JPH01298550A - 光記録媒体製造方法 - Google Patents
光記録媒体製造方法Info
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- JPH01298550A JPH01298550A JP12981888A JP12981888A JPH01298550A JP H01298550 A JPH01298550 A JP H01298550A JP 12981888 A JP12981888 A JP 12981888A JP 12981888 A JP12981888 A JP 12981888A JP H01298550 A JPH01298550 A JP H01298550A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光記録媒体製造方法、特に、レーザ光によっ
て情報を記録再生することのできる光記録媒体を製造す
るための光記録媒体製造方法に関する。
て情報を記録再生することのできる光記録媒体を製造す
るための光記録媒体製造方法に関する。
従来の光記録媒体製造方法は、一般に、レーザ光によっ
て情報を基板に記録し、かつ再生する光デイスクメモリ
は、記録密度が高いことから大容量記録装置として優れ
た特徴を有している。この光記録媒体材料としては、最
初にタンタルと鉛が使用された（サイエンス（Ｓｃｉｅ
ｎｃｅ）ｌｊＪ−、１５５０。
て情報を基板に記録し、かつ再生する光デイスクメモリ
は、記録密度が高いことから大容量記録装置として優れ
た特徴を有している。この光記録媒体材料としては、最
初にタンタルと鉛が使用された（サイエンス（Ｓｃｉｅ
ｎｃｅ）ｌｊＪ−、１５５０。
１９６６）。それ以来種々の材料が使用されているが、
テルル等のカルコゲン元素又はこれらの化合物はよく使
用されており（特公昭４７−２６８９７号公報）、とく
にテルル−セレン系合金はよく使用されている（特公昭
５４−４１９０２号公報、特公明５７−７９１９号公報
、特公昭５７−５６０５８号公報）。
テルル等のカルコゲン元素又はこれらの化合物はよく使
用されており（特公昭４７−２６８９７号公報）、とく
にテルル−セレン系合金はよく使用されている（特公昭
５４−４１９０２号公報、特公明５７−７９１９号公報
、特公昭５７−５６０５８号公報）。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光記
録媒体の一例は第２図に示すような構成になっている。
録媒体の一例は第２図に示すような構成になっている。
すなわち基板ｌに隣接してテルル−セレン系合金よりな
る記録層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板
１を通して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形
成される。
る記録層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板
１を通して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形
成される。
基板１としてはポリカーボネート、ポリオレフィン、ホ
リメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹
脂やガラスが使用され、基板１にはピットが同心円状あ
るいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録されるよ
うに通常、案内溝が設けられている。
リメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹
脂やガラスが使用され、基板１にはピットが同心円状あ
るいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録されるよ
うに通常、案内溝が設けられている。
レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折
されビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の空
間分布が変化するので、これを検出してレーザビームを
溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されている
。溝の幅は通常０，３〜１．３μｍであり溝の深さは使
用するレーザ波長の１／２０から１／４の範囲に設定さ
れる。集光に関しても同様にサーボ系が構成されている
。
されビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の空
間分布が変化するので、これを検出してレーザビームを
溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されている
。溝の幅は通常０，３〜１．３μｍであり溝の深さは使
用するレーザ波長の１／２０から１／４の範囲に設定さ
れる。集光に関しても同様にサーボ系が構成されている
。
情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレー
ザ光をピット上を通過するように照射することにより、
ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して行なう
。
ザ光をピット上を通過するように照射することにより、
ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して行なう
。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が８０００人前後であるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる（フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ、工、１８９゜１９６４ （ｐｈｙｓ、５ｔａｔ、
ｓｏｌ、ヱ、１８９．１９６４））。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が８０００人前後であるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる（フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ、工、１８９゜１９６４ （ｐｈｙｓ、５ｔａｔ、
ｓｏｌ、ヱ、１８９．１９６４））。
本発明者は、テルル−セレン系合金の中でテルルとセレ
ンと鉛と窒素と酸素とを主成分とする記録膜が耐候性が
よく、かつ良好な品質の記録再生信号が得られることを
見出し、既に提案している。
ンと鉛と窒素と酸素とを主成分とする記録膜が耐候性が
よく、かつ良好な品質の記録再生信号が得られることを
見出し、既に提案している。
従来の光記録媒体製造方法は、テルルとセレンと鉛の三
つからなるターゲットをアルゴンと窒素との混合ガス中
でスパッタリングしてテルルとセレンと鉛と窒素とを主
成分とする成膜を作成し、しかる後高温高湿環境下に保
存することにより前記成膜を結晶質のテルルとセレンと
鉛と窒素と酸素とを主成分とする記録膜としていた。
つからなるターゲットをアルゴンと窒素との混合ガス中
でスパッタリングしてテルルとセレンと鉛と窒素とを主
成分とする成膜を作成し、しかる後高温高湿環境下に保
存することにより前記成膜を結晶質のテルルとセレンと
鉛と窒素と酸素とを主成分とする記録膜としていた。
しかしながら、このような上述した従来の光記録媒体製
造方法は、テルルとセレンと鉛との三つからなるターゲ
ットを長時間使用していると記録膜の組成が変化してい
くという欠点がある。
造方法は、テルルとセレンと鉛との三つからなるターゲ
ットを長時間使用していると記録膜の組成が変化してい
くという欠点がある。
なお、本発明者はこの理由を調べたところ、スパッタリ
ングを多数回行なっていくうちに、ターゲット中のテル
ルやセレンに対する鉛の組成比が変化していくためであ
ることを見出し、本発明に到ったものである。
ングを多数回行なっていくうちに、ターゲット中のテル
ルやセレンに対する鉛の組成比が変化していくためであ
ることを見出し、本発明に到ったものである。
本発明の光記録媒体製造方法は、スパッタリングチャン
バの中に基板とテルルセレンターゲットおよび鉛ターゲ
ットを装置するスパッタリングチャンバ載置工程と、前
記スパッタリングチャンバにアルゴンと窒素との混合ガ
スを導入する混合ガス導入工程と、前記スパッタリング
チャンバでスパッタリングを行ない前記基板に成膜を作
成する成膜形成工程と、前記スパッタリングチャンバか
ら混合ガスを、排出する混合ガス排出工程と、成膜され
た前記基板を前記スパッタリングチャンバから取り出し
高温高湿槽に載置する高温高湿槽載置工程と、前記高温
高湿槽を高温高湿環境化する高温高湿化工程と、成膜さ
れた前記基板を前記高温高湿槽、で保存し前記成膜から
記録膜にする記録膜形成工程とを含んで構成される。
バの中に基板とテルルセレンターゲットおよび鉛ターゲ
ットを装置するスパッタリングチャンバ載置工程と、前
記スパッタリングチャンバにアルゴンと窒素との混合ガ
スを導入する混合ガス導入工程と、前記スパッタリング
チャンバでスパッタリングを行ない前記基板に成膜を作
成する成膜形成工程と、前記スパッタリングチャンバか
ら混合ガスを、排出する混合ガス排出工程と、成膜され
た前記基板を前記スパッタリングチャンバから取り出し
高温高湿槽に載置する高温高湿槽載置工程と、前記高温
高湿槽を高温高湿環境化する高温高湿化工程と、成膜さ
れた前記基板を前記高温高湿槽、で保存し前記成膜から
記録膜にする記録膜形成工程とを含んで構成される。
すなわち、本発明の光記録媒体製造方法は、レーザ光に
よって記録膜の一部を選択的に除去して情報を記録する
光記録媒体の製造方法であって、スパッタリングチャン
バの中に基板を載置し、テルルとセレンとを主成分とす
る第１のターゲットと鉛を主成分とする第２のターゲッ
トとをアルゴンと窒素との混合ガス中で同時にスパッタ
リングしてテルルとセレンと鉛と窒素とを主成分とする
膜を作製し、しかる後高温高湿環境下に保存することに
より前記膜を結晶質のテルルとセレンと鉛と窒素と酸素
とを主成分とする記録膜を形成するように構成される。
よって記録膜の一部を選択的に除去して情報を記録する
光記録媒体の製造方法であって、スパッタリングチャン
バの中に基板を載置し、テルルとセレンとを主成分とす
る第１のターゲットと鉛を主成分とする第２のターゲッ
トとをアルゴンと窒素との混合ガス中で同時にスパッタ
リングしてテルルとセレンと鉛と窒素とを主成分とする
