JPH01309960A - 光磁気ディスク用インライン式スパッタリング装置 - Google Patents
光磁気ディスク用インライン式スパッタリング装置Info
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- JPH01309960A JPH01309960A JP13952188A JP13952188A JPH01309960A JP H01309960 A JPH01309960 A JP H01309960A JP 13952188 A JP13952188 A JP 13952188A JP 13952188 A JP13952188 A JP 13952188A JP H01309960 A JPH01309960 A JP H01309960A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光磁気ディスクの製造に適用されるインライ
ン式スパッタリング装置に関する。
ン式スパッタリング装置に関する。
（従来の技術）
従来、一般的なインライン式スパッタリング装置は、第
１図に示すように仕込室ａ１成膜室す及び取出室Ｃを仕
切バルブｄを介して連設して構成され、キャリアｆに取
付けた基板ｅを外部から仕込室ａに取込み、これを仕切
バルブｄを介して成膜室すに送り込んで電極ｇによりス
パッタリングを施したのち、取出室Ｃへ仕切バルブｄを
介して送り、そこから外部へ取出される。
１図に示すように仕込室ａ１成膜室す及び取出室Ｃを仕
切バルブｄを介して連設して構成され、キャリアｆに取
付けた基板ｅを外部から仕込室ａに取込み、これを仕切
バルブｄを介して成膜室すに送り込んで電極ｇによりス
パッタリングを施したのち、取出室Ｃへ仕切バルブｄを
介して送り、そこから外部へ取出される。
光磁気ディスクは、一般に第２図示のように、基板ｅの
表面に媒体層りと該媒体層りをはさみ込む形で誘電体層
１１１を形成した多層構造の層を資する。該媒体層りは
例えば希土類系合金、誘電体層ｉは酸化物や窒化物で形
成される。これらの各層り、ｉを成膜する時には、通常
、圧力とガス雰囲気を変える必要があるので、従来は第
３図示のように仕切バルブｄによって成膜室すを複数の
室に分離するか、若しくは第４図示のように、該成膜室
すをスリットｊによって幾つかの成膜ゾーンに、ｋに分
離する構成を採るを一般とする。
表面に媒体層りと該媒体層りをはさみ込む形で誘電体層
１１１を形成した多層構造の層を資する。該媒体層りは
例えば希土類系合金、誘電体層ｉは酸化物や窒化物で形
成される。これらの各層り、ｉを成膜する時には、通常
、圧力とガス雰囲気を変える必要があるので、従来は第
３図示のように仕切バルブｄによって成膜室すを複数の
室に分離するか、若しくは第４図示のように、該成膜室
すをスリットｊによって幾つかの成膜ゾーンに、ｋに分
離する構成を採るを一般とする。
（発明が解決しようとする課ａ）
第３図示のように仕切バルブｄによって成膜室すを同室
かに分離する構成とすると、基板ｅが成膜室す間を移動
する際には仕切バルブｄが開くので隣接する成膜室す、
ｂが連通し、各室の雰囲気を常時独立した雰囲気に維持
することが出来ない。
かに分離する構成とすると、基板ｅが成膜室す間を移動
する際には仕切バルブｄが開くので隣接する成膜室す、
ｂが連通し、各室の雰囲気を常時独立した雰囲気に維持
することが出来ない。
従って、例えば第３図に於いて、第１成膜室すでＡｒ＋
０２の雰囲気でのりアクティブスパッタにより酸化物を
基板ｅ上に成膜し、次の第２成膜室すで希土類系金属合
金を成膜しようとする場合は、基板ｅを第１成膜室から
第２成膜室へ移動させる際にターゲット特に希土類系合
金の汚染を防止するために画室のスパッタを停止し、画
室を一旦高真空に排気する必要がある。この場合、成膜
室では常時成膜を行なえないので非効率さは免れない。
０２の雰囲気でのりアクティブスパッタにより酸化物を
基板ｅ上に成膜し、次の第２成膜室すで希土類系金属合
金を成膜しようとする場合は、基板ｅを第１成膜室から
第２成膜室へ移動させる際にターゲット特に希土類系合
金の汚染を防止するために画室のスパッタを停止し、画
室を一旦高真空に排気する必要がある。この場合、成膜
