nに記憶されたn画素
分の画面上におけるアドレス指定信号(x1、y1
〜(xn、yn)のXアドレスとYアドレスとを受
けて、それぞれ一時記憶する。入力IC RAM検
出回路3は、書き込みデータアドレスレジスタ群
2−1〜nからのn画素分のアドレスデータによ
り、n画素がn2個のIC RAMよりなる画像メモ
リ9の内のどのn個のIC RAMに入力されるか
を検出する。また、画素記憶位置選択回路4は、
上記書込みデータアドレスレジスタ2−1〜nか
らのn画素分のアドレスデータと入力IC RAM
検出回路3の出力に得られるn個のIC RAM指
定信号とをうけて、画像メモリ9へのn画素分の
書き込みアドレスデータをn個の指定されたIC
RAMに入力するための信号を出力する。この画
素記憶位置選択回路4の出力は書き込み/読み出
し切換回路5に入力され、画像メモリ9への画像
データ書き込み時には、n2個のIC RAMの内の
n個のIC RAMへn画素分のアドレスデータを
与える。一方、画像メモリ9からTV走査によつ
て記憶画像データを読み出す際には、切換回路5
が切換えられて、読み出しデータアドレスレジス
タ6からのTV走査用アドレスデータがn2個のIC
RAMに入力され、画像メモリ9に書き込まれた
画像データがTV走査によつて読み出される。
このような書き込みアドレスデータの処理と相
まつて、書き込みデータレジスタ1−1〜nの出
力に得られるn画素分の画素データを入力IC
RAM検出回路3からのn個のIC RAM指定信号
と同期をとつて、これを画像メモリ9に与えるた
めの画素選択回路7と、入力IC RAM検出回路
3のn個のIC RAM指定信号を受けて、n2個の
IC RAMの中からn個のIC RAMを選択し、n
画素分の画像データの書き込みを許可する書き込
みエネーブル制御回路8とが協同して、画像メモ
リ9にPPI走査による並列画像データの書き込み
がなされるように構成されている。また、画像メ
モリ9に記憶されている画像データの並列読み出
しは、読み出しデータアドレスレジスタ6からの
TV走査用アドレスデータが切換回路5を介して
画像メモリ9のn2個のIC RAMに与えられるこ
とによつて、TV走査により読み出される。この
読み出された画像データは読み出しデータレジス
タ10を介して適宜のTV表示装置(図示せず)
に与えられ、そこでTV表示される。
上記実施例の説明においては、本発明になるデ
ジタル走査変換装置に入力される画素数をn個と
し、画像メモリを構成するIC RAM数をn2個と
して説明したが、本発明の理解を容易にするため
に、第1の具体例としてTV走査で読み出しなが
ら、一方極座標データの書き込みを2画素並列に
実行できる例について説明する。なお、前述のご
とく、本発明になるデジタル走査変換装置を構成
する画像メモリは1画素当りの量子化数に対応し
たメモリプレーンで構成される。また、1画素は
5ビツトで構成するために5メモリプレーンが必
要となるが、各プレーンの構成は同一であるか
ら、以下1メモリプレーンについてのみ説明する
ことにする。この例における各画素が1ビツトか
らなる画面構成を示すと第11図のようになる。
この画面は縦、横、各々1024の画素からなり、
TV走査によつて所要の画像が描かれる。画像メ
モリは、この画面の各画素に対応して1ビツトの
記憶場所をもつ。従つて、1024×1024ビツトの記
憶容量のメモリプレーンを構成するために、64個
の16KbitIC RAMを使用している。次に、各IC
RAMと画面上の画素との対応について、第12
図および第13図を参照して説明する。
第12図は、第11図におけるイの部分の拡大
画面の画素とIC RAM番号との対応を示したも
ので、“0”、“1”、…、“31”、“32”、…、“63

は、IC RAMの番号とし、64個のICに1つづつ
割り当てた番号である。画面の最上部の水平方向
の走査線を構成する画素に対応して“0”、…、
“63”のICのデータが読み出され、この読み出し
を16回繰返すことにより、1水平走査線を構成す
る画素、即ち1024画素が読み出せる。従つて、各
ICは、1水平走査線分として16ビツトの容量で
あり、垂直方向で1024本で1画面であるから、16
×1024=16Kビツトの容量があればよい。上から
