JPH01305373A - 半導体素子の試験装置 - Google Patents

半導体素子の試験装置

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JPH01305373A
JPH01305373A JP63136895A JP13689588A JPH01305373A JP H01305373 A JPH01305373 A JP H01305373A JP 63136895 A JP63136895 A JP 63136895A JP 13689588 A JP13689588 A JP 13689588A JP H01305373 A JPH01305373 A JP H01305373A
Authority
JP
Japan
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semiconductor element
test
liquid medium
tank
testing
Prior art date
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Pending
Application number
JP63136895A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Yoneyama
米山 孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nihon Inter Electronics Corp
Original Assignee
Nihon Inter Electronics Corp
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Publication date
Application filed by Nihon Inter Electronics Corp filed Critical Nihon Inter Electronics Corp
Priority to JP63136895A priority Critical patent/JPH01305373A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は半導体素子、特に電力用半導体素子の特性劣
化を調べる半導体素子の試験装置に関するものである。
[従来の技術] 電力用半導体素子、たとえばダイオードの特性劣化を調
べる寿命試験として当該素子を恒温(当該素子内のPN
接合部温度の上限に設定)に保持したまま、PN接合に
対して定格の逆電圧を長時間印加して当該素子の特性劣
化、主として逆電流の増大の有無を調べる試験項目があ
る。この試験項目を実施するために、例えば第2図のに
示すような試験装置が使用される。
この試験装置は、恒温槽l内の棚2上に放熱ブロックを
介して複数の半導体素子3が配置され、これらの半導体
素子3がリード線により直流電源4と接続される。また
、恒温槽1内は所望の温度に設定できるようにヒータ5
とファン6とが配置されている。
上記複数の半導体素子3は第3図に示すように放熱ブロ
ック7に共通して接続され、この放熱ブロックは直流電
源4の(+)側に接続される。
一方、半導体素子3のアノード側は、それぞれヒユーズ
又はブレーカ8及び抵抗9を介して直流電源4の(−)
側に接続される。
試験方法としては、まず恒温槽1内の温度を半導体素子
3の定格の接合部温度、例えは150℃に昇温してから
半導体素子3に直流電源4により逆電圧を印加する。逆
電圧の印加後、長時間放置しているうちに、半導体素子
3に欠陥があると、逆電流が増加して、この逆電流によ
る逆方向の電力損失が増加する。逆方向の電力損失が増
加すると、接合部温度が上昇し、ますます逆電流が増加
してしまう。そこで、ある所定の電流値を越えた時にヒ
ユーズ又はブレーカ8が切れるために、その半導体素子
3は不良品として判定される。
このようにし・て数百時間放置して不良品が何個発生し
たかによりその半導体素子3の信頼性が評価される。
[発明か解決しようとする課題] 」−記のような試験装置において、大電力用の半導体素
子の試験を行なう場合、当該半導体素子に印加する逆電
圧は3,000〜5,0OOVに達する。この場合に多
数個の半導体素子の試験中にその中の1個か漏れ電流の
増加と逆電力損失の増加を伴う熱暴走を起こした場合、
発熱量が異常に大きくなり恒温槽l内の温度制御が難し
くなる。
かかる場合には半導体素子の発熱に対応して恒温槽1内
の温度を素早く下げなければならず、応答性の優れた温
度制御が必要となるとともに、多数個の半導体素子に数
千ボルトの電圧を印加するので、十分絶縁が図られた構
造の試験装置にしなければならない等の課題があった。
[発明の目的] この発明は、上記のような課題を解消するためになされ
