JPH0130430B2 - - Google Patents

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JPH0130430B2
JPH0130430B2 JP56173854A JP17385481A JPH0130430B2 JP H0130430 B2 JPH0130430 B2 JP H0130430B2 JP 56173854 A JP56173854 A JP 56173854A JP 17385481 A JP17385481 A JP 17385481A JP H0130430 B2 JPH0130430 B2 JP H0130430B2
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device under
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JP56173854A
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JPS5875074A (ja
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Hitoshi Noguchi
Tomoyuki Akyama
Hideo Akama
Hideo Oogawara
Hisao Yoshino
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Yokogawa Hewlett Packard Ltd
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Publication date
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Priority to US06/435,437 priority patent/US4481464A/en
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Publication of JPH0130430B2 publication Critical patent/JPH0130430B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/26Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はダイオード等の半導体の容量を測定す
る装置に関し、特に半導体にパルス信号を印加し
た場合に生ずる時間的に変化する容量を測定(C
−t測定およびまたはG−t測定)する装置に関
する。
かかる装置は半導体内部のキヤリアの寿命、ト
ラツプ準位等を知ることにより半導体の特性を知
るために使用しうる。即ちC−t測定を行うこと
によりこれらパラメータを求めることができる。
従来C−t測定装置は知られているが、時間的
に変化する容量を正確に測定することはできなか
つた。即ち後述するようにフイルタを用いている
ために時間遅れが発生し、容量の変化発生時点よ
りある選択した時間経過後の容量値を正確に測定
することはできなかつた。また容量値に比例した
電流を電圧に変換する回路の精度が悪く、これが
測定誤差要因の一つとなつていた。また容量値に
対応するアナログ電圧をデジタル値に変換するア
ナログ・デジタル(A/D)変換器は測定信号レ
ベルの影響を受けるため、測定レベルの変動が誤
差要因の一つとなつていた。
したがつて本発明の主たる目的は、フイルタを
用いることなく、容量変化発生時点より選択した
時間経過後の容量値を正確に測定しうる装置を提
供することである。
本発明の他の目的は容量値を表わす電流を正確
に電圧に変換し、誤差の小さい容量測定をなしう
る装置を提供することである。
本発明のさらに他の目的は測定信号の大きさに
は影響されないで正確に容量値を測定しうる装置
を提供することである。
本発明のさらに他の目的はサンプリング積分形
ベクトル電圧比測定回路を用いることにより、よ
り正確に容量値を測定しうる装置を提供すること