2番目の水平方向の走査線を構成する画素に対し
ては、最初に“32”、…、“63”のIC RAMから
のデータが読み出され、次に“0”、…、“31”の
IC RAMが読み出される。以下同様に、“32”、
…、“63”および“0”、…、“31”の順に全部で
16回繰返すことにより、1水平走査線が読み出せ
る。上から3番目は第1番目と同じ順序で読み出
され、以下同様に上から奇数番目の水平方向の読
み出しは、第1番目の水平走査線での読み出しと
同一であり、偶数番目の水平方向の読み出しは、
第2番目の水平走査線での読み出しと同一であ
る。このように64個のIC RAMと画面の画素を
対応させている。
第13図はメモリの構成を示す。64個のIC
RAMは4つのブロツクに分けてあり、各ブロツ
クは16個のIC RAMで構成される。各IC RAM
の第12図におけるIC RAM番号は本図の各IC
に対応しており、ブロツクAはIC RAM番号
“0”、“2”、…、“30”の0から31番までの偶数
番号であり、ブロツクBは“1”、“3”、…、
“31”の0から31番中の奇数番号に対応している。
ブロツクCは“32”から“63”までの遇数番号
に、ブロツクDは奇数番号に対応している。この
ようにして、任意の画素を中心に縦、横、斜めの
各方向の位置関係は第14図に示すようになり、
任意の中心とした画素と隣接した画素とは必らず
異なるブロツクとなつて、同時に2つのブロツク
で書き込み動作が可能となる。例えば、第12図
の上から3番目、左から64番目の画素に中心をと
ると、第15図のようになり、“63”はブロツク
Dに、周囲の“0”、“30”、“31”、“32”、“62”

いずれもブロツクD以外、即ちブロツクA,B,
Cに含まれる。
さらに、上記第1の具体例における画像メモリ
の1メモリプレーン分の装置構成を示すと第16
図のブロツク図のようになる。この図によれば、
装置はメモリアドレス制御部90と4つのメモリ
ブロツク部91〜94とから構成される。メモリ
アドレス制御部90は、画素の画面上のアドレス
を指定する2画素分のアドレスデータ(第1画素
X及びYアドレスと第2画素X及びYアドレス)
を受信し、更に書込/読出切替信号及び読み出し
ROW及び読み出しCOLUMNアドレスを受け、
各メモリブロツク91〜94への書き込みアドレ
スを読み出しアドレスに変換し、第1画素及び第
2画素のデータ書き込みアドレスを制御する。書
き込みアドレスの制御のための画素選択信号A1
〜D1は、ブロツク毎に第1画素と第2画素のう
ちどちらの画素データを書き込むかを制御する信
号である。書き込みIC指定信号A2〜D2は、各ブ
ロツク中の16個のIC RAM中のどの1個のIC
RAMにデータを書き込むかを指定する信号であ
る。ROWアドレスA3〜D3及びCOLUMNアドレ
スA4〜D4の信号はIC RAM内のアドレスを指定
する信号である。4つのメモリブロツク91〜9
4はそれぞれA,B,C,Dに区別され、各々の
回路構成は同一である。これ等のメモリブロツク
91〜94はメモリアドレス制御部90からの画
素選択信号、書き込みIC指定信号、ROWアドレ
ス信号及びCOLUMNアドレス信号からなるアド
レス制御信号を受け、同時に書き込みデータであ
る第1画素データと第2画素データを受ける。そ
して、各々のメモリブロツク91〜94に書き込
みデータを記憶し、同時にTV走査によるアドレ
ス指定によつて記憶されているデータを読み出し
て出力する。
第17図はメモリアドレス制御部90の具体的
な構成をブロツク図により示したものである。こ
の図において、メモリアドレス制御部90は、第
1画素アドレスレジスタ901、第2画素アドレ
スレジスタ902、書き込みエネーブル制御器9
03、切替制御器904、切替器905−1〜
4、及び切替器906−1〜4により構成され
る。第1画素アドレスレジスタ901は第1画素
の画面上のアドレス指定信号であるXアドレスと
Yアドレスを受けて、これを一時記憶するレジス
タである。第2画素アドレスレジスタ902も同
様に第2画素のアドレスを記憶するレジスタであ
る。第1画素書き込みIC指定信号は、4ビツト
のデータであり、第1画素を書き込むメモリブロ
ツクの16個のIC RAMの内の1個を指定し、第
1画素アドレスレジスタ901より直接切替器9
