JPH01301592A - 不純物添加３−５族化合物単結晶成長用融液の生成方法 - Google Patents
不純物添加３−５族化合物単結晶成長用融液の生成方法Info
- Publication number
- JPH01301592A JPH01301592A JP13369288A JP13369288A JPH01301592A JP H01301592 A JPH01301592 A JP H01301592A JP 13369288 A JP13369288 A JP 13369288A JP 13369288 A JP13369288 A JP 13369288A JP H01301592 A JPH01301592 A JP H01301592A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity
- raw material
- single crystal
- compound
- iii
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 43
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 9
- -1 GaAs compound Chemical class 0.000 abstract description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 244000144987 brood Species 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、不純物添加■−■族化合物単結晶成長のた
めの原料融液の製造方法に関するものである。
めの原料融液の製造方法に関するものである。
従来、ｍ−ｖ族化合物には＊ ＧａＡａ ＊ Ｇａｐ
、 ＩｎＰ。
、 ＩｎＰ。
Ｘｎｋｓ 、 Ｉｎｃｈ 、 Ｇａｒｂなど様々な
組合せの化合物があシ、これら化合物の単結晶は、ＩＣ
用基板１発光ダイオード、レーザダイオード、各種のセ
ンサー基板として用いられており、上記■−ｖ族化合物
単結晶に不純物を添加せしめてｎ型、Ｐ型あるいは半絶
縁性雛結晶が製造されている。
組合せの化合物があシ、これら化合物の単結晶は、ＩＣ
用基板１発光ダイオード、レーザダイオード、各種のセ
ンサー基板として用いられており、上記■−ｖ族化合物
単結晶に不純物を添加せしめてｎ型、Ｐ型あるいは半絶
縁性雛結晶が製造されている。
例えば、ＧａＡａ化合物単結晶の場合、ｎ型では８１゜
Ｐ型ではＺｎ、半絶縁性ではＣｒ等の不純物が添加され
る。
Ｐ型ではＺｎ、半絶縁性ではＣｒ等の不純物が添加され
る。
上記■−Ｖ族化合物単結晶を成長させる丸めの方法とし
て、一般に、ポートゲローン法（以下。
て、一般に、ポートゲローン法（以下。
８Ｇ法という）、液体封止チョクラルスキー法（以下、
ＩＩＣＣ法という）、その他特開昭６０−２５１１９１
号公報、特開昭６０−１’７６９９５号公報記載の改良
されたＬＥＣ法が知られている。
ＩＩＣＣ法という）、その他特開昭６０−２５１１９１
号公報、特開昭６０−１’７６９９５号公報記載の改良
されたＬＥＣ法が知られている。
これらの方法により不純物添加瓜−Ｖ＆化合物単結晶を
成長させる場合には、不純物添加剤として、所定量の不
純物単体あるいはその不純物元素と■族もしくは■族と
の化合物を用いて所定濃度の融液を生成させていた。
成長させる場合には、不純物添加剤として、所定量の不
純物単体あるいはその不純物元素と■族もしくは■族と
の化合物を用いて所定濃度の融液を生成させていた。
第１図は、ＬＥＣ法により■−Ｖ族化合物単結晶５を引
上げている状態を示す断面概略図であるが。
上げている状態を示す断面概略図であるが。
上記ＬＥＣ法により例えばＺｎ添加ＧａＡａ単結晶を成
長させるにＦｉまず、％１図の容６１内の密封容器３内
に設置されたルツボ４内にＧａ Ａ＆＋多結晶原料及び
Ｚｎ単体を装入し、さらにその上に８２０３を装入して
ヒーター２によ）加熱溶融し、ルツボ４内にＺｎ添加Ｇ
ａ Ａｓ融液６とＢ２ｏ３融液８とからなる二層融液を
作成する。この場合、ＧａＡｓの融点は１２３８℃、ｚ
ｎの融点は４１９．５℃、沸点は９０７℃でめり、さら
にＢ２Ｏ３の融点は２９５ｃであるので、ルツボ４内に
装入窟れている原料のうち、まずＢ２Ｏ３が溶融してＺ
ｎ単体及びＧａ Ａｓ多結晶を覆う。その後Ｚｎが溶融
するけれども、ＧａＡε多結晶が溶融する頃には、沸点
：９０７℃のＺｎは相当証蒸発し、所望２１１度のＺｎ
ｆｉ加Ｇａ ｋｇｗ期融液を得ることは雌しかった。