室では常時成膜を行なえないので非効率さは免れない。
また、第４図示のようにスリットＪによって成膜室すを
分離すると、第３図示の場合の非効率さは解消出来るが
、第１成膜室から次の成膜室・＼の０２ガスの微ユな拡
散が生じて第２成膜室の汚染が起こり、これを防ぐため
第５図示のようにスリットｊを何段にも設けることを考
えたが、前記拡散を防ぐには十分でない。
分離すると、第３図示の場合の非効率さは解消出来るが
、第１成膜室から次の成膜室・＼の０２ガスの微ユな拡
散が生じて第２成膜室の汚染が起こり、これを防ぐため
第５図示のようにスリットｊを何段にも設けることを考
えたが、前記拡散を防ぐには十分でない。
本発明は、光磁気ディスクの成膜処理を施す複数の成膜
室を完全に分離し、且つ各成膜室での常時成膜が可能で
効率良くしかも拡散や汚染のない光磁気ディスク用イン
ライン式スパッタリング装置を提供することを目的とす
るものである。
室を完全に分離し、且つ各成膜室での常時成膜が可能で
効率良くしかも拡散や汚染のない光磁気ディスク用イン
ライン式スパッタリング装置を提供することを目的とす
るものである。
（課題を解決するための手段）
本発明では、光磁気ディスクの基板を外部から取込む仕
込室と、該基板にスパッタリングにより光磁気ディスク
の成膜処理を施す複数の成膜室及び成膜処理された基板
を外部へ取出す取出室とを設けるようにしたものに於い
て、該複数の成膜室間に排気口とガス導入口を備えＲつ
仕切バルブで密閉される隔離室を設けることにより、前
記課題を解決するようにした。
込室と、該基板にスパッタリングにより光磁気ディスク
の成膜処理を施す複数の成膜室及び成膜処理された基板
を外部へ取出す取出室とを設けるようにしたものに於い
て、該複数の成膜室間に排気口とガス導入口を備えＲつ
仕切バルブで密閉される隔離室を設けることにより、前
記課題を解決するようにした。
（作 用）
外部から仕込室内に取込まれた基板は・複数の成膜室と
各成膜空間に設けた隔離室を介して取出室へと送られ、
該取出室から外部へと取出される。各成膜室に於いては
、該基板上にスパッタリングにより成膜処理を順次施し
、多層の膜を形成するが、成膜室から成膜室へ基板が移
動する際に、その中間の隔離室を予め高真空に排気した
後、該隔離室の前方に位置する成膜室と同圧力、同雰囲
気とし、該隔離室へ仕切バルブを介して基板が移動する
と仕切バルブを閉じて該隔離室内を再び高真空に排気し
た後、後方の成膜室と同圧力、同雰囲気とし、該隔離室
から仕切バルブを開けて後方の成膜室へと基板を送り出
す。該隔離室に於いては、高真空排気とガス導入による
圧力、Ｍｆｆ、雰囲気、２Ｊｕを行なうときに、仕切バ
ルブを閉じた密閉状態で行なわれるので、前後の成膜室
は一定の圧力、雰囲気を保ち得、従ってこれらの成膜室
で常にスパッタリングを継続することが出来、成膜処理
効率が高まり、成膜室のガスの拡散による相互汚染を防
げて品質の良い膜を形成出来る。
各成膜空間に設けた隔離室を介して取出室へと送られ、
該取出室から外部へと取出される。各成膜室に於いては
、該基板上にスパッタリングにより成膜処理を順次施し
、多層の膜を形成するが、成膜室から成膜室へ基板が移
動する際に、その中間の隔離室を予め高真空に排気した
後、該隔離室の前方に位置する成膜室と同圧力、同雰囲
気とし、該隔離室へ仕切バルブを介して基板が移動する
と仕切バルブを閉じて該隔離室内を再び高真空に排気し
た後、後方の成膜室と同圧力、同雰囲気とし、該隔離室
から仕切バルブを開けて後方の成膜室へと基板を送り出
す。該隔離室に於いては、高真空排気とガス導入による
圧力、Ｍｆｆ、雰囲気、２Ｊｕを行なうときに、仕切バ
ルブを閉じた密閉状態で行なわれるので、前後の成膜室
は一定の圧力、雰囲気を保ち得、従ってこれらの成膜室
で常にスパッタリングを継続することが出来、成膜処理
効率が高まり、成膜室のガスの拡散による相互汚染を防
げて品質の良い膜を形成出来る。
（実施例）
本発明の実施例を図面第６図につき説明すると、同図は
基板の両面に３層を成膜して光磁気ディスクとするため
のインライン式スパッタリング装置への実施例の平面図
を示し、同図に於いて符号（１）は成膜が施される光磁
気ディスクの基板、り２）は該基板（１）を搭載したキ
ャリア、（３）は外部から該キャリア（１）に搭載した
未処理の基板（１）を仕切バルブ（４）を開いて取込む
仕込室、（５）は該仕込室（３）内を真空ポンプで排気
するための真空排気口である。該仕込室（３）へキャリ
ア（２）と共に取込まれた基板（１）は、該仕込室（３
）に連設した３つの成膜室＜６） （７） （８）を通
過して取出室（９）へと送られ、そこで外部へと取出さ
れる。該基板（１）はその両面を露出させてキャリア（
２）に搭載されるようにし、該基板（１）の両面に各成
膜室（６） （７） （８）に１対ずつ設けたスパッタ
リングカソード（１０ａ）ｆｌｏ ｂ）（１１ａ）（ｉ
ｌ ｂ）（１２ａ）（１２ｂ）により順次に薄膜の層を
形成する。各成膜室（６） （７） ＜８）の間には１
対の仕切バルブ（４）により密閉され且つ排気口（′Ｉ
Ｑとガス導入口（Ｉ＠を備えた隔離室１１！１ｌ（ＩＯ
を設け、前方の成膜室から後方の成膜室へ基板（１）を
移送するとき、該前方又は後方の成膜室と同圧、同雰囲
気に調整した該隔離室Ｏ５） （′ｌｅ内に、基板（１
）を−旦密閉ししたのち後方の成膜室へと送り出す。（
＋７） ａａ ａｓは各成膜室（６） （７） （８）
の排気口、■（１）’Ｄ■は各成膜室（６）（７） （
８）へ反応性ガスや不活性ガスを導入するガス導入口、
■は取出室（９）に設けた排気口、ＱΦ及び■は仕込室
（３）及び取出室（９）に設けたガス導入口を示す。
基板の両面に３層を成膜して光磁気ディスクとするため
のインライン式スパッタリング装置への実施例の平面図
を示し、同図に於いて符号（１）は成膜が施される光磁
気ディスクの基板、り２）は該基板（１）を搭載したキ
ャリア、（３）は外部から該キャリア（１）に搭載した
未処理の基板（１）を仕切バルブ（４）を開いて取込む
仕込室、（５）は該仕込室（３）内を真空ポンプで排気
するための真空排気口である。該仕込室（３）へキャリ
ア（２）と共に取込まれた基板（１）は、該仕込室（３
）に連設した３つの成膜室＜６） （７） （８）を通
過して取出室（９）へと送られ、そこで外部へと取出さ
れる。該基板（１）はその両面を露出させてキャリア（
２）に搭載されるようにし、該基板（１）の両面に各成
膜室（６） （７） （８）に１対ずつ設けたスパッタ
リングカソード（１０ａ）ｆｌｏ ｂ）（１１ａ）（ｉ
ｌ ｂ）（１２ａ）（１２ｂ）により順次に薄膜の層を
形成する。各成膜室（６） （７） ＜８）の間には１
対の仕切バルブ（４）により密閉され且つ排気口（′Ｉ
Ｑとガス導入口（Ｉ＠を備えた隔離室１１！１ｌ（ＩＯ
を設け、前方の成膜室から後方の成膜室へ基板（１）を
移送するとき、該前方又は後方の成膜室と同圧、同雰囲
気に調整した該隔離室Ｏ５） （′ｌｅ内に、基板（１
）を−旦密閉ししたのち後方の成膜室へと送り出す。（
＋７） ａａ ａｓは各成膜室（６） （７） （８）
の排気口、■（１）’Ｄ■は各成膜室（６）（７） （
８）へ反応性ガスや不活性ガスを導入するガス導入口、
■は取出室（９）に設けた排気口、ＱΦ及び■は仕込室
（３）及び取出室（９）に設けたガス導入口を示す。
その作動を説明するに、仕込室（３）から成膜室（６）
へ送り込まれた基板（１）に、例えば＾ｒガスの他に０
２ガスやＮ２ガスを導入して反応性スパッタを施し、第
１層目の薄膜を形成する間に、隔離室（＋５）内を排気
口（１３１から高真空に排気したのちガス導入口（′ｌ
＠から該成膜室（６）と同種のガスを同圧となるまで該
隔離室（＋５１内へ導入する。そして仕切バルブ（４）
を開き、該成膜室（６）から隔離室ｔｉｓ内へと基板（
１）が送り込まれると、該隔離室ａ９を仕切バルブ（４
） （４）で密閉し、再度該隔離室ｑ９内を高真空に排
気する。該成膜室（６）の次の成膜室（７）がＡ「ガス
のみを導入して通常のスパッタにより成膜処理を行なう
場合、高真空化された前記隔離室個内へＡｒガス導入口
１１１Ｄから次の成膜室（７）と同圧になるまで導入す
る。次いで基板（１）を該隔離室（Ｉｓ）から仕切バル
ブ（４）を開けて次の成膜室（７）へと送り、そこで第
２層目の薄膜が成膜される。この間に該成膜室〈７）に
続く隔離室ａｅは、前記隔離室（＋９と同様に一旦高真
空に排気したのち前方の成膜室（７）と同圧、同雰囲気
とされ、基板（１）が前方の成膜室（７）から送り込ま
れると再び高真空とし、後方の成膜室（７）と同圧、同
雰囲気になると該隔離室ａｅから仕切バルブ（４）を開
いて後方の成膜室（７）へと基板（１）が送られる。
へ送り込まれた基板（１）に、例えば＾ｒガスの他に０
２ガスやＮ２ガスを導入して反応性スパッタを施し、第
１層目の薄膜を形成する間に、隔離室（＋５）内を排気
口（１３１から高真空に排気したのちガス導入口（′ｌ
＠から該成膜室（６）と同種のガスを同圧となるまで該
隔離室（＋５１内へ導入する。そして仕切バルブ（４）
を開き、該成膜室（６）から隔離室ｔｉｓ内へと基板（
１）が送り込まれると、該隔離室ａ９を仕切バルブ（４
） （４）で密閉し、再度該隔離室ｑ９内を高真空に排
気する。該成膜室（６）の次の成膜室（７）がＡ「ガス
のみを導入して通常のスパッタにより成膜処理を行なう
場合、高真空化された前記隔離室個内へＡｒガス導入口
１１１Ｄから次の成膜室（７）と同圧になるまで導入す
る。次いで基板（１）を該隔離室（Ｉｓ）から仕切バル
ブ（４）を開けて次の成膜室（７）へと送り、そこで第
２層目の薄膜が成膜される。この間に該成膜室〈７）に
続く隔離室ａｅは、前記隔離室（＋９と同様に一旦高真
空に排気したのち前方の成膜室（７）と同圧、同雰囲気
とされ、基板（１）が前方の成膜室（７）から送り込ま
れると再び高真空とし、後方の成膜室（７）と同圧、同
雰囲気になると該隔離室ａｅから仕切バルブ（４）を開
いて後方の成膜室（７）へと基板（１）が送られる。
各隔離室ａｓ 弱へ或はこれらの室から基板（１）が移
送される際には、これらの室と隔離室Ｃｌ５） ａｅと
が同圧、同雰囲気になり、また基板（１）が移送される
前後の成膜室間は、隔離室の１対の仕切バルブ（４）の
うちのいずれか一方が閉じられているので直接連通する
ことがなく、各成膜室は独立した圧力と雰囲気を維持す
ることが出来、常時スパッタリングを行なえて成膜処理
効率が高まり成膜室のガスの拡散による相互汚染を防げ
て品質の良い光磁気ディスクを製造出来る。
送される際には、これらの室と隔離室Ｃｌ５） ａｅと
が同圧、同雰囲気になり、また基板（１）が移送される
前後の成膜室間は、隔離室の１対の仕切バルブ（４）の
うちのいずれか一方が閉じられているので直接連通する
ことがなく、各成膜室は独立した圧力と雰囲気を維持す
ることが出来、常時スパッタリングを行なえて成膜処理
効率が高まり成膜室のガスの拡散による相互汚染を防げ
て品質の良い光磁気ディスクを製造出来る。
（発明の効果）
以上のように本発明によるときは、光磁気ディスクの基
板にスパッタリングで成膜する複数の成膜室間に、排気
口とガス導入口を備え且つ仕切バルブで密閉される隔離
室を設けるようにしたので、各成膜室間のスパッタガス
による相互〆り染をほぼなくすことが出来、各成膜室に
於けるスパッタを停止することなく連続して成膜を行な
えて処理能率を高めることが出来る等の効果がある。
板にスパッタリングで成膜する複数の成膜室間に、排気
口とガス導入口を備え且つ仕切バルブで密閉される隔離
室を設けるようにしたので、各成膜室間のスパッタガス
による相互〆り染をほぼなくすことが出来、各成膜室に
於けるスパッタを停止することなく連続して成膜を行な
えて処理能率を高めることが出来る等の効果がある。
第１図は従来の一般的インライン式スパッタリング装置
の裁断平面図、第２図は光磁気ディスクの拡大載断面図
、第３図及び第４図は従来の光磁気ディスク用のインラ
イン式スパッタリング装置の裁断平面図、第５図は第４
図示の改良例の裁断平面図、第６図は本発明の実施例の
裁断平面図である。 （１）・・・光磁気ディスクの基板 （３）・・・仕込室 （４）・・・仕切バルブ （６） （７） （８）・・・成膜室 （９）・・・取出室 （１３・・・排気口 （＋４１・・・ガス導入口 ａｓ ａｅ・・・隔離室
の裁断平面図、第２図は光磁気ディスクの拡大載断面図
、第３図及び第４図は従来の光磁気ディスク用のインラ
イン式スパッタリング装置の裁断平面図、第５図は第４
図示の改良例の裁断平面図、第６図は本発明の実施例の
裁断平面図である。 （１）・・・光磁気ディスクの基板 （３）・・・仕込室 （４）・・・仕切バルブ （６） （７） （８）・・・成膜室 （９）・・・取出室 （１３・・・排気口 （＋４１・・・ガス導入口 ａｓ ａｅ・・・隔離室