05−1〜4に入力される。第1画素ROWアド
レスは、7ビツトのデータであり、第1画素を書
き込むIC RAM内のROWアドレスを指定し、第
1画素COLUMNアドレスは同じIC RAMの
COLUMNアドレスを指定する信号である。両信
号共に第1画素アドレスレジスタ901から直接
切替器905−1〜4に入力される。第2画素ア
ドレスレジスタ902からは第2画素を書き込む
ための第2画素書き込みIC指定信号、第2画素
ROWアドレス及び第2画素COLUMNアドレス
信号を出力して、切替器905−1〜4に与えら
れる。
切替器905−1は、第1画素アドレスレジス
タ901から出力される上記の信号と第2画素ア
ドレス信号の他に、常にロジツク“1”と常にロ
ジツク“0”の信号を受け、第1画素アドレスレ
ジスタ901からの信号とロジツク“1”の信
号、または、第2画素アドレスレジスタからの信
号とロジツク“0”の信号のどちらかのグループ
を切替えて出力する。切替器905−2〜4も切
替器905−1と同様の回路機能を備えている。
切替器905−1の出力の内、書込みIC指定信
号A2と画素選択信号A1は第16図に見られるメ
モリブロツク91に向けて、直接出力される。こ
の画素選択信号A1は第1画素グループが選ばれ
た時、ロジツク“1”であり、第2画素グループ
が選ばれた時はロジツク“0”の信号である。切
替器905−1からのROWアドレスと
COLUMNアドレス信号は切替器906−1に入
力し、読み出し用のROWアドレスとCOLUMN
アドレスと2者択一的に切替えられて出力され、
メモリブロツク91に与えられる。切替器905
−1は、メモリブロツク91への書き込みが第1
画素データの時は第1画素グループ信号を選択
し、第2画素データの時は第2画素グループ信号
を選択して出力する。切替器905−2〜4も同
様の機能をもち、切替器905−1とともに切替
制御器904からの切替制御信号を受けて上記の
切替機能を実行する。切替制御器904は第1画
素アドレスレジスタ901からのアドレス信号に
より、第1画素がメモリブロツク91〜94の内
のどのブロツクに書き込むべきデータかを判断
し、切替器905−1〜4の中の1つの切替器に
のみ第1画素グループの信号を選択するように制
御する。従つて、残りの切替器は全て第2画素グ
ループの信号を選択する。
切替器906−1〜4は、ROWアドレスと
COLUMNアドレスのそれぞれを書き込みと読み
出しによつて切替えて出力し、書き込み時には書
き込みのROWアドレスとCOLUMNアドレスを
切替器905−1〜4より受けて出力し、読み出
し時には読み出しのROWアドレスとCOLUMN
アドレスを出力する。読み出しは、同時に64個の
IC RAMよりデータを読み出すため、4つのメ
モリブロツク91〜94は全て同一のROWアド
レスとCOLUMNアドレスを出力する。読出し
ROWアドレスとCOLUMNアドレスは、TV走査
のためのH−カウンタおよびV−カウンタ(図示
せず)によりTVラスタの信号で発生し、本装置
に入力される。また、書き込みエネーブル制御器
903は、第1画素アドレスレジスタ901から
の信号と第2画素アドレスレジスタ902からの
アドレス情報を入力し、第1画素と第2画素の2
つの画素をメモリブロツク91〜94の内のどの
2つに書き込むかを指定する回路であり、ロジツ
ク“1”の時に書き込みを許可し、“0”の時に
禁止する。従つて、書き込みエネーブルA5〜D5
の内の2つの出力ラインに“1”が出力され、残
りの2つには“0”が出力される。但し、第1画
素と第2画素が同一画素アドレスを指定した場合
には、1つの出力ラインのみが“1”となる。ま
た、書き込みエネーブル制御器903は書込/読
出切替信号を受け、読み出し時には書き込みエネ
ーブルA5〜D5の全ての信号を“0”にして書き
込みを禁止する。
第18図はメモリブロツクの具体的な構成をブ
ロツク図により示したものである。このメモリブ
ロツクは4つのメモリブロツク91〜94に分か
れているが、回路構成はいずれも同じであるので
メモリブロツク91についてのみ述べる。図にお
いて、メモリブロツク91は書込みエネーブル信
号発生回路911、アドレス信号切替回路91
2、書き込みデータ選択回路913、16IC