長させるにＦｉまず、％１図の容６１内の密封容器３内
に設置されたルツボ４内にＧａ Ａ＆＋多結晶原料及び
Ｚｎ単体を装入し、さらにその上に８２０３を装入して
ヒーター２によ）加熱溶融し、ルツボ４内にＺｎ添加Ｇ
ａ Ａｓ融液６とＢ２ｏ３融液８とからなる二層融液を
作成する。この場合、ＧａＡｓの融点は１２３８℃、ｚ
ｎの融点は４１９．５℃、沸点は９０７℃でめり、さら
にＢ２Ｏ３の融点は２９５ｃであるので、ルツボ４内に
装入窟れている原料のうち、まずＢ２Ｏ３が溶融してＺ
ｎ単体及びＧａ Ａｓ多結晶を覆う。その後Ｚｎが溶融
するけれども、ＧａＡε多結晶が溶融する頃には、沸点
：９０７℃のＺｎは相当証蒸発し、所望２１１度のＺｎ
ｆｉ加Ｇａ ｋｇｗ期融液を得ることは雌しかった。
さらＫこのＺｎの蒸発により密封容器３内壁及び雰囲気
はＺｎで著しく汚染され、上記容器ｌ内の密封容器３は
ヒーター２によって加熱状態にあるので、−度汚染され
た密封容器３を繰返し使用する場合、ｆＭ封容５３の内
壁から蒸発するＺｎも濃度の制御に影響を及ぼしていた
。かかるＺｎの蒸発による密封容器３内壁及び雰囲気の
汚染は、高濃度Ｚｎ添加ＧａＡａ単結晶の作製にはさし
たる問題はないが。
はＺｎで著しく汚染され、上記容器ｌ内の密封容器３は
ヒーター２によって加熱状態にあるので、−度汚染され
た密封容器３を繰返し使用する場合、ｆＭ封容５３の内
壁から蒸発するＺｎも濃度の制御に影響を及ぼしていた
。かかるＺｎの蒸発による密封容器３内壁及び雰囲気の
汚染は、高濃度Ｚｎ添加ＧａＡａ単結晶の作製にはさし
たる問題はないが。
低濃度Ｚｎ添加ＧａＡａ単結晶の作製は濃度の不安定さ
から容易ではなかった。
から容易ではなかった。
以上＆ＺｎｆＡ加ＧａＡａ単結晶成長用融液生成時にお
ける問題点について述べたが、一般に不純物と化合物単
結晶原料を通常の原料溶解法で溶融すると溶融の際に不
純物の蒸発が起シ、この不純物蒸発が原料融液中の不純
物ａＫの今現性を悪くシ、さらに容器内壁及び雰囲気を
汚染する丸めに、低濃度不純物添加化合物堆結晶を得る
ことが離しいという問題点があった。
ける問題点について述べたが、一般に不純物と化合物単
結晶原料を通常の原料溶解法で溶融すると溶融の際に不
純物の蒸発が起シ、この不純物蒸発が原料融液中の不純
物ａＫの今現性を悪くシ、さらに容器内壁及び雰囲気を
汚染する丸めに、低濃度不純物添加化合物堆結晶を得る
ことが離しいという問題点があった。
そこで１本発明者らは、原料溶解時の不純物蒸発を極力
抑えて密封容器内の内壁及び雰囲気の不純物汚染を防止
し、所望の不純物濃度を有する初期原料融液を得るべく
研究を行った結果。
抑えて密封容器内の内壁及び雰囲気の不純物汚染を防止
し、所望の不純物濃度を有する初期原料融液を得るべく
研究を行った結果。
あらかじめは知濃度の不純物を固溶してｈる■−Ｖ族化
合物固溶体を用意し、この固溶体を不純物添加原料とし
て溶解することによシ、不純物添加■−ｖ族化合物単結
晶成長用融液を生成すると。
合物固溶体を用意し、この固溶体を不純物添加原料とし
て溶解することによシ、不純物添加■−ｖ族化合物単結
晶成長用融液を生成すると。
不純物の揮散が抑えられ、容器の内壁及び雰囲気の汚染
を少なくすることができると同時に所望の不純物濃度を
有する■−ｖ族化合物単結晶成長用融液を再現性よく得
ることができるという知見を得たのである。
を少なくすることができると同時に所望の不純物濃度を
有する■−ｖ族化合物単結晶成長用融液を再現性よく得
ることができるという知見を得たのである。
この発明は、かかる知見に基づいてなされたものであっ
て。
て。
（η 不純物添加■−ｖ族化合物単結晶成長用原料をル
ツボ内で溶解する方法において、あらかじめ既知′ａ＆
の不純物を固溶している■−■族化合物固溶体を用意し
、この化合物固溶体を原料としてルツボ内で溶解する不
純物添加■−ｖ族化合物単結晶成長用融液の生成方法。
ツボ内で溶解する方法において、あらかじめ既知′ａ＆
の不純物を固溶している■−■族化合物固溶体を用意し
、この化合物固溶体を原料としてルツボ内で溶解する不
純物添加■−ｖ族化合物単結晶成長用融液の生成方法。
（２） 蒸気圧制御法において、上記あらかじめ用意
した高濃度の不純物を固溶したｍ−ｖ族化合物を■族原
料とともに加熱昇温し１表面開口部よりＶ族蒸気を取り
入れ合成を行い不純物添加■−ｖ族化合物単結晶成長用
融液を生成する方法。
した高濃度の不純物を固溶したｍ−ｖ族化合物を■族原
料とともに加熱昇温し１表面開口部よりＶ族蒸気を取り
入れ合成を行い不純物添加■−ｖ族化合物単結晶成長用
融液を生成する方法。
に特徴を有するものである。
