JPH013165A - モノチオアセタ−ルの製造法 - Google Patents
モノチオアセタ−ルの製造法Info
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- JPH013165A JPH013165A JP62-157241A JP15724187A JPH013165A JP H013165 A JPH013165 A JP H013165A JP 15724187 A JP15724187 A JP 15724187A JP H013165 A JPH013165 A JP H013165A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はモノチオアセタールの製造法に関する。
モノチオアセタールは有機合成上の中間体として幅広く
用いられる極めて重要な化合物である。
用いられる極めて重要な化合物である。
従来アセタール化合物からモノチオアセタール化合物を
合成する有効な方法として、/vイヌ酸触媒の存在下で
チオフェノールを作用させる方法やジエチルアルミニウ
ムチオフェノラートを作用させる方法が知られている。
合成する有効な方法として、/vイヌ酸触媒の存在下で
チオフェノールを作用させる方法やジエチルアルミニウ
ムチオフェノラートを作用させる方法が知られている。
しかしながら、上記方法ではジチオアセタール化合物を
多量に副生じたシ、特定のアセタール化合物にしか適用
でき々い欠点がある。
多量に副生じたシ、特定のアセタール化合物にしか適用
でき々い欠点がある。
本発明者等は種々研究の結果、ルイス酸触媒と溶媒の存
在下で、アセタール化合物に、有機錫有機チオ化合物を
作用させることにより、モノチオアセタールが選択的か
つ高収率で得られ1種々のタイプの化合物に応用できる
ことを見出し1本発明を完成した。
在下で、アセタール化合物に、有機錫有機チオ化合物を
作用させることにより、モノチオアセタールが選択的か
つ高収率で得られ1種々のタイプの化合物に応用できる
ことを見出し1本発明を完成した。
すなわち1本発明は、ルイス酸触媒と溶媒の存在下で、
一般式〔■〕 (式中R1,R2は水素原子又は炭化水素基を R3は
低級アルキル基又は低級アルコキシアルキル基を。
一般式〔■〕 (式中R1,R2は水素原子又は炭化水素基を R3は
低級アルキル基又は低級アルコキシアルキル基を。
R4は炭化水素基をそれぞれ示し R1とR2,R2と
R4は互に結合していてもよい)で表わされる有機化合
物に、一般式〔■〕 R55n(SR)4−Il〔■〕 (式中R5はアルキル基又はアリール基を、Rはアルキ
ル基、アラルキル基又はアリール基をそれぞれ示す)で
表わされる有機錫化合物を作用させることを特徴とする
。一般式〔■〕 (式中R1,R2,R4及びRは上記と同じ意義を有す
る)で表わされるモノチオアセタールの製造法である。
R4は互に結合していてもよい)で表わされる有機化合
物に、一般式〔■〕 R55n(SR)4−Il〔■〕 (式中R5はアルキル基又はアリール基を、Rはアルキ
ル基、アラルキル基又はアリール基をそれぞれ示す)で
表わされる有機錫化合物を作用させることを特徴とする
。一般式〔■〕 (式中R1,R2,R4及びRは上記と同じ意義を有す
る)で表わされるモノチオアセタールの製造法である。
上記一般式CI)で表わされる有機化合物にはアセター
ル化合物があシ、これらとしては1例えばトC5H7C
H(OCH3)、n−C4H9CH(OC2H5)2゜
n −C8H,、CH(OCH3) 、 n−C3
H,7CH(OC2H5) 。
ル化合物があシ、これらとしては1例えばトC5H7C
H(OCH3)、n−C4H9CH(OC2H5)2゜
n −C8H,、CH(OCH3) 、 n−C3
H,7CH(OC2H5) 。
CH3
n−C6H,3C三CCH(OCH3) 、 0CH(
OCH3) 。
OCH3) 。
その他のアセタール化合物などが挙げられる。
本発明において、一般式〔■〕の有機化合物に作用させ
る有機錫化合物としては、上記一般式〔■〕において、
Rは1例えばメチ)V基、エチル基、フロビル基、ブチ
ル基、オクチル基、フェニル基などを示し、Rはメチル
基、エチル基、プロピル基。
る有機錫化合物としては、上記一般式〔■〕において、
Rは1例えばメチ)V基、エチル基、フロビル基、ブチ
ル基、オクチル基、フェニル基などを示し、Rはメチル
基、エチル基、プロピル基。
ブチル基、オクチル基、ベンジル基、フェニル基などを
示し、またaは2又は3の整数を示すものを挙げること
ができる。
示し、またaは2又は3の整数を示すものを挙げること
ができる。
本発明に用いるルイス酸触媒としては1例えば三弗化ホ
ウ素エーテラート、ヨウ化第−錫、塩化第二錫、塩化ア
ルミニウム、臭化亜鉛、四塩化チタン、三塩化ホウ素な
どを挙げることができる。
ウ素エーテラート、ヨウ化第−錫、塩化第二錫、塩化ア
ルミニウム、臭化亜鉛、四塩化チタン、三塩化ホウ素な
どを挙げることができる。
また本発明に用いる溶媒としては、ベンゼン。
トルエン、ジクロルメタン、ジクロルエタン、エーテル
、テトラヒドロフラン、アセトニトリルなどの法化水素
