JPH01306908A - 磁気パルス圧縮回路 - Google Patents
磁気パルス圧縮回路Info
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- JPH01306908A JPH01306908A JP13751388A JP13751388A JPH01306908A JP H01306908 A JPH01306908 A JP H01306908A JP 13751388 A JP13751388 A JP 13751388A JP 13751388 A JP13751388 A JP 13751388A JP H01306908 A JPH01306908 A JP H01306908A
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- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、エキシマレーザ、 ＣＯ，、レーザのよう
なガスレーザ等に用いられる磁気パルス圧縮回路に関す
る。
なガスレーザ等に用いられる磁気パルス圧縮回路に関す
る。
第５図は例えば電気学会研究会資料○ＱＤ−８５−１３
（１９８５年３月２０日）に示された、エキシマレーザ
励起電源等に使用される従来の磁気パルス圧縮回路の構
成図である。因において、（１）は所定の電圧■を発生
する電源、（２）は充電抵抗、（３）はパルスを発生さ
せるためのギャップスイッチ、（４）は低電圧パルスを
高電圧パルスに変換するためのパルストランス、（５２
〜（８）はコンテ゛ンサ、（９ン〜０υはコアの磁性材
料として米国アライド化学社の非晶質金属磁性体薄膜Ｍ
ｅｔｇｌａｓ ２６０５ ＳＣ（商品名）を使用した可
飽和リアクトル、＠は負荷として用いた抵抗（負荷抵抗
）である。
（１９８５年３月２０日）に示された、エキシマレーザ
励起電源等に使用される従来の磁気パルス圧縮回路の構
成図である。因において、（１）は所定の電圧■を発生
する電源、（２）は充電抵抗、（３）はパルスを発生さ
せるためのギャップスイッチ、（４）は低電圧パルスを
高電圧パルスに変換するためのパルストランス、（５２
〜（８）はコンテ゛ンサ、（９ン〜０υはコアの磁性材
料として米国アライド化学社の非晶質金属磁性体薄膜Ｍ
ｅｔｇｌａｓ ２６０５ ＳＣ（商品名）を使用した可
飽和リアクトル、＠は負荷として用いた抵抗（負荷抵抗
）である。
次に動作について説明する。第５図及び第６図において
、電源（１）−充電抵抗（２）−コンデンサ（５）−パ
ルストランス（４）のループに充電電流が流れて、コン
デンサ（５）が所定の電圧Ｖに充電される。次いで、ギ
ャップスイッチ（３）をスイッチングすると、コンデン
サ（５）−ギャップスイッチ（３）−パルストランス（
４）のループにパルス電流１１が流れる。その結果、パ
ルストランス（４）−コンデンサ（６）のループにパル
ス電流１□がτ１の時間流れて、コンデンサ（６）に高
電圧パルスｖ２が発生する。高電圧パルスｖ２が波高値
まで立ち上がった時点で可飽和リアクトル（９）がスイ
ッチングを行なうと、コンデンサ（６）−コンデンサ（
７）−可飽和リアクトル（９）のループにパルス電流１
３が流れて、コンデンサ（７）に高電圧パルスｖ３が発
生する。スイッチング後におけるコンデンサ（６）−コ
ンデンサ（７）−可飽和リアクトル（９）のループのイ
ンダクタンスは極めて小さくなるよう設計されているの
で、パルス電流１３の通電時間τ２はパルス電流１２の
通電時間τ１よりも短くなる。即ち、第１段階のパルス
圧縮が行なわれる。高電圧パルスｖ３が波高値に達した
時点で可飽和リアクトル（１０がスイッチングを行なう