RAM914、および読み出しレジスタ915よ
りなる。そして、このメモリブロツクは第13図
におけるブロツクAに対応した画素を記憶する16
個のIC RAMを中心に構成される。書き込みエ
ネーブル信号発生回路911は書き込みIC指定
信号A2と書き込みエネーブルA5とを受けて、
16IC RAM914の内の1個にのみ書き込みを
許可する制御信号を供給する。アドレス信号切換
回路912はROWアドレスA3とCOLUMNアド
レスA4とを受けて、IC RAM914へROWアド
レス供給タイミング時にROWアドレスを、
COLUMNアドレス供給タイミング時に
COLUMNアドレスを切替えて出力する。書き込
みデータ選択回路913は画素選択信号A1と第
1画素データ及び第2画素データを受け、画素選
択信号がロジツク“1”ならば第1画素データを
出力し、“0”なら第2画素データを出力する。
なお、各メモリブロツク91〜94は書き込みエ
ネーブル信号発生回路への書き込みエネーブル信
号が読み出し時には“0”となり、メモリブロツ
ク91〜94の全てのIC RAMは読み出しモー
ドとなつて読み出しレジスタに出力データが読み
とられる。そして、各メモリブロツク91〜94
から16ビツトのデータが出力され、合計64ビツト
が並列に出力されることになる。
上記第1の具体例においては、切替回路905
−1〜4及び906−1〜4の計8個の切替回路
が必要であるが、画素配列を利用して回路構成を
工夫することによりROWアドレスおよび
COLUMNアドレスの切替回路を4個の切替回路
で済ますことができる。以下、行アドレス及び列
アドレスの切替を4個の切替回路で行う場合の第
2の具体例について説明する。前述のごとく、第
12図において、上から奇数番目の走査線におけ
る“0”〜“31”、“32”〜“63”のIC RAMは
第13図に見られるように4つのブロツクに分か
れている。従つて、水平方向に相隣り合う2画素
が“0”〜“63”の64個の連続画素内にある時は
同一のROWおよびCOLUMNアドレスによつて
指定することができる。また、“63”と“0”の
64個毎のブロツクの境界においては、第13図に
示すように、“63”はブロツクDであり、“0”は
ブロツクAであるから、異なるROWおよび
COLUMNアドレスを指定する必要がある。以上
の指定方法は、上から偶数番目の走査においても
同様に成立する。即ち、“32”〜“63”、“0”〜
“31”の64個の連続画素内では同一のROWおよ
びCOLUMNアドレスが指定され、境界上の
“31”と“32”においては異なるROWおよび
COLUMNアドレスを指定する。また一方、上下
方向での相隣り合う2画素を考えた場合、異なる
ROWおよびCOLUMNアドレスの指定が必要で
あり、それは必らず“0”〜“31”と“32”〜
“63”の2つのブロツクに分かれることがわかる。
従つて、前記の画素の配列を考慮すると、“0”
〜“31”と“32”〜“63”の2系統のROWおよ
びCOLUMNアドレスがあれば、相隣り合う2画
素を指定できることがわかる。
画素の斜め方向については、走査線の左端から
32個内のブロツクは同様に異なるブロツクで、且
つ前記の2つのブロツクの系統に分かれる。とこ
ろが、境界上の部分、例えば第19図に示すよう
な斜め方向の相隣り合う2画素については同一の
メモリブロツクとなる。そこで、この場合のみ1
画素づつの書き込みとするように構成する。第1
9図の場合、“63”が中心であり、斜め右上の
“32”は同一のメモリブロツクで異なるROWお
よびCOLUMNアドレスが必要であり、斜め右下
の“32”も同様に異なるROWおよびCOLUMN
アドレスが必要となる。しかし、斜め左上と斜め
左下の画素は異なるメモリブロツクであり、前述
の“0”〜“31”と“32”〜“63”の2系統のメ
モリブロツクとなる。従つて、斜め右上と右下の
画素については、中心の画素“63”を1画素書き
込みとし、2画素書き込みを禁止して、次のステ
ツプで“32”を書き込むようにする。
上記第2の具体例における回路構成は、メモリ
アドレス制御部以外は前述の第1の具体例と同じ
である。第20図は第2の具体例において用いら
れるメモリアドレス制御部90′の構成をブロツ
クにより示したものである。なお、この例におい
