JPH01286471A - 放射線検出素子 - Google Patents
放射線検出素子Info
- Publication number
- JPH01286471A JPH01286471A JP63114630A JP11463088A JPH01286471A JP H01286471 A JPH01286471 A JP H01286471A JP 63114630 A JP63114630 A JP 63114630A JP 11463088 A JP11463088 A JP 11463088A JP H01286471 A JPH01286471 A JP H01286471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillator
- film
- microcrystalline
- thick
- transparent electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 13
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 150000001283 organosilanols Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放射線検出素子に係り、特に検出感度の高い
放射線検出素子に関する。
放射線検出素子に関する。
放射線検出素子の一例としてＣＴ用固体検出素子につい
て述べる。このような検出素子の代表的なものとしてシ
ンチレータとフォトダイオードを組み合わせたものがあ
る。近年非晶質材料の応用研究の進歩により、フォトダ
イオードとして非晶質シリコンフォトダイオードを用い
ることが可能になりつつある（応用物理学会誌、１９８
６年ｐ、８２４）、またこのような素子に関連するもの
には、特開昭６２−７１８［や特開昭６２−４３５１１
１５が挙げられる。
て述べる。このような検出素子の代表的なものとしてシ
ンチレータとフォトダイオードを組み合わせたものがあ
る。近年非晶質材料の応用研究の進歩により、フォトダ
イオードとして非晶質シリコンフォトダイオードを用い
ることが可能になりつつある（応用物理学会誌、１９８
６年ｐ、８２４）、またこのような素子に関連するもの
には、特開昭６２−７１８［や特開昭６２−４３５１１
１５が挙げられる。
上記従来技術において、非晶質シリコン（以下ａ−８ｉ
と略記する）フォトダイオードに関しては、ａ−８ｉ太
陽電池の研究開発や、ファクシミリ用−次元ラインセン
サ用ａ−８ｉフォトダイオードの開発で培われた技術が
応用されている。しかし、これらの技術分野で開発され
たフォトダイオードは、その応用目的が異なるため必ら
ずしも放射線検出素子用には最適化が配慮されていなか
った。
と略記する）フォトダイオードに関しては、ａ−８ｉ太
陽電池の研究開発や、ファクシミリ用−次元ラインセン
サ用ａ−８ｉフォトダイオードの開発で培われた技術が
応用されている。しかし、これらの技術分野で開発され
たフォトダイオードは、その応用目的が異なるため必ら
ずしも放射線検出素子用には最適化が配慮されていなか
った。
例えば素子に照射される光強度は、上記ａ−８ｉ太陽電
池では、１００ ｍＷ／ｆｆｌ （太陽光下）から０
、０５ ｍ Ｗ ／ ｃｉ （蛍光灯下）の範囲内にあ
るが、放射線検出素子では１０−２〜１０−’ｍＷ／ａ
＃と桁違いに小さい。従って微弱光に対する光感度やリ
ーク電流の点でこれまでのａ−８ｉフオトダイオードの
性能では満足できないという問題点があった。
池では、１００ ｍＷ／ｆｆｌ （太陽光下）から０
、０５ ｍ Ｗ ／ ｃｉ （蛍光灯下）の範囲内にあ
るが、放射線検出素子では１０−２〜１０−’ｍＷ／ａ
＃と桁違いに小さい。従って微弱光に対する光感度やリ
ーク電流の点でこれまでのａ−８ｉフオトダイオードの
性能では満足できないという問題点があった。
特に、従来技術では、シンチレータとａ−８ｉフオトダ
イオードの間に透明１ｆ極を設けることが必須であった
ため、透明電極とｐ型層−８ｉ系膜との反応によるフォ
トダイオードの特性低下および透明電極層による光吸収
損や界面反射損等の問題があった５ 本発明の目的は、上記問題点を解決し、検出感度の高い
、従ってＳ／Ｎの高い放射線検出素子を提供することに
ある。
イオードの間に透明１ｆ極を設けることが必須であった
ため、透明電極とｐ型層−８ｉ系膜との反応によるフォ
トダイオードの特性低下および透明電極層による光吸収
損や界面反射損等の問題があった５ 本発明の目的は、上記問題点を解決し、検出感度の高い
、従ってＳ／Ｎの高い放射線検出素子を提供することに
ある。
上記目的は、放射線を光に変換するシンチレータと、該
シンチレータからの発光を電気信号に変換するフォトダ
イオードから成る放射線検出素子において、シンチレー
タ側に透明電極を設けず、微結晶層を直接形成するか、
あるいは、透光性絶縁膜を設けた上に微結晶層を形成す
ることにより達成される。また、上記目的は、微結晶層
を結晶層あるいはアモルファス相と多結晶相から成る混
層膜に置きかえることによっても達成される。
シンチレータからの発光を電気信号に変換するフォトダ
イオードから成る放射線検出素子において、シンチレー
タ側に透明電極を設けず、微結晶層を直接形成するか、
あるいは、透光性絶縁膜を設けた上に微結晶層を形成す
ることにより達成される。また、上記目的は、微結晶層
を結晶層あるいはアモルファス相と多結晶相から成る混
層膜に置きかえることによっても達成される。
アモルファス太陽電池は、ガラス／透明電極／ｐｉｎ／
金属電極構造を有する。ここでｐ型層には通常、導電度
１０”−”Ｓ／ａｎ（比抵抗１０６Ω’ａｎ）程度のａ
−Ｓ ｉ Ｃ： Ｈ膜あるいは０．１−１０３／ｍ（
比抵抗１０−０．０１Ω・口）ノ微結晶Ｓｉ：Ｈまたは
微結晶ＳｉＣ：Ｈ１ｌｆｉが使用されているヮこれらの
膜は厚さが０．０１〜０．０２μｍであるため、低抵抗
の微結晶膜でもそのシート抵抗は５０００Ω／口以上と
なる。したがって直列抵抗損を減らし有効な光起電力を
得るには、シート抵抗値１０Ω／口前後の透明電極をガ
ラス側全面に形成することが必須である。
金属電極構造を有する。ここでｐ型層には通常、導電度
１０”−”Ｓ／ａｎ（比抵抗１０６Ω’ａｎ）程度のａ
−Ｓ ｉ Ｃ： Ｈ膜あるいは０．１−１０３／ｍ（
比抵抗１０−０．０１Ω・口）ノ微結晶Ｓｉ：Ｈまたは
微結晶ＳｉＣ：Ｈ１ｌｆｉが使用されているヮこれらの
膜は厚さが０．０１〜０．０２μｍであるため、低抵抗
の微結晶膜でもそのシート抵抗は５０００Ω／口以上と
なる。したがって直列抵抗損を減らし有効な光起電力を
得るには、シート抵抗値１０Ω／口前後の透明電極をガ
ラス側全面に形成することが必須である。
これに対し、本発明の放射線検出素子では、フォトダイ
オードへの入射光強度が１０−２〜１０−３ｍ Ｗ ／
ａｌと太陽電池の１／１０’ 〜１／１０７である。
オードへの入射光強度が１０−２〜１０−３ｍ Ｗ ／
ａｌと太陽電池の１／１０’ 〜１／１０７である。
光起電力の直列抵抗損は光温度に比例するから、該フォ
トダイオードのシート抵抗の最大許容値は１０ Ｘ １
０４Ω／口 となり、透明電極を設ける必要がない。光
入射側のｐあるいはｎ型層の膜厚を０．０２μｍとする
と比抵抗は０．２Ω・国となる。さらに、該ａ−３ｉフ
ォトダイオードのパターン幅は１ｍとａ −Ｓ ｉ太陽
電池の数ｒａ〜１−に比べ１衝程度小さいため上記比抵
抗の許容値も１桁高くなることでき２Ω・ａ以下となる
。さらに、該フォトダイオードは太陽電池と違って短絡
状態に近い動作点で使用するため直列抵抗損による出力
域は減り、比抵抗の許容値は２０Ω・ｌ以下にできる。
トダイオードのシート抵抗の最大許容値は１０ Ｘ １