、ハロケン化伏化水素、エーテル化合物、ニトリル化合
物を挙げることができる。
、テトラヒドロフラン、アセトニトリルなどの法化水素
、ハロケン化伏化水素、エーテル化合物、ニトリル化合
物を挙げることができる。
本発明の方法は通常次のようにして行なわれる。
反応容器に上記一般式〔■〕の有機化合物を入れ、窒素
置換した後、溶媒と有機錫化合物1次いでルイス酸触媒
を加え、低温で1〜数時間攪拌すれば容易にモノチオア
セタールを得ることができる。
置換した後、溶媒と有機錫化合物1次いでルイス酸触媒
を加え、低温で1〜数時間攪拌すれば容易にモノチオア
セタールを得ることができる。
上記反応において、一般式CI]の有機化合物と有機錫
化合物とのモル比は1:0.5〜1:1.5の範囲で使
用しうる。また一般式CI’llの有機化合物とルイス
酸触媒とのモル比は1:0.05〜1:1.5の範囲で
使用しうる。溶媒の量は一般式〔■〕の有機化合物と有
機錫化合物の溶解を妨げない範囲で用いられる。
化合物とのモル比は1:0.5〜1:1.5の範囲で使
用しうる。また一般式CI’llの有機化合物とルイス
酸触媒とのモル比は1:0.05〜1:1.5の範囲で
使用しうる。溶媒の量は一般式〔■〕の有機化合物と有
機錫化合物の溶解を妨げない範囲で用いられる。
このようにして得られた本発明の生成物は。
溶媒で抽出後、蒸留、カラムクロマトグラフィー。
ガスクロマトグラフィーなどの常用の手段で精製され、
公知のものは標品(市販品)との比較で。
公知のものは標品(市販品)との比較で。
その他のものはNMRスペクトルなどで確認することが
できる。
できる。
本発明方法によれば、アセタール化合物に。
有機錫チオ化合物を作用させることによシ、モノチオア
セクールを選択的かつ高収率で得られ1種々のタイプの
化合物に応用できる。得られたモノチオアセタールは有
機合成上の中間体として幅広く利用されうる。
セクールを選択的かつ高収率で得られ1種々のタイプの
化合物に応用できる。得られたモノチオアセタールは有
機合成上の中間体として幅広く利用されうる。
次に実施例を挙げて本発明を説明する。
実施例]
攪拌機と温度計を備え、窒素置換した三ツロフラスコに
ノナナールジメチルア士ターノV 216 mグ(1,
Ommol ) 、 )リブチル錫チオフェノラー
ト439”g(1,1mmol ) 、 n−ペンタ
デカン100μ4(ガスクロマトグラフィーの内部標準
)及びトルエン5−を入れ、よく攪拌しながら冷却し、
−20℃で三弗化ホウ素エーテラート1. Ofnl(
I M )ルエン溶液、 1.Ommol )を加え、
この温度で1時間反応を行なった。この際1反応溶液の
ガスクロマトグラフィー分析を行なった結果、1−メト
キシ−1−フェニルチオノナンが100%生成してお、
!2,1゜■−ビス(フェニルチオ)ノナンの副生は全
くなかった。反応終了後、ピリジン3rnlとI N
−NaOH】−を加え、エーテルで抽出後、lN−Na
OHついで水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。濾
過後、エーテルを濃縮し、これをシリカゲルカラム(2
0%ベンゼン−ヘキサン)にかけて相当するl−メトキ
シ−1−フェニルチオノナンヲ239mg<収率85%
)得た。生成物はNMRで確認した。
ノナナールジメチルア士ターノV 216 mグ(1,
Ommol ) 、 )リブチル錫チオフェノラー
ト439”g(1,1mmol ) 、 n−ペンタ
デカン100μ4(ガスクロマトグラフィーの内部標準
)及びトルエン5−を入れ、よく攪拌しながら冷却し、
−20℃で三弗化ホウ素エーテラート1. Ofnl(
I M )ルエン溶液、 1.Ommol )を加え、
この温度で1時間反応を行なった。この際1反応溶液の
ガスクロマトグラフィー分析を行なった結果、1−メト
キシ−1−フェニルチオノナンが100%生成してお、
!2,1゜■−ビス(フェニルチオ)ノナンの副生は全
くなかった。反応終了後、ピリジン3rnlとI N
−NaOH】−を加え、エーテルで抽出後、lN−Na
OHついで水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。濾
過後、エーテルを濃縮し、これをシリカゲルカラム(2
0%ベンゼン−ヘキサン)にかけて相当するl−メトキ
シ−1−フェニルチオノナンヲ239mg<収率85%
)得た。生成物はNMRで確認した。
実施例2〜16
実施例1と同様な反応容器に、下記第1〜2表のアセタ
ール化合物l m mo+ 、有機錫化合物0.55〜
1.3 mmol 、ガスクロマトグラフィーの内部標
準物質〔注、(イ)〜u9 ) 100 fit及び溶
媒〔(a)トルエン又ハ(b)トルエン:ヘキサン−8
:2〕5πlを入れ、下記第1〜2表の反応条件で反応
を行ない。
ール化合物l m mo+ 、有機錫化合物0.55〜
1.3 mmol 、ガスクロマトグラフィーの内部標
準物質〔注、(イ)〜u9 ) 100 fit及び溶
媒〔(a)トルエン又ハ(b)トルエン:ヘキサン−8
:2〕5πlを入れ、下記第1〜2表の反応条件で反応
を行ない。
実施例1と同様に処理し、カラムクロマトグラフィーに