たもので、試験装置の恒温槽内の温度上昇に素早く対応
した温度制御ができ、また、絶縁が確実な構造を備えた
試験装置を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段] この発明に係る半導体素子の試験装置は、被試験品とし
ての半導体素子を収容する試験槽と、この試験槽内に満
たされる液体媒体と、この液体媒体を試験装置の休止中
に回収しておく回収タンクと、上記試験槽と回収タンク
間に設けた液体ポンプと、試験槽内の液体媒体を加熱す
るためのヒータと、半導体素子に試験電圧を印加するた
めの電源とを備えたものである。
[作用コ この発明の半導体素子の試験装置においては、被試験品
としての半導体素子を試験する場合には、回収タンクに
回収されている液体媒体を液体ポンプにより試験槽に汲
み揚げ、所定温度に加熱し、この所定温度に加熱した液
体媒体で満たされた試験槽内には被試験品である半導体
素子が収納され、あらかじめ定めた設定温度になった時
に半導体素子に直流電源から逆方向電圧を印加する。
半導体素子の特性を測定する場合には、所定時間経過後
に試験槽内の液体媒体を回収タンク内に戻した後、試験
槽から被試験品である半導体素子を取出して所定の特性
を測定する。
[実施例コ 以下に、この発明の実施例を第1図に基ついて説明する
第1図(a)は、この発明の試験装置の正面図であり、
第2図(b)は、その側面図である。
この試験装置10は、被試験品としての半導体素子3を
収容する試験槽11と、この試験槽11内に満たされる
液体媒体12と、この液体媒体12を試験装置10の休
止中に回収しておく回収タンク23と、上記試験槽11
と回収タンク23内に設けた液体媒体12を汲み揚げろ
ための液体ポンプ24と、前記試験槽ll内の液体媒体
12を加熱するためのヒータ25と、前記半導体素子3
に試験電圧を印加するための直流型R4とから概略構成
されている。
上記の試験槽11内には、半導体素子3と接続され、高
電圧を印加するための高電圧用端子16をイ藤えている
。さらに、この試験槽11因に満たされる液体媒体12
を撹峠するために、第1図(b)に点線で示したように
攪神機17を備えている。
試験槽11内の液体媒体12の温度が設定温度以上にな
ったとき、その液体媒体12を冷却するために冷却ファ
ン1日、及びこの冷却ファン18からの冷却風が送風さ
れる風洞19とを有し、さらに、この風洞19の一端に
は、排気用ダクト19aを有する。
また、液体媒体12の回収タンク23と前記試験槽11
とは、中間に液体ポンプ24を介在させた配管20によ
って接続されるとともに、前記試験槽11の液体媒体1
2を回収するための経路として配管22を有し、この配
管22の中間には回収弁21を備えている。
上記の試験槽11の上方には、加熱された液体媒体12
の液面から蒸発した蒸気を冷却して液体に戻し、その後
、試験槽11に回収するための冷却器13か設けられ、
この冷却器13を冷却するための冷凍機15が上記試験
槽15の下部に設けられている。
試験槽11は、その正面に被試験品である半導体素子3
を出入するための密閉構造を有する開閉扉14を備え、
この開閉扉14のほぼ中央部に試験槽11の内部を観測
するための観測窓14aが設けられている。
さらに、試験装置10の前面には制御盤26を有し、こ
の制御盤26に、温度調節計27、温度調節器28を備
えたスイッチパネル29及び漏電ブレーカ30等を有し
ている。
また、上記の試験槽11内に満たされる液体媒体12は
、熱移送媒体としての液体であり、特に絶縁特性に優れ
、しかも粘性が低く、被試験品としての半導体素子に付
着しにくいものであることが必要であり、この用途に特
に適する液体媒体としてイタリアのモンテジソン社製、
商品名rカルデン」がある。
次に、上記のように構成の試験装置10の運転方法につ
いて説明する。
まず、試験装置10の運転休止中には、試験槽11内の
液体媒体12は、すべて回収タンク23内に回収されて
いる。
そこで、試験槽11の開閉扉14を開き、試験すべき半
導体素子3を第3図に示したように、その方ソード側を
共通に取付た放熱ブロック7ごと試験槽11内に収納し
、半導体素子3のアノード側は、それぞれ高電圧端子1
6に接続する。なお、第3図に示したヒユーズ又はブレ
ーカ8及び抵抗9は直流電源4内に内蔵されている。ま
た、半導体素子3の直近には図示を省略した温度測定用
のサーモカップルが配置されている。
以上の準備が完了した後、試験槽11の開閉扉14を閉
める。
次に、回収タンク23内の液体媒体12を液体ポンプ2
4によって試験槽11へ汲み揚げるが、回収タンク23
内の液体媒体12は、その流動性を良くするために、約
25℃に予備加熱されている。そして、試験槽11の液
体媒体12が所定量になった後、ヒータ25のスイッチ
をオンさせ、あらかしめ設定した半導体素子3の接合部
温度、例えば150°Cまで液体媒体12が加熱される
