JPH01290249A - 半導体集積回路装置の熱的保護回路 - Google Patents
半導体集積回路装置の熱的保護回路Info
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- JPH01290249A JPH01290249A JP12110088A JP12110088A JPH01290249A JP H01290249 A JPH01290249 A JP H01290249A JP 12110088 A JP12110088 A JP 12110088A JP 12110088 A JP12110088 A JP 12110088A JP H01290249 A JPH01290249 A JP H01290249A
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体集積回路装置の熱的保護回路に関し、
特に集積回路のパッケージの放熱能力に比較して大きな
電力を取り扱う可能性のある半導体集積回路装置の熱的
な保護回路に関するものである。
特に集積回路のパッケージの放熱能力に比較して大きな
電力を取り扱う可能性のある半導体集積回路装置の熱的
な保護回路に関するものである。
第１０図は従来の半導体集積回路の熱的保護回路のチッ
プパターンを示す図であり、図において、１は集積回路
チップ、２は出力回路等の主要発熱部、３は制御回路部
等の微小発熱部、４は温度検出素子Ａである。
プパターンを示す図であり、図において、１は集積回路
チップ、２は出力回路等の主要発熱部、３は制御回路部
等の微小発熱部、４は温度検出素子Ａである。
従来では集積回路の熱的な保護を行う場合は、第１０図
に示すように主要発熱部２の発熱中心付近に、絶対温度
によって動作する温度検出素子Ａ４を設け、温度検出素
子Ａ４のある場所の温度Ｔ４Ａが設定温度よりも上昇し
た時に熱的保護回路が動作するようにしていた。
に示すように主要発熱部２の発熱中心付近に、絶対温度
によって動作する温度検出素子Ａ４を設け、温度検出素
子Ａ４のある場所の温度Ｔ４Ａが設定温度よりも上昇し
た時に熱的保護回路が動作するようにしていた。
次に熱的保護回路についての説明を行う。
熱的保護回路は例えば、第３図に示すような構成により
集積回路のチップ１上に収容されている。
集積回路のチップ１上に収容されている。
第３図において、６は出力駆動部等の主要発熱部、７は
温度検出回路または温度差検出回路、８は入力端子、９
は出力端子、１０は入カバソファ、１１はＡＮＤゲート
である。
温度検出回路または温度差検出回路、８は入力端子、９
は出力端子、１０は入カバソファ、１１はＡＮＤゲート
である。
入力端子８からの制御信号はＡＮＤゲート１１を介して
出力駆動部６に伝えられ、出力端子９における出力電流
を制御する０通常の定格消費電力内で使用されている場
合は温度検出回路７からＡＮＤゲート１１に接続される
信号は入力端子８からの制御信号をそのまま通過させる
極性で与えられているが、出力端子９に過負荷が接続さ
れたような場合は出力駆動回路部６で過大な電力が消費
されるため、集積回路のパッケージから外部への放熱が
追いつかずに集積回路のチップ１の温度がどんどん上昇
していく。この時、第１０図に示すような主要発熱部２
に置かれた温度検出素子Ａ４により第１１図に示すよう
に検出素子温度ＴｊＡがあらかじめ設定されている温度
以上になると、出力電流を遮断または減少せしめること
により熱的保護動作を行うものである。
出力駆動部６に伝えられ、出力端子９における出力電流
を制御する０通常の定格消費電力内で使用されている場
合は温度検出回路７からＡＮＤゲート１１に接続される
信号は入力端子８からの制御信号をそのまま通過させる
極性で与えられているが、出力端子９に過負荷が接続さ
れたような場合は出力駆動回路部６で過大な電力が消費
されるため、集積回路のパッケージから外部への放熱が
追いつかずに集積回路のチップ１の温度がどんどん上昇
していく。この時、第１０図に示すような主要発熱部２
に置かれた温度検出素子Ａ４により第１１図に示すよう
に検出素子温度ＴｊＡがあらかじめ設定されている温度
以上になると、出力電流を遮断または減少せしめること
により熱的保護動作を行うものである。
また、第４図は熱的保護回路の他の例を示す回路図であ
り、図において、１２はスイッチ、１３は電源端子、１
４は接地端子である。第３図では熱的保護回路によって
入力制御信号を操作する例を示したが、第４図のような
熱的保護回路によって出力駆動回路部６の電源の遮断等
の操作を行い熱的保護動作を行っても良い。
り、図において、１２はスイッチ、１３は電源端子、１
４は接地端子である。第３図では熱的保護回路によって
入力制御信号を操作する例を示したが、第４図のような
熱的保護回路によって出力駆動回路部６の電源の遮断等
の操作を行い熱的保護動作を行っても良い。
従来の半導体集積回路装置の熱的保護回路は以上のよう
に構成されており、集積回路チップ上のある一点におけ
る温度のみを管理していたため、熱的保護回路の動作温
度を高温側の限界値付近の温度（たとえばＴｊ＝１７０
℃）に設けておき、実際に過負荷等の要因によって集積
回路のチップ温度が危険な高温にさらされてから、はじ
めて熱的保護回路の動作をさせることになるので信頼性
上好ましくないという問題点があった。
に構成されており、集積回路チップ上のある一点におけ
る温度のみを管理していたため、熱的保護回路の動作温
度を高温側の限界値付近の温度（たとえばＴｊ＝１７０
℃）に設けておき、実際に過負荷等の要因によって集積
回路のチップ温度が危険な高温にさらされてから、はじ
めて熱的保護回路の動作をさせることになるので信頼性
上好ましくないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、主要発熱部が非常な高温にさらされる前に保
護動作を行うことができる半導体集積回路装置の熱的保
護回路を提供することを目的とする。
たもので、主要発熱部が非常な高温にさらされる前に保
護動作を行うことができる半導体集積回路装置の熱的保
護回路を提供することを目的とする。
この発明による半導体集積回路装置の熱的保護回路は、
集積回路の主要発熱部と発熱の少ない部分のそれぞれに
温度検出用の素子を置いて温度差検出回路を構成し、温
度差検出回路の出力により主要発熱部を制御して熱的保
護を行うようにしたものである。
集積回路の主要発熱部と発熱の少ない部分のそれぞれに
温度検出用の素子を置いて温度差検出回路を構成し、温
度差検出回路の出力により主要発熱部を制御して熱的保
護を行うようにしたものである。
この発明による半導体集積回路装置の熱的保護回路は、
上記のように構成された温度差検出回路を用いてチップ
上の主要発熱部と微小発熱部との２点間の温度差を検出
することにより、主要発熱部において発生する電力消費
量を推定し、温度差と消費電力の関係を利用して過負荷
時等の過大電力消費の継続を防止するものである。
上記のように構成された温度差検出回路を用いてチップ
上の主要発熱部と微小発熱部との２点間の温度差を検出
することにより、主要発熱部において発生する電力消費
量を推定し、温度差と消費電力の関係を利用して過負荷
時等の過大電力消費の継続を防止するものである。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体集積回路装置の
熱的保護回路のチップパターンを示す図であり、図にお
いて、１は集積回路チップ、２は出力回路等の主要発熱
部、３は制御回路部等の微小発熱部、４は集積回路チッ
プ１中の出力回路等の主要発熱部２のブロック内に置か
れた温度検出素子Ａ、５は同様に集積回路チップ１中の
制御回路部等の微小発熱部３のブロック内に、発熱ブロ
ック２からなるべく遠くに配置された温度検出素子Ｂで
ある。
熱的保護回路のチップパターンを示す図であり、図にお
いて、１は集積回路チップ、２は出力回路等の主要発熱
部、３は制御回路部等の微小発熱部、４は集積回路チッ
プ１中の出力回路等の主要発熱部２のブロック内に置か
れた温度検出素子Ａ、５は同様に集積回路チップ１中の
制御回路部等の微小発熱部３のブロック内に、発熱ブロ
ック２からなるべく遠くに配置された温度検出素子Ｂで
ある。
また、第５図は本発明の半導体集積回路装置の熱的保護
回路の具体的な回路例を示す図、第６図は第５図の回路
の動作説明をするための概念図である。図において、１
７は発熱ブロック２中に置かれるべき温度検出用のＮＰ
Ｎ ）ランジスタで温度検出素子Ａ４に対応するもので
あり、１６は微小発熱ブロック３中に置かれるべき温度
検出用のＮＰＮ ）ランジスタで温度検出素子Ｂ５に対
応するものである。１５はＮＰＮ）ランジスタ１６゜１
７のベース電流供給用の電流源であり、２２はエミッタ
電流供給用の電流源である。２１は設定温度差に相当す
る電圧オフセットを与える等価的電圧源であり、１８，
１９．２０は検出出力を取り出すための変換回路である
検出出力用ＰＮＰ トランジスタである。
回路の具体的な回路例を示す図、第６図は第５図の回路
の動作説明をするための概念図である。図において、１
７は発熱ブロック２中に置かれるべき温度検出用のＮＰ
Ｎ ）ランジスタで温度検出素子Ａ４に対応するもので
あり、１６は微小発熱ブロック３中に置かれるべき温度
検出用のＮＰＮ ）ランジスタで温度検出素子Ｂ５に対
応するものである。１５はＮＰＮ）ランジスタ１６゜１
７のベース電流供給用の電流源であり、２２はエミッタ
電流供給用の電流源である。２１は設定温度差に相当す
る電圧オフセットを与える等価的電圧源であり、１８，
１９．２０は検出出力を取り出すための変換回路である
検出出力用ＰＮＰ トランジスタである。
次に動作について説明する。
電圧源２１がＯｖのときは一例としてトランジスタ１６
．１７を同一形状で同一特性を存するトランジスタを使
用したとすると、ベースとエミッタ間に同じ電圧が印加
されているので、それぞれのコレクタ電流は等しく流れ
る。ところが電圧源２１に４ＱｍＶという電圧が発生し
ているとすると、トランジスタ１６とトランジスタ１７
のコクタ電流の比は、 但し、ｑ；電子電荷量 に；ボルツマン定数 Ｔ；絶対温度 というようにトランジスタ１６例の電流値が大きくなる
。ＰＮＰトランジスタ１８．１９はカレントミラー回路
形式の能動負荷を形成しており、Ｉｃ （１６）＞ｒｃ
（１７）の時にはＰＮＰトランジスタ２０のベース電
流は流れない。従って、この時ＰＮＰ ）ランジスタ２
０のコレクタ電流である■θ も流れない。
．１７を同一形状で同一特性を存するトランジスタを使
用したとすると、ベースとエミッタ間に同じ電圧が印加
されているので、それぞれのコレクタ電流は等しく流れ
る。ところが電圧源２１に４ＱｍＶという電圧が発生し
ているとすると、トランジスタ１６とトランジスタ１７
のコクタ電流の比は、 但し、ｑ；電子電荷量 に；ボルツマン定数 Ｔ；絶対温度 というようにトランジスタ１６例の電流値が大きくなる
。ＰＮＰトランジスタ１８．１９はカレントミラー回路
形式の能動負荷を形成しており、Ｉｃ （１６）＞ｒｃ
（１７）の時にはＰＮＰトランジスタ２０のベース電
流は流れない。従って、この時ＰＮＰ ）ランジスタ２
０のコレクタ電流である■θ も流れない。
ところが出力部に発熱があり、トランジスタ１７がトラ
ンジスタ１６に比べて高い温度にさらされると同一コレ
クタ電流を流すのに必要とされるベース−エミッタ間の
バイアス電圧は約−２ｍＶ／℃の温度特性をもって減少
していくため、トランジスタ１７の温度がトランジスタ
１６の温度と比べて２０℃高温になるとトランジスタ１
７とトランジスタ１６のコレクタ電流は電圧源２１によ
る４ ０ ｍ Ｖの電圧オフセットにもかかわらず等し
くなる。さらにトランジスタ１７がトランジスタ１６に
比べて高い温度になると逆にトランジスタ１７のコレク
タ電流がトランジスタ１６よりも大きくなるため、トラ
ンジスタ２０のベース電流が流れ始める。従って、電圧
源２１の電圧値４０ｍＶを与えるとトランジスタ１７が
トランジスタ１６に比べて約２０℃以上高い温度となっ
たときに温度差検出電流■θが流れることになる（第６
図）。
ンジスタ１６に比べて高い温度にさらされると同一コレ
クタ電流を流すのに必要とされるベース−エミッタ間の
バイアス電圧は約−２ｍＶ／℃の温度特性をもって減少
していくため、トランジスタ１７の温度がトランジスタ
１６の温度と比べて２０℃高温になるとトランジスタ１
７とトランジスタ１６のコレクタ電流は電圧源２１によ
る４ ０ ｍ Ｖの電圧オフセットにもかかわらず等し
くなる。さらにトランジスタ１７がトランジスタ１６に
比べて高い温度になると逆にトランジスタ１７のコレク
タ電流がトランジスタ１６よりも大きくなるため、トラ
ンジスタ２０のベース電流が流れ始める。従って、電圧
源２１の電圧値４０ｍＶを与えるとトランジスタ１７が
トランジスタ１６に比べて約２０℃以上高い温度となっ
たときに温度差検出電流■θが流れることになる（第６
図）。
以上のようにして温度差を検出する回路を構成すること
ができる。
ができる。
次にチップ１上の温度差がパワー発生部の発生電力に依
存して与えられることを示すための図を第７図〜第９図
に示す。
存して与えられることを示すための図を第７図〜第９図
に示す。
第７図は集積回路の熱抵抗の説明図であ、す、集積回路
の構造断面図と、集積回路中で発生した熱がパッケージ
の外部に流出していく際のモデルを熱抵抗という概念で
表現したものとの関連を示したものである。図において
、２５は集積回路のチップ、２６はモールド樹脂、２７
はフレームダイパッド、２８はリードでＡ点が発熱源及
び高温側の温度検出素子Ａ４を表し、Ｂ点は発熱が微小
なブロックにある温度検出素子Ｂ５を表している。
の構造断面図と、集積回路中で発生した熱がパッケージ
の外部に流出していく際のモデルを熱抵抗という概念で
表現したものとの関連を示したものである。図において
、２５は集積回路のチップ、２６はモールド樹脂、２７
はフレームダイパッド、２８はリードでＡ点が発熱源及
び高温側の温度検出素子Ａ４を表し、Ｂ点は発熱が微小
なブロックにある温度検出素子Ｂ５を表している。
Ｔａは周囲雰囲気温度を示し、Ｒ１−Ｒ９までの熱抵抗
は２点間にあると考えられる等価的な熱抵抗を示してい
る。
は２点間にあると考えられる等価的な熱抵抗を示してい
る。
さらに第８図は第７図を単純化した説明図で、第７図で
いろいろな経路による熱抵抗が簡単な熱抵抗の等価回路
でも表現され得ることを示している。図中で、Ｒ６＋Ａ
−＋ａ＋ は集積回路チップ上の高温部と低温部間の
熱抵抗を表し、Ｒ８（ａ−ｐ□、とＲｅ（ｍ−＋ｍ）は
それぞれＡ点と周囲雰囲気温度、Ｂ点と周囲雰囲気温度
との熱抵抗を表す。Ｒ９（Ａ 、ＩＩ） ＋Ｒｅ （Ａ
−ａｐ ａ） ＋及びＲ８（１１−９８）の具体的な
値は個々のＩＣチップの大きさ、パフケージの材質、形
状。
いろいろな経路による熱抵抗が簡単な熱抵抗の等価回路
でも表現され得ることを示している。図中で、Ｒ６＋Ａ
−＋ａ＋ は集積回路チップ上の高温部と低温部間の
熱抵抗を表し、Ｒ８（ａ−ｐ□、とＲｅ（ｍ−＋ｍ）は
それぞれＡ点と周囲雰囲気温度、Ｂ点と周囲雰囲気温度
との熱抵抗を表す。Ｒ９（Ａ 、ＩＩ） ＋Ｒｅ （Ａ
−ａｐ ａ） ＋及びＲ８（１１−９８）の具体的な
値は個々のＩＣチップの大きさ、パフケージの材質、形
状。
及び放熱条件により異なるが、例えば、Ｒｅ＜Ａ−）Ｉ
Ｉ＋ ＝１℃／Ｗ Ｒθ（Ａ−１ｍ） ＃Ｒθ（！Ｉ＋１１）′９３Ａ′
１５０℃／Ｗという値を取りえる。いずれにしても、Ｒ
ｅ（Ａ−＋ｌ＋） ＜Ｒｅ＜ａｇｅ＞ ＃Ｒ６（１
＋ａ）という関係が一般的には成立する。
Ｉ＋ ＝１℃／Ｗ Ｒθ（Ａ−１ｍ） ＃Ｒθ（！Ｉ＋１１）′９３Ａ′
１５０℃／Ｗという値を取りえる。いずれにしても、Ｒ
ｅ（Ａ−＋ｌ＋） ＜Ｒｅ＜ａｇｅ＞ ＃Ｒ６（１
＋ａ）という関係が一般的には成立する。
よって、第７図のような一般的な集積回路の構造上、Ｉ
Ｃチップ上のレイアウト的な構造が、主要な発熱ブロッ
ク２と微小発熱のブロック３とに分けられるとき、ブロ
ック間の適当な点における温度差は、主要発熱ブロック
２における発熱ｆ（＝消費電力）に依存する関係として
第９図に示すように与えられる。従って、温度差を検出
することにより、消費電力をモニタすることができる。
Ｃチップ上のレイアウト的な構造が、主要な発熱ブロッ
ク２と微小発熱のブロック３とに分けられるとき、ブロ
ック間の適当な点における温度差は、主要発熱ブロック
２における発熱ｆ（＝消費電力）に依存する関係として
第９図に示すように与えられる。従って、温度差を検出
することにより、消費電力をモニタすることができる。
そして、第２図に示すように主要発熱ブロック２と微小
発熱ブロック３との温度差（Ｔｊａ Ｔｔａ）が設定
温度差よりも上昇した時に集積回路のチップ上に収容さ
れている第３図、あるいは第４図に示すような回路構成
の熱的保護回路が動作し、出力電流を減少または遮断せ
しめることにより、集積回路の熱的保護動作を行う。
発熱ブロック３との温度差（Ｔｊａ Ｔｔａ）が設定
温度差よりも上昇した時に集積回路のチップ上に収容さ
れている第３図、あるいは第４図に示すような回路構成
の熱的保護回路が動作し、出力電流を減少または遮断せ
しめることにより、集積回路の熱的保護動作を行う。
このような上記実施例においては、以上のようにチップ
１内の主要発熱部２の消費電力を検出することが可能に
なり、主要発熱部２が高温にさらされる前に効率良く熱
的な保護動作を行うことができる。
１内の主要発熱部２の消費電力を検出することが可能に
なり、主要発熱部２が高温にさらされる前に効率良く熱
的な保護動作を行うことができる。
以上のようにこの発明によれば、半導体集積回路装置中
のチップ内の主要発熱部と微小発熱部との温度差を検出
することにより主要発熱部の消費電力を推定するように
したので、過負荷等の異常な消費電力の発生を従来の方
式と比べて短時間のうちに検出することが可能となり、
熱的保護回路が集積回路を保護する機能を向上でき、半
導体集積回路の信頼性の向上に大幅に寄与することがで
きる効果がある。
のチップ内の主要発熱部と微小発熱部との温度差を検出
することにより主要発熱部の消費電力を推定するように
したので、過負荷等の異常な消費電力の発生を従来の方
式と比べて短時間のうちに検出することが可能となり、
熱的保護回路が集積回路を保護する機能を向上でき、半
導体集積回路の信頼性の向上に大幅に寄与することがで
きる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による半導体集積回路装置の
熱的保護回路のチップパターンを示す図、第２図は本発
明の一実施例による半導体集積回路装置の熱的保護回路
の動作概念を示す図、第３図。 及び第４図は本発明と従来例に共通な一般的な熱的保護
回路を示すブロック図、第５図は本発明の一実施例によ
る半導体集積回路装置の熱的保護回路の具体的な回路を
示す図、第６図は第５図の回路の動作説明をするための
概念図、第７図は半導体集積回路の熱抵抗の説明図、第
８図は第７図を単純化した説明図、第９図は本発明の一
実施例の説明用としての半導体集積回路装置の消費電力
とチップ上の温度差との関係を示す概念図、第１０図は
従来の半導体集積回路装置の熱的保護回路のチップパタ
ーンを示す図、第１１図は従来の半導体集積回路装置の
熱的保護回路の動作概念を示す図である。 図において、１は集積回路チップ、２は出力回路等の主
要発熱部、３は制御回路部等の微小発熱部、４は温度検
出素子Ａ、５は温度検出回路Ｂ、６は出力回路部等の主
要発熱部、７は温度検出回路または温度差検出回路、８
は入力端子、９は出力端子、１０は入カバソファ、１１
はＡＮＤゲート、１２はスイッチ、１３は電源端子、１
４は接地端子、１５は電流源、１６は低温側検出用ＮＰ
Ｎトランジスタ、１７は高温側検出用ＮＰＮ ）ランジ
スタ、１８，１９．２０は検出出力用ＰＮＰトランジス
タ、２１は温度差設定用の等価的電圧源、２２は電流源
、２３は温度差検出回路の出力端子、２４は電源、２５
は集積回路のチップ、２６はモールド樹脂、２７はフレ
ームダイパッド、２８はリードである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
熱的保護回路のチップパターンを示す図、第２図は本発
明の一実施例による半導体集積回路装置の熱的保護回路
の動作概念を示す図、第３図。 及び第４図は本発明と従来例に共通な一般的な熱的保護
回路を示すブロック図、第５図は本発明の一実施例によ