Claims (1)
- 光磁気ディスクの基板を外部から取込む仕込室と、該基
板にスパッタリングにより光磁気ディスクの成膜処理を
施す複数の成膜室及び成膜処理された基板を外部へ取出
す取出室とを設けるようにしたものに於いて、該複数の
成膜室間に排気口とガス導入口を備え且つ仕切バルブで
密閉される隔離室を設けたことを特徴とする光磁気ディ
スク用インライン式スパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13952188A JPH01309960A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 光磁気ディスク用インライン式スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13952188A JPH01309960A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 光磁気ディスク用インライン式スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01309960A true JPH01309960A (ja) | 1989-12-14 |
Family
ID=15247225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13952188A Pending JPH01309960A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 光磁気ディスク用インライン式スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01309960A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100288625A1 (en) * | 2007-02-28 | 2010-11-18 | Ulvac, Inc. | Film deposition apparatus and film deposition method |
| JP2017085136A (ja) * | 2011-11-08 | 2017-05-18 | インテヴァック インコーポレイテッド | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6380406A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-11 | セイコーエプソン株式会社 | 多層膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP13952188A patent/JPH01309960A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6380406A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-11 | セイコーエプソン株式会社 | 多層膜の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100288625A1 (en) * | 2007-02-28 | 2010-11-18 | Ulvac, Inc. | Film deposition apparatus and film deposition method |
| TWI463025B (zh) * | 2007-02-28 | 2014-12-01 | Ulvac Inc | 成膜裝置及成膜方法 |
| JP2017085136A (ja) * | 2011-11-08 | 2017-05-18 | インテヴァック インコーポレイテッド | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
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