と、コンデンサ（７）−コンデンサ（８）−可飽和リア
クトルＨのループにパルス電流ｉ４が流れて、コンデン
サ（８）に高電圧パルスＶ４が発生する。スイッチング
後におけるコンデンサ（７）−コンデンサ（８）−可飽
和リアクトルＱ０のループのインダクタンスは、可飽和
リアクトル（９）のスイッチング後におけるコンデンサ
（６）−コンデンサ（７）−可飽和リアクトル（９）の
ループのインダクタンスよりも小さくなるよう設計され
ているので、パルス電流１４の通電時間τ３はパルス電
流ｉ３の通電時間τ２よりも短くなる。即ち、第２段階
のパルス圧縮が行なわれる。高電圧パルスｖ４が波高値
まで立上がった時点で可飽和リアクトル０υがスイッチ
ングを行なうと、コンデンサ（８ンー負荷抵抗Ｑ−々−
可可飽和リックドル１ηのループにパルス電流ｉＬが流
れる。スイッチング後におけるコンデンサ（８）−負荷
抵抗（２）−可飽和リアクトルθηのループのインダク
タンスは、可飽和リアクトルＱ０のスイッチング後にお
けるコンデンサ（７）−コンデンサ（８ノー可飽和リア
クトルα０のループのインダクタンスよりも十分小さく
なるように設計されているので、パルス電流ｉＬの通電
時間τＬはパルス電流ｉ４の通電時間τ３よりも短くな
る。即ち、第３段階のパルス圧縮が行なわれる。
、電源（１）−充電抵抗（２）−コンデンサ（５）−パ
ルストランス（４）のループに充電電流が流れて、コン
デンサ（５）が所定の電圧Ｖに充電される。次いで、ギ
ャップスイッチ（３）をスイッチングすると、コンデン
サ（５）−ギャップスイッチ（３）−パルストランス（
４）のループにパルス電流１１が流れる。その結果、パ
ルストランス（４）−コンデンサ（６）のループにパル
ス電流１□がτ１の時間流れて、コンデンサ（６）に高
電圧パルスｖ２が発生する。高電圧パルスｖ２が波高値
まで立ち上がった時点で可飽和リアクトル（９）がスイ
ッチングを行なうと、コンデンサ（６）−コンデンサ（
７）−可飽和リアクトル（９）のループにパルス電流１
３が流れて、コンデンサ（７）に高電圧パルスｖ３が発
生する。スイッチング後におけるコンデンサ（６）−コ
ンデンサ（７）−可飽和リアクトル（９）のループのイ
ンダクタンスは極めて小さくなるよう設計されているの
で、パルス電流１３の通電時間τ２はパルス電流１２の
通電時間τ１よりも短くなる。即ち、第１段階のパルス
圧縮が行なわれる。高電圧パルスｖ３が波高値に達した
時点で可飽和リアクトル（１０がスイッチングを行なう
と、コンデンサ（７）−コンデンサ（８）−可飽和リア
クトルＨのループにパルス電流ｉ４が流れて、コンデン
サ（８）に高電圧パルスＶ４が発生する。スイッチング
後におけるコンデンサ（７）−コンデンサ（８）−可飽
和リアクトルＱ０のループのインダクタンスは、可飽和
リアクトル（９）のスイッチング後におけるコンデンサ
（６）−コンデンサ（７）−可飽和リアクトル（９）の
ループのインダクタンスよりも小さくなるよう設計され
ているので、パルス電流１４の通電時間τ３はパルス電
流ｉ３の通電時間τ２よりも短くなる。即ち、第２段階
のパルス圧縮が行なわれる。高電圧パルスｖ４が波高値
まで立上がった時点で可飽和リアクトル０υがスイッチ
ングを行なうと、コンデンサ（８ンー負荷抵抗Ｑ−々−
可可飽和リックドル１ηのループにパルス電流ｉＬが流
れる。スイッチング後におけるコンデンサ（８）−負荷
抵抗（２）−可飽和リアクトルθηのループのインダク
タンスは、可飽和リアクトルＱ０のスイッチング後にお
けるコンデンサ（７）−コンデンサ（８ノー可飽和リア
クトルα０のループのインダクタンスよりも十分小さく
なるように設計されているので、パルス電流ｉＬの通電
時間τＬはパルス電流ｉ４の通電時間τ３よりも短くな