る半導体集積回路装置の熱的保護回路の具体的な回路を
示す図、第６図は第５図の回路の動作説明をするための
概念図、第７図は半導体集積回路の熱抵抗の説明図、第
８図は第７図を単純化した説明図、第９図は本発明の一
実施例の説明用としての半導体集積回路装置の消費電力
とチップ上の温度差との関係を示す概念図、第１０図は
従来の半導体集積回路装置の熱的保護回路のチップパタ
ーンを示す図、第１１図は従来の半導体集積回路装置の
熱的保護回路の動作概念を示す図である。 図において、１は集積回路チップ、２は出力回路等の主
要発熱部、３は制御回路部等の微小発熱部、４は温度検
出素子Ａ、５は温度検出回路Ｂ、６は出力回路部等の主
要発熱部、７は温度検出回路または温度差検出回路、８
は入力端子、９は出力端子、１０は入カバソファ、１１
はＡＮＤゲート、１２はスイッチ、１３は電源端子、１
４は接地端子、１５は電流源、１６は低温側検出用ＮＰ
Ｎトランジスタ、１７は高温側検出用ＮＰＮ ）ランジ
スタ、１８，１９．２０は検出出力用ＰＮＰトランジス
タ、２１は温度差設定用の等価的電圧源、２２は電流源
、２３は温度差検出回路の出力端子、２４は電源、２５
は集積回路のチップ、２６はモールド樹脂、２７はフレ
ームダイパッド、２８はリードである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）チップパターン上に集積回路の主要発熱部と微小
発熱部とをそれぞれブロックとして備えた半導体集積回
路装置の熱的な保護を行う回路において、 上記主要発熱部と微小発熱部の温度差を検出する温度差
検出手段と、 該検出された温度差が、予め設定された温度差を越えな
いように上記主要発熱部を制御する制御手段とを備えた
ことを特徴とする半導体集積回路装置の熱的保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12110088A JPH01290249A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体集積回路装置の熱的保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12110088A JPH01290249A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体集積回路装置の熱的保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290249A true JPH01290249A (ja) | 1989-11-22 |
Family
ID=14802876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12110088A Pending JPH01290249A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体集積回路装置の熱的保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01290249A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5461252A (en) * | 1992-10-06 | 1995-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an over-temperature detection element for detecting excessive temperature of amplifiers |
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-
1988
- 1988-05-18 JP JP12110088A patent/JPH01290249A/ja active Pending
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