である。
本発明の一実施例によれば、本発明は正弦波測
定信号にパルス信号を加算して、加算信号を被測
定素子に印加する入力部と、サンプリング積分形
変調増幅器を含み、該加算信号により被測定素子
に流れた電流を正確に電圧に変換する電流−電圧
変換回路と、前記変換回路の出力信号と前記測定
信号とを選択的に導入し、位相検波を行ない交流
信号を直流信号に変換する交流−直流変換回路
と、変換されたアナログ信号をデジタル信号に変
換すると共に前記2個の信号のベクトル電圧比を
測定する積分形ベクトル電圧比測定回路とより構
成される。
本発明の他の実施例によれば、前述した積分形
ベクトル電圧比測定回路の代わりにサンプリング
積分形ベクトル電圧比測定回路が使用され、より
高精度の測定が行なわれる。以下図面を用いて本
発明を詳細に説明する。
第1図は従来の容量測定装置のブロツク図であ
り、被測定素子に測定信号とパルス信号とを印加
し、被測定素子の容量変化発生時点よりある選択
した時間経過後の容量値を測定する装置である。
図において、従来装置は入力部Aと、電流−電
圧変換回路Bと、交流−直流変換回路Cと、A/
D変換部Dとにより構成される。入力部Aは、測
定信号源1よりの正弦波測定信号Viとパルス発生
器3よりのパルス信号VPとを加算器5により加
算し、被測定素子8,ZXが接続される一方の端
子7に加算信号を印加する。電流−電圧変換回路
Bは一方の入力端子が被測定素子8の他方の端子
に接続され、入出力端子間に帰還抵抗器11,
R11が接続された高利得高入力インピーダンスを
もつ演算増幅器13により構成される。スイツチ
15は増幅器13の一方の入力端子と接地端子間
に接続され、パルス信号の印加期間中閉結されて
パルス電流をバイパスさせる。よつて被測定素子
8のアドミタンスにほぼ比例した電圧(VC
YX・Vi=(ωC+G)Vi)が、増幅器13の出力
端に発生する。交流−直流変換回路Cは、増幅器
13の出力信号をスイツチ17を介して受信する
第1入力端子と、移相器21の出力信号を受信す
る第2入力端子とを有する位相検波器19と、位
相検波器19の出力信号を平滑すると共にノイズ
を除去するためのフイルタ23より構成される。
スイツチ17はパルス印加期間中は開放される。
なおスイツチ17は必ずしも必要ではない。移相
器21は測定信号源1の出力信号を受信し、同相
のまたは90゜移相した信号を発生する。またフイ
ルタ23の時定数が被測定現象(過渡現象容量変
化)の速度に応じて変えられる。よつてフイルタ
23の出力端25には被測定素子8の容量値また
は損失分を表わす直流信号が発生する。A/D変
換部Dは端子25における信号を選択的にサンプ
ルするスイツチ27とA/D変換回路29とによ
り構成される。スイツチ27はパルス信号印加に
よる容量変化発生時点よりある選択した時間経過
後に、ある期間中閉結され端子25における信号
をサンプルする。
A/D変換器29はサンプルされた直流電圧を
デジタル値に変換すると共に容量値Cを計算す
る。
制御回路28は、パルス発生器3のパルス発生
動作、スイツチ15,17,27の開放閉結動
作、移相器21の移相動作、フイルタ23の時定
数の選択等を制御する。
上記のように構成された従来装置は以下のよう
に動作する。第2図は第1図に示した装置の動作
説明図である。図において、aはパルス発生器3
の出力信号VPであり、これを被測定素子8(例
えばダイオード)に印加すると、その容量値Cは
bに示すように定常値COを基準にして指数関数
的に変化する。スイツチ15はcのようにパルス
印加期間中のみ閉結されてパルスによる変化電流
をバイパスさせ、一方スイツチ17はパルス終了
後に閉結され、例えばCがCOに戻る期間中閉結
される。よつてパルス終了後には測定信号Viのみ
が被測定素子8に印加され、増幅器13の出力端
には被測定素子8のアドミタンスにほぼ比例した
電圧VCが発生する。被測定素子8の容量値を測
定する場合には移相器21は入力信号を90゜移相
する。よつて位相検波器19の出力には容量値に
比例した大きさをもつeのような信号が発生す
る。そしてフイルタ23の出力端25にはfの実
線で示す電圧、即ちフイルタの時定数により遅延
