JPH01310533A - 有機金属気相成長装置 - Google Patents
有機金属気相成長装置Info
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- JPH01310533A JPH01310533A JP14219388A JP14219388A JPH01310533A JP H01310533 A JPH01310533 A JP H01310533A JP 14219388 A JP14219388 A JP 14219388A JP 14219388 A JP14219388 A JP 14219388A JP H01310533 A JPH01310533 A JP H01310533A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
気相成長法によって半導体デバイスを製造する有機金属
気相成長装置に関し、 複数の結晶基板上に同時に且つ均一なエピタキシャル層
を形成することを目的とし、 加熱された結晶基板にノズルから噴出する原料ガスを吹
きつけて、該結晶基板上にエピタキシャル層を気相成長
させる有機金属気相成長装置であって、平面的移動手段
を備えた結晶基板加熱用サセプタ上面の複数箇所の所定
位置それぞれに裁置する結晶基板の各所定位置に対応し
て、流量調節器を備えた原料ガス噴出用ノズルを配設し
て構成する。
気相成長装置に関し、 複数の結晶基板上に同時に且つ均一なエピタキシャル層
を形成することを目的とし、 加熱された結晶基板にノズルから噴出する原料ガスを吹
きつけて、該結晶基板上にエピタキシャル層を気相成長
させる有機金属気相成長装置であって、平面的移動手段
を備えた結晶基板加熱用サセプタ上面の複数箇所の所定
位置それぞれに裁置する結晶基板の各所定位置に対応し
て、流量調節器を備えた原料ガス噴出用ノズルを配設し
て構成する。
（卒業上の利用分野〕
本発明は気相成長方法による半導体デバイスの製造￥置
に係り、特に複数の結晶基板上に同時に汀つ均一なエピ
タキシャル層を形成して生産性の向上を図った有機金属
気相成長装置に関する。
に係り、特に複数の結晶基板上に同時に汀つ均一なエピ
タキシャル層を形成して生産性の向上を図った有機金属
気相成長装置に関する。
チャンバ内の加熱された結晶基板上に原料成分を含むガ
ス体（以下原料ガスとする）を吹き付けて該基板上にエ
ピタキシャル層を形成する場合、基板上の結晶層に到達
する原料成分の景は該基板トを流れる原料ガスの流量に
大きく左右される。
ス体（以下原料ガスとする）を吹き付けて該基板上にエ
ピタキシャル層を形成する場合、基板上の結晶層に到達
する原料成分の景は該基板トを流れる原料ガスの流量に
大きく左右される。
従って基板の全面に均一なエピタキシャル層を形成する
には、原料ガスを全面に亙って均一な量で且つ均一な流
速分布になるように吹き付けることが必要となる。
には、原料ガスを全面に亙って均一な量で且つ均一な流
速分布になるように吹き付けることが必要となる。
第３図は従来の気相成長装置の一例を説明する図であり
、（八）は全体の構成図を示しくＢ）および（Ｃ）は主
要部を拡大してガスの流れを説明する図である。
、（八）は全体の構成図を示しくＢ）および（Ｃ）は主
要部を拡大してガスの流れを説明する図である。
図（八）で、チャンバ１には図示されていない外部回転
機構部に連結して例えば図示Ｒ方向に回転する回転軸２
が装着されており、該回転軸２の上部フランジ面２ａに
は上記チャンバ１の外部に設けたコイル３によって加熱
されるカーボン（炭素）よりなるサセプタ４が固定され
ている。
機構部に連結して例えば図示Ｒ方向に回転する回転軸２
が装着されており、該回転軸２の上部フランジ面２ａに
は上記チャンバ１の外部に設けたコイル３によって加熱
されるカーボン（炭素）よりなるサセプタ４が固定され
ている。
また表面（図では上面）にエピタキシャル層を形成する
結晶基板５は、上記サセプタ４の回転中心に合致するよ