る。即ち、第３段階のパルス圧縮が行なわれる。
以上のように３段階でパルス圧縮が行なわれる。
この場合、可飽和リアクトル（９）αＯａｖのコアの磁
性材料として使用されている米国アライド化学社の非晶
質金属薄膜Ｍｅｔｇｌａｓ ２６０５ ＳＣ（商品名）
の磁束密度の変化量ΔＢは、各可飽和リアクトルとも飽
和磁束密度ＢＳ＝１６．１ＫＧと残留磁束密度Ｂｒ−１
４，２ＫＧ（７）合計値３０．３ＫＧ（飽和磁束密度Ｂ
ｓのは（ｆ２倍）になるように設計されている。
性材料として使用されている米国アライド化学社の非晶
質金属薄膜Ｍｅｔｇｌａｓ ２６０５ ＳＣ（商品名）
の磁束密度の変化量ΔＢは、各可飽和リアクトルとも飽
和磁束密度ＢＳ＝１６．１ＫＧと残留磁束密度Ｂｒ−１
４，２ＫＧ（７）合計値３０．３ＫＧ（飽和磁束密度Ｂ
ｓのは（ｆ２倍）になるように設計されている。
一方、可飽和リアクトル（９） （ＩＱαコ）に印加さ
れる電圧の立上がり周波数は、パルスを順次圧縮して行
くので、可飽和リアクトル（９）が最も低く、次いで、
可飽和リアクトルθ０が低く、可飽和リアクトルαυか
最も高くなる。
れる電圧の立上がり周波数は、パルスを順次圧縮して行
くので、可飽和リアクトル（９）が最も低く、次いで、
可飽和リアクトルθ０が低く、可飽和リアクトルαυか
最も高くなる。
また、上記のような金属磁性体薄膜の磁性材料における
１サイクル当り、単位体積当りの鉄損Ｐは、高周波にお
ける表皮効果を考慮すると、（１）式に示すように磁束
密度の変化量ΔＢの２乗に比例し、周波数ｆの０．５乗
に比例する。
１サイクル当り、単位体積当りの鉄損Ｐは、高周波にお
ける表皮効果を考慮すると、（１）式に示すように磁束
密度の変化量ΔＢの２乗に比例し、周波数ｆの０．５乗
に比例する。
Ｐ■（Δ１３）２・ｆ０°５・・・・・・・・・・・・
・・・（１）従って、従来の複数段の磁気パルス圧縮回
路においては、可飽和リアクトル（９） （１００，１
，１のコアには同じ磁性材料が使用されており、かっ、
磁束密度の変化量ΔＢが同じ値（２Ｂｓ）になるように
設計されているので、可飽和リアクトル（９） （１０
（１，］、ｌのコアに使用されている磁性材料の１サイ
クル当り、単位体積当りの鉄損Ｐは、負荷抵抗（埒に近
い可飽和リアクトル（１υが最も大きく、次いで可飽和
リアクトルａ０が大きく、可飽和リアクトル（９）が最
も小さくなる。
・・・（１）従って、従来の複数段の磁気パルス圧縮回
路においては、可飽和リアクトル（９） （１００，１
，１のコアには同じ磁性材料が使用されており、かっ、
磁束密度の変化量ΔＢが同じ値（２Ｂｓ）になるように
設計されているので、可飽和リアクトル（９） （１０
（１，］、ｌのコアに使用されている磁性材料の１サイ
クル当り、単位体積当りの鉄損Ｐは、負荷抵抗（埒に近
い可飽和リアクトル（１υが最も大きく、次いで可飽和
リアクトルａ０が大きく、可飽和リアクトル（９）が最
も小さくなる。
〔発明が解決しようとする課題Ｊ
従来の磁気パルス圧縮回路は以上のように構成されてい
るので、負荷抵抗に近い出力側の可飽和リアクトルにお
ける磁性材料の１パルス当り、単位体積当りの鉄損か大
きくなるので、長時間にわたる高繰返しのパルス圧縮が
困難であるという問題点があった。
るので、負荷抵抗に近い出力側の可飽和リアクトルにお
ける磁性材料の１パルス当り、単位体積当りの鉄損か大
きくなるので、長時間にわたる高繰返しのパルス圧縮が
困難であるという問題点があった。
この発明は上記のような間勉点を解消するためになされ
たもので、負荷に、近い可飽和リアクトルのコアの鉄損
を低減して、高繰返しで長時間パルス圧縮か可能な磁気
