JPH01307639A - ガス検知装置 - Google Patents
ガス検知装置Info
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- JPH01307639A JPH01307639A JP13722488A JP13722488A JPH01307639A JP H01307639 A JPH01307639 A JP H01307639A JP 13722488 A JP13722488 A JP 13722488A JP 13722488 A JP13722488 A JP 13722488A JP H01307639 A JPH01307639 A JP H01307639A
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- laser
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はレーザ光を用いた差分吸収法によりガスを検
知するガス検知装置、特にガス検知精度の向上に関する
ものである。
知するガス検知装置、特にガス検知精度の向上に関する
ものである。
[従来の技術]
ガス分子の化学的、物質的性質である光吸収を利用して
ガスを検知する差分吸収法は、例えば文献「センサ技術
」 (技術調査会、昭和61年2月号)第29頁〜第3
1頁に開示されている。この文献に開示されたガス検知
システムはHe−Neレーザの3.39μm帯のメ、タ
ンガスに強く吸収される波長のレーザ光と、このレーザ
光と波長が僅かに異なりメタンガスに吸収されない波長
のレーザ光をメカニカルチョッパで交互に切換えたり、
あるいは1個のし−ザ発振器の発振器長を機械的に変化
させて2波長のレーザ光を得て、この2波長のレーザ光
を路面や壁などの被測定部に向けて照射し、そこからの
乱反射光強度の差から光路中のメタンを検出するように
している。この差分吸収法は2波長のレーザ光を使用す
ることにより検出すべきガス以外の要因によるレーザ光
の光量の減衰を補償しているため精度良くガスを検知す
ることができる。
ガスを検知する差分吸収法は、例えば文献「センサ技術
」 (技術調査会、昭和61年2月号)第29頁〜第3
1頁に開示されている。この文献に開示されたガス検知
システムはHe−Neレーザの3.39μm帯のメ、タ
ンガスに強く吸収される波長のレーザ光と、このレーザ
光と波長が僅かに異なりメタンガスに吸収されない波長
のレーザ光をメカニカルチョッパで交互に切換えたり、
あるいは1個のし−ザ発振器の発振器長を機械的に変化
させて2波長のレーザ光を得て、この2波長のレーザ光
を路面や壁などの被測定部に向けて照射し、そこからの
乱反射光強度の差から光路中のメタンを検出するように
している。この差分吸収法は2波長のレーザ光を使用す
ることにより検出すべきガス以外の要因によるレーザ光
の光量の減衰を補償しているため精度良くガスを検知す
ることができる。
[発明が解決しようとする課題]
従来の2波長のレーザ光を使用した差分吸収法は波長が
僅かに異なるレーザ光をメカニカルチョッパにより出射
させたり、あるいは発振器長を機械的に変化させて出射
させているため、2波長のレーザ光の波長安定と高速ス
イッチングに限界があった。このためガス検知センサを
空間的に高速で掃引することができないという問題点が
あった。
僅かに異なるレーザ光をメカニカルチョッパにより出射
させたり、あるいは発振器長を機械的に変化させて出射
させているため、2波長のレーザ光の波長安定と高速ス
イッチングに限界があった。このためガス検知センサを
空間的に高速で掃引することができないという問題点が
あった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
であり、空間的に高速で掃引することができるガス検知
装置を得ることを目的とするものである。
であり、空間的に高速で掃引することができるガス検知
装置を得ることを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
この発明に係るガス検知装置は、測定ガスの吸収波長に
合った波長のレーザ光を出射する第1半導体レーザ装置
と、第1半導体レーザ装置と波長が僅かに異なり、測定
ガスに吸収されない波長のレーザ光を出射する第2半導
体レーザ装置とを有し、第1半導体レーザ装置から出射
するレーザ光の強度を、周波数f 1 (Hz)の信号
を発振する第1高周波発振器の信号で変調し、第2半導
体レーザ装置から出射するレーザ光の強度を、周波数f
1とは異なる周波数f 2 (Hz)の信号を発振する
第2高周波発振器の信号で変調する。この異なる周波数
で変調された2波長のレーザ光を同時に被測定部に向け
て投光し、被ΔI+1定部から反射された各レーザ光を
上記発振周波数f、f2とは僅かに異■ なる周波数f o (Hz)の電圧が印加された半導体
光センサで受光して電気信号に変換し、半導体光センサ
から出力される2つの電気信号の振幅を振幅比較器で比
較してガスを検知することを特徴とする。
合った波長のレーザ光を出射する第1半導体レーザ装置
と、第1半導体レーザ装置と波長が僅かに異なり、測定
ガスに吸収されない波長のレーザ光を出射する第2半導
体レーザ装置とを有し、第1半導体レーザ装置から出射
するレーザ光の強度を、周波数f 1 (Hz)の信号
を発振する第1高周波発振器の信号で変調し、第2半導
体レーザ装置から出射するレーザ光の強度を、周波数f
1とは異なる周波数f 2 (Hz)の信号を発振する
第2高周波発振器の信号で変調する。この異なる周波数
で変調された2波長のレーザ光を同時に被測定部に向け
て投光し、被ΔI+1定部から反射された各レーザ光を
上記発振周波数f、f2とは僅かに異■ なる周波数f o (Hz)の電圧が印加された半導体
光センサで受光して電気信号に変換し、半導体光センサ
から出力される2つの電気信号の振幅を振幅比較器で比
較してガスを検知することを特徴とする。
[作用]
この発明においては、第1半導体レーザ装置と第2半導
体レーザ装置から出射する波長の異なったレーザ光の強
度を異なった周波数の高周波信号により変調して、2波
長のレーザ光の強度を変化させて2波長のレーザ光を電
気的に切換えるようにしたものである。
体レーザ装置から出射する波長の異なったレーザ光の強
度を異なった周波数の高周波信号により変調して、2波
長のレーザ光の強度を変化させて2波長のレーザ光を電
気的に切換えるようにしたものである。
また、レーザ光の強度を高周波信号で変調することによ
りレーザ光の伝搬空間におけるノイズの影響を少なくし
、伝送距離をのばすようにしたものである。
りレーザ光の伝搬空間におけるノイズの影響を少なくし
、伝送距離をのばすようにしたものである。
さらにレーザ光を受光する半導体光センサの利得を周波
数f、の電圧で変えることにより半導体光センサから出
力する電気信号を任意の低周波数に変えるようにしたも
のである。
数f、の電圧で変えることにより半導体光センサから出
力する電気信号を任意の低周波数に変えるようにしたも
のである。
[実施例]
第1図はこの発明の一実施例を示すブロック図であり、
図において1は1lFJ定ガスの吸収波長に合った波長
の光を出射する第1の半導体レーザ発振器(以下、レー
ザ発振器という)、2はレーザ発振器1を駆動し、かつ
その出力を制御する駆動装置、3はレーザ発振器1から
出射するレーザ光の波長と僅かに異なり、測定ガスに吸
収されない波長のレーザ光を出射する第2の半導体レー
ザ発振器、4はレーザ発振器3の駆動装置である。
図において1は1lFJ定ガスの吸収波長に合った波長
の光を出射する第1の半導体レーザ発振器(以下、レー
ザ発振器という)、2はレーザ発振器1を駆動し、かつ
その出力を制御する駆動装置、3はレーザ発振器1から
出射するレーザ光の波長と僅かに異なり、測定ガスに吸
収されない波長のレーザ光を出射する第2の半導体レー
ザ発振器、4はレーザ発振器3の駆動装置である。
5は駆動装置2に接続された第1の発振器であり、発振
器5は周波数f 1(Hz)の高周波信号を発振する。
器5は周波数f 1(Hz)の高周波信号を発振する。
6は駆動装置4に接続された第2の発振器であり、発振
器6は第1の発振器5の発振周波数f 1(Hz)とは
異なる周波■f 2 (llz)の高周波信号を発振す
る。
器6は第1の発振器5の発振周波数f 1(Hz)とは
異なる周波■f 2 (llz)の高周波信号を発振す
る。
7はレーザ発振器1から出射されるレーザ光とレーザ発
振器3から出射されるレーザ光とを1つの光路に導く半
透鏡、8は反射鏡、9は集光レンズ、IOは集光レンズ
9で集光したレーザ光を電気信号に変換する半導体光セ
ンサであり、半透鏡7゜反射鏡8.集光レンズ9及び半
導体光センサ10でレーザ光を投受光する光学系を構成
している。11は半導体光センサ10に印加する電圧を
制御する駆動装置、12は駆動装置11に接続された第
3の発振器であり、発振器12は第1の発振器5の発振
周波数f と第2の発振器6の発振周波数f2にほぼ■ 近い周波数f。の高周波信号を発振する。
振器3から出射されるレーザ光とを1つの光路に導く半
透鏡、8は反射鏡、9は集光レンズ、IOは集光レンズ
9で集光したレーザ光を電気信号に変換する半導体光セ
ンサであり、半透鏡7゜反射鏡8.集光レンズ9及び半
導体光センサ10でレーザ光を投受光する光学系を構成
している。11は半導体光センサ10に印加する電圧を
制御する駆動装置、12は駆動装置11に接続された第
3の発振器であり、発振器12は第1の発振器5の発振
周波数f と第2の発振器6の発振周波数f2にほぼ■ 近い周波数f。の高周波信号を発振する。
13.14はバンドパスフィルタであり、バンドパスフ
ィルター3.14は各々例えば抵抗・容量形の受動フィ
ルタからなる。15はバンドパスフィルタ13.14か
ら送られる電気信号の振幅を比較する振幅比較器、16
は壁等被測定部の散乱部である。
ィルター3.14は各々例えば抵抗・容量形の受動フィ
ルタからなる。15はバンドパスフィルタ13.14か
ら送られる電気信号の振幅を比較する振幅比較器、16
は壁等被測定部の散乱部である。
上記のように構成されたガス検知装置によりガスを検知
するときは、まず駆動装置2と駆動装置4を駆動して各
レーザ発振器1.3を安定状態として出射するレーザ光
の波長を安定させる。次に第1の発振器5と第2の発振
器6を発振させ、第1の発振器5から駆動装置2に周波
数f 1(Hz)の高周波信号を送り、駆動装置2によ
りレーザ発振器1で出射するレーザ光の強度に変調を与
える。
するときは、まず駆動装置2と駆動装置4を駆動して各
レーザ発振器1.3を安定状態として出射するレーザ光
の波長を安定させる。次に第1の発振器5と第2の発振
器6を発振させ、第1の発振器5から駆動装置2に周波
数f 1(Hz)の高周波信号を送り、駆動装置2によ
りレーザ発振器1で出射するレーザ光の強度に変調を与
える。
同様に第2の発振器6から駆動装置4に周波数f 2
(Ilz)の高周波信号を送り、駆動装置4によりレー
ザ発振器3で出射するレーザ光の強度に変調を与える。
(Ilz)の高周波信号を送り、駆動装置4によりレー
ザ発振器3で出射するレーザ光の強度に変調を与える。
このように波長が僅かに異なり、レーザ光の強度分布が
異なる2波長のレーザ光をレーザ発振器1.3から同時
に出射して、半透鏡71反射鏡8を介して散乱部14に
投光する。
異なる2波長のレーザ光をレーザ発振器1.3から同時
に出射して、半透鏡71反射鏡8を介して散乱部14に
投光する。
散乱部18で散乱2反射されたレーザ光は集光レンズ9
で集光されて半導体光センサ−0に入射する。
で集光されて半導体光センサ−0に入射する。
この半導体光センサ−Oは駆動装置11から印加する電
圧により、その増幅度が変化する。そこで発振器12で
発振して得た周波数f、の高周波信号を駆動装置11に
送り、この高周波信号に同期した周波数f、の電圧を半
導体光センサ−Oに印加する。このように周波数f、の
電圧を印加した半導体光センサ−0に周波数f、f2の
高周波信号により強度が変調されたレーザ光が入射する
と、半導体光センサ−0では周波数f1で変調されたレ
ーザ光は周波数がIfl−f、lの電気信号として検出
さ゛れ、周波数f2で変調されたレーザ光は周波数がI
F5−f、lの電気信号として検出される。この半導体
光センサ−Oで出力する電気信号を各々周波数1f −
f I、1f2−f、1の電気信号D とするのはバンドパスフィルタ13.14が例えば活性
フィルタの場合は、あまり高い周波数では使用できない
ため、バンドパスフィルタ13.14に入力する電気信
号の周波数を低くするためである。
圧により、その増幅度が変化する。そこで発振器12で
発振して得た周波数f、の高周波信号を駆動装置11に
送り、この高周波信号に同期した周波数f、の電圧を半
導体光センサ−Oに印加する。このように周波数f、の
電圧を印加した半導体光センサ−0に周波数f、f2の
高周波信号により強度が変調されたレーザ光が入射する
と、半導体光センサ−0では周波数f1で変調されたレ
ーザ光は周波数がIfl−f、lの電気信号として検出
さ゛れ、周波数f2で変調されたレーザ光は周波数がI
F5−f、lの電気信号として検出される。この半導体
光センサ−Oで出力する電気信号を各々周波数1f −
f I、1f2−f、1の電気信号D とするのはバンドパスフィルタ13.14が例えば活性
フィルタの場合は、あまり高い周波数では使用できない
ため、バンドパスフィルタ13.14に入力する電気信
号の周波数を低くするためである。
このバンドパスフィルタ13は周波数1f1−fDlの
電気信号を通過させ、バンドパスフィルタ14は周波数
1f2−f、lの電気信号を通過させるようになってい
る。そこで、半導体光センサ10から出力された周波数
