JPH0131506B2 - - Google Patents
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- JPH0131506B2 JPH0131506B2 JP55113316A JP11331680A JPH0131506B2 JP H0131506 B2 JPH0131506 B2 JP H0131506B2 JP 55113316 A JP55113316 A JP 55113316A JP 11331680 A JP11331680 A JP 11331680A JP H0131506 B2 JPH0131506 B2 JP H0131506B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D301/00—Preparation of oxiranes
- C07D301/32—Separation; Purification
-
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- C07D301/10—Synthesis of the oxirane ring by oxidation of unsaturated compounds, or of mixtures of unsaturated and saturated compounds with air or molecular oxygen in the gaseous phase with catalysts containing silver or gold
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Epoxy Compounds (AREA)
- Gas Separation By Absorption (AREA)
Description
気相中でエチレンを酸素によつて酸化してエチ
レンオキシド（EO）を製造する方法ではエチレ
ンオキシド濃度がきわめて稀薄、すなわち１〜２
％である生成物層流がつくりだされる。エチレン
オキシドは一般に水を吸収させて回収されるが、
このために大きなカウンターカーレントタワーが
使用される。副製する二酸化炭素も生成物層流か
ら吸収されるが、エチレンオキシドほどには完全
に吸収されない。ついで吸収されたエチレンオキ
シドと含有する水はストリツピング塔へ通れそこ
でエチレンオキシドは回収され、水は吸収塔へ再
循環される。 吸収工程はエネルギー集約的である。すなわち
反応器ガスからの熱量を吸収しかつ効率よくエチ
レンオキシドを吸収するために吸収水の温度を約
35℃に保持する必要がある。更にエチレンオキシ
ドを水溶液から離脱させるために必要な温度は約
95℃である。この温度では水もある程度熱発する
ので、このことは更にエネルギーの浪費である。 吸収システムをよりエネルギー集約的でないよ
うに、かつ、より小さな装置および設置を使用で
きるように工夫すれば、これは非常に望ましいこ
とである。 吸収剤として水を利用することの欠点は、銀触
媒の存在下、気相中でエチレンを酸素で酸化する
ことによつてエチレンオキシドを製造し、エチレ
ンオキシドを除去するために、酸化工程からの留
出ガスを吸収剤液と接触させ、ついでエチレンオ
キシドを吸収剤から除去する際に、吸収剤液とし
てエチレンカーボネートを使用することを特徴と
する方法である本発明によつて、解決されたので
ある。 エチレンオキシドを含有する反応器からのガス
層流には、また二酸化炭素、酸素、水および未反
応エチレンが含まれている。エチレンカーボネー
トはエチレンオキシドに対し親和性が大きく、高
温で水よりも効率よく、エチレンオキシドを吸収
するので、留出ガス中の反応熱を吸収するための
温度まで下げるように、吸収媒体を冷却する必要
はない。従つてエチレンカーボネートにエチレン
オキシドを吸収する操作温度は、水が30〜40℃で
あるのに対し、約35〜65℃である。エチレンカー
ボネートは水よりもエチレンオキシドおよび二酸
化炭素の良好な吸収剤である。すなわちエチレン
カーボネートを水のかわりに使用すれば所要量の
吸収剤、所与の温度で、より多くのガスが吸収さ
れるであろう。また、二酸化炭素は水に比較しエ
チレンカーボネート中で、エチレンオキシドに、
より効率よく吸収される。すなわち、吸収される
CO2／EO比は水よりもエチレンカーボネート中
の方が大きい。従つてエチレンオキシド反応器へ
のリサイクルガス中の二酸化炭素は少くなる、更
にエチレンカーボネートの比熱は水の比熱の約1/
３であるので、エチレンオキシドを回収するため
のストリツピング操作における熱の使用量は相当
低減される。 エチレンカーボネートと水とはすべての割合で
溶解するので、水もまた、エチレンカーボネート
に吸収されるが、加熱し、更に不活性ストリツピ
ングガスを使用すれば、水はそこから簡単に除去
される。 エチレンオキシド製造工程からの留出ガスの組