パルス圧縮回路を得ることを目的とする８ 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る磁気パルス圧縮回路は、負荷に近い可飽
和リアクトルのコアの磁束密度の変化量を先にパルス圧
縮を行なう前段の可飽和リアクトルのコアの磁束密度の
変化量より小さくなるようにしたものである。
たもので、負荷に、近い可飽和リアクトルのコアの鉄損
を低減して、高繰返しで長時間パルス圧縮か可能な磁気
パルス圧縮回路を得ることを目的とする８ 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る磁気パルス圧縮回路は、負荷に近い可飽
和リアクトルのコアの磁束密度の変化量を先にパルス圧
縮を行なう前段の可飽和リアクトルのコアの磁束密度の
変化量より小さくなるようにしたものである。
〔作用Ｊ
この発明における磁気パルス圧縮回路は、負荷に近い可
飽和リアクトルのコアの磁束密度の変化量ΔＢが小さく
なるように構成されているので、１パルス当り、単位体
積当りの鉄損Ｐか低減される。
飽和リアクトルのコアの磁束密度の変化量ΔＢが小さく
なるように構成されているので、１パルス当り、単位体
積当りの鉄損Ｐか低減される。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、０．：９はパルスを繰返し発生させるだめ
のサイリスタスイッチ、（ｌΦはコンデンサ、αωはコ
アに磁性材料として米国アライド化学社の非晶質金属磁
性体薄膜Ｍｅｔｇｌａｓ ２６０５ Ｓ −３Ａ （商
品名）を使用した可飽和リアクトル、肋は負荷で、レー
ザ発振器である。
図において、０．：９はパルスを繰返し発生させるだめ
のサイリスタスイッチ、（ｌΦはコンデンサ、αωはコ
アに磁性材料として米国アライド化学社の非晶質金属磁
性体薄膜Ｍｅｔｇｌａｓ ２６０５ Ｓ −３Ａ （商
品名）を使用した可飽和リアクトル、肋は負荷で、レー
ザ発振器である。
次に動作について説明する。第１図及び第２図において
、電源（１）−コンデンサ（５）−パルストランス（４
）のループに充電電流が流れて、コンデンサ（５）が所
定の電圧Ｖに充電される。次いで、サイリスクスイッチ
餞がスイッチングすると、コンデンサ（５）−サイリス
タスイッチα■のループにパルス電流１１が流れる。そ
の結果、パルストランス（４）−コンデンサ（６）のル
ープにパルス電流１□がτ１の時間流れて、コンデンサ
（６）に高電圧パルスＶ２が発生する。
、電源（１）−コンデンサ（５）−パルストランス（４
）のループに充電電流が流れて、コンデンサ（５）が所
定の電圧Ｖに充電される。次いで、サイリスクスイッチ
餞がスイッチングすると、コンデンサ（５）−サイリス
タスイッチα■のループにパルス電流１１が流れる。そ
の結果、パルストランス（４）−コンデンサ（６）のル
ープにパルス電流１□がτ１の時間流れて、コンデンサ
（６）に高電圧パルスＶ２が発生する。
高電圧パルスｖ２が波高値まで立ち上がった時点で、可
飽和リアクトル（９）がスイッチングを行なうと、コン
デンサ（６）−（７）−可飽和リアクトル（９）のルー
プにパルス電流ｉ３がτ２の時間流れで、コンデンサ（
７）に高電圧パルスｖ３が発生する。スイッチング後に
おけるコンデンサ（６）−コンデンサ（７）−可飽和リ
アクトル（９）のループのインダクタンスは極めて小さ
くなるように設計されているので、パルス電流ｉ３の通
電時間τ２はパルス電流１□の通電時間τ１よりも短く
なる。即ち、第１段階のパルス圧縮が行なわれる。Ｑ
ＴＪｌ圧パルスｖ３が波高値に達した時点で可飽和リア
クトルαＱがスイッチングを行なうと、コンデンサ（７
）−コンデンサ（８）−可飽和リアクトルαＱのループ
にパルス電流１４が流れて、コンデンサ（８）に高電圧