された信号が発生する。時定数はbで示した容量
値の時間的特性に応じて変化されるけれども、こ
の遅延は除去することができない。スイツチ27
はパルス終了時刻tOより時間tdだけ遅れた時刻tD
(tdは制御回路28により所望の値に選択設定が
可能である。)を中心として一定期間ti〓だけ閉結
され、出力アナログ信号VOがサンプルされる。
サンプル値はホールドされA/D変換器29によ
りデジタル信号に変換されると共に演算処理され
て容量値、損失等が検出表示される。
しかしながら上述した装置は以下のような欠点
を有する。(1)、電流−電圧変換回路Bは基本的に
演算増幅器のみによつて構成されているので、測
定信号源1の周波数が高周波(例えば1MHz)に
なると、演算増幅器単独では高い変換確度を維持
するのに必要な高利得が実現できず、被測定素子
8に流れる電流値と帰還抵抗器11に流れる電流
値とは完全に等しくならず、そのため測定誤差を
発生する。(2)、フイルタ23を用いているため第
2図fのように時間遅れが発生し、△Vの誤差が
発生し、時刻tDにおける正確な値を測定できな
い。(3)、被測定素子の時間的特性に応じてフイル
タ23の時定数を変化させねばならない。(4)、
A/D変換部Dはフイルタ23の出力アナログ信
号のみを検出しているので、測定信号Viが変動す
ると測定誤差が発生する。
第3図は本発明の一実施例による容量あるいは
他のパラメータの測定装置のブロツク図である。
第1図の装置と同一部分には同一符号を付して示
した。本装置は、入力部Aと、サンプリング積分
形変調増幅器Hを含む電流−電圧変換回路Eと、
被測定信号VTと基準信号VRとを選択的に導入し、
VTおよびVRを選択的に位相検波する交流−直流
変換回路Gを含み、VTとVRのベクトル電圧比を
求める積分形(デユアル・スロープ)ベクトル電
圧比測定回路Fとにより構成される。
入力部Aは第1図のものと同一であり、被測定
素子8の正弦波信号(基準信号)VR(1MHz)と
パルス信号VPとの加算信号を供給する。電流−
電圧変換回路Eは被測定素子8に流れる電流i1
帰還抵抗器31に流れる電流i2とが完全に等しく
なるように制御する、いわゆるブリツジ回路であ
る。被測定素子8が接続される他方の端子9に生
じた信号は増幅器33、スイツチ39および増幅
器41を介してサンプリング積分形変調増幅器H
に印加される。増幅器33の反転入力端子は端子
9に接続されると共に、スイツチ37を介して接
地端子に接続される。サンプリング積分形変調増
幅器Hは、第1位相検波器43、スイツチ49、
第1積分器53および第1変調器57より成る第
1直列回路と、第2位相検波器45、スイツチ5
1、第2積分器55および第2変調器59より成
る第2直列回路と、増幅器41の出力信号を第
1、第2直列回路に印加する手段と、第1、第2
直列回路の出力信号を加算する加算回路63と、
加算信号を増幅器65および帰還抵抗器31を介
して増幅器33の反転入力端子に印加する手段
と、基準信号VRと同相および90゜移相した信号を
第1、第2位相検波器43,45および第1、第
2変調器57,59に印加する第1、第2移相器
47,61を含む。したがつて、増幅器41の出
力交流信号は第1、第2位相検波器43,45で
直流に交換された後、第1、第2変調器57,5
9で交流に変換され、帰還抵抗器31を介して増
幅器33に帰還される。したがつて、電流−電圧
変換回路Eは交流−直流−交流変換を行うもので
あり極めて高利得を有することになる。交流−直
流変換回路Gは電流−電圧変換回路Eの出力信号
VTと基準信号VRとを選択し、増幅器73を介し
て位相検波器75の一方の入力端子に印加するス
イツチ71と、基準信号VRと同相または90゜(また
は180゜)移相した信号を位相検波器75の他方の
入力端子に印加する移相器77とより構成され
る。交流−直流変換回路Gを含む積分形ベクトル
電圧比測定回路Fは位相検波器75の出力直流信
号を積分する積分回路79と、比較器81と、デ
ジタル論理回路83とを含む。制御回路85は、
パルス発生器3のパルス印加動作、各スイツチの
開閉動作、移相器77の移相動作、論理回路83
