JPH09312340A - Manufacture of semiconductor chip and thereby formed semiconductor chip - Google Patents

Manufacture of semiconductor chip and thereby formed semiconductor chip

Info

Publication number
JPH09312340A
JPH09312340A JP12516996A JP12516996A JPH09312340A JP H09312340 A JPH09312340 A JP H09312340A JP 12516996 A JP12516996 A JP 12516996A JP 12516996 A JP12516996 A JP 12516996A JP H09312340 A JPH09312340 A JP H09312340A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit blocks
functional circuit
semiconductor
semiconductor chip
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12516996A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyasu Nishikawa
博康 西川
Keiji Sasaki
圭治 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Computer Engineering Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Computer Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Computer Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP12516996A priority Critical patent/JPH09312340A/en
Publication of JPH09312340A publication Critical patent/JPH09312340A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently produce various types of semiconductor chips by forming equally sectioned chip regions on a semiconductor wafer with input/output circuit blocks and functional circuit blocks and dicing the wafer into individual semiconductor chips. SOLUTION: For functional circuit blocks C11 -C14 having mutually different functions are formed on the central area of a C-pattern e.g. in a gate array system. As the area is small, different wiring designs are applied to entirely formed common basic cells to form four functions collected on one chip region 1a. Around the collected functional circuits C11 -C14 , input/output circuit blocks C21 for transferring signals from and to externals are formed. Since the functional circuit blocks having a smaller area than that of IMS are collectedly formed on one chip region 1a, various types of chips can be produced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップの製造
に適用して有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique effectively applied to the manufacture of semiconductor chips.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体の製造において、大量生産が許さ
れる半導体チップにおけるコスト低減には、製造方法や
使用部品の共通化を行うこと、半導体ウェハを大口径化
して半導体チップの取得数の多くすることなどが実行さ
れている。
2. Description of the Related Art In the manufacturing of semiconductors, in order to reduce the cost of semiconductor chips which can be mass-produced, the manufacturing method and the parts used are standardized, and the diameter of the semiconductor wafer is increased to increase the number of semiconductor chips to be acquired. Things are being done.

【0003】ここで、半導体装置におけるシステム製品
の付加価値を高めるというユーザ側の要求に対して、メ
ーカ側では特定用途向けの半導体装置を短TAT(Turn
Arround Time)で開発、試作、動作確認することが必要
とされている。そして、このようなユーザニーズの多様
化に対応するための多品種少量生産を行うためには様々
の手法が考えられる。
Here, in response to a user's demand for increasing the added value of a system product in a semiconductor device, the maker side provides a semiconductor device for a specific application with a short TAT (Turn).
Arround Time) is required to develop, prototype, and check the operation. Then, various methods are conceivable in order to carry out such a diversification of user needs in order to carry out small-lot production of various products.

【0004】たとえば、作りすぎを防止するために着工
時における半導体ウェハのロット数を制限したり枚葉処
理とする技術、ゲートアレイ方式における配線層結線を
行うフォトマスクを複数種用いたり電子線直接描画手法
における描画データを複数種用いて半導体ウェハ上に同
一サイズで種類の異なるチップ領域を形成する技術など
である。なお、半導体チップの多品種展開に関する技術
を詳しく記載している例としては、たとえば、日経BP
社発行、「最新ASIC設計術 '94」(1993年7月20日
発行)、 P25〜 P40がある。
For example, a technique of limiting the number of lots of semiconductor wafers at the time of start of construction or a single-wafer processing in order to prevent over-fabrication, a plurality of photomasks for wiring layer wiring in the gate array method, or a direct electron beam For example, a technique of forming different types of chip regions of the same size on a semiconductor wafer by using a plurality of types of writing data in a writing method. As an example in which the technology relating to the multi-product development of semiconductor chips is described in detail, for example, Nikkei BP
Published by the company, "Latest ASIC design technique '94" (issued July 20, 1993), P25 ~ P40.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】多品種少量生産におい
ては、必要な数だけの半導体チップを過不足なく、且つ
低コストで作成することが必要である。
In the high-mix low-volume production, it is necessary to produce the required number of semiconductor chips without excess and deficiency and at low cost.