がlft fDtとIF2 fD tの電気信号はバ
ンドパスフィルタ13.14で分離され振幅比較器15
に送られて振幅が比較される。
電気信号を通過させ、バンドパスフィルタ14は周波数
1f2−f、lの電気信号を通過させるようになってい
る。そこで、半導体光センサ10から出力された周波数
がlft fDtとIF2 fD tの電気信号はバ
ンドパスフィルタ13.14で分離され振幅比較器15
に送られて振幅が比較される。
このレーザ発振器1,3から散乱部1Bに2波長のレー
ザ光を投光したときに、レーザ光の光路中にガスが存在
しないと、レーザ発振器1から投光したレーザ光もレー
ザ発振器3から投光したレーザ光と同様に吸収されず同
じ散乱強度で半導体光センサ10に入射する。したがっ
て振幅比較器15で比較される周波数1f1−f、lの
電気信号の振幅は周波数1f2−f、lの電気信号の振
幅と同程度となっている。
ザ光を投光したときに、レーザ光の光路中にガスが存在
しないと、レーザ発振器1から投光したレーザ光もレー
ザ発振器3から投光したレーザ光と同様に吸収されず同
じ散乱強度で半導体光センサ10に入射する。したがっ
て振幅比較器15で比較される周波数1f1−f、lの
電気信号の振幅は周波数1f2−f、lの電気信号の振
幅と同程度となっている。
一方、レーザ光の光路中にガスが存在すると、レーザ発
振器1から投光したガスの吸収波長と同じ波長を有する
レーザ光は、そのガスの濃度、ガスの存在する距離に応
じてガスに吸収され、半導体光センサ−0に入射したと
きには、その強度すなわち振幅が小さいレーザ光となっ
ている。しかし、レーザ発振器1から投光されたレーザ
光はガスに吸収されないため、半導体光センサ−Oから
振幅比較器15に送られる周波数If −fDlの電
気信号の振幅は周波数1f2−f、lの電気信号の振幅
と比べて相対的に小さくなる。この振幅の差を振幅比較
器15で比較することにより、レーザ光の光路中のガス
の存在及びその濃度を測定することができる。
振器1から投光したガスの吸収波長と同じ波長を有する
レーザ光は、そのガスの濃度、ガスの存在する距離に応
じてガスに吸収され、半導体光センサ−0に入射したと
きには、その強度すなわち振幅が小さいレーザ光となっ
ている。しかし、レーザ発振器1から投光されたレーザ
光はガスに吸収されないため、半導体光センサ−Oから
振幅比較器15に送られる周波数If −fDlの電
気信号の振幅は周波数1f2−f、lの電気信号の振幅
と比べて相対的に小さくなる。この振幅の差を振幅比較
器15で比較することにより、レーザ光の光路中のガス
の存在及びその濃度を測定することができる。
なお、レーザ光の変調周波数f 、f と半導体光
センサに印加する電圧の周波数fDがほぼ近い周波数で
あるため、ビードが生じるが、このビードにより振幅比
較器15の比較をより容易とすることができる。
センサに印加する電圧の周波数fDがほぼ近い周波数で
あるため、ビードが生じるが、このビードにより振幅比
較器15の比較をより容易とすることができる。
[発明の効果]
この発明は以上説明したように、波長の僅かに異なるレ
ーザ光を出射する第1半導体レーザ装置と第2半導体レ
ーザ装置に与える変調信号を異なった周波数とすること
により、2波長のレーザ光の強度を変化させて、2波長
のレーザ光を切換えるようにしたので高速スイッチング
を行なうことができ、ガスを高速で検知することができ
る。
ーザ光を出射する第1半導体レーザ装置と第2半導体レ
ーザ装置に与える変調信号を異なった周波数とすること
により、2波長のレーザ光の強度を変化させて、2波長
のレーザ光を切換えるようにしたので高速スイッチング
を行なうことができ、ガスを高速で検知することができ
る。
また、レーザ光を高周波信号で変調するようにしたので
、広い範囲を高速で調べることができ、ガス検知能率を
大幅に向上させることができる。
、広い範囲を高速で調べることができ、ガス検知能率を
大幅に向上させることができる。
さらに、2波長の強度を切換えるときに、レーザ光の波
長には変動がないため、安定した波長でガスを検知する
ことができ、ガス検知精度を高め。
長には変動がないため、安定した波長でガスを検知する
ことができ、ガス検知精度を高め。
ることかできる効果を有する。
第1図はこの発明の実施例を示すブロック図である。
1.3・・・半導体レーザ発振器、2.4.11・・・
駆動装置、5. 6.12・・・発振器、7・・・半透
鏡、8・・・反射鏡、9・・・集光レンズ、10・・・
半導体光センサ、13.14・・・バンドパスフィルタ
、15・・・振幅比較器。
駆動装置、5. 6.12・・・発振器、7・・・半透
鏡、8・・・反射鏡、9・・・集光レンズ、10・・・
半導体光センサ、13.14・・・バンドパスフィルタ
、15・・・振幅比較器。
Claims (1)
- 測定ガスの吸収波長に合った波長のレーザ光を出射する
第1半導体レーザ装置と、該半導体レーザ装置から出射
するレーザ光の波長と僅かに異なり測定ガスに吸収され
ない波長のレーザ光を出射する第2半導体レーザ装置と
、周波数f_1(Hz)の信号を発振し第1半導体レー
ザ装置に入力して、第1半導体レーザ装置から出射する
レーザ光の強度を変調する第1高周波発振器と、該第1
高周波発振器の発振周波数f_1(Hz)とは異なる周
波数f_2(Hz)の信号を発振し第2半導体レーザ装
置に入力して、第2半導体レーザ装置から出射するレー
ザ光の強度を変調する第2高周波発振器と、第1半導体
レーザ装置と第2半導体レーザ装置から同時に投光した
2波長のレーザ光を受光し電気信号に変換する半導体光
センサと、上記発振周波数f_1、f_2とは僅かに異
なる周波数f_D(Hz)の信号を発振し、半導体光セ
ンサの駆動装置を駆動する第3高周波発振器と、半導体
光センサで出力する2波長のレーザ光の電気信号の振幅
を比較する振幅比較器とを備えたことを特徴とするガス
検知装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13722488A JPH01307639A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | ガス検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13722488A JPH01307639A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | ガス検知装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01307639A true JPH01307639A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15193681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13722488A Pending JPH01307639A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | ガス検知装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01307639A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5015099A (en) * | 1989-03-23 | 1991-05-14 | Anritsu Corporation | Differential absorption laser radar gas detection apparatus having tunable wavelength single mode semiconductor laser source |
EP1835305A2 (en) * | 2006-03-14 | 2007-09-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Differential absoption lidar apparatus |
-
1988
- 1988-06-06 JP JP13722488A patent/JPH01307639A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5015099A (en) * | 1989-03-23 | 1991-05-14 | Anritsu Corporation | Differential absorption laser radar gas detection apparatus having tunable wavelength single mode semiconductor laser source |
EP1835305A2 (en) * | 2006-03-14 | 2007-09-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Differential absoption lidar apparatus |
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