うに中心を合わせて載置されている。
結晶基板５は、上記サセプタ４の回転中心に合致するよ
うに中心を合わせて載置されている。
一方ガス供給系６から送出される原料ガス７は、配管８
を経由した後上記チャンバ１の上部近傍に装着されてい
る複数のノズル９がら上記結晶基板５０表面に噴出する
が、この際ノズルの位置によって噴出する原料ガス７の
流量を変えると良好なエピタキシャル層が得られること
からノズル９の直前部分にＩＯで示す流量調節部を設は
ノズル毎の流量が調節できるようにしている。
を経由した後上記チャンバ１の上部近傍に装着されてい
る複数のノズル９がら上記結晶基板５０表面に噴出する
が、この際ノズルの位置によって噴出する原料ガス７の
流量を変えると良好なエピタキシャル層が得られること
からノズル９の直前部分にＩＯで示す流量調節部を設は
ノズル毎の流量が調節できるようにしている。
なお図の１１は、結晶基板５０表面で反応が終了シタ後
の原料ガス７を排出するための排気ポンプである。
の原料ガス７を排出するための排気ポンプである。
ここでチャンバ１内を０．１気圧程度に減圧し、結晶基
板５をサセプタ４で６５０°ｃｙｉ′ｉ７後に加熱した
状態で回転軸２を６Ｏｒｐｍ程度に回転させながら１、
例えばトリメチル・インジウム（ＴＭＴ）、 ｌ−リエ
チル・ガリウム（ＴＥＧ）、アルシン（ＡＳＩ＋３ ）
を原料とし水素ガス［１２をキャリアとした原料ガス７
を２〜３ｍ／ｓｅｃの流速で図示りの如く該結晶基板５
の表面に吹き付けて、例えばインジウム・ガリウム・砒
素ｒｎＧａＡｓのエピタキシャル層を均一な厚さで形成
するようにしている。
板５をサセプタ４で６５０°ｃｙｉ′ｉ７後に加熱した
状態で回転軸２を６Ｏｒｐｍ程度に回転させながら１、
例えばトリメチル・インジウム（ＴＭＴ）、 ｌ−リエ
チル・ガリウム（ＴＥＧ）、アルシン（ＡＳＩ＋３ ）
を原料とし水素ガス［１２をキャリアとした原料ガス７
を２〜３ｍ／ｓｅｃの流速で図示りの如く該結晶基板５
の表面に吹き付けて、例えばインジウム・ガリウム・砒
素ｒｎＧａＡｓのエピタキシャル層を均一な厚さで形成
するようにしている。
ノズル９の部分を拡大した図（Ｂ）で、上記ノズル９は
ノズル９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄの４個が一列に整列した
状態で構成されており、この整列した４個のノズルが直
径方向に並ぶ位置で且つ該ノズルの原料ガス噴出口から
約１０〜２０＋ｎｍ程度離した位置に上記結晶基板５を
配置している。
ノズル９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄの４個が一列に整列した
状態で構成されており、この整列した４個のノズルが直
径方向に並ぶ位置で且つ該ノズルの原料ガス噴出口から
約１０〜２０＋ｎｍ程度離した位置に上記結晶基板５を
配置している。
この状態で各ノズルから原料ガスを噴出させると、例え
ば９ｂおよび９ｃのノズルから噴出する原料ガス７ｂ、
７ｃは結晶基板５の表面で熱分解されながら図の■１■
の二方向に進む。
ば９ｂおよび９ｃのノズルから噴出する原料ガス７ｂ、
７ｃは結晶基板５の表面で熱分解されながら図の■１■
の二方向に進む。
一方両端にある９ａおよび９ｄのノズルから噴出する原
料ガス７ａおよび７ｄは図示の如く■、■５■の三方向
に進む。
料ガス７ａおよび７ｄは図示の如く■、■５■の三方向
に進む。
従って両端にあるノズル９ａと９ｄの流量を中央部に位
置するノズル９ｂ、９ｃよりも増やす（例えば約１．３
倍とする）ことによって均一なエピタキシャル層の形成
を可能としている。
置するノズル９ｂ、９ｃよりも増やす（例えば約１．３
倍とする）ことによって均一なエピタキシャル層の形成
を可能としている。
すなわち、結晶基板５を回転させない状態での原料ガス
の膜厚分布を示す図（Ｃ）で、Ｘ方向は図（ＩＩ）のＸ
方向に、またＸ方向は図（Ｂ）のＸ方向にそれぞれ対応
している。
の膜厚分布を示す図（Ｃ）で、Ｘ方向は図（ＩＩ）のＸ
