JPH01287945A - Manufacture of gate array system semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Manufacture of gate array system semiconductor integrated circuit device

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JPH01287945A
JPH01287945A JP63117972A JP11797288A JPH01287945A JP H01287945 A JPH01287945 A JP H01287945A JP 63117972 A JP63117972 A JP 63117972A JP 11797288 A JP11797288 A JP 11797288A JP H01287945 A JPH01287945 A JP H01287945A
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JP
Japan
Prior art keywords
gates
wiring
gate
semiconductor integrated
integrated circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP63117972A
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Japanese (ja)
Inventor
Takaaki Toki
土岐 隆朗
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

PURPOSE:To make it possible to constitute a logical circuit having different functions by a method wherein a master wafer, on which basic cells are regularly arranged, is formed in advance and a different wiring mask is used according to the kind of device by using said mask wafer in common. CONSTITUTION:Each unit 4, the surface of which is divided by a dicing line 2, is provided with an appropriate number of gate regions 6, a wiring region 8 is arranged between the gate regions 6, and these regions 6 and 8 are regularly arranged. On the gate region 6, the gate of an MOS transistor basic circuit is fixed regularly and arranged. Said master wafer is used common in a custom process, an one or a plurality of units 4 are used in accordance with the number of gates of the desired logical circuit. The dicing line 2a in lateral direction is used as a wiring region, for example, and the dicing line 2b in longitudinal direction is used in a wiring region and the region for a power source line. As a result, a semiconductor integrated circuit device, having different number of gates, can be manufactured.

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は基本セルを規則的に配置したマスタウェハを予
め作成しておき、そのマスクウェハを共通に使用して各
品種によって異なる配線マスクを使用して異なる機能の
論理回路を構成するゲートアレイ方式の半導体集積回路
装置の製造方法に関するものである。
Detailed Description of the Invention (Technical Field) The present invention involves creating a master wafer in which basic cells are arranged regularly, using that mask wafer in common, and using a different wiring mask for each product to create different The present invention relates to a method of manufacturing a gate array type semiconductor integrated circuit device that constitutes a functional logic circuit.

(従来技術) ゲートアレイ方式は、ウェハ製造工程の拡散工程までは
品種にかかわらず基本セルを規則的に配置したマスタウ
ェハを予め製造しておき、各品種によって異なる配線マ
スクを使用して配線工程以降を行なうことにより異なる
機能の半導体集積回路装置を実現する方法である。ゲー
トアレイ方式は、設計期間と試作期間を短縮し、少量多
品種化に対応するのに好都合な方法である。
(Prior art) In the gate array method, a master wafer in which basic cells are arranged regularly is manufactured in advance, regardless of the product type, until the diffusion step in the wafer manufacturing process, and a wiring mask that differs depending on the product type is used for the subsequent wiring steps. This method realizes semiconductor integrated circuit devices with different functions by performing the following steps. The gate array method is an advantageous method for shortening the design period and prototyping period, and responding to the production of a wide variety of products in small quantities.

しかしながら1品種によって必要となるゲート数は異な
っており、例えば数100ゲートから数百ゲートまで様
々である。そのため、ゲート数を適当に区切り1例えば
2000ゲート、4000ゲート、6000ゲートとい
うように、ゲート数の異なったマスタウェハを準備して
いる。そのため、数種類のマスタウェハの生産数量(在
庫量)を調整しなければならず、少量多品種生産に好都
合であるというゲートアレイ方式の特徴を十分に活かす
ことができない。
However, the number of gates required varies depending on the type of product, and varies from several hundred gates to several hundred gates, for example. For this reason, master wafers with different numbers of gates are prepared by appropriately dividing the number of gates, for example, 2000 gates, 4000 gates, and 6000 gates. Therefore, the production quantity (inventory quantity) of several types of master wafers must be adjusted, and the feature of the gate array method, which is convenient for low-volume, high-mix production, cannot be fully utilized.

(目的) 本発明は1種類のマスタウェハを用意するだけで、ゲー
ト数の異なった半導体集積回路装置を製造することので
きる方法を提供することを目的とするものである。
(Objective) An object of the present invention is to provide a method by which semiconductor integrated circuit devices having different numbers of gates can be manufactured by simply preparing one type of master wafer.

(構成) 本発明では、ダイシングラインで囲まれた領域に基本回
路を規則的に配置したユニットを複数個備えたマウタウ
エハを形成しておき、配線工程以降において1チップに
ついて1個又は複数個の前記ユニットを使用し、品種ご
との配線マスクを使用して論理回路を構成する。
(Structure) In the present invention, a mounting wafer including a plurality of units in which basic circuits are regularly arranged in an area surrounded by a dicing line is formed, and one or more units of the basic circuit are arranged per chip after the wiring process. Configure logic circuits using units and wiring masks for each product type.

以下、実施例について具体的に説明する。Examples will be specifically described below.

第1図は一実施例におけるマスタウェハの一部分を示し
たものである。
FIG. 1 shows a portion of a master wafer in one embodiment.

ウェハ表面がダイシングライン2によってユニットと称
する領域4に分割されている。
The wafer surface is divided by dicing lines 2 into regions 4 called units.

各ユニット4は、第2図に示されるように、適当な数の
ゲート領域6を備えている。
Each unit 4 includes an appropriate number of gate regions 6, as shown in FIG.

第2図のユニット4の例では、ゲート領域6の間に配線
領域8が配置され、これらの領域6,8が繰り返されて
規則的に配置されている。しかし、ユニット4には配線
領域8を設けず、全面にゲートを敷きつめるようにして
もよい。
In the example of the unit 4 in FIG. 2, a wiring region 8 is arranged between the gate regions 6, and these regions 6, 8 are repeatedly arranged regularly. However, the wiring area 8 may not be provided in the unit 4, and gates may be spread over the entire surface.