成は、一般にモル％として、つぎの範囲である。 CO2 0.1〜12 C2H4 0.2〜98 O2 0.2〜７ H2O 0.5〜３ EO 0.4〜５ N2 ０〜98 本発明では酸素源として酸素含有量の多い、空
気あるいは純酸素は勿論のこと、空気を使用する
エチレンオキシドの製造方法や、更に酸素に対
し、多量のエチレンを使用する製造方法、この場
合エチレンが実質量の供給および留出ガスである
方法で実施されるので、上記の組成は非常に広範
囲となる。 エチレン、酸素および窒素はエチレンカーボネ
ートに多量には吸収されないが、留出液中のこれ
らのガスの相対量は吸収される実際の吸収量に影
響を与へる。従つて高比率のエチレンを使用した
場合や、純酸素を使用した場合には、これらのガ
スの或る量は吸収される。 吸収カラムのガス圧は、エチレンオキシド反応
器の操作圧力と実質上同じであり、従つてこの圧
力によつて決定されるのである。 吸収システムにおける液体／蒸気（モル）比は
約0.2〜1.0好適には約0.35〜0.70である。吸収あ
るいはストリツピングシステムにおけるＬ／Ｖ比
は約10〜150好適には、約50〜125である。 アルキレンオキシドと二酸化炭素との反応によ
るアルキレンカーボネートの製造法は公知であ
る。この反応における一般的な条件は、大体100
℃〜250℃の温度である。また約10〜300気圧とい
う高圧力でおこなわれる。約160〜200℃、50〜
150気圧における反応が一般に好適である。アル
キレンオキシドは一般にやや過剰の二酸化炭素と
殆んど等モルの割合で使用される。 この反応で使用される公知の触媒としては、水
酸化ナトリウムおよび炭酸ナトリウムなどの無機
塩基および第三アミン、第四アンモニウム塩基、
およびそれらの炭酸塩およびハロゲン化物のよう
なこれらの窒素塩基の塩などの有機窒素塩基があ
る。例えば、トリメチルアミンのような脂肪族第
三アミン、ピリジンおよびキノリンのような芳香
族第三アミン、テトラエチルアンモニウムヒドロ
オキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒド
ロオキシド、ジアルキルピペリジウムヒドロオキ
シドのような第四アンモニウムヒドロオキシド、
およびこのようなヒドロオキシドの炭酸塩、重炭
酸塩、およびハロゲン化物などがこの反応の触媒
としてよく知られている。触媒の濃度はアルキレ
ンオキシドに対し0.1〜５重量％が一般的である。 特許で開示されている他の触媒としては、第四
アンモニウムの塩化物基を含有するアニオン―交
換樹脂（米特許No.2773070）がある。公知の触媒
は本目的のために有効であり、従つて反応剤の転
比率は非常に大きく、かつ所望の環状カーボネー
トの収率は一般に良好である。これらの収率は通
常、理論値の約70〜90％である。 アルキレンカーボネートの生産はアルキレンオ
キシドの製造と関連して効率良く実施されるもの
である。従つて、例えば、エチレンカーボネート
の工場はエチレンオキシドプラントの近くに好都
合につくられている。 エチレンの直接酸化により得られるエチレンオ
キシドの純度は一般に、前精製なしでエチレンカ
ーボネートのプラントへ供給使用されるには充分
でない。しかしながらエチレンオキシドをエチレ
ンカーボネート中に吸収させて、プラントの留出
液から回収する場合には、吸収された二酸化炭素
と共に、エチレンオキシドは、エチレンカーボネ
ートをつくる工程への供給用として、更に精製す
ることなく、使用可能であることがここに見出さ
れたのである。従つて、エチレンカーボネート吸
収剤からこれらのガスをストリツピングおよび脱
水することによつて、本発明での満足すべき純度
の反応剤をうけることができるのである。 (i)銀触媒の存在下、エチレンを酸素で酸化して
エチレンオキシドをつくり(ii)該反応からの留出ガ
スとエチレンカーボネートとを接触させて、エチ
レンオキシドおよび二酸化炭素を吸収し、(iii)該エ
チレンオキシドおよび二酸化炭素を不活性ガスと
接触させることにより、エチレンカーボネート吸
収剤からストリツピングし(iv)該エチレンオキシド
および二酸化炭素をアニオン―交換樹脂に通して
反応させて、エチレンカーボネートをつくり、(v)
該エチレンカーボネートを回収することによつて
本発明で使用されるエチレンカーボネートは製造
できる。このことに直接関連した発明によつて、
すなわち反応器からの留出物をエチレンカーボネ
ート中に吸収させ、そのエチレンカーボネート吸
収剤から二酸化炭素およびエチレンオキシドを脱
離（ストリツピング）した後、これらのガスを、
脱水すること以外は別に精製することなく、エチ
レンカーボネート製造工程の供給用として使用す
ることによつて改良された完全な方法が完成され
たのである。炭酸ガスは化学量論量以上の過剰の
モルを供給するために、別の供給源から添加する
ことが絶対に必要である。 エチレンオキシド反応器からの留出物はエチレ