の計数動作等を制御する。
次に本発明装置の動作を説明する。第4図は第
3図に示した装置の動作説明図である。被測定素
子8はダイオードと仮定する。パルス信号VP
を印加するとダイオード8の容量値Cは定常値
COよりbのように指数関数的に変化するとする。
スイツチ37cは図示するように少なくともパル
スVPの期間中は閉結され、被測定素子8に流れ
る電流i1を接地端子に流し、電流−電圧変換器E
の動作を不能にする。パルスVPの終了後スイツ
チ37は開放されると共に、パルスVPの終了後、
次のパルスVPまでのある期間中スイツチ39d
が閉結され、電流−電圧変換回路Eが動作する。
このときダイオード8には基準信号VRによる電
流が流れ、この電流の大きさi1はダイオード8の
アドミタンス(jωc+G)に比例する。電流−電
圧変換回路Eは極めて高利得を有するので増幅器
33に流れる誤差電流i3が零になる(平衡状態)
ように、換言すればi1が帰還抵抗器31に流れる
電流i2に等しくなるように制御する。不平衡状態
(i3≠0)において、電流i3は増幅器33により電
圧に変換され、増幅器41により増幅された後、
サンプリング積分形変調増幅器Hに印加される。
第1直列回路は、第1位相検波器43によつて、
誤差信号のうち基準信号VRと同相成分を検出し、
この成分を積分器53によりホールドした後、第
1変調器57により交流信号に変換する。一方第
2直列回路は、第2位相検波器45によつて、誤
差信号のうち基準信号VRと90゜移相信号を検出し、
この成分を積分器55によりホールドした後、第
2変調器59により交流信号に変換する。誤差信
号の大きさを表わす2個の交流信号は加算回路6
3で加算され、増幅器65により増幅された後、
帰還抵抗器31を介して帰還される。スイツチ4
9,51は、e図に示すように、パルスVPの終
了時刻tOより、選択した遅延時間tdだけ遅れた時
刻tDを中心にして一定期間ti〓(例えば2μs)だけ閉
結される。即ち、第1、第2位相検波器43,4
5の出力信号はスイツチ49,51によりサンプ
ルされて第1、第2積分器53,55に印加され
る。そしてスイツチ49,51により信号がサン
プルされた後ある期間経過後次のパルスVPが印
加される。したがつて、増幅器65の出力信号
VTは、f図に示すように複数回のサンプルの後
(例えば1〜2ms後)一定振幅に到達する。こ
の状態が平衡状態である。ここで、電流−電圧変
換回路Eの利得は非常に高いので、誤差電流i3
0となり、i1=i2=(jωC+G)VRとなる。したが
つてVT=i2・R31=i1・R31=(jωC+G)VR・R31
となる。そしてVTは第1図の装置とは異なり、
選択した時刻tDにおける被測定素子のアドミタン
スに比例した電圧で、且つ一定振幅の交流正弦波
信号となる。即ち、容量を測定したい時刻tDは、
従来装置とは異なり、電流−電圧変換回路E中の
スイツチ49,51のサンプル時刻により決定さ
れる。このサンプル期間中に被測定素子に流れる
電流が電圧に変換されて測定される。初期状態に
おいて、スイツチ71はT側に接続され信号VT
を選択し、信号VTが位相検波器75の一方の入
力端子に印加される。位相検波器75の他方の入
力端子には、移相器77により基準信号VRを90゜
移相した信号が印加される。よつて信号VTのう
ち90゜成分VTaが検出され、デユアルスロープ形積
分回路79に印加される。積分回路79は、第5
図に示すように、基準信号VRの周期の整数倍の
一定期間thだけ充電動作を行う。一定期間経過
後、スイツチ71はR側に接続される。そして移
相器77は基準信号Viと同相信号を送出するよう
に制御される。よつて位相検波器79の出力には
信号VRが発生し、放電動作が行なわれる。積分
回路79の出力電圧が零ボルトになつたことが比
較器81により検出され、論理回路83は放電期
間trを計算する。
よつて、VTa・th=ωC・VR・R31・th=VR・tr ωC=1/R31・tr/th よつて、trを求めれば容量値Cを求めることが
できる。そしてVTとTRのベクトル比を求めてい
るから、測定信号VRの大きさは測定値に無関係
となる。Cの値は論理回路83により表示され