方向に、またＸ方向は図（Ｂ）のＸ方向にそれぞれ対応
している。
この場合、Ｘ方向の膜厚分布は両端に位置するノズルか
らのガス流量を図（Ｂ）で説明した如く中央部に比べて
多くしているためその分布面″ｅＡｃには図示ｃ’、ｃ
”の２個の山が形成される。
らのガス流量を図（Ｂ）で説明した如く中央部に比べて
多くしているためその分布面″ｅＡｃには図示ｃ’、ｃ
”の２個の山が形成される。
一方Ｙ方向の膜厚分布はガスが吹き付けられるＸ線上を
最大の山とする分布面ｂ’ｌｃ＋が形成されることにな
る。
最大の山とする分布面ｂ’ｌｃ＋が形成されることにな
る。
ここで該結晶基板５を前述の如く回転させて時間的に平
均化された膜厚分布を示すガス層によって該結晶基板５
上に均一化されたエピタキシャル層の形成が実現できる
。
均化された膜厚分布を示すガス層によって該結晶基板５
上に均一化されたエピタキシャル層の形成が実現できる
。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の構成になる気相成長装置では、複数個の結晶基板
に同時に作用させることができないと云う問題があった
。
に同時に作用させることができないと云う問題があった
。
上記問題点は、加熱された結晶基板にノズルから噴出す
る原料ガスを吹きつけて、該結晶基板上にエピタキシャ
ル層を気相成長させる有機金属気相成長装置であって、 平面的移動手段を備えた結晶基板加熱用サセプタ上面の
複数箇所の所定位置それぞれに載置する結晶基板の各所
定位置に対応して、流量調節器を備えた原料ガス噴出用
ノズルを配設してなる有機金属気相成長装置によって解
決される。
る原料ガスを吹きつけて、該結晶基板上にエピタキシャ
ル層を気相成長させる有機金属気相成長装置であって、 平面的移動手段を備えた結晶基板加熱用サセプタ上面の
複数箇所の所定位置それぞれに載置する結晶基板の各所
定位置に対応して、流量調節器を備えた原料ガス噴出用
ノズルを配設してなる有機金属気相成長装置によって解
決される。
１個の結晶基板に同時に複数個のノズルから原料ガスを
噴出させて該結晶基板全面をカバーする従来の構成を、
結晶基板に対する相対的位置で少しずつ噴出位置がずれ
ているノズルを複数個所定位置に配置し、更に所定位置
に整列した複数の結晶基板を移動して原料ガスの吹きつ
け領域を順次増加させて全面をカバーする構成に代える
ことによって、多数枚の高均一成長を可能としている。
噴出させて該結晶基板全面をカバーする従来の構成を、
結晶基板に対する相対的位置で少しずつ噴出位置がずれ
ているノズルを複数個所定位置に配置し、更に所定位置
に整列した複数の結晶基板を移動して原料ガスの吹きつ
け領域を順次増加させて全面をカバーする構成に代える
ことによって、多数枚の高均一成長を可能としている。
本発明になる気相成長装置は、円周上に整列載置Ｌ７た
複数の結晶基板と該結晶基板と対応する所定の位置に配
置した複数のノズルとで構成し、該結晶基板を上記円周
の中心軸で水平方向に回転させながら複数のノズルから
原料ガスを噴出させて順次該原料ガスの吹きつけ領域を
増やすことによって全面をカバーするようにしている。
複数の結晶基板と該結晶基板と対応する所定の位置に配
置した複数のノズルとで構成し、該結晶基板を上記円周
の中心軸で水平方向に回転させながら複数のノズルから
原料ガスを噴出させて順次該原料ガスの吹きつけ領域を
増やすことによって全面をカバーするようにしている。
第１図は本発明を説明する図であり（Ａ）は概念を示し
くＩｔ）は成長結晶の厚さを説明する図である。
くＩｔ）は成長結晶の厚さを説明する図である。
また第２図は本発明の実施例を示す構成図であり、（八
）は側面図を（ロ）は各ノズルの位置を説明する図であ
る。
）は側面図を（ロ）は各ノズルの位置を説明する図であ
る。
第１図（八）で、サセプタ１２上には一列に整列した複
数の結晶基板５ （図の場合には５ａ、５ｂ、５ｃ、５
ｄの４個である）が１Ｙｉ１２置されており、該結晶基