上５ビ「あらかじめ既知濃度の不純物を固溶している■
−ｖ族化合物固溶体」の不純物濃度は、所望濃度の単結
晶成長用原料融液の不純物濃度と同一であり、その固溶
体のみを原料として溶解することが好ましいが、上記単
結晶成長用原料融液の不純物濃度よりも高濃度のｍ−ｖ
族化合物を用意しておき、この高濃度不純物同浴■−ｖ
族化合物と無添加ＩＩＩ −ｖ族化合物原料を所定の割
合で混合し、溶解して所望の不純物濃度を有する■−ｖ
族化族化合物単結晶成長用原料合液造してもよい。
−ｖ族化合物固溶体」の不純物濃度は、所望濃度の単結
晶成長用原料融液の不純物濃度と同一であり、その固溶
体のみを原料として溶解することが好ましいが、上記単
結晶成長用原料融液の不純物濃度よりも高濃度のｍ−ｖ
族化合物を用意しておき、この高濃度不純物同浴■−ｖ
族化合物と無添加ＩＩＩ −ｖ族化合物原料を所定の割
合で混合し、溶解して所望の不純物濃度を有する■−ｖ
族化族化合物単結晶成長用原料合液造してもよい。
さらに、上記既知ｔＩ度の不純物を固溶している■−ｖ
族化合物固溶体を■族原料とともに加熱昇温し１表面開
口部より■族蒸気を取り入れて所望の不純物添加■−Ｖ
族化合物単結晶成長用融液を生成してもよい。
族化合物固溶体を■族原料とともに加熱昇温し１表面開
口部より■族蒸気を取り入れて所望の不純物添加■−Ｖ
族化合物単結晶成長用融液を生成してもよい。
つぎに、この発明を実施例にもとづいて具体的に説明す
る。
る。
実施例１
第１因に示される単結晶成長装置において、ルツボ４内
に番γＯｐｐｍのＺｎを固溶したＧａ Ａｓ化合物原料
１５００Ｊｌ及び８２０，２００／を装入し、加熱昇温
してＺｎ添加Ｇａ Ａｓ単結晶成長用融液を生成させた
。融液中のＺｎ濃度を、成長した結晶のＺｎｆｉ度から
測定したところ、４６９ｐｐｍであシ、融液生成時にお
けるＺｎの蒸発はほとんどないことが分った。
に番γＯｐｐｍのＺｎを固溶したＧａ Ａｓ化合物原料
１５００Ｊｌ及び８２０，２００／を装入し、加熱昇温
してＺｎ添加Ｇａ Ａｓ単結晶成長用融液を生成させた
。融液中のＺｎ濃度を、成長した結晶のＺｎｆｉ度から
測定したところ、４６９ｐｐｍであシ、融液生成時にお
けるＺｎの蒸発はほとんどないことが分った。
比較例１
比較のために第１図に示されるルツボ４内に無添加Ｇａ
Ａａ多結晶原料１５００＆と金属Ｚｎ３７及びＢ２０
．２００ Ｎを装入し加熱昇温し、 Ｚｎ添加ＧａＡａ
単結晶成長用融＆を生成させた（この際のｚｎｎ添加上
２０００ ｗｔｐｐｍ相当となる）。生成した融液中の
Ｚｎ？Ｉ１１度を実施例１と同様に測定したところ。
Ａａ多結晶原料１５００＆と金属Ｚｎ３７及びＢ２０
．２００ Ｎを装入し加熱昇温し、 Ｚｎ添加ＧａＡａ
単結晶成長用融＆を生成させた（この際のｚｎｎ添加上
２０００ ｗｔｐｐｍ相当となる）。生成した融液中の
Ｚｎ？Ｉ１１度を実施例１と同様に測定したところ。
３４０ ｐｐｍであり、融液生成時に相当璽のＺｎが蒸
発したことが分る。
発したことが分る。
実施例２
第２図に示される単結晶成長装置のルツボ４内にＺｎ濃
度２．０００１）りｍのＧａＡｓ化合物原料５００／と
Ｇａミツ２，９及び石英製リング隔壁内側に８２０５１
００Ｉを装入し、また１皿フの位置ＫＡ５１８４０ｇを
置き、加熱昇温しルツボ内に２，０ＯＯｊｌのＺｎ添加
Ｇａ Ａａ融液を生成させた。この際の融液中Ｚｎ濃度
を調べたところ４グＯｐｐｍであった。原料中の全Ｚｎ
濃度Ｆｉ５００ ｐｐｍであるから、Ｚｎの蒸発は十分
に抑えられている事が分る。
度２．０００１）りｍのＧａＡｓ化合物原料５００／と
Ｇａミツ２，９及び石英製リング隔壁内側に８２０５１
００Ｉを装入し、また１皿フの位置ＫＡ５１８４０ｇを
置き、加熱昇温しルツボ内に２，０ＯＯｊｌのＺｎ添加
Ｇａ Ａａ融液を生成させた。この際の融液中Ｚｎ濃度
を調べたところ４グＯｐｐｍであった。原料中の全Ｚｎ
濃度Ｆｉ５００ ｐｐｍであるから、Ｚｎの蒸発は十分
に抑えられている事が分る。
比較例２
第２図に示されるルツボ５内にＧａ ９６４ ｊ 、及
びＺｎ１Ｉｉ、石英製リング隔壁内側に５２ｏ３１ｏｏ
、ｖを装入し１皿フの位置にＡｓ１ｌＯＯ／を置き、加
熱昇温し、ルツボ内に２０００ＪＦのＺｎ添加ＧａＡａ
／ｄ液を生成させた。原料中の全Ｚｎ２！１度は５００
ｐｐｍに相当するが、生成されたｍ＆中のＺｎａ度は
３６０ｐｐｍであり、かなシのＺｎの蒸発があった。
びＺｎ１Ｉｉ、石英製リング隔壁内側に５２ｏ３１ｏｏ
、ｖを装入し１皿フの位置にＡｓ１ｌＯＯ／を置き、加
熱昇温し、ルツボ内に２０００ＪＦのＺｎ添加ＧａＡａ
／ｄ液を生成させた。原料中の全Ｚｎ２！１度は５００
ｐｐｍに相当するが、生成されたｍ＆中のＺｎａ度は