て、入出力信号は、前述の第17図の場合に比
し、Xアドレス、Yアドレス、レジスタクロツク
および1画素要求信号を除いて他は同じである。
さて、第20図において、第1画素アドレスレジ
スタ901′と第2画素アドレスレジスタ90
2′は、レジスタクロツクにより第2画素アドレ
スレジスタ902′のデータが第1画素アドレス
レジスタ901′に入力されるように構成されて
いる。従つて、第1画素と第2画素はXアドレス
とYアドレス信号線を通つて直列に入力される。
比較器907によつて第1画素アドレスと第2画
素アドレスが比較され、前述のように、2画素が
ブロツクの境界上の斜め方向にある時は1画素書
き込みにするために第2画素禁止信号を発生す
る。この第2画素禁止信号によつて、書き込みエ
ネーブル制御器703′は第2画素アドレスレジ
スタ902′からの入力を無視し、結果として第
2画素のための書き込みエネーブル信号を出力し
ない。そして同時に、次のステツプでの書き込み
は1画素分のみを要求するための1画素要求信号
を出力する。これにより、1画素書き込み時に無
視された第2画素は、第1画素アドレスにシフト
され、1画素分が第2画素アドレスレジスタ90
2′に入力され、新たな2画素書き込みの条件が
揃うことになる。切替器905′−1〜4は前述
の第1の具体例における切替器905−1〜4と
同じ機能であり、ただ、ROWアドレスと
COLUMNアドレスとが切替ラインから除かれて
別系統に変つただけである。切替制御器904′
も第1の具体例と同一機能をもつものである。
切替器909−1と切替器909−2は、第1
画素ROWアドレス及びCOLUMNアドレスと、
第2画素ROWアドレス及びCOLUMNアドレス
とを切替える機能をもち、切替指示器908の信
号によつて切替器909−1が第1画素のROW
およびCOLUMNを運ぶと、切替器909−2は
第2画素のROWおよびCOLUMNを選ぶ。反対
に、切替器909−1が第2画素を選ぶと、切替
器909−2は第1画素を選ぶように動作する。
切替指示器908は第1画素アドレスレジスタ9
01′のデータを入力し、それが“0”〜“31”
のブロツクが、“32”〜“63”のブロツク(第1
2図)かを検出し、さらに、上から奇数番目の走
査線か、偶数番目の走査線(第13図)かを検出
して、この両方の条件により第1画素ROW、
COLUMNを切替器909−1か、又は切替器9
09−2の出力線に導くかを決める働きをする。
このようにして、切替器909−1および909
−2からの出力はそれぞれ切替器909−3と9
09−4において、読出しROWアドレスおよび
COLUMNアドレスと二者択一的に切替えられ、
最終的にROWアドレスA3〜D3及びCOLUMNア
ドレスA4〜D4として出力される。すなわち、結
果として、メモリブロツク91とメモリブロツク
92は同一のROWおよびCOLUMNアドレスを
指定することができ、メモリブロツク93とメモ
リブロツク94は同一のROWおよびCOLUMN
アドレスを指定することができる。従つてROW
およびCOLUMNアドレス系統の切替器909−
1〜4は前述の第1の具体例に比較して、8個か
ら4個に減少している。
以上の説明により明らかなように、本発明のデ
ジタル走査変換装置によれば、画像メモリからの
TV走査による読み出しを並列に行ない、同時に
PPI走査のような極座標走査によつて得られるデ
ータを2画素以上並列に多重化して画像メモリに
書き込むことによつて、デジタル走査変換の高速
化が可能となり、このようなデジタル走査変換装
置をレーダ情報のデイライトデイスプレイに適用
して、従来のこの種デイスプレイでは達成し得な
かつたレーダ情報の高速表示が可能となつた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に適用される画像メモリの画面
斜視図、第2図は1TV走査に含まれる画素の配
列を示すフオーマツト、第3図はPPI走査方向に
隣接する画素の書き込みを説明するための図、第
4図は画面における中心画素から上下、左右に広
がる画素領域を示す図、第5図はPPI走査におけ
る画像データの並列書き込みを説明する図、第6
図はIC RAMの配列を説明するための画素の配
置図、第7図はIC RAM内における記憶場所の