板５の上面対応位置にはノズル１３（図では１．３ａ、
１３ｂ、 １３ｃ、 １３ｄ）がそれぞれの所定位置
に配置されている。
数の結晶基板５ （図の場合には５ａ、５ｂ、５ｃ、５
ｄの４個である）が１Ｙｉ１２置されており、該結晶基
板５の上面対応位置にはノズル１３（図では１．３ａ、
１３ｂ、 １３ｃ、 １３ｄ）がそれぞれの所定位置
に配置されている。
すなわち図では、サセプタ１２を図示Ｆの方向に移動さ
せながら原料ガス７ （図では７ａ、 ７ｂ、 ７ｃ、
７ｄ）を噴出すると、ノズルＬ３ａは結晶基板５ａの
Ａの令頁域を、またノズル１３ｂは結晶基板５ｈの３の
領域を。
せながら原料ガス７ （図では７ａ、 ７ｂ、 ７ｃ、
７ｄ）を噴出すると、ノズルＬ３ａは結晶基板５ａの
Ａの令頁域を、またノズル１３ｂは結晶基板５ｈの３の
領域を。
ノズル１３ｃは結晶基板５ＣのＣの領域を更にノズル１
３ｄは結晶基ｔｆｆ５ｄのＤの領域をそれぞれ吹き付け
て該結晶基板５の全面をカバーするように構成している
。
３ｄは結晶基ｔｆｆ５ｄのＤの領域をそれぞれ吹き付け
て該結晶基板５の全面をカバーするように構成している
。
この場合、結晶基板５上の位置と成長結晶の膜厚分布の
関係を示す図（Ｂ）で、横軸Ｘには図（八）における結
晶基板５のＸ方間断面をその中心を０として表示し縦軸
Ｙには成長結晶の厚さをとると、例えばノズル１３ａか
らの原料ガス７ａによる膜厚は図示■の如くＡ領域が最
も厚くその外側に裾を引く分布を示す。
関係を示す図（Ｂ）で、横軸Ｘには図（八）における結
晶基板５のＸ方間断面をその中心を０として表示し縦軸
Ｙには成長結晶の厚さをとると、例えばノズル１３ａか
らの原料ガス７ａによる膜厚は図示■の如くＡ領域が最
も厚くその外側に裾を引く分布を示す。
同様にノズル１３１）からの膜厚分布は■を、ノズル１
３ｃからの分布は■をまたノズル１３ｄからの分布は■
をそれぞれ示す。
３ｃからの分布は■をまたノズル１３ｄからの分布は■
をそれぞれ示す。
ここで前記のサセプタ１２のＦ方向への移動速度と各ノ
ズルから噴出させる原料ガスの流速を適当に選ぶことに
よって、時間平均をとったときの成長結晶の膜厚分布を
点線で示す■のようにほぼ平坦にすることができる。
ズルから噴出させる原料ガスの流速を適当に選ぶことに
よって、時間平均をとったときの成長結晶の膜厚分布を
点線で示す■のようにほぼ平坦にすることができる。
構成例を示す第２図（Ａ） 、 （Ｂ）で、チャンバ１
４には第３図同様に図示されていない外部回転機構部に
連結して例えば図示Ｒ方向に回転する回転軸１５が装着
されており、該回転軸１５の上部フランジ面１５ａには
−ＩＬ記チャンバ１４の外部に設けたコイル３によって
加熱されるカーボン（炭素）よりなるサセプタ１６が固
定されている。
４には第３図同様に図示されていない外部回転機構部に
連結して例えば図示Ｒ方向に回転する回転軸１５が装着
されており、該回転軸１５の上部フランジ面１５ａには
−ＩＬ記チャンバ１４の外部に設けたコイル３によって
加熱されるカーボン（炭素）よりなるサセプタ１６が固
定されている。
また該サセプタ１６の表面上側には回転中心をセンタと
する円周」二に複数個（図の場合には８個）の結晶基板
５が等間隔に載置されている。
する円周」二に複数個（図の場合には８個）の結晶基板
５が等間隔に載置されている。
一方ガス供給系６から送出される原料ガス７は、配管８
を経由した後上記ヂャンバ１４の上部近傍に装着されて
いる複数のノズル１７から上記結晶基板５の表面に噴出
するが、この際ノズルの位置によ量調節器１３を設けて
いる。
を経由した後上記ヂャンバ１４の上部近傍に装着されて
いる複数のノズル１７から上記結晶基板５の表面に噴出
するが、この際ノズルの位置によ量調節器１３を設けて
いる。
なお、図の１１は第３図同様の排気ポンプであり、各ノ
ズル１７から噴出する原料ガス７は結晶基板５の表面を
流れた後にサセプタ１６に設けられている複数の貫通孔
１６ａおよび回転軸１５のフランジ面１５ａに設けられ