パルスｖ４が発生する。スイッチング後におけるコンデ
ンサ（７）−コンデンサ（８）−可飽和リアクドル叫の
ループのインダクタンスは、可飽和リアクトル（９）の
スイッチング後におけるコンデンサ（６）−コンデンサ
（７）−可飽和リアクトル（９）のループのインダクタ
ンスよりも小さくなるように設計されているので、パル
ス電流１４の通電時間τ８はパルス電流１３の通電時間
τ２よりも短くなる。即ち、第２段階のパルス圧縮が行
なわれる。高電圧パルスｖ４が波高値まで立上がった時
点で、可飽和リアクトルｑ（２）がスイッチングを行な
うと、コンデンサ（３）−コンデンサαΦ−旬飽和すア
クドルＱＱのループにパルス電流１５が流れて、コンデ
ンサ（１４）に高電圧パルスｖ５が発生する。スイッチ
ング後におけるコンデンサ（８）−コンデンサ（１４Ｊ
−可飽和リアクトル（ＩＱのループのインダクタンスは
、可飽和リアクトル（ＩＱのスイッチング後におけるコ
ンデンサ（７）−コンデンサ（８）−可飽和リアクトル
ＣＩＱのループのインダクタンスよりも小さくなるよう
設計されているので、パルス電流ｉ５の通電時間τ４は
パルス電流１４の通電時間τ８よりも短くなる。即ち、
第３段階のパルス圧縮が行なわれる。
飽和リアクトル（９）がスイッチングを行なうと、コン
デンサ（６）−（７）−可飽和リアクトル（９）のルー
プにパルス電流ｉ３がτ２の時間流れで、コンデンサ（
７）に高電圧パルスｖ３が発生する。スイッチング後に
おけるコンデンサ（６）−コンデンサ（７）−可飽和リ
アクトル（９）のループのインダクタンスは極めて小さ
くなるように設計されているので、パルス電流ｉ３の通
電時間τ２はパルス電流１□の通電時間τ１よりも短く
なる。即ち、第１段階のパルス圧縮が行なわれる。Ｑ
ＴＪｌ圧パルスｖ３が波高値に達した時点で可飽和リア
クトルαＱがスイッチングを行なうと、コンデンサ（７
）−コンデンサ（８）−可飽和リアクトルαＱのループ
にパルス電流１４が流れて、コンデンサ（８）に高電圧
パルスｖ４が発生する。スイッチング後におけるコンデ
ンサ（７）−コンデンサ（８）−可飽和リアクドル叫の
ループのインダクタンスは、可飽和リアクトル（９）の
スイッチング後におけるコンデンサ（６）−コンデンサ
（７）−可飽和リアクトル（９）のループのインダクタ
ンスよりも小さくなるように設計されているので、パル
ス電流１４の通電時間τ８はパルス電流１３の通電時間
τ２よりも短くなる。即ち、第２段階のパルス圧縮が行
なわれる。高電圧パルスｖ４が波高値まで立上がった時
点で、可飽和リアクトルｑ（２）がスイッチングを行な
うと、コンデンサ（３）−コンデンサαΦ−旬飽和すア
クドルＱＱのループにパルス電流１５が流れて、コンデ
ンサ（１４）に高電圧パルスｖ５が発生する。スイッチ
ング後におけるコンデンサ（８）−コンデンサ（１４Ｊ
−可飽和リアクトル（ＩＱのループのインダクタンスは
、可飽和リアクトル（ＩＱのスイッチング後におけるコ
ンデンサ（７）−コンデンサ（８）−可飽和リアクトル
ＣＩＱのループのインダクタンスよりも小さくなるよう
設計されているので、パルス電流ｉ５の通電時間τ４は
パルス電流１４の通電時間τ８よりも短くなる。即ち、
第３段階のパルス圧縮が行なわれる。
以上のように３段階でパルス圧縮が行なわれて、高電圧
パルスｖ５が負荷であるレーザ発振器ｑ４内に設けられ
た主放電電極間のブレークダウン電圧に達すると、主放
電電極間にグロー放電が生じ、コンデンサα４−レーザ
発振器Ｏ旬のループにパルス電流１６が流れる。その結
果、レーザ発振器（５）からレーザ光が出力される。
パルスｖ５が負荷であるレーザ発振器ｑ４内に設けられ
た主放電電極間のブレークダウン電圧に達すると、主放
