JPS6247563A - 半導体装置の試験装置 - Google Patents
半導体装置の試験装置Info
- Publication number
- JPS6247563A JPS6247563A JP18760185A JP18760185A JPS6247563A JP S6247563 A JPS6247563 A JP S6247563A JP 18760185 A JP18760185 A JP 18760185A JP 18760185 A JP18760185 A JP 18760185A JP S6247563 A JPS6247563 A JP S6247563A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- semiconductor device
- measurement
- test
- measuring
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体試験装置に関し、特に供試半導体装置の
試験環境と測定環境の制御を行う装置に関する。
試験環境と測定環境の制御を行う装置に関する。
従来の半導体試験装置、ＰＣＢＴ装置を例にとると、第
２図に示すように温度、圧力、湿度（相対湿度）を制御
し、これにバイアス回路を有した試験ボードに供試半導
体装置を接続して任意の試験時間後、旗漕／−１−牙私
此望←ハ涛好車漕ル飲皿九巧ハ山１イ測定する方法であ
った。図において、１０は給排水槽、１１はバイアス回
路を含む供試半導体装置、１２は温度、圧力センサ、１
３は給排気弁である。また１４はヒーター、１５は電源
配線である。
２図に示すように温度、圧力、湿度（相対湿度）を制御
し、これにバイアス回路を有した試験ボードに供試半導
体装置を接続して任意の試験時間後、旗漕／−１−牙私
此望←ハ涛好車漕ル飲皿九巧ハ山１イ測定する方法であ
った。図において、１０は給排水槽、１１はバイアス回
路を含む供試半導体装置、１２は温度、圧力センサ、１
３は給排気弁である。また１４はヒーター、１５は電源
配線である。
前述した従来の半導体試験装置は試験環境を制御するの
みであるので、試験終了から測定迄の時間が一定でなく
、試験装置から出した時に露付きもしくは水滴が生じる
等の欠点がある。
みであるので、試験終了から測定迄の時間が一定でなく
、試験装置から出した時に露付きもしくは水滴が生じる
等の欠点がある。
本発明は前記問題点を解消した装置を提供するものであ
る。
る。
本発明は供試半導体装置が単体で実装される個別装置と
、供試半導体装置に接続されるバイアス回路及び測定回
路と、該バイアス回路及び測定回路を試験環境と共に制
御する制御部とを有することを特徴とする半導体装置の
試験装置である。
、供試半導体装置に接続されるバイアス回路及び測定回
路と、該バイアス回路及び測定回路を試験環境と共に制
御する制御部とを有することを特徴とする半導体装置の
試験装置である。
以下、本発明の一実施例について図面に基づいで宜５
ＦＥＢ＋六−竿１Ｍ乙十士発叩箇宙治必１１の嬬虚口で
ある。図において、１は給排水槽で、試験開始時に給水
し、試験中に一定水位より低下した場合にも給水し７、
また試験終了時には排水する。２は供試半導体装置であ
り、試験中はバイアス回路３によって・ぐイアスを印加
し、又、測定時には回路切り換え部４により測定回路５
に接続し、測定する。
ＦＥＢ＋六−竿１Ｍ乙十士発叩箇宙治必１１の嬬虚口で
ある。図において、１は給排水槽で、試験開始時に給水
し、試験中に一定水位より低下した場合にも給水し７、
また試験終了時には排水する。２は供試半導体装置であ
り、試験中はバイアス回路３によって・ぐイアスを印加
し、又、測定時には回路切り換え部４により測定回路５
に接続し、測定する。
６は温度、圧力センサであり、７は給排気弁、８はヒー
ターで、温度、圧力センサ６の情報を基に制御される。
ターで、温度、圧力センサ６の情報を基に制御される。
９はマイクロコンピュータからなる制御部であり、制御
部９はこれらを集中制御する。
部９はこれらを集中制御する。
したがって、本発明の半導体試験装置は温度、圧力、湿
度（相対湿度）、給排水、給排気、バイアス回路３及び
測定回路５への供試半導体装置の接続等を集中制御する
ことにより、試験終了から測定迄の時間、測定環境等を
画一化する。
度（相対湿度）、給排水、給排気、バイアス回路３及び
測定回路５への供試半導体装置の接続等を集中制御する
ことにより、試験終了から測定迄の時間、測定環境等を
画一化する。
以上説明したように本発明は半導体試験装置の内部で測
定を行うため、露付き等を防止できる。
定を行うため、露付き等を防止できる。
又、試験装置をマイクロコンピュータ等で集中制御する
ことにより試験終了から測定迄の時間を画一化でき、さ
らに試験装置内部で測定することにより、測定環境を制
御することも可能で、高温及び低温での測定を行うこと
ができる効果を有するものである。
ことにより試験終了から測定迄の時間を画一化でき、さ
らに試験装置内部で測定することにより、測定環境を制
御することも可能で、高温及び低温での測定を行うこと
ができる効果を有するものである。
第１図は本発明の実施例を示す半導体試験装置の構成図
、第２図は従来の半導体装置を示す構成図である。 １・・・給排水槽、２・・・供試半導体装置、３・・・
７４４７７回路、４・・・回路切り換え部、５・・・測
定回路、６・・・温度圧力センサ、７・・・給排気弁、
８・・・ヒーター、９・・・制御部。 第１図
、第２図は従来の半導体装置を示す構成図である。 １・・・給排水槽、２・・・供試半導体装置、３・・・
７４４７７回路、４・・・回路切り換え部、５・・・測
定回路、６・・・温度圧力センサ、７・・・給排気弁、
８・・・ヒーター、９・・・制御部。 第１図
Claims (1)
- （１）供試半導体装置が単体で実装される個別装置と、
供試半導体装置に接続されるバイアス回路及び測定回路
と、該バイアス回路及び測定回路を試験環境と共に制御
する制御部とを有することを特徴とする半導体装置の試
験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18760185A JPS6247563A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 半導体装置の試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18760185A JPS6247563A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 半導体装置の試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247563A true JPS6247563A (ja) | 1987-03-02 |
Family
ID=16208966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18760185A Pending JPS6247563A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 半導体装置の試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6247563A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01305373A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-08 | Nippon Inter Electronics Corp | 半導体素子の試験装置 |
-
1985
- 1985-08-27 JP JP18760185A patent/JPS6247563A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01305373A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-08 | Nippon Inter Electronics Corp | 半導体素子の試験装置 |
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