膜を作製し、しかる後高温高湿環境下に保存することに
より前記膜を結晶質のテルルとセレンと鉛と窒素と酸素
とを主成分とする記録膜を形成するように構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す製造工程図、第２図は
第１図に示す実施例で作成された光記録媒体の一例を示
す部分断面図である。
第１図に示す実施例で作成された光記録媒体の一例を示
す部分断面図である。
第１図に示す光記録媒体製造方法は、スパッタリングチ
ャンバ載置工程Ｓ１と、混合ガス導入工程Ｓ２と、成膜
形成工程Ｓ３と、混合ガス排出工程Ｓ４と、高温高湿槽
載置工程Ｓ５と、高温高湿化工程Ｓ６と、記録層形成工
程Ｓ７とを含んで構成される。
ャンバ載置工程Ｓ１と、混合ガス導入工程Ｓ２と、成膜
形成工程Ｓ３と、混合ガス排出工程Ｓ４と、高温高湿槽
載置工程Ｓ５と、高温高湿化工程Ｓ６と、記録層形成工
程Ｓ７とを含んで構成される。
すなわち、第１図に示す光記録媒体製造方法は、スパッ
タリングチャンバの中に基板１とテルルセレンターゲッ
トおよび鉛単体ターゲットを載置するスパッタリングチ
ャンバ載置工程Ｓｌと、前記スパッタリングチャンバに
アルゴンと窒素との混合ガスを導入する混合ガス導入工
程Ｓ２と、前記スパッタリングチャンバでスパッタリン
グを行ない前記基板１に成膜を作成する成膜形状工程Ｓ
３と、前記スパッタリングチャンバから混合ガスを排出
する混合ガス排出工程Ｓ４と、成膜された前記基板１を
前記スパッタリングチャンバから取り出し高温高湿槽に
載置する高温高湿槽載置工程Ｓ５と、前記高温高湿槽を
高温高温環境化する高温高温化工程Ｓ６と、成膜された
前記基板を前記高温高湿槽で保存し前記成膜を記録層に
する記録層形成工程Ｓ７とを含んで構成される。
タリングチャンバの中に基板１とテルルセレンターゲッ
トおよび鉛単体ターゲットを載置するスパッタリングチ
ャンバ載置工程Ｓｌと、前記スパッタリングチャンバに
アルゴンと窒素との混合ガスを導入する混合ガス導入工
程Ｓ２と、前記スパッタリングチャンバでスパッタリン
グを行ない前記基板１に成膜を作成する成膜形状工程Ｓ
３と、前記スパッタリングチャンバから混合ガスを排出
する混合ガス排出工程Ｓ４と、成膜された前記基板１を
前記スパッタリングチャンバから取り出し高温高湿槽に
載置する高温高湿槽載置工程Ｓ５と、前記高温高湿槽を
高温高温環境化する高温高温化工程Ｓ６と、成膜された
前記基板を前記高温高湿槽で保存し前記成膜を記録層に
する記録層形成工程Ｓ７とを含んで構成される。
次に第１図に示す実施例について詳細に説明する。
１００℃で２時間アニール処理した内径１５０、外径１
３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内溝付き射出成形ポリカ
ーボネイト樹脂ディスクの基板１の上に、テルルセレン
と鉛単体ターゲットをスパッタリングチャンバに載置し
、このスパッタリングチャンバにアルゴンと窒素との混
合ガスを導入し、この雰囲気でテルルセレンターゲット
と鉛単体ターゲットとを同時にスパッタリングしてテル
ルとセレンと鉛と窒素とからなる成膜を約２４０大写作
製した。
３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内溝付き射出成形ポリカ
ーボネイト樹脂ディスクの基板１の上に、テルルセレン
と鉛単体ターゲットをスパッタリングチャンバに載置し
、このスパッタリングチャンバにアルゴンと窒素との混
合ガスを導入し、この雰囲気でテルルセレンターゲット
と鉛単体ターゲットとを同時にスパッタリングしてテル
ルとセレンと鉛と窒素とからなる成膜を約２４０大写作
製した。
しかる後、成膜が形成された基板１を温度８５℃相対湿
度９０％の高温高湿の環境に１２時間保存して前記成膜
を結晶化させるとともに結晶粒界を酸化させることによ
り記録層２１とし第２図に示す光記録媒体を製作した。
度９０％の高温高湿の環境に１２時間保存して前記成膜
を結晶化させるとともに結晶粒界を酸化させることによ
り記録層２１とし第２図に示す光記録媒体を製作した。
この記録膜２１を分析したところ、テルルとセレンと鉛
と窒素と酸素との原子数比はおよそ５７対１６対６対１
対２０であった。
と窒素と酸素との原子数比はおよそ５７対１６対６対１
対２０であった。
この光記録媒体の波長８３００人における基板１への入
射のランド部の反射率を測定したところ、およそ３０％
であった。波長８３００人の半導体レーザ光を基板を通
して入射して記録層２１上で１．６μｍφ程度に絞り、
媒体線速度５．６５ｍ／冠、記録周波数３．７７ＭＨｚ
、記録パルス＠７０ｎｓｅｃ、記録パワー５．４ｍＷの
条件でランド部にビット１１を記録し、０．７ ｍ Ｗ
の一定パワーで再生した。バンド幅３０ｋＨｚのキャリ
アーとノイズの比（Ｃ／Ｎ）は５０ｄＢと良好であった
。
射のランド部の反射率を測定したところ、およそ３０％
であった。波長８３００人の半導体レーザ光を基板を通
して入射して記録層２１上で１．６μｍφ程度に絞り、
媒体線速度５．６５ｍ／冠、記録周波数３．７７ＭＨｚ
、記録パルス＠７０ｎｓｅｃ、記録パワー５．４ｍＷの
条件でランド部にビット１１を記録し、０．７ ｍ Ｗ
の一定パワーで再生した。バンド幅３０ｋＨｚのキャリ
アーとノイズの比（Ｃ／Ｎ）は５０ｄＢと良好であった
。
多数回のスパッタリングを行なって、多数枚の光記録媒