【0006】しかし、前記した技術では、1枚の半導体
ウェハから得られる半導体チップの取得数が必要数以上
の場合があり、このときにはオーバー分だけ半導体チッ
プは不要になってしまう。
However, in the above-mentioned technique, the number of semiconductor chips obtained from one semiconductor wafer may be more than the required number, and at this time, the semiconductor chips are not needed due to the excess.

【0007】また、半導体チップは半導体ウェハ上に均
等に区画されたチップ領域に作り込まれるが、必要な機
能を実現するために必要とされる面積がこのチップ領域
の面積までは必要としない場合もある。1枚の半導体ウ
ェハにおけるチップ領域の広さを異ならしめることはダ
イシングの点から認められないので、このようなとき、
製造された半導体チップには空き領域が発生することに
なる。該空き領域が僅かならばよいが、半導体チップの
半分以上のスペースを占めるようになると製造コストの
増加は無視できないものになる。
Further, when the semiconductor chip is formed in a chip area which is evenly divided on the semiconductor wafer, the area required for realizing the required function is not required up to the area of this chip area. There is also. Since it is not admitted from the dicing point that the chip areas of one semiconductor wafer are made different, in such a case,
An empty area will be generated in the manufactured semiconductor chip. It is sufficient if the empty area is small, but if it takes up more than half the space of the semiconductor chip, the increase in manufacturing cost cannot be ignored.

【0008】そこで、本発明の目的は、多品種の半導体
チップを効率よく製造することのできる技術を提供する
ことにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a technique capable of efficiently manufacturing a wide variety of semiconductor chips.

【0009】本発明の他の目的は、多品種の半導体チッ
プを低コストで製造することのできる技術を提供するこ
とにある。
Another object of the present invention is to provide a technique capable of manufacturing various kinds of semiconductor chips at low cost.

【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0012】すなわち、本発明による半導体チップの製
造方法は、半導体ウェハ上に均等に区画された複数のチ
ップ領域のうちの一部のチップ領域を外部との間で信号
の授受を行う入出力回路ブロックおよび複数の機能回路
ブロックにより形成し、半導体ウェハをダイシングして
個々の半導体チップに分割することを特徴とするもので
ある。
That is, the method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention is an input / output circuit for exchanging signals with a part of a plurality of chip regions evenly divided on a semiconductor wafer. It is characterized in that it is formed by blocks and a plurality of functional circuit blocks, and a semiconductor wafer is diced and divided into individual semiconductor chips.

【0013】この場合において、複数の機能回路ブロッ
クは、共通の基本セルに対して異なる配線設計を施して
形成することができる。また、入出力回路ブロックは、
複数の機能回路ブロックに共用させることができる。
In this case, the plurality of functional circuit blocks can be formed by applying different wiring designs to the common basic cell. The input / output circuit block is
It can be shared by a plurality of functional circuit blocks.

【0014】本発明による半導体チップは、前記した半
導体チップの製造方法により得られたことを特徴とする
ものである。
A semiconductor chip according to the present invention is characterized by being obtained by the above-mentioned method for manufacturing a semiconductor chip.

【0015】上記した手段によれば、1枚の半導体ウェ
ハ上に形成可能な回路パターンの種類が多くなって多品
種の半導体チップを効率よく製造することが可能にな
る。
According to the above-mentioned means, the number of types of circuit patterns that can be formed on one semiconductor wafer increases, and it becomes possible to efficiently manufacture various types of semiconductor chips.