ンカーボネートと接触させ、そこでエチレンオキ
シド、水および二酸化炭素が吸収される。吸収さ
れたガスは加熱され更に不活性ガス（好適には二
酸化炭素）により、ストリツピングされることに
よつて脱離され、脱水された後、脱離された二酸
化炭素およびエチレンオキシドを化学量論量以上
の充分な量の追加二酸化炭素と共に、エチレンオ
キシドと二酸化炭素との反応用触媒を含有する反
応器へ供給して、エチレンカーボネートを製造す
る。好適な触媒はトリメチルベンジルアンモニウ
ムクロライド基を含有する強アニオン―交換樹脂
である。また、第四アンモニウム基を含有する他
の強アニオン―交換樹脂も有用である。生成した
エチレンカーボネートを未転化の反応剤（これら
はエチレンカーボネート反応器へリサイクルされ
る）から分離した後、ストリツピングし、いかな
る高沸点の不純物例えばポリカーボネートを除去
する。 エチレンカーボネートによるエチレンオキシド
の吸着、そこからのエチレンオキシドの除去、お
よび所望の場合における、強アニオン―交換樹脂
の存在下でのエチレンオキシドと二酸化炭素との
反応によるエチレンカーボネートの製造につい
て、完全な工程として、図によつて以下に説明す
る。 エチレンオキシド0.05〜5vol％を含有するエチ
レンオキシド反応器１からの留出物を、導管２１
により、エチレンカーボネートを含有する吸収
（吸収塔）カラム２〔35〜65℃、165〜365psia
（11.6〜25.8Kg／cm2）に保持〕へ導き、そこでエ
チレンオキシドおよび二酸化炭素を吸収する；吸
収されないエチレンは導管２３により、エチレン
オキシド反応器へ戻される。ついで溶解エチレン
オキシドおよび二酸化炭素を含有するエチレンカ
ーボネート吸収剤は導管２２により、脱離（スト
リツパー）カラム３へ送られ、そこで加熱され、
90〜150℃、２〜15psia（0.14〜1.06Kg／cm2）に保
持され、ライン２５から導入される約110℃の不
活性ストリツピングガス（二酸化炭素あるいは窒
素）と接触される。脱離回収されたガス（エチレ
ンオキシドおよび二酸化炭素）は導管２６から排
出され、一方エチレンカーボネート吸収剤は導管
２４により吸収塔へリサイクルされる。脱離ガス
はコンプレツサー４によつて100〜500psia（7.0〜
35.2Kg／cm2）まで圧縮された後、コンデンサー５
（０〜25℃に保持）へ送られ、水を凝縮し、つい
で導管２７によりアニオン―交換樹脂触媒を含有
するエチレンカーボネート反応器６に供給され
る。反応器６の圧力は約100〜500psia（7.0〜35.2
Kg／cm2）に保持されるが、入つてくる供給ガスの
圧力よりやや低く保持される。追加二酸化炭素は
（もし充分に過剰モルを供給する必要がある場合
には）ライン２８から反応器へ供給される。エチ
レンカーボネートは導管２９により、除去され、
過剰の二酸化炭素は導管３０により、エチレンカ
ーボネート反応器へリサイクルされ、更に未反応
の溶解エチレンオキシドは、二酸化炭素が脱離ガ
スとして導管３３から供給されるエチレンオキシ
ドストリツパー７中のエチレンカーボネートから
除去される。また、脱離ガスは反応器６への原料
二酸化炭素源として使用されるが導管３２により
そこへ戻される。またガスはコンプレツサー８に
より、ガスが反応剤として供給される反応器６圧
より大きい圧力になるように加圧される。一方生
成エチレンカーボネートは導管３１により精製工
程へ送られる。 以下の実施例によつて本発明を説明する。 実施例 １〜３―吸収 エチレンオキシド、二酸化炭素、少量のエチレ
ン、酸素および水、その残りである窒素を含有す
る、エチレンオキシド反応器からの留出ガス層流
を、吸収剤としてエチレンカーボネートを含有す
るカラムへ通した。ある量の二酸化炭素は吸収さ
れたが、エチレン、窒素および酸素は殆んど吸収
されなかつた。エチレンオキシドと水とは、実質
上完全に吸収された。温度、圧力の条件、液／気
の比（モル）および処理ガス層流から除去された
エチレンオキシドおよび二酸化炭素のパーセント
を表に示す。
レンオキシド（EO）を製造する方法ではエチレ
ンオキシド濃度がきわめて稀薄、すなわち１〜２
％である生成物層流がつくりだされる。エチレン
オキシドは一般に水を吸収させて回収されるが、
このために大きなカウンターカーレントタワーが
使用される。副製する二酸化炭素も生成物層流か
ら吸収されるが、エチレンオキシドほどには完全
に吸収されない。ついで吸収されたエチレンオキ
シドと含有する水はストリツピング塔へ通れそこ
でエチレンオキシドは回収され、水は吸収塔へ再
循環される。 吸収工程はエネルギー集約的である。すなわち
反応器ガスからの熱量を吸収しかつ効率よくエチ
レンオキシドを吸収するために吸収水の温度を約
35℃に保持する必要がある。更にエチレンオキシ
ドを水溶液から離脱させるために必要な温度は約
95℃である。この温度では水もある程度熱発する
ので、このことは更にエネルギーの浪費である。 吸収システムをよりエネルギー集約的でないよ