次に半導体素子3に所定の電圧を印加する。かかる状態
で長時間、例えば数百時間ないし1千時間程度放置する
また、半導体素子3からの発熱かあり、液体媒体12が
所定温度以上になった時は、冷却ファン18が自動的に
運転を開始し、冷却風が風洞19内を流れ、その結果、
試験槽11の下部が冷却され液体媒体12の温度を下げ
る。一方、液体媒体12の温度が下がりすぎた場合には
、ヒータ25のスイッチが自動的に入り、液体媒体12
を加熱することにより一定温度に素早く制御される。
上記のようにして所定時間を経過した後、あるいは所定
時間を経過していないが経過時間の中間において、その
特性を試験する場合には、上記の試験装置の運転を停止
する。この場合の停止方法は、まず、攪秤機17、ヒー
タ25の電源をオフする。このときは未だ冷凍機15は
運転を続行している。
次に、液体媒体回収弁21を開いて試験槽11の加熱さ
れた液体媒体12をすべて回収タンク23に回収する。
半導体素子3の温度が設定温度、たとえば30℃に達し
たら、印加電圧をオフさせ、また、冷凍Ja15の電源
もオフさせる。次に、放熱ブロック7とともに、被試験
品である半導体素子3を開閉扉14を開けて取りだし、
所定の特性を試験する。
この場合、本試験装置lOに使用する液体媒体12は、
「カルデン」のような粘性の低いものを使用するため、
半導体素子3の表面に不必要に付着せず、特性試験に支
障がなく、また半導体素子3の取扱いも容易となる。
[発明の効果コ この発明の試験装置は上記のように構成したので、概路
次のような優れた効果がある。
(1)半導体素子の逆電圧印加による急激な温度上昇に
対しても比熱の小さい液体媒体内に投入しであるため、
熱暴走を起こさず、また、従来の空気中における試験よ
りも素早い温度制御が可能であり、設定温度を一定に保
つことが容易となる。
(2)試験槽内への絶縁性の液体媒体の介在により絶縁
が完全に図られるため、半導体素子に高電圧を印加する
とか可能となり、そのため大電力用半導体素子の試験も
容易に実施することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の試験装置を示し、同図(a)は、
その正面図、同図(b)は、その側面図、第2図は、従
来の試験装置の概略構造を示す断面図、第3図は、半導
体素子の試験回路図である。 3・・・半導体素子 7・・・放熱ブロック10・・・
試験装置 11・・・試験槽12・・・液体媒体 13
・・・冷却器14・・・開閉扉  15・・・冷凍機1
6・・・高電圧用端子 17・・・攪杆機18・・・冷
却ファン  19・・・風洞21・・・液体媒体回収弁 20.22・・・配管 23・・・回収タンク24・・
・を夜体ボンフ゛ 25・・・ヒータ26・・・制御盤

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子を恒温に保持して電圧を印加して特性劣化を
    調べる半導体素子の試験装置において、被試験品として
    の半導体素子を収容する試験槽と、この試験槽内に満た
    される液体媒体と、この液体媒体を試験装置の休止中に
    回収しておく回収タンクと、上記試験槽と回収タンク間
    に設けた液体媒体を汲み揚げるための液体ポンプと、前
    記試験槽内の液体媒体を加熱するためのヒータと、前記
    半導体素子に試験電圧を印加するための電源とを備えた
    ことを特徴とする半導体素子の試験装置。
JP63136895A 1988-06-03 1988-06-03 半導体素子の試験装置 Pending JPH01305373A (ja)

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JP63136895A JPH01305373A (ja) 1988-06-03 1988-06-03 半導体素子の試験装置

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JP63136895A JPH01305373A (ja) 1988-06-03 1988-06-03 半導体素子の試験装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003510763A (ja) * 1999-09-22 2003-03-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機エレクトロルミネセント装置

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JPS6247563A (ja) * 1985-08-27 1987-03-02 Nec Corp 半導体装置の試験装置
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