【0016】また、半導体ウェハ1枚当たりの実質的な
チップ取得数が増加するために半導体チップを効率的に
得ることができ、多品種の半導体チップを低コストで製
造することが可能になる。
Further, since the substantial number of chips to be obtained per semiconductor wafer is increased, semiconductor chips can be efficiently obtained, and a wide variety of semiconductor chips can be manufactured at low cost.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0018】図1は本発明の一実施の形態である半導体
ウェハを示す概略図、図2、図3および図4は図1の半
導体ウェハに作り込まれたチップ領域内の回路配置を示
す説明図である。
FIG. 1 is a schematic view showing a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2, 3 and 4 are explanatory views showing a circuit arrangement in a chip region built in the semiconductor wafer of FIG. It is a figure.

【0019】図1に示すように、本実施の形態での半導
体ウェハ1には均等に区画された52のチップ領域1a
が形成されている。そして、チップ領域1aの面積はこ
の半導体ウェハ1に作り込まれる回路配置のうちで最も
広い面積となるパターン(後述するAパターン)に合わ
せて設定されている。但し、たとえば生産性を考慮し
て、最も生産枚数が見込まれる面積としてもよい。これ
らのチップ領域1aのうち13箇所にAパターンの回路
配置が、同じく13箇所にBパターンが、26箇所にC
パターンがそれぞれ形成されている。すなわち、本実施
の形態において、A〜Cパターンの必要数はたとえば
「1:1:2」の割合となっており、これに応じて1
3,13,26の各パターンが形成されているものであ
る。なお、以上のチップ領域1aの数、パターン数およ
びパターン配分数は一例に過ぎず、これに限定されるも
のではない。
As shown in FIG. 1, the semiconductor wafer 1 in this embodiment has 52 chip regions 1a which are evenly divided.
Are formed. The area of the chip region 1a is set in accordance with the pattern (A pattern described later) having the largest area in the circuit layout built in the semiconductor wafer 1. However, in consideration of productivity, for example, the area may be set to the area where the number of sheets to be produced is most expected. Of these chip areas 1a, 13 patterns have A-pattern circuit arrangements, 13 patterns have B-patterns, and 26 patterns have C-patterns.
Each pattern is formed. That is, in the present embodiment, the required number of patterns A to C is, for example, "1: 1: 2", and accordingly, 1 is required.
Each of the patterns 3, 13, and 26 is formed. The number of chip areas 1a, the number of patterns, and the number of pattern distributions described above are merely examples, and the present invention is not limited to these.

【0020】各パターンの回路配置を図2〜図4に示
す。
The circuit layout of each pattern is shown in FIGS.

【0021】図2に示すAパターンはたとえばDRAM
(Dynamic Random Access Memory)を構成しており、斜
線で示す中央部にメモリセルである機能回路ブロックA
11が、これと接するようにして周辺部に信号授受を行う
入出力回路ブロックA21がそれぞれ形成されている。
The pattern A shown in FIG. 2 is, for example, a DRAM.
(Dynamic Random Access Memory), and the functional circuit block A, which is a memory cell, is shown in the central portion indicated by diagonal lines.
Reference numeral 11 denotes an input / output circuit block A 21 for transmitting and receiving a signal to and from the peripheral portion so as to be in contact with this.