うに、かつ、より小さな装置および設置を使用で
きるように工夫すれば、これは非常に望ましいこ
とである。 吸収剤として水を利用することの欠点は、銀触
媒の存在下、気相中でエチレンを酸素で酸化する
ことによつてエチレンオキシドを製造し、エチレ
ンオキシドを除去するために、酸化工程からの留
出ガスを吸収剤液と接触させ、ついでエチレンオ
キシドを吸収剤から除去する際に、吸収剤液とし
てエチレンカーボネートを使用することを特徴と
する方法である本発明によつて、解決されたので
ある。 エチレンオキシドを含有する反応器からのガス
層流には、また二酸化炭素、酸素、水および未反
応エチレンが含まれている。エチレンカーボネー
トはエチレンオキシドに対し親和性が大きく、高
温で水よりも効率よく、エチレンオキシドを吸収
するので、留出ガス中の反応熱を吸収するための
温度まで下げるように、吸収媒体を冷却する必要
はない。従つてエチレンカーボネートにエチレン
オキシドを吸収する操作温度は、水が30〜40℃で
あるのに対し、約35〜65℃である。エチレンカー
ボネートは水よりもエチレンオキシドおよび二酸
化炭素の良好な吸収剤である。すなわちエチレン
カーボネートを水のかわりに使用すれば所要量の
吸収剤、所与の温度で、より多くのガスが吸収さ
れるであろう。また、二酸化炭素は水に比較しエ
チレンカーボネート中で、エチレンオキシドに、
より効率よく吸収される。すなわち、吸収される
CO2／EO比は水よりもエチレンカーボネート中
の方が大きい。従つてエチレンオキシド反応器へ
のリサイクルガス中の二酸化炭素は少くなる、更
にエチレンカーボネートの比熱は水の比熱の約1/
３であるので、エチレンオキシドを回収するため
のストリツピング操作における熱の使用量は相当
低減される。 エチレンカーボネートと水とはすべての割合で
溶解するので、水もまた、エチレンカーボネート
に吸収されるが、加熱し、更に不活性ストリツピ
ングガスを使用すれば、水はそこから簡単に除去
される。 エチレンオキシド製造工程からの留出ガスの組
成は、一般にモル％として、つぎの範囲である。 CO2 0.1〜12 C2H4 0.2〜98 O2 0.2〜７ H2O 0.5〜３ EO 0.4〜５ N2 ０〜98 本発明では酸素源として酸素含有量の多い、空
気あるいは純酸素は勿論のこと、空気を使用する
エチレンオキシドの製造方法や、更に酸素に対
し、多量のエチレンを使用する製造方法、この場
合エチレンが実質量の供給および留出ガスである
方法で実施されるので、上記の組成は非常に広範
囲となる。 エチレン、酸素および窒素はエチレンカーボネ
ートに多量には吸収されないが、留出液中のこれ
らのガスの相対量は吸収される実際の吸収量に影
響を与へる。従つて高比率のエチレンを使用した
場合や、純酸素を使用した場合には、これらのガ
スの或る量は吸収される。 吸収カラムのガス圧は、エチレンオキシド反応
器の操作圧力と実質上同じであり、従つてこの圧
力によつて決定されるのである。 吸収システムにおける液体／蒸気（モル）比は
約0.2〜1.0好適には約0.35〜0.70である。吸収あ
るいはストリツピングシステムにおけるＬ／Ｖ比
は約10〜150好適には、約50〜125である。 アルキレンオキシドと二酸化炭素との反応によ
るアルキレンカーボネートの製造法は公知であ
る。この反応における一般的な条件は、大体100
℃〜250℃の温度である。また約10〜300気圧とい
う高圧力でおこなわれる。約160〜200℃、50〜
150気圧における反応が一般に好適である。アル
キレンオキシドは一般にやや過剰の二酸化炭素と
殆んど等モルの割合で使用される。 この反応で使用される公知の触媒としては、水
酸化ナトリウムおよび炭酸ナトリウムなどの無機
塩基および第三アミン、第四アンモニウム塩基、
およびそれらの炭酸塩およびハロゲン化物のよう
なこれらの窒素塩基の塩などの有機窒素塩基があ
る。例えば、トリメチルアミンのような脂肪族第
三アミン、ピリジンおよびキノリンのような芳香
族第三アミン、テトラエチルアンモニウムヒドロ
オキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒド
ロオキシド、ジアルキルピペリジウムヒドロオキ
シドのような第四アンモニウムヒドロオキシド、
およびこのようなヒドロオキシドの炭酸塩、重炭
酸塩、およびハロゲン化物などがこの反応の触媒
としてよく知られている。触媒の濃度はアルキレ
ンオキシドに対し0.1〜５重量％が一般的である。 特許で開示されている他の触媒としては、第四
アンモニウムの塩化物基を含有するアニオン―交
換樹脂（米特許No.2773070）がある。公知の触媒
は本目的のために有効であり、従つて反応剤の転
比率は非常に大きく、かつ所望の環状カーボネー
トの収率は一般に良好である。これらの収率は通
常、理論値の約70〜90％である。 アルキレンカーボネートの生産はアルキレンオ
