JPH0130301B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置の入力接続端子構造の改
良に関するものである。

半導体装置には入力サージ電圧から保護するた
めに、入力保護回路が用いられる。第１図は一般
的なこのような入力保護回路の一例を示す回路図
で、MOSトランジスタ（MOST）Ｑと２つの抵
抗R₁，R₂とからなり、Ｉは入力端子である。

この回路の動作は周知のように、入力端子Ｉに
高いサージ電圧が印加されるとMOSTQがオン状
態となり、サージ電流は接地点（半導体基板）側
へ流され、この入力保護回路につづく半導体回路
はサージ破壊から保護される。通常動作時には入
力電圧はMOSTQのしきい値以下であるから
MOSTQはオフ状態となつている。

第２図は第１図に一点鎖線Ａで囲んだ半導体装
置の入力接続端子部の実際の従来例を示す平面パ
ターン図で、１は接合を形成する半導体領域また
は導電性薄膜からなる外部との接続のための接続
領域、２はその上の絶縁膜（図示省略）に設けら
れたコンタクトホール、３はこのコンタクトホー
ル２を通つて接続領域１に接続された電極導体で
ある。

ところで、従来の装置では第２図に示すように
電極導体３は四角形をなし、その角は直角をなし
ている。従つて、これにサージ電圧が印加される
と、前述の入力保護用のMOSTQがオン状態とな
る前に、電極導体３の角部に生じる電界集中のた
め、この点で絶縁破壊が生じ、入力サージ耐圧が
低下するという欠点があつた。

そこで上記の問題点を解消する半導体装置の入
力接続端子の一例として、第４図及び第５図に示
すものがある。図において、第２図と同一符号は
同一部分を示し、第４図は電極導体３の外周部の
角部を落として角部の内角を鈍角に形成したも
の、また、第５図は電極導体３の一端を半円形に
したものである。

また、第６図は第２図、第４図及び第５図の
−線での断面図である。図において、１は接続
領域、２はコンタクトホール、３は電極導体、４
は半導体基体、５は素子分離絶縁層、６は層間絶
縁膜、７は表面保護膜である。

このような上記両従来例においては、電極導体
の外周形状に生じる角部を落とすようにしたの
で、電極導体の電界集中が小さくなり、入力サー
ジ耐圧が大きくできる。しかしながら、このよう
な構造においては第６図の断面構造に示すように
電極導体３の接続部の端部と半導体基体４の上面
との間には層間絶縁膜６しか存在していないた
め、電極導体３の端部では絶縁破壊が生じやすい
という問題があつた。

この発明は上記のような点に鑑みてなされたも
ので、電界集中を緩和し、サージ破壊耐圧の大き
い半導体装置の入力接続端子を提供することを目
的とする。

本発明に係る半導体装置の入力接続端子は、半
導体基体表面に形成した外部との接続のための接
続領域と、半導体基体の表面部全面に形成した層
間絶縁膜と、入力信号とともに外部サージが載る
可能性のある配線部、及び層間絶縁膜に設けたコ
ンタクトホールを介して上記接続領域に接続する
接続部を一体に形成してなる電極導体とを備え、
電極導体の配線部を介して供給される入力信号を
その接続部を介して半導体基体内に形成した半導
体装置へ入力させる入力接続端子において、電極
導体の接続部を半導体基体表面の接続領域よりも
大きく形成するとともに、その外周形状を印加電
圧による電界集中が小さくなるような形状とした
ものである。

以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。

第３図は本発明の一実施例による半導体装置の
入力接続端子の平面構造を示す図、第７図は第３
図の−線における断面図である。図において
第６図と同一符号は同一部分を示し、この実施例
の入力接続端子は電極導体３の形状を円弧状に
し、かつ電極導体３を接続領域１よりも大きく形
成したものである。

このような実施例においては、電極導体３の接
続部の外周形状を円弧状にするとともに、半導体
基体の表面の接続領域１よりも電極導体３の接続
部の面積を大きく形成したので、電極導体３の周
囲の角部がなくなることによる印加電圧の電界集
中が緩和されるという効果に加えて、電極導体３
の接続部の端部と半導体基体４の上面との間には
第７図に示すように常に層間絶縁膜６と素子分離
絶縁層５の２層が存在するため、絶縁膜が厚くな
り、入力サージ電圧による絶縁破壊を一層防止で
きる。

なお、上記実施例では電極導体３の形状を円弧
状としたが、本発明はこれに限らず、電極導体の
外周形状の角部の内角を鈍角に形成するようにし
てもよく、このような場合においても上記実施例
と同様の効果を奏することができる。

以上のように、この発明による半導体装置の入
力接続端子では、信号とともに外部サージが載る
可能性のある配線部を一体に有する電極導体の接
続部と半導体表面の外部接続のための接続領域と
の接続を層間絶縁膜に設けたコンタクトホールを
介して行なう際に、電極導体の接続部の外周の形
状を円弧状あるいは外周の角部の内角を鈍角にし
た形状とするとともに、電極導体の接続部の面積
を上記接続領域の面積よりも大きくなるように形
成したので、電極導体の接続部の端部における印
加電圧の電界集中が小さくなり、入力サージ電圧
による層間絶縁膜の絶縁破壊を防止でき、サージ
破壊耐圧の大きい半導体装置の入力接続端子を提
供できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は半導体装置の入力保護回路の一例を示
す回路図、第２図は第１図の入力接続端子部の実
際の従来例を示す平面パターンを示す図、第３図
は本発明の一実施例による半導体装置の入力接続
端子の平面パターンを示す図、第４図、第５図は
はともに第１図の入力接続端子部を改良した従来
例の平面パターン図、第６図は第２図、第４図、
及び第５図の−線での断面構造を示す図、第
７図は第３図の−線での断面構造を示す図で
ある。 １は接続領域、２はコンタクトホール、３は電
極導体、４は半導体基体、５は素子分離絶縁膜、
６は層間絶縁膜、７は表面保護膜である。なお図
中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体基体の表面部に形成され上記半導体基
   体の他の部分との間に接合を構成する半導体層ま
   たは上記半導体基体の表面に形成された導電性薄
   膜からなる外部との接続のための接続領域と、 該接続領域の上に形成された層間絶縁膜と、 該層間絶縁膜の上に形成された信号とともに外
   部サージが載る可能性のある配線部と、該層間絶
   縁膜に設けられたコンタクトホールを介して上記
   接続領域に接続された接続部とを一体に有する電
   極導体とを備え、 該電極導体へ供給される入力信号を上記接続領
   域を介して上記半導体基体内に形成されている半
   導体装置へ入力させる入力接続端子において、 上記電極導体の接続部を上記外部接続のための
   接続領域よりも大きくし、かつ該接続部の外周形
   状を印加電圧による電界集中が小さくなるような
   形状としたことを特徴とする半導体装置の入力接
   続端子。 ２ 上記電極導体の接続部の外周形状に生じる角
   部の内角を鈍角になるようにしたことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の入力
   接続端子。 ３ 上記電極導体の接続部の外周形状の少なくと
   も一部を円弧になるようにしたことを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の入力接
   続端子。