る。
なお損失分を測定する場合には、位相検波器7
5の他方の入力端子に信号VRと同相成分を印加
して、位相弁別し、充電動作を行うことは勿論で
ある。
なお、パルス信号VPを印加せず、測定信号Vi
のみを印加して測定する場合には、スイツチ37
を常時開放、スイツチ39,49,51を常時閉
結すればよい。また被測定素子の容量を測定する
場合について説明したが、時間的に変化する他の
パラメータを測定できることは勿論である。
第6図は本発明の他の実施例による容量あるい
は他のパラメータの測定測置のブロツク図であ
る。第3図の装置と同一部分には同一符号を付し
て示した。第6図の装置が第3図の装置と異なる
部分は、第3図の積分形ベクトル電圧比測定回路
Fの代りにサンプリング積分形ベクトル電圧比測
定回路Jを用いたことである。即ち位相検波器7
5と積分回路79との間にスイツチ87が接続さ
れる。
サンプリング積分形ベクトル電圧比測定回路J
を使用する目的は、電流−電圧変換回路Eが平衡
状態に達した後、その出力電圧VTがノイズ、ド
リフト等によつて変動したとしても、それに影響
されず正確な測定を行うためである。
初期状態において、スイツチ71は接点Tに接
続される。スイツチ87は第4図hに示すよう
に、電流−電圧変換回路Eの出力電圧VTがほぼ
一定値になつた後、スイツチ49,51と同期し
てまたはある時間遅れて、ある期間(ti〓、例えば
2μs)閉結され、位相検波器75の出力信号をサ
ンプルする。したがつて積分回路79の充電動作
は第7図に示したように行なわれる。例えば充電
期間におけるサンプル数n、ti〓=2μs、nti〓=10m
sとすると5000回のサンプル(n=5000)が行な
われる。なおnti〓=10msとなるように、ti〓の値
に合わせてnの値が決定される。放電動作はスイ
ツチ87を閉結して第3図と同様に行なわれる。
よつて VTa・nti〓=ωC・VR・R31・nti〓 =VR・trωC=1/R31・tr/nti〓 となり、trを求めることにより被測定素子8の容
量値Cを求めることができる。
上記のように、例えば第4図fの点B,C,…
における電圧がノイズ、ドリフト等で変動したと
しても、信号VTを多数回サンプルして積分する
ので(平均動作)、これらノイズ、ドリフト等の
影響を除去することができる。電流−電圧変換回
路Eが平衡状態に達した後でも、電流−電圧変換
回路Eのノイズ等により点B,C,…における値
(各パルスVPの印加後のスイツチ49,51の閉
結動作に対応した各平衡状態の値)は異なること
があるので、この平均動作によりノイズ等の影響
が除去される。
以上説明したことより明らかなように、本発明
はフイルタを使用していないので、フイルタによ
る遅延時間は発生せず、パルス印加後のある選択
した時刻におけるパラメータを正確に、特にこの
パラメータの変化が時間的に速い過渡現象であつ
ても正確に測定することができる。また被測定素
子に流れる電流の大きさを高精度で電圧に変換で
き、また測定信号の振幅変動には無関係であるの
で高精度の測定を行うことができる。また交流−
直流変換回路の位相検波された出力信号中にノイ
ズやリツプルがあつたとしてもこれらの影響を受
けることはない。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の容量測定装置のブロツク図、第
2図は第1図に示した装置の動作説明図、第3図
は本発明の一実施例による容量あるいは他のパラ
メータの測定装置のブロツク図、第4図は第3図
に示した装置の動作説明図、第5図は第3図に示
したベクトル電圧比測定回路の動作説明図、第6
図は本発明の他の実施例による容量あるいは他の
パラメータの測定装置のブロツク図、第7図は第
6図に示したサンプリング積分形ベクトル電圧比
測定回路の動作説明図である。 1:測定信号源、3:パルス発生器、5:加算
器、8:被測定素子、11:帰還抵抗器、15,
17,27:スイツチ、21:移相器、19:位
相検波器、23:フイルタ、29:A/D変換
器、37,39,49,51,71:スイツチ、
43,45:位相検波器、53,55:積分器、
57,59:変調器、63:加算回路、47,6