かけてモノチオアセクールを得た。生成物はNMR(第
3表)で確認した。
かけてモノチオアセクールを得た。生成物はNMR(第
3表)で確認した。
以」二の結果を第1〜2表及び第3表に示す。
注・(イ): n−C1,H24,(a) : n−C
l2H26゜H: n −C,5H3,、、に):n−
C16H34゜0→:n−C2oH42 (注)(1)第1表及び第2表中の記号は次のことを示
す。
l2H26゜H: n −C,5H3,、、に):n−
C16H34゜0→:n−C2oH42 (注)(1)第1表及び第2表中の記号は次のことを示
す。
Me:メチル基、Buニブチル基、ph:フェニル基、
Et :エチル基。
Et :エチル基。
(2) シクロオクタンジメチルアセタールを基質と
して用いた場合には、■−フェニルチオー1−シクロオ
クテンが得られる。
して用いた場合には、■−フェニルチオー1−シクロオ
クテンが得られる。
上記実施例1〜16の結果から明らかなように本発明方
法によれば、アルデヒド性アセタール及びケトン性アセ
タールから9選択的にモノチオアセクールを高収率で得
ることができ(実施例1〜10)、tたメ1−キシエー
テル化合物にあってはメトキシ基が置換され(実施例1
1〜14)、メトキシエトキシエーテル化合物にあって
はメトキシエトキシ基が置換され(実施例15)、それ
ぞれ高収率でモノチオアセクールを得ることができる。
法によれば、アルデヒド性アセタール及びケトン性アセ
タールから9選択的にモノチオアセクールを高収率で得
ることができ(実施例1〜10)、tたメ1−キシエー
テル化合物にあってはメトキシ基が置換され(実施例1
1〜14)、メトキシエトキシエーテル化合物にあって
はメトキシエトキシ基が置換され(実施例15)、それ
ぞれ高収率でモノチオアセクールを得ることができる。
シクロオクタンジメチルアセタールを用いた場合には、
1−フェニルチオ−】−シクロオクテンとなる(実施例
16)。これらの効果は本発明の構成によシはじめて達
成されることである。
1−フェニルチオ−】−シクロオクテンとなる(実施例
16)。これらの効果は本発明の構成によシはじめて達
成されることである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ルイス酸触媒と溶媒の存在下で、 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 (式中R^1,R^2は水素原子又は炭化水素基を、R
^3は低級アルキル基又は低級アルコキシアルキル基を
R^4は炭化水素基をそれぞれ示し、R^1とR^2,
R^2とR^4は互に結合していてもよい)で表わされ
る有機化合物に 一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 (式中R^5はアルキル基又はアリール基を、Rはアル
キル基、アラルキル基又はアリール基をそれぞれ示す)
で表わされる有機錫化合物を作用させることを特徴とす
る 一般式〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 (式中R^1,R^2,R^4及びRは上記と同じ意義
を有する)で表わされるモノチオアセタールの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15724187A JPS643165A (en) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | Production of monothioacetal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15724187A JPS643165A (en) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | Production of monothioacetal |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH013165A true JPH013165A (ja) | 1989-01-06 |
JPS643165A JPS643165A (en) | 1989-01-06 |
Family
ID=15645333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15724187A Pending JPS643165A (en) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | Production of monothioacetal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS643165A (ja) |
-
1987
- 1987-06-23 JP JP15724187A patent/JPS643165A/ja active Pending
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