ている複数の貫通孔１５ｂを通って図示■の如く該排気
ポンプ１１から排出するように構成されている。
ズル１７から噴出する原料ガス７は結晶基板５の表面を
流れた後にサセプタ１６に設けられている複数の貫通孔
１６ａおよび回転軸１５のフランジ面１５ａに設けられ
ている複数の貫通孔１５ｂを通って図示■の如く該排気
ポンプ１１から排出するように構成されている。
ここで各ノズル１７の結晶基板５に対する位置を説明す
ると、例えば結晶基板５の直径をｄとした場合、結晶基
板５ａに対するノズル１７ａの位置は該結晶基板５ａの
サセプタ１６の回転中心に向かう直径上で該基板５ａの
外側の点Ｐａから１／８Ｘ（１の位置にあり、基板５ｂ
に対しては同様に点ｐｂから３／３ｘｄの位置にノズル
１７ｈを、また基板５ｃに対しては同様に点Ｐｃから５
／８Ｘｄの位置にノズル１７ｃを、更に基板５ｄに対し
ては点Ｉ’ｄから７／３ｘｄの位置にノズル１７ｄをそ
れぞれ配置するようにしている。
ると、例えば結晶基板５の直径をｄとした場合、結晶基
板５ａに対するノズル１７ａの位置は該結晶基板５ａの
サセプタ１６の回転中心に向かう直径上で該基板５ａの
外側の点Ｐａから１／８Ｘ（１の位置にあり、基板５ｂ
に対しては同様に点ｐｂから３／３ｘｄの位置にノズル
１７ｈを、また基板５ｃに対しては同様に点Ｐｃから５
／８Ｘｄの位置にノズル１７ｃを、更に基板５ｄに対し
ては点Ｉ’ｄから７／３ｘｄの位置にノズル１７ｄをそ
れぞれ配置するようにしている。
そこで、原料ガス７を噴出しながらサセプタ１６を図示
Ｒ１方向に回転させると、図の場合にはサセプタ１６が
１７２回転する間に結晶基板５の全面に原料ガス７を吹
き付けることができる。
Ｒ１方向に回転させると、図の場合にはサセプタ１６が
１７２回転する間に結晶基板５の全面に原料ガス７を吹
き付けることができる。
実験結果によれば、第３図で説明した条件すなわら、チ
ャンバ１４内を０．１気圧程度に減圧し、結晶基板５を
６５０°Ｃ＠後に加熱した状態でサセプタ１６を６０ｒ
ｐｍ程度に回転させながら、第３図同様の原料ガス７を
２〜３ ｍ／ｓｅｃの流速で結晶基板５の表面に吹き付
けて、所要のエピタキシャル層を均一な厚さで形成でき
ることを確認している。
ャンバ１４内を０．１気圧程度に減圧し、結晶基板５を
６５０°Ｃ＠後に加熱した状態でサセプタ１６を６０ｒ
ｐｍ程度に回転させながら、第３図同様の原料ガス７を
２〜３ ｍ／ｓｅｃの流速で結晶基板５の表面に吹き付
けて、所要のエピタキシャル層を均一な厚さで形成でき
ることを確認している。
なおこの場合結晶基板５に対して両端にあるノズル１７
ａ と１７ｄは原料ガス７の噴出量を中央部に位置する
ノズル１７ｂと１７Ｃよりも杓１．３倍に増やすことは
前述の通りである。
ａ と１７ｄは原料ガス７の噴出量を中央部に位置する
ノズル１７ｂと１７Ｃよりも杓１．３倍に増やすことは
前述の通りである。
本発明により、複数個の結晶基板に同時に均一なエピタ
キシャル層が形成できる有機金属気相成長装置を提供す
ることができる。
キシャル層が形成できる有機金属気相成長装置を提供す
ることができる。
第１図は本発明を説明する図、
第２図は本発明の実施例を示す構成図、第３図は従来の
気相成長装置の一例を説明する図、 である。図において、 ３はコイル、 ５，５８〜５ｄは結晶基板、６は
ガス供給系、 ７，７８〜７ｄは原料ガス、８は配管
、 １１は排気ポンプ、１２、１６はサセプタ、
１６ａは貫通孔、１３、１３ａ〜１３ｄ、 １７．１７
ａ〜１７ｄはノズル、１４はチャンバ、 １５は回転
軸、 １５ａはフランジ面、１５ｂは貫通孔、１８は流量調節
器、 をそれぞれ表わす。 ° 本衾ｅ升を言え明すう図 Ｌ １ 図 本イ仁ｅ月の実力ａイクｊ２示すお１戚図第 ２ 区 （Ａ） 嗟来ｎ気相戚長襄腎を説明する図 勇 ３ 図
気相成長装置の一例を説明する図、 である。図において、 ３はコイル、 ５，５８〜５ｄは結晶基板、６は
ガス供給系、 ７，７８〜７ｄは原料ガス、８は配管
、 １１は排気ポンプ、１２、１６はサセプタ、