体を同様に作製して評価したところ、組成比の変化はな
く、記録再生特性の再現性は良好であった。
体を同様に作製して評価したところ、組成比の変化はな
く、記録再生特性の再現性は良好であった。
記録層２１の厚さは１６０人から４００人の範囲が望ま
しく、セレンの含有量は原子％で９％以上３５％未満の
範囲が望ましく、鉛の含有量は原子％で５％以上１５％
以下の範囲が望ましく、窒素の含有量は原子％で０．５
％以上１０％以下の範囲が望ましく、酸素の含有量は原
子％でおよそ５％から２５％の範囲が望ましい。
しく、セレンの含有量は原子％で９％以上３５％未満の
範囲が望ましく、鉛の含有量は原子％で５％以上１５％
以下の範囲が望ましく、窒素の含有量は原子％で０．５
％以上１０％以下の範囲が望ましく、酸素の含有量は原
子％でおよそ５％から２５％の範囲が望ましい。
本発明の光記録媒体製造方法は、テルルセレンターゲッ
トと鉛単体ターゲットとを同時にスパッタリングすると
いうことにより、単一のターゲット中にテルルとセレン
と鉛とを共存させないので、ターゲット中での鉛の偏析
がおこらなくなり、長時間スパッタリングしても組成の
変化のない光記録媒体を製造することができるという効
果がある。
トと鉛単体ターゲットとを同時にスパッタリングすると
いうことにより、単一のターゲット中にテルルとセレン
と鉛とを共存させないので、ターゲット中での鉛の偏析
がおこらなくなり、長時間スパッタリングしても組成の
変化のない光記録媒体を製造することができるという効
果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す製造工程図、第２図は
第１図に示す実施例で作成された光記録媒体の一例を示
す部分断面図である。 ＳＬ・・・・・・スパッタリングチャンバ載置工程、Ｓ
２・・・・・・混合ガス導入工程、Ｓ３・・・・・・成
膜形成工程、Ｓ４・・・・・・混合ガス排出工程、Ｓ５
・・・・・・高温高湿槽載置工程、Ｓ６・・・・・・高
温高温化工程、Ｓ７・・・・・・記録層形成工程、 １・・・・・・基板、２１・・・・・・記録層、２２・
・・・・・ビット。 代理人 弁理士 内 原 音 第１０
第１図に示す実施例で作成された光記録媒体の一例を示
す部分断面図である。 ＳＬ・・・・・・スパッタリングチャンバ載置工程、Ｓ
２・・・・・・混合ガス導入工程、Ｓ３・・・・・・成
膜形成工程、Ｓ４・・・・・・混合ガス排出工程、Ｓ５
・・・・・・高温高湿槽載置工程、Ｓ６・・・・・・高
温高温化工程、Ｓ７・・・・・・記録層形成工程、 １・・・・・・基板、２１・・・・・・記録層、２２・
・・・・・ビット。 代理人 弁理士 内 原 音 第１０
Claims (1)
- スパッタリングチャンバの中に基板とテルルセレンター
ゲットおよび鉛単体ターゲットを載置するスパッタリン
グチャンバ載置工程と、前記スパッタリングチャンバに
アルゴンと窒素との混合ガスを導入する混合ガス導入工
程と、前記スパッタリングチャンバでスパッタリングを
行ない前記基板に成膜を作成する成膜形成工程と、前記
スパッタリングチャンバから混合ガスを排出する混合ガ
ス排出工程と、成膜された前記基板を前記スパッタリン
グチャンバから取り出し高温高湿槽に載置する高温高湿
槽載置工程と、前記高温高湿槽を高温高湿環境化する高
温高湿化工程と、成膜された前記基板を前記高温高湿槽
で保存し前記成膜を記録層にする記録層形成工程とを含
むことを特徴とする光記録媒体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12981888A JP2508188B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 光記録媒体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12981888A JP2508188B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 光記録媒体製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01298550A true JPH01298550A (ja) | 1989-12-01 |
| JP2508188B2 JP2508188B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=15018982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12981888A Expired - Lifetime JP2508188B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 光記録媒体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2508188B2 (ja) |
-
1988
- 1988-05-26 JP JP12981888A patent/JP2508188B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2508188B2 (ja) | 1996-06-19 |
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