【0022】また、図3に示すBパターンはたとえばS
RAM(Static Random Access Memory)を構成してお
り、斜線で示す中央部にメモリセルである機能回路ブロ
ックB11が形成されている。この機能回路ブロックB11
と間隔を開けて周辺部に入出力回路ブロックB21が形成
されている。このBパターンでは、機能回路ブロックB
11の必要スペースがAパターンの場合ほどではないため
に空き領域(図3の白抜きで示す部分)が図示されてい
るが、実際にはこの部分には配線が形成されることにな
る。なお、Bパターンの形成においては、機能回路ブロ
ックB11と入出力回路ブロックB21とを異なる素子の組
み合わせと考えた上で予めAパターンの入出力回路ブロ
ックA21を利用して回路の動作確認を行っておき、その
後、半導体ウェハ1上に最適な面積の機能回路ブロック
11を作り込むようにすることができる。
The B pattern shown in FIG. 3 is, for example, S
A RAM (Static Random Access Memory) is configured, and a functional circuit block B 11, which is a memory cell, is formed in the central portion indicated by diagonal lines. This functional circuit block B 11
An input / output circuit block B 21 is formed in the peripheral portion with a space therebetween. In this B pattern, the functional circuit block B
Since the required space of 11 is not as large as in the case of the pattern A, a vacant area (the portion shown by white in FIG. 3) is shown, but in reality, wiring is formed in this portion. In forming the B pattern, the functional circuit block B 11 and the input / output circuit block B 21 are considered to be combinations of different elements, and the circuit operation is confirmed in advance by using the input / output circuit block A 21 of the A pattern. After that, the functional circuit block B 11 having an optimum area can be formed on the semiconductor wafer 1.

【0023】ここで、AパターンはDRAM、Bパター
ンはSRAMとされているが、たとえばゲートアレイ方
式を用いた論理回路など、他の種々の半導体回路を形成
することができ、これらに限定されるものではない。
Here, the A pattern is DRAM and the B pattern is SRAM. However, various other semiconductor circuits such as a logic circuit using a gate array system can be formed, and the present invention is not limited thereto. Not a thing.

【0024】図4に示すCパターンはその中央部に相互
に異なる機能を有する4つの機能回路ブロックC11,C
12,C13,C14がたとえばゲートアレイ方式により形成
されている。つまり、本来1つずつのチップ領域1aに
それぞれ形成される機能回路ブロックであるが、面積が
狭小なため、全体に形成された共通の基本セルに対して
異なる配線設計を施すことにより1つのチップ領域1a
に4種類の機能として集合形成されているものである。
但し、ゲートアレイ方式により構成される機能回路ブロ
ックC11,C12,C13,C14としては論理回路が一般的
であるが、回路結線を組み合わせて記憶回路としたり、
一部を論理回路、他の一部を記憶回路にするようにして
もよい。また、SRAMなどの記憶回路とゲートアレイ
による論理回路や記憶回路とを1チップに同時形成する
ようにしてもよい。さらにはゲートアレイ方式以外の技
術によって機能回路ブロックC11,C12,C13,C14
形成してもよい。なお、この機能回路ブロックは複数で
あれば4つに限定されるものではない。
The C pattern shown in FIG. 4 has four functional circuit blocks C 11 and C having centrally different functions.
12 , C 13 and C 14 are formed by, for example, a gate array method. That is, although the functional circuit blocks are originally formed in the respective chip regions 1a one by one, since the area is small, different wiring designs are applied to the common basic cells formed over the entire area to obtain one chip. Area 1a
It is formed as a set of four types of functions.
However, logic circuits are generally used as the functional circuit blocks C 11 , C 12 , C 13 , and C 14 configured by the gate array method, but circuit connections are combined to form a memory circuit,
A part may be a logic circuit and the other part may be a memory circuit. Further, a memory circuit such as SRAM and a logic circuit or memory circuit using a gate array may be simultaneously formed on one chip. Further, the functional circuit blocks C 11 , C 12 , C 13 and C 14 may be formed by a technique other than the gate array method. The number of functional circuit blocks is not limited to four as long as it is plural.

【0025】集合した機能回路ブロックC11,C12,C
13,C14の周辺部には、外部との間で信号の授受を行う
入出力回路ブロックC21が形成されている。この入出力
回路ブロックC21は前記した複数の機能回路ブロックC
11,C12,C13,C14に共用されて省面積化が図られて
いる。したがって、何れかの機能回路ブロックC11,C
12,C13,C14が新規回路である場合の電気的テストは
この入出力回路ブロックC21を使って行われる。但し、
入出力回路ブロックC21は必ずしも共用されている必要
はない。
Collected functional circuit blocks C 11 , C 12 , C
An input / output circuit block C 21 for exchanging signals with the outside is formed in the peripheral portions of 13 and C 14 . The input / output circuit block C 21 is a plurality of the functional circuit blocks C described above.
It is shared by 11 , C 12 , C 13 , and C 14 to reduce the area. Therefore, one of the functional circuit blocks C 11 and C
An electrical test when 12 , C 13 and C 14 are new circuits is performed using this input / output circuit block C 21 . However,
The input / output circuit block C 21 does not necessarily have to be shared.