３６０ｐｐｍであり、かなシのＺｎの蒸発があった。
実施例３
第１因に示される単結晶引上装置のルツボ４内に無添加
ＧａＡａ多結晶原料１４５０Ｊ、Ｚｎ濃度３５０ｐｐｒ
ｎのＧａ Ａｓ化合物原料ｌフＯ１及びＢ２０．２００
ＩＩを装入し加熱昇温してＺｎ添加Ｇａ Ａｓ単結晶成
長用融液を生成させた。この際の融液中Ｚｎ１度を調べ
たところおよそ３５ ｐｐｍであった。上記原料中の全
Ｚｎｆｉ度は３６ ｐｐｍであるから、融液生成時にお
けるＺｎの蒸発はほとんど無視出来る程度であることが
分る。
ＧａＡａ多結晶原料１４５０Ｊ、Ｚｎ濃度３５０ｐｐｒ
ｎのＧａ Ａｓ化合物原料ｌフＯ１及びＢ２０．２００
ＩＩを装入し加熱昇温してＺｎ添加Ｇａ Ａｓ単結晶成
長用融液を生成させた。この際の融液中Ｚｎ１度を調べ
たところおよそ３５ ｐｐｍであった。上記原料中の全
Ｚｎｆｉ度は３６ ｐｐｍであるから、融液生成時にお
けるＺｎの蒸発はほとんど無視出来る程度であることが
分る。
実施例１〜３および比較例１〜２とを対比すると、Ｚｎ
を単体として添加して溶解するよりも、あらかじめＺｎ
をＧａ Ａｓ化合物に固溶させておき、それ′ｌＩ：原
料として溶解すると、溶解時におけるＺｎの蒸発量が極
めて少ないことがわかり、したがって。
を単体として添加して溶解するよりも、あらかじめＺｎ
をＧａ Ａｓ化合物に固溶させておき、それ′ｌＩ：原
料として溶解すると、溶解時におけるＺｎの蒸発量が極
めて少ないことがわかり、したがって。
Ｚｎ、４発による密封容器内の汚染が防止窟れ、特に低
濃度不純物Ｇａ Ａａ化合物単結晶夷造においても上記
密封容器内壁の汚染が極めて少ないので繰り返し便用で
き、生産性向上にすぐれた効果を奏するものである。
濃度不純物Ｇａ Ａａ化合物単結晶夷造においても上記
密封容器内壁の汚染が極めて少ないので繰り返し便用で
き、生産性向上にすぐれた効果を奏するものである。
＠１図および第２図は、この発明の実施例に用いた公知
の■−ｖ族化合物単結晶成長用装置の断面概略図である
。 １・・・容器。 ２・・・ヒーター。 ３・・・密封容器。 番・・・ルツボ。 ５・・・単結晶。 ６・・・Ｇａ Ａａ融液。 フ・・・皿。 ８・・・ｓ２ｏ、融液。
の■−ｖ族化合物単結晶成長用装置の断面概略図である
。 １・・・容器。 ２・・・ヒーター。 ３・・・密封容器。 番・・・ルツボ。 ５・・・単結晶。 ６・・・Ｇａ Ａａ融液。 フ・・・皿。 ８・・・ｓ２ｏ、融液。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、不純物添加III−Ｖ族化合物単結晶成長用融液をル
ツボ内で作製する方法において、 あらかじめ所望不純物濃度の不純物を固溶したIII−Ｖ
族化合物固溶体を用意し、この固溶体を原料として、ル
ツボ内で溶解することを特徴とする不純物添加III−Ｖ
族化合物単結晶成長用融液の生成方法。 ２、不純物添加III−Ｖ族化合物単結晶成長用融液をル
ツボ内で作製する方法において、 あらかじめ所望不純物濃度よりも高濃度の不純物を固溶
したIII−Ｖ族化合物固溶体を用意し、この固溶体を不
純物添加原料として、無添加のIII−Ｖ族化合物と共に
ルツボ内で溶解することを特徴とする不純物添加III−
Ｖ族化合物単結晶成長用融液の生成方法。 ３、不純物添加III−Ｖ族化合物単結晶成長用融液をル
ツボ内で作製する方法において、 あらかじめ所望不純物濃度よりも高濃度の不純物を固溶
したIII−Ｖ族化合物固溶体を用意し、この固溶体を不
純物添加原料として、III族原料と共にルツボ内に入れ
、加熱昇温し、表面開口部よりＶ族蒸気を取り入れて合
成を行うことを特徴とする不純物添加III−Ｖ族化合物
単結晶成長用融液の生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13369288A JPH01301592A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 不純物添加３−５族化合物単結晶成長用融液の生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13369288A JPH01301592A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 不純物添加３−５族化合物単結晶成長用融液の生成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01301592A true JPH01301592A (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=15110644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13369288A Pending JPH01301592A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 不純物添加３−５族化合物単結晶成長用融液の生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01301592A (ja) |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP13369288A patent/JPH01301592A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sunder et al. | Czochralski growth and characterization of GaSb | |
| US5454346A (en) | Process for growing multielement compound single crystal | |
| US3741817A (en) | Process for producing monocrystals from iii-v compound melts with a boron oxide rim | |
| JP2007106669A (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| JP4120016B2 (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| JPH01301592A (ja) | 不純物添加３−５族化合物単結晶成長用融液の生成方法 | |
| Fullmer et al. | Crystal growth of the solid electrolyte RbAg4I5 | |
| JP2010059052A (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法および装置 | |
| GB1430480A (en) | Methods of making single crystal intermetallic compounds semi conductors | |
| JP2529934B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP3237408B2 (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| JPH06128096A (ja) | 化合物半導体多結晶の製造方法 | |
| JPH0543679B2 (ja) | ||
| RU2534106C1 (ru) | Способ получения крупногабаритных малодислокационных монокристаллов антимонида галлия | |
| JP2539841B2 (ja) | 結晶製造方法 | |
| JP2736343B2 (ja) | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 | |
| KR950013003B1 (ko) | 갈륨비소 단결정 성장용 다결정 성장방법 | |
| JPS5669297A (en) | Method of growing to large-size single crystal | |
| JPH0479998B2 (ja) | ||
| JPH01215799A (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ化合物半導体単結晶及びその製造方法 | |
| JP3200204B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族単結晶の製造方法 | |
| JPH05279164A (ja) | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置 | |
| JPS61117198A (ja) | ＩｎＰ単結晶の成長用溶解物およびその使用法 | |
| JPH0818904B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPS6389497A (ja) | 珪素添加ガリウム砒素単結晶の製造方法 |