電電極間にグロー放電が生じ、コンデンサα４−レーザ
発振器Ｏ旬のループにパルス電流１６が流れる。その結
果、レーザ発振器（５）からレーザ光が出力される。
この場合、可飽和リアクトル（９）頭のコアの磁性材料
として使用されている米国アライド化学社の非晶質金属
薄膜Ｍｅｔｇｌａｓ ２６０５ ＳＣ（商品名）の磁束
密度変化量ΔＢは、各可飽和リアクトルとも飽和磁束密
度Ｂｓ二１６．１ＫＧのほぼ２倍となるように設計され
ている。一方、可飽和リアクトルＱ■のコアの磁性材料
として使用されている米国アライド化学社の非晶質金属
薄膜Ｍｅｔｇｌａｓ ２６０５ Ｓ −３Ａ （商品名
）の磁束密度変化量ΔＢは、残留磁束密度Ｂｒ（≠２．
８ＫＧ）と飽和磁束密度Ｂｓ （≠１４．１ＫＧ ）の
合計値１６．９ＫＧに設計されている。
として使用されている米国アライド化学社の非晶質金属
薄膜Ｍｅｔｇｌａｓ ２６０５ ＳＣ（商品名）の磁束
密度変化量ΔＢは、各可飽和リアクトルとも飽和磁束密
度Ｂｓ二１６．１ＫＧのほぼ２倍となるように設計され
ている。一方、可飽和リアクトルＱ■のコアの磁性材料
として使用されている米国アライド化学社の非晶質金属
薄膜Ｍｅｔｇｌａｓ ２６０５ Ｓ −３Ａ （商品名
）の磁束密度変化量ΔＢは、残留磁束密度Ｂｒ（≠２．
８ＫＧ）と飽和磁束密度Ｂｓ （≠１４．１ＫＧ ）の
合計値１６．９ＫＧに設計されている。
従って、（１）式から明らかなように磁性材料の１パル
ス当り、単位体積当りの鉄損Ｐは磁束密度変化量ΔＢの
２乗に比例するので、可飽和リアクトル０うのコアに用
いられている磁性材料２６０５ Ｓ−３Ａ（商品名）の
１パルス当り、単位体積当りの鉄損Ｐは、第７図に示さ
れた従来例における可飽和リアクトルａｖのコアに用い
られている磁性材料と比べて低減される。その結果、磁
性材料の冷却が容品となるので、高繰返しのパルス圧縮
を長時間にわたって行なうことが可能となる。
ス当り、単位体積当りの鉄損Ｐは磁束密度変化量ΔＢの
２乗に比例するので、可飽和リアクトル０うのコアに用
いられている磁性材料２６０５ Ｓ−３Ａ（商品名）の
１パルス当り、単位体積当りの鉄損Ｐは、第７図に示さ
れた従来例における可飽和リアクトルａｖのコアに用い
られている磁性材料と比べて低減される。その結果、磁
性材料の冷却が容品となるので、高繰返しのパルス圧縮
を長時間にわたって行なうことが可能となる。
第３図は他の実施例を示す構成図である。図（こおいて
、匝〜０呻は各可飽和リアクトル（９）００α椴に設け
たリセット巻線で、直流電流１ｄを流してスイッチング
後のコアの磁化状態をスイッチング前の状態に戻ず。翰
は直流電源、しυは抵抗、（４）はりアクドルである。
、匝〜０呻は各可飽和リアクトル（９）００α椴に設け
たリセット巻線で、直流電流１ｄを流してスイッチング
後のコアの磁化状態をスイッチング前の状態に戻ず。翰
は直流電源、しυは抵抗、（４）はりアクドルである。
上記構成において、各可飽和リアクトル（９） ＣＬす
ＱＱのコアとじて同一特性のものを使用して、可飽和リ
アクトル（１，：ｌのリセット巻線（Ｉりの巻線数ｎ′
を他の可飽和リアクトル（９）（１０のリセット巻線（
Ｉ７） （１％ｌの巻線数ｎよりも減らしても良い。こ
の場合、第４図に示すように可飽和リアクトルｔ、１５
）のコアの磁化状態をスイッチング前の状態に戻す磁界
ｆ（’ｎの大きさか可飽和リアクトル（９）００のコア
の磁化状態をスイッチング前の状態に戻す磁界ＨＲの大
きさよりも小さくなる。したがって、９］飽和リアクト
ルＱ１のコアの磁束密度変化量ΔＢ′か他のｉＪ飽和リ
アクトル（９）Ｃ０のコアの磁束密度変化量ΔＢよりも
小さくなるからである。
ＱＱのコアとじて同一特性のものを使用して、可飽和リ
アクトル（１，：ｌのリセット巻線（Ｉりの巻線数ｎ′