キシドの製造と関連して効率良く実施されるもの
である。従つて、例えば、エチレンカーボネート
の工場はエチレンオキシドプラントの近くに好都
合につくられている。 エチレンの直接酸化により得られるエチレンオ
キシドの純度は一般に、前精製なしでエチレンカ
ーボネートのプラントへ供給使用されるには充分
でない。しかしながらエチレンオキシドをエチレ
ンカーボネート中に吸収させて、プラントの留出
液から回収する場合には、吸収された二酸化炭素
と共に、エチレンオキシドは、エチレンカーボネ
ートをつくる工程への供給用として、更に精製す
ることなく、使用可能であることがここに見出さ
れたのである。従つて、エチレンカーボネート吸
収剤からこれらのガスをストリツピングおよび脱
水することによつて、本発明での満足すべき純度
の反応剤をうけることができるのである。 (i)銀触媒の存在下、エチレンを酸素で酸化して
エチレンオキシドをつくり(ii)該反応からの留出ガ
スとエチレンカーボネートとを接触させて、エチ
レンオキシドおよび二酸化炭素を吸収し、(iii)該エ
チレンオキシドおよび二酸化炭素を不活性ガスと
接触させることにより、エチレンカーボネート吸
収剤からストリツピングし(iv)該エチレンオキシド
および二酸化炭素をアニオン―交換樹脂に通して
反応させて、エチレンカーボネートをつくり、(v)
該エチレンカーボネートを回収することによつて
本発明で使用されるエチレンカーボネートは製造
できる。このことに直接関連した発明によつて、
すなわち反応器からの留出物をエチレンカーボネ
ート中に吸収させ、そのエチレンカーボネート吸
収剤から二酸化炭素およびエチレンオキシドを脱
離（ストリツピング）した後、これらのガスを、
脱水すること以外は別に精製することなく、エチ
レンカーボネート製造工程の供給用として使用す
ることによつて改良された完全な方法が完成され
たのである。炭酸ガスは化学量論量以上の過剰の
モルを供給するために、別の供給源から添加する
ことが絶対に必要である。 エチレンオキシド反応器からの留出物はエチレ
ンカーボネートと接触させ、そこでエチレンオキ
シド、水および二酸化炭素が吸収される。吸収さ
れたガスは加熱され更に不活性ガス（好適には二
酸化炭素）により、ストリツピングされることに
よつて脱離され、脱水された後、脱離された二酸
化炭素およびエチレンオキシドを化学量論量以上
の充分な量の追加二酸化炭素と共に、エチレンオ
キシドと二酸化炭素との反応用触媒を含有する反
応器へ供給して、エチレンカーボネートを製造す
る。好適な触媒はトリメチルベンジルアンモニウ
ムクロライド基を含有する強アニオン―交換樹脂
である。また、第四アンモニウム基を含有する他
の強アニオン―交換樹脂も有用である。生成した
エチレンカーボネートを未転化の反応剤（これら
はエチレンカーボネート反応器へリサイクルされ
る）から分離した後、ストリツピングし、いかな
る高沸点の不純物例えばポリカーボネートを除去
する。 エチレンカーボネートによるエチレンオキシド
の吸着、そこからのエチレンオキシドの除去、お
よび所望の場合における、強アニオン―交換樹脂
の存在下でのエチレンオキシドと二酸化炭素との
反応によるエチレンカーボネートの製造につい
て、完全な工程として、図によつて以下に説明す
る。 エチレンオキシド0.05〜5vol％を含有するエチ
レンオキシド反応器１からの留出物を、導管２１
により、エチレンカーボネートを含有する吸収
（吸収塔）カラム２〔35〜65℃、165〜365psia
（11.6〜25.8Kg／cm2）に保持〕へ導き、そこでエ
チレンオキシドおよび二酸化炭素を吸収する；吸
収されないエチレンは導管２３により、エチレン
オキシド反応器へ戻される。ついで溶解エチレン
オキシドおよび二酸化炭素を含有するエチレンカ
ーボネート吸収剤は導管２２により、脱離（スト
リツパー）カラム３へ送られ、そこで加熱され、
90〜150℃、２〜15psia（0.14〜1.06Kg／cm2）に保
持され、ライン２５から導入される約110℃の不
活性ストリツピングガス（二酸化炭素あるいは窒
素）と接触される。脱離回収されたガス（エチレ
ンオキシドおよび二酸化炭素）は導管２６から排
出され、一方エチレンカーボネート吸収剤は導管
２４により吸収塔へリサイクルされる。脱離ガス
はコンプレツサー４によつて100〜500psia（7.0〜
35.2Kg／cm2）まで圧縮された後、コンデンサー５
（０〜25℃に保持）へ送られ、水を凝縮し、つい
で導管２７によりアニオン―交換樹脂触媒を含有
するエチレンカーボネート反応器６に供給され
る。反応器６の圧力は約100〜500psia（7.0〜35.2
Kg／cm2）に保持されるが、入つてくる供給ガスの
圧力よりやや低く保持される。追加二酸化炭素は
（もし充分に過剰モルを供給する必要がある場合
には）ライン２８から反応器へ供給される。エチ
レンカーボネートは導管２９により、除去され、
過剰の二酸化炭素は導管３０により、エチレンカ