区分を説明する図、第8図は画像メモリ全体にお
けるデータ行列の配置を説明するための図、第9
図はIC RAM内の1画素区画に特定の画素が記
憶されることを説明する図、第10図は本発明に
よる実施例の構成を示すブロツク図、第11図は
第1の具体例における画面構成を示す図、第12
図は、第11図における拡大画面の画素とIC
RAM番号との対応を示す図、第13図はメモリ
のブロツクごとの構成を示す図、第14図は任意
の画素を中心にした縦、横、斜めの各方向におけ
る画素との位置関係を示す図、第15図は、第1
2図における特定の画素を中心にしたときの周囲
画素と、これ等画素の含まれるブロツクとの関係
を説明するための図、第16図は、第10図の実
施例に適合する第1の具体例における画像メモリ
の1メモリプレーン分の装置構成を示すブロツク
図、第17図は、第16図におけるメモリアドレ
ス制御部の具体的な構成を示すブロツク図、第1
8図は、第16図におけるメモリブロツクの具体
的な構成を示すブロツク図、第19図は第2の具
体例における相隣り合う画素とメモリブロツクと
の関係を説明するための図、第20図は、第10
図の実施例に適合する第2の具体例におけるメモ
リアドレス制御部の具体的な構成を示すブロツク
図である。 図において、1−1〜nは書き込みデータレジ
スタ、2−1〜nは書き込みデータアドレスレジ
スタ、3は入力IC RAM検出回路、4は画素記
憶位置選択回路、5は書き込み/読み出し切換回
路、6は読み出しデータアドレスレジスタ、7は
画素選択回路、8はエネーブル制御回路、9は画
像メモリ、10は読み出しデータレジスタ、9
0,90′はメモリアドレス制御部、91〜94
はメモリブロツク、901,901′は第1画素
アドレスレジスタ、902,902′は第2画素
アドレスレジスタ、903,903′は書き込み
エネーブル制御器、904,904′は切替制御
器、905−1〜4,905′−1〜4,906
−1〜4,909−1〜4は切替器、907は比
較器、908は切替指示器、911は書き込みエ
ネーブル信号発生回路、912はアドレス信号切
替回路、913は書き込みデータ選択回路、91
4はIC RAM、915は読み出しレジスタであ
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 記憶回路と、該記憶回路にデータを書き込む
    ための書込みデータレジスタおよび書込みデータ
    アドレスレジスタと、前記記憶回路からデータを
    読み出すための読出しデータレジスタおよび読出
    しデータアドレスレジスタとを有する極座標から
    直交座標に走査変換するためデジタル走査変換装
    置において、個々の記憶容量をnセル毎に区分け
    したn2個のIC RAMをn個ずつブロツク化し、
    各IC RAMの前記区分けされた中の1セルを各
    ブロツクごと列方向にnブロツク分走査し得るよ
    うにアドレスを定め、かつn行まで行数が進むに
    つれて各前列の2番目のブロツクからそれぞれ列
    方向にnブロツク前記セルを異ならせて走査し得
    るようにアドレスを定めてなる単位記憶回路を、
    行・列方向に配置した1画面分の画像メモリと、
    予め該画像メモリの各セル位置と当該セルの属す
    るIC RAMとの対応関係を定め、前記書込みデ
    ータアドレスレジスタから同時に入力された前記
    nセルの画面上のアドレスデータにより、そらの
    nセルが記憶されるIC RAMを指定するIC
    RAM検出回路と、該検出回路からのIC RAM指
    定信号と前記アドレスデータとからnセル分の書
    込みアドレスデータを出力する画像記憶位置選択
    回路と、該選択回路および前記読出しデータアド
    レスレジスタの出力をうけ書込み時には前記画像
    メモリの選ばれたブロツクに書込みアドレスを入
    力し、読出し時にはラスター走査するべく前記画
    像メモリの全IC RAMに同一アドレスを入力す
    る切替回路とを備えたことを特徴とするデジタル
    走査変換装置。
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