JPH0132084Y2 - - Google Patents

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JPH0132084Y2
JPH0132084Y2 JP6407680U JP6407680U JPH0132084Y2 JP H0132084 Y2 JPH0132084 Y2 JP H0132084Y2 JP 6407680 U JP6407680 U JP 6407680U JP 6407680 U JP6407680 U JP 6407680U JP H0132084 Y2 JPH0132084 Y2 JP H0132084Y2
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circuit
semiconductor
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controlled rectifier
electrode
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Description

【考案の詳細な説明】 本案は直流安定化回路の改良に関する。
一般に直流安定化回路のひとつとして第1図に
示すようないわゆるシリーズレギユレータ方式と
呼ばれるものが知られている。この方式の回路は
非安定化電圧V1の変動によつて安定化電圧V2
変化したとき、基準電圧発生部1から与えられる
基準電圧V0と安定化電圧V2とを比較回路部2に
よつて比較し、その変化分によつて制御部3を制
御して、常に一定に安定した安定化電圧V2を得
るようにしている。したがつて、制御部3は入力
と出力間に直列に介在するから、入力の非安定化
電圧V1が過大な電圧となつた場合にはこの制御
部3における熱損失は大きなものとなる。その結
果、制御部3に含まれる能動素子の放熱板は大形
となりまた、過大非安定化電圧に耐え得る能動素
子も高価なものとなる。
本案はかかる点に鑑みてなされたもので、その
目的とするところは制御部に適用される能動素子
が最大定格の小さい小容量の耐圧の低いものであ
つても使用でき、このために設けられる本案回路
遮断部の半導体制御整流素子の最大定格もまた小
容量のもので実現できるような過電圧入力保護装
置を提供しようとする点にある。
また、本案の特徴は回路遮断部に用いられる半
導体制御整流素子のアノード・カソード間電流の
最大定格電流すなわち許容値がゲート電流の最大
定格電流すなわち許容値よりも大きいことに着目
し、過大な入力電圧のときに許容値の小さいゲー
ト側から許容値の大きいアノード側に電流を分路
し、これによつて半導体制御整流素子の容量の小
さいものの使用を可能とした点にある。
以下このような本案を実施例図面に従つて説明
する。
第2図は本案の一実施例装置の構成を示すブロ
ツク回路図で、第1図と同等部分には同一符号を
付する。また、第3図は第2図の具体的な回路結
線図を示すものである。
第3図において、D1とD3はシエナーダイオー
ド、Q1〜Q3はトランジスタ、D2はダイオード、
SCRは半導体制御整流素子、R1〜R4は抵抗であ
る。
すでに述べた基準電圧発生部1、比較回路部
2、制御部4は周知のシリーズレギユレータ方式
の直流安定化回路を構成し、これらの動作は一般
に知られているのでここではその詳細は省略す
る。したがつて、以下本案の要部の回路遮断部4
について説明する。
回路遮断部4はアノード電極Aとカソード電極
K間の導通によつて直流安定化回路特に制御部3
のトランジスタQ1,Q2を非動作状態に制御する
遮断回路42と、半導体制御整流素子SCRと、
この半導体制御整流素子SCRのゲート電極Gに
ゲート電流を与える点弧回路41と、半導体制御
整流素子SCRのアノード電極Aにゲート電流を
分流する回路すなわちダイオードD2とによつて
構成される。
今、非安定化電圧V1が上昇し、ツエナーダイ
オードD1のツエナー電圧以上になると、半導体
制御整流素子SCRがターンオンする。したがつ
て、抵抗R4に電流が流れ、半導体制御整流素子
SCRのアノード電極Aに印加されている電圧が
下がる。このときの電圧は制御部3のトランジス
タQ1,Q2が動作状態を維持できないような値に
選ばれる。その結果、制御部3はカツトオフ状態
となつて、安定化電圧V2はゼロとなる。このこ
とによつて、制御部3を形成する能動素子すなわ
ちトランジスタQ1,Q2は熱損失を発生せず、最
大定格の小さい小容量のものの適用を可能とさせ
る。
一方、半導体制御整流素子SCRのゲート電流
は非安定化電圧V1がさらに増大して過大な値に
なると、ツエナーダイオードD1によつてシフト
された電圧に比例して増加することとなる。この
とき、抵抗R1とR2との接続点Dに接続されたダ
イオードD2は半導体制御整流素子SCRがターン
オンすると同時にオンとなるから、D点の電圧
V3はアノード電極Aに印加された電圧からダイ
オードD2の順方向電圧だけ高くなる値までしか
増加しない。したがつて、非安定化電圧V1が過
大な値に増加しても、V3はほぼ一定となり、ダ
イオードD2に流れる電流IP2は増加するものの、
抵抗R2に流れる電流IR2すなわちゲート電極Gに
与えられるゲート電流はほぼ一定となり大きな変
化はしない。
その結果、過大な非安定化電圧V1が加わわつ
たとしても半導体制御整流素子SCRのゲート電
流は定格オーバになることなく、許容値の大きい
アノード電極A側に電流が分路されるから、半導
体制御整流素子SCRは最大定格の小さい小容量
のものの適用を可能とする。
以上のようにして本案によれば、異常に大きな
非安定化電圧が加わわつても、直流安定化回路の
素子並びに遮断回路の素子の破壊を防止するとと
もに、これらに使用される素子として電流容量が
小さく、かつ耐圧の低いものを使用できる過電圧
入力保護装置を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の直流安定化回路の構成図、第2
図は本案の一実施例装置の構成図、第3図は第2
図実施例装置の具体的な回路結線図を示すもので
ある。 1,2,3……直流安定化回路、4……回路遮
断部、SCR……半導体制御整流素子、41……
点弧回路、D2……分流して与える回路。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 負荷変動および入力電圧変動に対して安定化さ
    れた出力電圧を負荷に供給する直流安定化回路
    と、 アノードとカソードとゲート電極を有し、アノ
    ード電極とカソード電極間の導通によつて前記直
    流安定化回路を非動作状態に制御する半導体制御
    整流素子と、 前記直流安定化回路の入力電圧が所定の値以上
    となつたとき、前記半導体制御整流素子を導通さ
    せるべく前記ゲート電極にゲート電流を与える点
    弧回路と、 前記半導体制御整流素子の導通と対応してオン
    し、前記直流安定化回路の入力電圧の変動に対し
    て前記点弧回路から与えられるゲート電流が大き
    な変化をしないように、前記半導体制御整流素子
    のアノード電極に前記ゲート電流を分流して与え
    る回路とを備えた過電圧入力保護装置。
JP6407680U 1980-05-10 1980-05-10 Expired JPH0132084Y2 (ja)

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JPS56164311U JPS56164311U (ja) 1981-12-05
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