１６ａは貫通孔、１３、１３ａ〜１３ｄ、 １７．１７
ａ〜１７ｄはノズル、１４はチャンバ、 １５は回転
軸、 １５ａはフランジ面、１５ｂは貫通孔、１８は流量調節
器、 をそれぞれ表わす。 ° 本衾ｅ升を言え明すう図 Ｌ １ 図 本イ仁ｅ月の実力ａイクｊ２示すお１戚図第 ２ 区 （Ａ） 嗟来ｎ気相戚長襄腎を説明する図 勇 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 加熱された結晶基板にノズルから噴出する原料ガスを
吹きつけて、該結晶基板上にエピタキシャル層を気相成
長させる有機金属気相成長装置であって、 平面的移動手段を備えた結晶基板加熱用サセプタ上面の
複数箇所の所定位置それぞれに載置する結晶基板の各所
定位置に対応して、流量調節器を備えた原料ガス噴出用
ノズルを配設してなることを特徴とする有機金属気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14219388A JPH01310533A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 有機金属気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14219388A JPH01310533A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 有機金属気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01310533A true JPH01310533A (ja) | 1989-12-14 |
Family
ID=15309556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14219388A Pending JPH01310533A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 有機金属気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01310533A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101831632A (zh) * | 2009-03-13 | 2010-09-15 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置 |
| WO2017014179A1 (ja) * | 2015-07-17 | 2017-01-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
-
1988
- 1988-06-09 JP JP14219388A patent/JPH01310533A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101831632A (zh) * | 2009-03-13 | 2010-09-15 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置 |
| JP2010219125A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| US9093490B2 (en) | 2009-03-13 | 2015-07-28 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus |
| WO2017014179A1 (ja) * | 2015-07-17 | 2017-01-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
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