ゲート領域6にはMOSトランジスタ基本回路のゲート
が規則的に固定されて配置されている。
In the gate region 6, gates of MOS transistor basic circuits are regularly fixed and arranged.

ユニット4にはまた、ポンディングパッド用のI10領
域は設けられていない。しかし、各ユニット4ごとにI
10領域を設けてもよい。
Unit 4 also does not have an I10 area for a bonding pad. However, for each unit 4 I
Ten areas may be provided.

カスタム工程においてはこのマスタウェハを共通に用い
、各品種ごとに所望する論理回路のゲート数に応じて1
個又は複数個のユニット4を使用する。例えば、第3図
に示されるように4個のユニット4で1個のチップを構
成するようにし、また例えば第4図に示されるように9
個のユニット4で1個のチップを構成するようにする。
This master wafer is commonly used in the customization process, and one
one or more units 4 are used. For example, as shown in FIG. 3, four units 4 constitute one chip, and for example, as shown in FIG.
The units 4 constitute one chip.

第3図及び第4図で鎖線で囲まれた領域が1個のチップ
の大きさを表わしている。
The area surrounded by chain lines in FIGS. 3 and 4 represents the size of one chip.

1個のユニット4が例えば500ゲートを含むとすれば
第3図の1チップで2000ゲートの論理回路を集積化
することができ、第4図の1チップで4500ゲートの
論理回路を集積化することができる。
If one unit 4 includes, for example, 500 gates, a logic circuit of 2000 gates can be integrated with one chip shown in FIG. 3, and a logic circuit of 4500 gates can be integrated with one chip shown in FIG. be able to.

第5図は第3図のように4個のユニット4を用いて半導
体集積回路装置チップを形成した例を示している。
FIG. 5 shows an example in which a semiconductor integrated circuit device chip is formed using four units 4 as shown in FIG.

チップの周囲の内側にはポンディングパッド10が配置
されている。ポンディングパッド10はゲート領域6上
に形成する。人出カバソファ回路はゲート領域6のゲー
トを使用して構成する。
A bonding pad 10 is arranged inside the periphery of the chip. A bonding pad 10 is formed on the gate region 6. The turnout cover sofa circuit is constructed using the gates in the gate region 6.

4個のユニット4を含む領域の外側のダイシングライン
はこのチップをダイシングする際に使用される。チップ
の内側には図で横方向(ゲート領域6の列方向と同じ方
向)のダイシングライン2aと縦方向のダイシングライ
ン2bが残る。横方向のダイシングライン2aは例えば
配線領域として使用し、縦方向のダイシングライン2b
は例えば配線領域及び電源ライン用領域として使用する
ことができ、チップ内部のダイシングラインは有効に利
用することができる。
Dicing lines outside the area including the four units 4 are used when dicing this chip. Inside the chip, dicing lines 2a in the horizontal direction (in the same direction as the column direction of the gate regions 6) and vertical dicing lines 2b remain in the figure. The horizontal dicing line 2a is used, for example, as a wiring area, and the vertical dicing line 2b
can be used, for example, as a wiring area and a power supply line area, and dicing lines inside the chip can be used effectively.

(効果) 本発明ではダイシングラインで囲まれた領域に基本回路
を規則的に配置したユニットを複数個備えたマウタウエ
ハを形成しておき、配線工程以降において1チップにつ
いて1個又は複数個の前記ユニットを使用し、品種ごと
の配線マスクを使用して論理回路を構成するようにした
ので、配線工程を施す前のマスタウェハとして1種類の
ものを用意しておけばよく、量産効果によるコスト低下
が可能となる。また、生産管理(在庫管理)に人手がか
からない。
(Effects) In the present invention, a mounting wafer is formed that includes a plurality of units in which basic circuits are regularly arranged in an area surrounded by a dicing line, and one or more of the units per chip are formed after the wiring process. Since the logic circuit is configured using wiring masks for each type of wafer, it is only necessary to prepare one type of master wafer before performing the wiring process, and costs can be reduced due to mass production effects. becomes. In addition, production management (inventory management) does not require manpower.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は一実施例のマスタウェハ′の一部を示す概略平
面図、第2図は同ウェハの一ユニットを示す概略平面図
、第3図及び第4図はそれぞれ実施例におけるチップ領
域を示す概略平面図、第5図は一実施例の1チップの例
を示す概略平面図である。 2・・・・・・ダイシングライン、4・・・・・・ユニ
ット、6・・・・・・ゲート領域。
FIG. 1 is a schematic plan view showing a part of a master wafer' of one embodiment, FIG. 2 is a schematic plan view showing one unit of the same wafer, and FIGS. 3 and 4 each show a chip area in the embodiment. Schematic Plan View FIG. 5 is a schematic plan view showing an example of one chip of an embodiment. 2... Dicing line, 4... Unit, 6... Gate area.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ダイシングラインで囲まれた領域に基本回路を規
則的に配置したユニットを複数個備えたマスタウエハを
形成しておき、配線工程以降において1チップについて
1個又は複数個の前記ユニットを使用し、品種ごとの配
線マスクを使用して論理回路を構成するゲートアレイ方
式半導体集積回路装置の製造方法。
(1) A master wafer is formed that includes a plurality of units in which basic circuits are regularly arranged in an area surrounded by a dicing line, and one or more of the units are used for one chip in the wiring process and thereafter. , a method for manufacturing a gate array type semiconductor integrated circuit device that configures a logic circuit using wiring masks for each product type.
JP63117972A 1988-05-14 1988-05-14 Manufacture of gate array system semiconductor integrated circuit device Pending JPH01287945A (en)

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