を他の可飽和リアクトル（９）（１０のリセット巻線（
Ｉ７） （１％ｌの巻線数ｎよりも減らしても良い。こ
の場合、第４図に示すように可飽和リアクトルｔ、１５
）のコアの磁化状態をスイッチング前の状態に戻す磁界
ｆ（’ｎの大きさか可飽和リアクトル（９）００のコア
の磁化状態をスイッチング前の状態に戻す磁界ＨＲの大
きさよりも小さくなる。したがって、９］飽和リアクト
ルＱ１のコアの磁束密度変化量ΔＢ′か他のｉＪ飽和リ
アクトル（９）Ｃ０のコアの磁束密度変化量ΔＢよりも
小さくなるからである。
また、磁界ＨＲは磁路長ｌとして（２）式で示されるの
で、リセット巻線０９）の直流電流・ ｎ’−Ｉｄ
・・・・・（２）〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、負荷に近い可飽和リ
アクトルのコアの磁束密度変化量ΔＢを低減したので、
１パルス当り、単位体積当りの鉄損か低減される。
で、リセット巻線０９）の直流電流・ ｎ’−Ｉｄ
・・・・・（２）〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、負荷に近い可飽和リ
アクトルのコアの磁束密度変化量ΔＢを低減したので、
１パルス当り、単位体積当りの鉄損か低減される。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図、第２図は第
１図におけるパルス圧縮の状態を示す説明図、第３図は
この発明の他の実施例を示す構成図、第４図は第３図に
おける可飽和リアクトルのコアの磁界の状態を示す説明
図、第５図は従来の磁気パルス圧縮回路を示す構成図、
第６因は第５図におけるパルス圧縮の状態を示す説明図
である。 図において、（６）〜（８）、０勺はコンデンサ、（９
） Ｃ１Ｏ（ｌ旬は可飽和リアクトル、Ｑη〜０りはリ
セット巻線である。 なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 特許出願人 工業技術院長飯塚幸三 １、 事件の表示 特願昭６３−１３７５１３号２．
発明の名称 磁気パルス圧縮回路３、 補正をする
者 氏名 工業技術院 研究関発宮室 電話０３（＋５０１） １５１１内線４６１１〜２４、
補正の対象 （１）明細書の発明の詳細な説明の欄。 （２）図 面 ５、補正の内容 （１）明細書第１３頁第１行のｒ Ｉｒｌ Ｉｄ Ｊを
ｒＩｒｌＪと訂正する。 （２）図面第１図及び第３図を別紙の通り訂正する。 ６、添付書類の目録 （１）第１図及び第３図訂正図面 各１通以
上
１図におけるパルス圧縮の状態を示す説明図、第３図は
この発明の他の実施例を示す構成図、第４図は第３図に
おける可飽和リアクトルのコアの磁界の状態を示す説明
図、第５図は従来の磁気パルス圧縮回路を示す構成図、
第６因は第５図におけるパルス圧縮の状態を示す説明図
である。 図において、（６）〜（８）、０勺はコンデンサ、（９
） Ｃ１Ｏ（ｌ旬は可飽和リアクトル、Ｑη〜０りはリ
セット巻線である。 なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 特許出願人 工業技術院長飯塚幸三 １、 事件の表示 特願昭６３−１３７５１３号２．
発明の名称 磁気パルス圧縮回路３、 補正をする
者 氏名 工業技術院 研究関発宮室 電話０３（＋５０１） １５１１内線４６１１〜２４、
補正の対象 （１）明細書の発明の詳細な説明の欄。 （２）図 面 ５、補正の内容 （１）明細書第１３頁第１行のｒ Ｉｒｌ Ｉｄ Ｊを
ｒＩｒｌＪと訂正する。 （２）図面第１図及び第３図を別紙の通り訂正する。 ６、添付書類の目録 （１）第１図及び第３図訂正図面 各１通以
上