1:移相器、73:増幅器、75:位相検波器、
77:移相器、79:積分回路、81:比較器、
83:論理回路、85:制御回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 (イ) 測定信号にパルス信号を所定間隔で繰返
    し加算した加算信号を被測定素子に印加する手
    段と、 (ロ) それぞれ位相検波器、積分器、変調器を含み
    入力交流信号の0゜、90゜成分を交流−直流−交
    流変換する第1、第2変換回路、前記第1、第
    2変換回路の出力信号を加算する加算器、前記
    加算器の出力信号を前記被測定素子に帰還する
    帰還手段、前記各パルス信号の印加終了後の選
    択した時刻に所定期間付勢されるサンプルスイ
    ツチ手段を有するサンプリング積分形変調増幅
    器および前記被測定素子に流れる電流と前記帰
    還手段に流れる電流との差電流を表わす信号を
    前記位相検波器に与える手段とで構成され、前
    記被測定素子に流れる電流と前記帰還手段に流
    れる電流とが等しくなるように制御し、前記サ
    ンプルスイツチ手段の付勢期間中に前記被測定
    素子に流れる電流を電圧に変換する電流−電圧
    変換回路と、 (ハ) スイツチ手段、位相検波器、積分回路を含
    み、前記スイツチ手段により前記電流−電圧変
    換回路の出力信号と前記測定信号とを選択的に
    前記位相検波器に導入しこれら信号を位相検波
    して交流−直流変換を行ない、前記位相検波器
    の出力信号が印加される前記積分回路の充放電
    動作により前記電流−電圧変換回路の出力信号
    と前記測定信号とのベクトル電圧比を求めるベ
    クトル電圧比測定回路とより成り、 前記サンプルスイツチ手段の付勢期間中に前記
    被測定素子に流れる電流の大きさより前記被測定
    素子の容量あるいは他のパラメータを測定する装
    置。 2 (イ) 測定信号にパルス信号を所定間隔で繰返
    し加算した加算信号を被測定素子に印加する手
    段と、 (ロ) それぞれ位相検波器、積分器、変調器を含み
    入力交流信号の0゜、90゜成分を交流−直流−交
    流変換する第1、第2変換回路、前記第1、第
    2変換回路の出力信号を加算する加算器、前記
    加算器の出力信号を前記被測定素子に帰還する
    帰還手段、前記各パルス信号の印加終了後の選
    択した時刻に所定期間付勢される第1サンプル
    スイツチ手段を有するサンプリング積分形変調
    増幅器および前記被測定素子に流れる電流と前
    記帰還手段に流れる電流との差電流を表わす信
    号を前記位相検波器に与える手段とで構成さ
    れ、前記被測定素子に流れる電流と前記帰還手
    段に流れる電流とが等しくなるように制御し、
    前記第1サンプルスイツチ手段の付勢期間中に
    前記被測定素子に流れる電流を電圧に変換する
    電流−電圧変換回路と、 (ハ) スイツチ手段、位相検波器、積分回路、前記
    各パルス信号の印加終了後に所定期間付勢され
    る第2サンプルスイツチ手段を含み、前記スイ
    ツチ手段により前記電流−電圧変換回路の出力
    信号と前記測定信号とを選択的に前記位相検波
    器に導入しこれら信号を位相検波して交流−直
    流変換を行ない、直流変換された前記出力信号
    を前記第2サンプルスイツチ手段により複数回
    サンプルして前記積分回路により充電動作を行
    ない、そして直流変換された前記測定信号によ
    り放電動作を行ない前記電流−電圧変換回路の
    出力信号と前記測定信号とのベクトル電圧比を
    求める積分形ベクトル電圧比測定回路とより成
    り、 前記第1サンプルスイツチ手段の付勢期間中に
    前記被測定素子に流れる電流の大きさより前記被
    測定素子の容量あるいは他のパラメータを測定す
    る装置。
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