ーボネート反応器へリサイクルされ、更に未反応
の溶解エチレンオキシドは、二酸化炭素が脱離ガ
スとして導管３３から供給されるエチレンオキシ
ドストリツパー７中のエチレンカーボネートから
除去される。また、脱離ガスは反応器６への原料
二酸化炭素源として使用されるが導管３２により
そこへ戻される。またガスはコンプレツサー８に
より、ガスが反応剤として供給される反応器６圧
より大きい圧力になるように加圧される。一方生
成エチレンカーボネートは導管３１により精製工
程へ送られる。 以下の実施例によつて本発明を説明する。 実施例 １〜３―吸収 エチレンオキシド、二酸化炭素、少量のエチレ
ン、酸素および水、その残りである窒素を含有す
る、エチレンオキシド反応器からの留出ガス層流
を、吸収剤としてエチレンカーボネートを含有す
るカラムへ通した。ある量の二酸化炭素は吸収さ
れたが、エチレン、窒素および酸素は殆んど吸収
されなかつた。エチレンオキシドと水とは、実質
上完全に吸収された。温度、圧力の条件、液／気
の比（モル）および処理ガス層流から除去された
エチレンオキシドおよび二酸化炭素のパーセント
を表に示す。
【表】
実施例 ４および５―ストリツピング
エチレンオキシド反応器からの留出物中のエチ
レンオキシドおよび二酸化炭素を吸収するために
使用したエチレンカーボネートを、ストリツピン
グカラムへ通した。そこで加熱し不活性ストリツ
ピングガス（窒素）と接触させた。その時の条
件、吸収ガス量、および除去されたエチレンオキ
シドと水とのパーセントを表に示す。
レンオキシドおよび二酸化炭素を吸収するために
使用したエチレンカーボネートを、ストリツピン
グカラムへ通した。そこで加熱し不活性ストリツ
ピングガス（窒素）と接触させた。その時の条
件、吸収ガス量、および除去されたエチレンオキ
シドと水とのパーセントを表に示す。
【表】
エチレンカーボネートによつて吸収された二酸
化炭素のうち、実質的に全量がこのストリツピン
グ操作によつて除去された、数ppmだけが残つ
た。 参考例 ６ 酸素源として空気を使用したエチレンオキシド
プラントの留出物のエチレンカーボネート吸収剤
からストリツピングした層流であつて、エチレン
オキシド約１モル％、二酸化炭素９モル％および
水蒸気２モル％を含有する、合成混合ガスを圧縮
した後コンデンサーへ送つて水を除去した。その
後、このガス層流を、トリメチルベンジルアンモ
ニウムクロライド基を含有するアニオン―交換樹
脂の充填床から成る反応器中の触媒に通した。反
応器に二酸化炭素を追加して反応混合物をエチレ
ンオキシド8.3モル％、二酸化炭素91.7モル％お
よびアセトアルデヒド260ppm（wt）の組成とし
た。樹脂床の容積は95ml、工程条件はつぎの通り
であつた。 流速＝0.5scf／hr.（14.16／hr.） 温度＝105℃〜106℃ 圧力＝350psig（24.7Kg／cm2） 選択性は実質的に100％で、収率はエチレンカ
ーボネートで87％であつた。 参考例 ７〜11 下記の表に示す、反応剤の使用比率、反応条件
および触媒を使用したことを除いて実施例６と同
じ設備および同じ方法によつて他のテストを実施
した。エチレンオキシドのモル％だけを示すがそ
の残りは二酸化炭素である。
化炭素のうち、実質的に全量がこのストリツピン
グ操作によつて除去された、数ppmだけが残つ
た。 参考例 ６ 酸素源として空気を使用したエチレンオキシド
プラントの留出物のエチレンカーボネート吸収剤
からストリツピングした層流であつて、エチレン
オキシド約１モル％、二酸化炭素９モル％および
水蒸気２モル％を含有する、合成混合ガスを圧縮
した後コンデンサーへ送つて水を除去した。その
後、このガス層流を、トリメチルベンジルアンモ
ニウムクロライド基を含有するアニオン―交換樹
脂の充填床から成る反応器中の触媒に通した。反
応器に二酸化炭素を追加して反応混合物をエチレ
ンオキシド8.3モル％、二酸化炭素91.7モル％お
よびアセトアルデヒド260ppm（wt）の組成とし
た。樹脂床の容積は95ml、工程条件はつぎの通り
であつた。 流速＝0.5scf／hr.（14.16／hr.） 温度＝105℃〜106℃ 圧力＝350psig（24.7Kg／cm2） 選択性は実質的に100％で、収率はエチレンカ
ーボネートで87％であつた。 参考例 ７〜11 下記の表に示す、反応剤の使用比率、反応条件
および触媒を使用したことを除いて実施例６と同
じ設備および同じ方法によつて他のテストを実施
した。エチレンオキシドのモル％だけを示すがそ
の残りは二酸化炭素である。
図面は本発明の方法を実施するためのフローシ
ートである。 １…EO反応器、２…吸収カラム、３…脱離
（ストリツパー）カラム、４…コンプレツサー、
５…コンデンサー、６…エチレンカーボネート反
応器、７…エチレンオキシドストリツパー、８…
コンプレツサー。
ートである。 １…EO反応器、２…吸収カラム、３…脱離
（ストリツパー）カラム、４…コンプレツサー、
５…コンデンサー、６…エチレンカーボネート反
応器、７…エチレンオキシドストリツパー、８…
コンプレツサー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 銀触媒の存在下、気相中でエチレンを酸素で
酸化することによつてエチレンオキシドを製造
し、酸化工程からの流出ガスと吸収剤液とを接触
させて、エチレンオキシドを取出し、ついでエチ
レンオキシドを吸収剤から分離するエチレンオキ
シドの製造方法において吸収剤液としてエチレン
カーボネートを使用することを特徴とする方法。 ２ 吸収剤液がエチレンオキシドを吸収している
間、吸収剤液が35〜65℃の範囲の温度に保持され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
方法。 ３ エチレンオキシドが90〜150℃の温度で不活
性ストリツピングガスによつて吸収剤から分離さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の方法。 ４ 吸収が165〜365psia（11.6〜25.8Kg／cm2）の圧
力で実施されることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の方法。 ５ エチレンオキシドの分離が２〜15psia（0.14
〜1.06Kg／cm2）の圧力で実施されることを特許と
する特許請求の範囲第３項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63328797A JPH01211579A (ja) | 1979-08-17 | 1988-12-26 | エチレンカーボネートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/067,580 US4221727A (en) | 1979-08-17 | 1979-08-17 | Ethylene oxide recovery |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63328797A Division JPH01211579A (ja) | 1979-08-17 | 1988-12-26 | エチレンカーボネートの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5653671A JPS5653671A (en) | 1981-05-13 |
| JPH0131506B2 true JPH0131506B2 (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=22076985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11331680A Granted JPS5653671A (en) | 1979-08-17 | 1980-08-18 | Manufacture of ethylene carbonate and its use as absorbent for ethylene oxide |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4221727A (ja) |
| JP (1) | JPS5653671A (ja) |
| CA (1) | CA1141393A (ja) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4508927A (en) * | 1983-08-02 | 1985-04-02 | The Halcon Sd Group, Inc. | Preparation of glycols from ethylene oxide |
| JPS6138263A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-24 | Aisin Warner Ltd | 自動変速機の中間支壁の貫通孔 |
| JPH0756331B2 (ja) * | 1984-07-30 | 1995-06-14 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | 自動変速機 |
| JPH0747985B2 (ja) * | 1984-08-08 | 1995-05-24 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | 自動変速機の潤滑装置 |