Claims (2)
- （１）可飽和リアクトルとコンデンサからなる回路を複
数段接続してパルス圧縮を行うものにおいて、少なくと
も最終段の上記可飽和リアクトルのコアのパルス圧縮に
おける磁束密度の変化量が先にパルス圧縮を行う前段の
上記可飽和リアクトルのコアの磁束密度の変化量より小
さくなるように構成されていることを特徴とする磁気パ
ルス圧縮回路。 - （２）可飽和リアクトルとコンデンサとからなる回路を
複数段接続してパルス圧縮を行うものにおいて、少なく
とも最終段の上記可飽和リアクトルのパルス圧縮におけ
る磁束密度の変化量を、先にパルス圧縮を行う前段の上
記可飽和リアクトルのコアの磁束密度の変化量より小さ
くし、上記各可飽和リアクトルのパルス圧縮における磁
束と逆向きの磁束を発生させるリセット巻線を上記各可
飽和リアクトルに備えたことを特徴とする磁気パルス圧
縮回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63137513A JP2560215B2 (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 磁気パルス圧縮回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63137513A JP2560215B2 (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 磁気パルス圧縮回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01306908A true JPH01306908A (ja) | 1989-12-11 |
| JP2560215B2 JP2560215B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=15200425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63137513A Expired - Lifetime JP2560215B2 (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 磁気パルス圧縮回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560215B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6248274A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-03-02 | Nec Corp | パルス圧縮回路 |
| JPS62134269U (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-24 |
-
1988
- 1988-06-06 JP JP63137513A patent/JP2560215B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6248274A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-03-02 | Nec Corp | パルス圧縮回路 |
| JPS62134269U (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2560215B2 (ja) | 1996-12-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |