JPH0132368Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0132368Y2 JPH0132368Y2 JP1980114328U JP11432880U JPH0132368Y2 JP H0132368 Y2 JPH0132368 Y2 JP H0132368Y2 JP 1980114328 U JP1980114328 U JP 1980114328U JP 11432880 U JP11432880 U JP 11432880U JP H0132368 Y2 JPH0132368 Y2 JP H0132368Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- electrode
- frequency
- thickness
- aluminum electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、配線による静電容量に起因する高
周波出力電力の低下や異常発振等の不安定現象を
防止し、かつ大電流密度動作に起因する電極のエ
レクトロマイグレーシヨンを防止した高周波高出
力トランジスタに関するものである。
周波出力電力の低下や異常発振等の不安定現象を
防止し、かつ大電流密度動作に起因する電極のエ
レクトロマイグレーシヨンを防止した高周波高出
力トランジスタに関するものである。
従来から高周波高出力トランジスタでは、高周
波動作を可能ならしめるため、出力容量を低減さ
せるべくベース・コレクタ接合面積をできるだけ
小さく設計している。これに伴いコレクタ損失に
よる発熱の密度が高くなるので、ベース・コレク
タ接合を分割し、熱的に分散をはかるよう設計し
ている。上記設計方法によりベース・コレクタ接
合内のパターン精度は、一般に高精度となつてお
り、また、分割されたベース・コレクタ接合間を
接続する配線用の電極を有している。ベース・コ
レクタ接合内のパターンが高精度であるために、
微細なパターニングを行わねばならず、電極の金
属もその厚さは自ずから制限される。従つて配線
用の電極も上記理由により厚さが制限されるた
め、充分な電流容量を得るためには、配線金属の
面積を充分とらねばならず、配線による静電容量
の増大を伴つてしまう。この結果、高周波出力電
力の低下や異常発振等の不安定現象が発生しがち
であつた。また、配線金属の面積を充分に取らな
ければ高周波出力電力の低下、破壊耐量の低下お
よびエレクトロマイグレーシヨンの発生による信
頼性の低下を引越しがちであつた。これをさらに
図面により説明する。
波動作を可能ならしめるため、出力容量を低減さ
せるべくベース・コレクタ接合面積をできるだけ
小さく設計している。これに伴いコレクタ損失に
よる発熱の密度が高くなるので、ベース・コレク
タ接合を分割し、熱的に分散をはかるよう設計し
ている。上記設計方法によりベース・コレクタ接
合内のパターン精度は、一般に高精度となつてお
り、また、分割されたベース・コレクタ接合間を
接続する配線用の電極を有している。ベース・コ
レクタ接合内のパターンが高精度であるために、
微細なパターニングを行わねばならず、電極の金
属もその厚さは自ずから制限される。従つて配線
用の電極も上記理由により厚さが制限されるた
め、充分な電流容量を得るためには、配線金属の
面積を充分とらねばならず、配線による静電容量
の増大を伴つてしまう。この結果、高周波出力電
力の低下や異常発振等の不安定現象が発生しがち
であつた。また、配線金属の面積を充分に取らな
ければ高周波出力電力の低下、破壊耐量の低下お
よびエレクトロマイグレーシヨンの発生による信
頼性の低下を引越しがちであつた。これをさらに
図面により説明する。
第１図は従来の高周波高出力トランジスタの一
例を示すものであり、第１図ａは上面図、第１図
ｂは第１図ａのＡ−A′断面図である。第１図に
示すように、ｎ形シリコン基体１にｐ形ベース領
域２、ｎ形エミツタ領域３、二酸化シリコン被膜
４およびアルミニウム電極５が通常の高周波高出
力トランジスタ通りに形成される。従つてコレク
タ・ベース接合面内のアルミニウム電極５の厚さ
と配線アルミニウム電極５′の厚さは同じであり、
配線アルミニウム電極５′の幅６は比較的広い。
従つて、上述したような欠点があつた。
例を示すものであり、第１図ａは上面図、第１図
ｂは第１図ａのＡ−A′断面図である。第１図に
示すように、ｎ形シリコン基体１にｐ形ベース領
域２、ｎ形エミツタ領域３、二酸化シリコン被膜
４およびアルミニウム電極５が通常の高周波高出
力トランジスタ通りに形成される。従つてコレク
タ・ベース接合面内のアルミニウム電極５の厚さ
と配線アルミニウム電極５′の厚さは同じであり、
配線アルミニウム電極５′の幅６は比較的広い。
従つて、上述したような欠点があつた。
この考案は、上記の点にかんがみなされたもの
で、ベース・コレクタ接合面内の金属電極厚さは
薄くして微細パターンが形成できるようにし、配
線金属電極の厚さは厚くして、面積を減らしても
充分な電流容量を持たせるようにして従来の欠点
を除去したものである。以下この考案について説
明する。
で、ベース・コレクタ接合面内の金属電極厚さは
薄くして微細パターンが形成できるようにし、配
線金属電極の厚さは厚くして、面積を減らしても
充分な電流容量を持たせるようにして従来の欠点
を除去したものである。以下この考案について説
明する。
第２図はこの考案の一実施例を示すものであ
り、第２図ａは上面図、第２図ｂは第２図ａのＢ
−B′断面図である。
り、第２図ａは上面図、第２図ｂは第２図ａのＢ
−B′断面図である。
第２図に示すように、ｎ形シリコン基体１にｐ
形ベース領域２、ｎ形エミツタ領域３、二酸化シ
リコン被膜４およびアルミニウム電極５が形成さ
れる。ここで、コレクタ・ベース接合面内のアル
ミニウム電極５の厚さより、配線アルミニウム電
極５′の厚さの方が厚く形成されており、配線ア
ルミニウム電極５′の幅６は従来のものに比べて
狭く形成されている。
形ベース領域２、ｎ形エミツタ領域３、二酸化シ
リコン被膜４およびアルミニウム電極５が形成さ
れる。ここで、コレクタ・ベース接合面内のアル
ミニウム電極５の厚さより、配線アルミニウム電
極５′の厚さの方が厚く形成されており、配線ア
ルミニウム電極５′の幅６は従来のものに比べて
狭く形成されている。
このように形成することにより、配線アルミニ
ウム電極５′の断面積を小さくすることなく、二
酸化シリコン被膜４との接触面積を小さくするこ
とができ、高周波特性の向上と信頼性の向上が同
時に満足できる。
ウム電極５′の断面積を小さくすることなく、二
酸化シリコン被膜４との接触面積を小さくするこ
とができ、高周波特性の向上と信頼性の向上が同
時に満足できる。
以上説明したように、この考案は配線領域上の
配線用電極の厚さと幅を、能動領域の電極の厚さ
より厚くし、かつ、その幅より狭くしたので、配
線用電極の導電率を低下させることなく、高周波
特性の向上をはかることができる利点がある。
配線用電極の厚さと幅を、能動領域の電極の厚さ
より厚くし、かつ、その幅より狭くしたので、配
線用電極の導電率を低下させることなく、高周波
特性の向上をはかることができる利点がある。
第１図ａ，ｂは従来の高周波高出力トランジス
タの上面図およびＡ−A′断面図、第２図ａ，ｂ
はこの考案の一実施例を示す高周波高出力トラン
ジスタの上面図およびＢ−B′断面図である。 図中、１はｎ形シリコン基体、２はｐ形ベース
領域、３はｎ形エミツタ領域、４は二酸化シリコ
ン被膜、５はアルミニウム電極、５′は配線アル
ミニウム電極、６は配線アルミニウム電極の幅で
ある。なお、図中の同一符号は同一または相当部
分を示す。
タの上面図およびＡ−A′断面図、第２図ａ，ｂ
はこの考案の一実施例を示す高周波高出力トラン
ジスタの上面図およびＢ−B′断面図である。 図中、１はｎ形シリコン基体、２はｐ形ベース
領域、３はｎ形エミツタ領域、４は二酸化シリコ
ン被膜、５はアルミニウム電極、５′は配線アル
ミニウム電極、６は配線アルミニウム電極の幅で
ある。なお、図中の同一符号は同一または相当部
分を示す。
Claims (1)
- 能動領域と配線領域とを半導体基板表面に有す
る高周波高出力トランジスタにおいて、前記配線
領域上に設けた配線用の電極の厚さを前記能動領
域の電極の厚さより厚くし、かつ前記配線用の電
極の幅を前記能動領域の電極の幅より狭くしたこ
とを特徴とする高周波高出力トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980114328U JPH0132368Y2 (ja) | 1980-08-12 | 1980-08-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980114328U JPH0132368Y2 (ja) | 1980-08-12 | 1980-08-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5737262U JPS5737262U (ja) | 1982-02-27 |
| JPH0132368Y2 true JPH0132368Y2 (ja) | 1989-10-03 |
Family
ID=29475318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980114328U Expired JPH0132368Y2 (ja) | 1980-08-12 | 1980-08-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0132368Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5363976A (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-07 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS55141739A (en) * | 1979-04-23 | 1980-11-05 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1980
- 1980-08-12 JP JP1980114328U patent/JPH0132368Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5363976A (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-07 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS55141739A (en) * | 1979-04-23 | 1980-11-05 | Nec Corp | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5737262U (ja) | 1982-02-27 |
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