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| US20070197808A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-08-23 | Bolk Jeroen W | Method Of Installing An Epoxidation Catalyst In A Reactor, A Method Of Preparing An Epoxidation Catalyst, An Epoxidation Catalyst, A Process For The Preparation Of An Olefin Oxide Or A Chemical Derivable From An Olefin Oxide, And A Reactor Suitable For Such A Process |
| US20070203352A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-08-30 | Bolk Jeroen W | Method Of Installing An Epoxidation Catalyst In A Reactor, A Method Of Preparing An Epoxidation Catalyst, An Epoxidation Catalyst, A Process For The Preparation Of An Olefin Oxide Or A Chemical Derivable From An Olefin Oxide, And A Reactor Suitable For Such A Process |
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| US20070203349A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-08-30 | Bolk Jeroen W | Method Of Installing An Epoxidation Catalyst In A Reactor, A Method Of Preparing An Epoxidation Catalyst, An Epoxidation Catalyst, A Process For The Preparation Of An Olefin Oxide Or A Chemical Derivable From An Olefin Oxide, And A Reactor Suitable For Such A Process |
| US20070213545A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-09-13 | Bolk Jeroen W | Method Of Installing An Epoxidation Catalyst In A Reactor, A Method Of Preparing An Epoxidation Catalyst, An Epoxidation Catalyst, A Process For The Preparation Of An Olefin Oxide Or A Chemical Derivable From An Olefin Oxide, And A Reactor Suitable For Such A Process |
| US20080154051A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Jeroen Willem Bolk | Method of installing an epoxidation catalyst in a reactor, a method of preparing an epoxidation catalyst, an epoxidation catalyst, a process for the preparation of an olefin oxide or a chemical derivable from an olefin oxide, and a reactor suitable for such a process |
| US20080154052A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Jeroen Willem Bolk | Method of installing an epoxidation catalyst in a reactor, a method of preparing an epoxidation catalyst, an epoxidation catalyst, a process for the preparation of an olefin oxide or a chemical derivable from an olefin oxide, and a reactor suitable for such a process |
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