【0026】なお、各機能回路ブロックC11,C12,C
13,C14を同一の機能を有する相補的なものとし、電気
的テストの結果不良と判定された何れかの機能回路ブロ
ックC11,C12,C13,C14を他で置き換えるようにし
てもよい。さらに、本実施の形態のように機能回路ブロ
ックC11,C12,C13,C14を4つすなわち偶数個形成
した場合には、これらを2つで1つの組にし、ペアの関
係にある機能回路ブロックC11,C12と機能回路ブロッ
クC13,C14を相補的なものとし、他のペアとの関係で
は相互に異なる機能を有するものとすることもできる。
Each functional circuit block C 11 , C 12 , C
By making 13 and C 14 complementary to each other having the same function, any of the functional circuit blocks C 11 , C 12 , C 13 and C 14 determined to be defective as a result of the electrical test is replaced by another. Good. Further, when four functional circuit blocks C 11 , C 12 , C 13 , and C 14 are formed as in the present embodiment, that is, an even number, the two functional circuits block C 11 , C 12 , C 13 , and C 14 form a set and have a pair relationship. The functional circuit blocks C 11 and C 12 and the functional circuit blocks C 13 and C 14 may be complementary to each other and have mutually different functions in relation to other pairs.

【0027】チップ領域1aにA〜Cパターンが形成さ
れた半導体ウェハ1は、スクライブエリアに沿ってダイ
シングされ、個々の半導体チップに分割される。その
後、リードフレームにマウントされてリードと電気的に
接続され、封止およびリードの切断成形を経て半導体装
置としての完成品となる。
The semiconductor wafer 1 having the A to C patterns formed in the chip area 1a is diced along the scribe area and divided into individual semiconductor chips. After that, the semiconductor device is mounted on a lead frame and electrically connected to the leads, and is sealed and cut and molded into a finished product as a semiconductor device.

【0028】このように本実施の形態によれば、IMS
(Integrated Mask System)により面積が狭小な機能回
路ブロックC11,C12,C13,C14を1つのチップ領域
1aに集合形成している(Cパターン)ので、1枚の半
導体ウェハ上に形成可能な回路パターンの種類が多くな
って多品種の半導体チップを効率よく製造することが可
能になる。
As described above, according to the present embodiment, the IMS
Since the functional circuit blocks C 11 , C 12 , C 13 and C 14 having a small area are collectively formed in one chip region 1a (C pattern) by (Integrated Mask System), they are formed on one semiconductor wafer. As the number of possible circuit patterns increases, it becomes possible to efficiently manufacture a wide variety of semiconductor chips.

【0029】また、1枚の半導体ウェハ当たりの実質的
なチップ取得数が増加するために半導体チップを効率的
に得ることができるので、多品種の半導体チップを低コ
ストで製造することが可能になる。
Further, since the substantial number of chips to be obtained per one semiconductor wafer is increased, the semiconductor chips can be efficiently obtained, so that various kinds of semiconductor chips can be manufactured at low cost. Become.

【0030】さらに、新たな製造装置を導入することな
く既存設備を用いて従来と同様のウェハプロセスを経る
ことで半導体チップを得ることができるので、半導体チ
ップの多品種少量生産を経済的に行うことができる。
Furthermore, since semiconductor chips can be obtained by performing the same wafer process as the conventional one using the existing equipment without introducing a new manufacturing apparatus, it is possible to economically produce a large variety of semiconductor chips in small quantities. be able to.

【0031】そして、従来と同様のウェハプロセスで多
品種の半導体チップが得られるので、チップ製造時間を
短縮することができる。
Since various kinds of semiconductor chips can be obtained by the same wafer process as the conventional one, the chip manufacturing time can be shortened.

【0032】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。
The invention made by the present inventor has been specifically described above based on the embodiments thereof, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It goes without saying that it is possible.

【0033】[0033]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0034】(1).すなわち、本発明によれば、1枚の半
導体ウェハ上に形成可能な回路パターンの種類が多くな
って多品種の半導体チップを効率よく製造することが可
能になる。
(1). That is, according to the present invention, the number of types of circuit patterns that can be formed on one semiconductor wafer increases, and it becomes possible to efficiently manufacture a wide variety of semiconductor chips.

【0035】(2).また、半導体ウェハ1枚当たりの実質
的なチップ取得数が増加するために半導体チップを効率
的に得ることができ、多品種の半導体チップを低コスト
で製造することが可能になる。
(2) In addition, since the number of chips substantially obtained per semiconductor wafer increases, semiconductor chips can be efficiently obtained, and a wide variety of semiconductor chips can be manufactured at low cost. It will be possible.

【0036】(3).さらに、既存設備を用いて従来と同様
のウェハプロセスを経ることで半導体チップを得ること
ができるので、半導体チップの多品種少量生産を経済的
に行うことができる。
(3) Further, since semiconductor chips can be obtained by using the existing equipment and undergoing the same wafer process as the conventional one, it is possible to economically carry out the production of various kinds of semiconductor chips in small quantities.

【0037】(4).従来と同様のウェハプロセスで多品種
の半導体チップが得られるので、チップ製造時間を短縮
することができる。
(4). Since various kinds of semiconductor chips can be obtained by the same wafer process as the conventional one, the chip manufacturing time can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施の形態による半導体ウェハを示
す概略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の半導体ウェハのチップ領域内に作り込ま
れたAパターンの回路配置を示す説明図である。
2 is an explanatory diagram showing a circuit arrangement of an A pattern formed in a chip region of the semiconductor wafer of FIG.

【図3】図1の半導体ウェハのチップ領域内に作り込ま
れたBパターンの回路配置を示す説明図である。
3 is an explanatory diagram showing a circuit layout of a B pattern formed in a chip area of the semiconductor wafer of FIG.

【図4】図1の半導体ウェハのチップ領域内に作り込ま
れたCパターンの回路配置を示す説明図である。
4 is an explanatory diagram showing a circuit layout of a C pattern formed in a chip area of the semiconductor wafer of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体ウェハ 1a チップ領域 A11 機能回路ブロック A21 入出力回路ブロック B11 機能回路ブロック B21 入出力回路ブロック C11,C12,C13,C14 機能回路ブロック C21 入出力回路ブロック1 Semiconductor Wafer 1a Chip Area A 11 Functional Circuit Block A 21 Input / Output Circuit Block B 11 Functional Circuit Block B 21 Input / Output Circuit Block C 11 , C 12 , C 13 , C 14 Functional Circuit Block C 21 Input / Output Circuit Block

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェハ上に均等に区画された複数
のチップ領域のうちの一部のチップ領域を外部との間で
信号の授受を行う入出力回路ブロックおよび複数の機能
回路ブロックにより形成し、前記半導体ウェハをダイシ
ングして個々の半導体チップに分割することを特徴とす
る半導体チップの製造方法。
1. A part of a plurality of chip regions equally divided on a semiconductor wafer is formed by an input / output circuit block and a plurality of functional circuit blocks for transmitting / receiving a signal to / from the outside. A method of manufacturing a semiconductor chip, characterized by dicing the semiconductor wafer into individual semiconductor chips.
【請求項2】 請求項1記載の半導体チップの製造方法
において、前記複数の機能回路ブロックは、共通の基本
セルに対して異なる配線設計を施して形成されているこ
とを特徴とする半導体チップの製造方法。
2. The method of manufacturing a semiconductor chip according to claim 1, wherein the plurality of functional circuit blocks are formed by applying different wiring designs to a common basic cell. Production method.
【請求項3】 請求項1または2記載の半導体チップの
製造方法において、前記入出力回路ブロックは、複数の
前記機能回路ブロックに共用されていることを特徴とす
る半導体チップの製造方法。
3. The method of manufacturing a semiconductor chip according to claim 1, wherein the input / output circuit block is shared by a plurality of the functional circuit blocks.
【請求項4】 請求項1〜3のいずれか一項に記載の半
導体チップの製造方法により得られたことを特徴とする
半導体チップ。
4. A semiconductor chip obtained by the method for manufacturing a semiconductor chip according to claim 1.
JP12516996A 1996-05-21 1996-05-21 Manufacture of semiconductor chip and thereby formed semiconductor chip Pending JPH09312340A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12516996A JPH09312340A (en) 1996-05-21 1996-05-21 Manufacture of semiconductor chip and thereby formed semiconductor chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12516996A JPH09312340A (en) 1996-05-21 1996-05-21 Manufacture of semiconductor chip and thereby formed semiconductor chip

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09312340A true JPH09312340A (en) 1997-12-02

Family

ID=14903601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12516996A Pending JPH09312340A (en) 1996-05-21 1996-05-21 Manufacture of semiconductor chip and thereby formed semiconductor chip

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09312340A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007525845A (en) * 2004-02-27 2007-09-06 ラピッド ブリッジ リミティド ライアビリティー カンパニー Method and architecture for integrated circuit design and manufacture
WO2020255191A1 (en) * 2019-06-17 2020-12-24 日本電信電話株式会社 Optical circuit wafer

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007525845A (en) * 2004-02-27 2007-09-06 ラピッド ブリッジ リミティド ライアビリティー カンパニー Method and architecture for integrated circuit design and manufacture
JP2011249846A (en) * 2004-02-27 2011-12-08 Rapid Bridge Llc Method and architecture for integrated circuit design and manufacturing thereof
WO2020255191A1 (en) * 2019-06-17 2020-12-24 日本電信電話株式会社 Optical circuit wafer
JPWO2020255191A1 (en) * 2019-06-17 2020-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2959444B2 (en) Automatic placement and routing method for flip-chip type semiconductor device
JPH07147386A (en) Semiconductor device and its manufacturing method and apparatus used for it
JPH09312340A (en) Manufacture of semiconductor chip and thereby formed semiconductor chip
JPH1098108A (en) Semiconductor device
US20010045572A1 (en) Semiconductor interated circuit and method of manufacturing the same
JPH0542823B2 (en)
JP3204385B2 (en) Semiconductor device
JPH09199377A (en) Manufacture of chip
JPH11154708A (en) Programmable semiconductor device
JPS604249A (en) Semiconductor device
JPS587847A (en) Semiconductor device
KR0172398B1 (en) Hybrid semiconductor memory device
JPH09246387A (en) Semiconductor wafer, semiconductor integrated circuit device using it and manufacture of semiconductor integrated circuit
JPS61294833A (en) Semiconductor integrated circuit
KR0172392B1 (en) Hybrid semiconductor memory device
JPH11121723A (en) Semiconductor integrated circuit device and reticle for base element manufacture
JPS61216339A (en) Composite wafer scale integrated circuit
JPS6254921A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH02201958A (en) Gate array type semiconductor integrated circuit device
JPS6072247A (en) Semiconductor ic device
JPH0383376A (en) Gate array
JPH0536921A (en) Vls semiconductor device and manufacture thereof
JPH0645566A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH04186749A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH053285A (en) Semiconductor device