０４Ω／口 となり、透明電極を設ける必要がない。光
入射側のｐあるいはｎ型層の膜厚を０．０２μｍとする
と比抵抗は０．２Ω・国となる。さらに、該ａ−３ｉフ
ォトダイオードのパターン幅は１ｍとａ −Ｓ ｉ太陽
電池の数ｒａ〜１−に比べ１衝程度小さいため上記比抵
抗の許容値も１桁高くなることでき２Ω・ａ以下となる
。さらに、該フォトダイオードは太陽電池と違って短絡
状態に近い動作点で使用するため直列抵抗損による出力
域は減り、比抵抗の許容値は２０Ω・ｌ以下にできる。
膜厚が０．０５μｍまで厚くできればこの許容値は５０
Ω・１以下となる。
Ω・１以下となる。
以上の様な低抵抗膜は、アモルファスＳｉ系フォトダイ
オードでは微結晶膜が最適であるが、この他に、結晶膜
、あるいはアモルファス相と多結晶相からなる混相膜で
あってもよい。さらに１部分的に微結晶、結晶、混和の
いずれかが混じった膜（混在膜）でもよい。該混在膜は
、アモルファス膜をレーザー等により部分的にアニール
することにより形成される。
オードでは微結晶膜が最適であるが、この他に、結晶膜
、あるいはアモルファス相と多結晶相からなる混相膜で
あってもよい。さらに１部分的に微結晶、結晶、混和の
いずれかが混じった膜（混在膜）でもよい。該混在膜は
、アモルファス膜をレーザー等により部分的にアニール
することにより形成される。
上記低抵抗膜を用いれば、透明電極を省略することが可
能である６透明電極の省略は、プロセスの簡略化につな
がり、また、透明電極層での光吸収損がなくなるため該
放射線検出素子の検出感度増大につながる。さらに、低
抵抗層形成時に、透明電極との反応がなくなるため、フ
ォトダイオードの特性低下を防ぐことができ、したがっ
て検出素子の感度および歩留りが向上する。
能である６透明電極の省略は、プロセスの簡略化につな
がり、また、透明電極層での光吸収損がなくなるため該
放射線検出素子の検出感度増大につながる。さらに、低
抵抗層形成時に、透明電極との反応がなくなるため、フ
ォトダイオードの特性低下を防ぐことができ、したがっ
て検出素子の感度および歩留りが向上する。
実施例１
第１図に本発明の一実施例の素子構造を示す。
１１は熱間静水圧加圧法により作成したＧｄｚ０２Ｓ
：Ｐｒ、ＣｅＦシンチレータであり、厚さは１．２ｍｍ
、Ｘ線受光面の面積は１ 、２ ｍｍ Ｘ ３ Ｑ ｍ
ｍである。
：Ｐｒ、ＣｅＦシンチレータであり、厚さは１．２ｍｍ
、Ｘ線受光面の面積は１ 、２ ｍｍ Ｘ ３ Ｑ ｍ
ｍである。
上面および下面は鏡面研磨を行う。Ｘ線入射面には蛍光
を反射させるため光反射膜１２としてＡＱ蒸着膜を形成
する。シンチレータ上面には、まず、ａ−８ｉＣ：ＨＩ
３を厚さ０．５μｍ 形成し、この上に０．０５ μｍ
厚のｐ型機結品Ｓ ｉ Ｃ： ＨＩ３、 １μｍ厚のａ
−Ｓ ｉ ： Ｈ１５、０、０５μｍ厚のｎ型機結晶
Ｓ ｉ ： Ｈ１６を順次マイクロ波プラズマＣＶＤ法
により形成した後Ａｌｉ極１７．１８を設ける。
を反射させるため光反射膜１２としてＡＱ蒸着膜を形成
する。シンチレータ上面には、まず、ａ−８ｉＣ：ＨＩ
３を厚さ０．５μｍ 形成し、この上に０．０５ μｍ
厚のｐ型機結品Ｓ ｉ Ｃ： ＨＩ３、 １μｍ厚のａ
−Ｓ ｉ ： Ｈ１５、０、０５μｍ厚のｎ型機結晶
Ｓ ｉ ： Ｈ１６を順次マイクロ波プラズマＣＶＤ法
により形成した後Ａｌｉ極１７．１８を設ける。
本素子は、従来素子、即ちシンチレータ／透明電極／
ｐ ｉ ｎ ／ Ａ Ｑ構造の素子に比べＸ線照射時の
感度が６０％増加した。これは、１つには透明電極とｐ
型層の反応による特性低下が抑えられたためである。他
の理由はシンチレータ／透明電極／ｐ （屈折率は２．
２／１．８／３．５）構造をシンチレータ／ ａ −Ｓ
ｉ Ｃ： Ｈ／ ｐ （屈折率は２．２／２．５以上
／３．５）構造に変更したことにより透明電極による界
面反射損がなくなったため光収集効率が高まったからで
ある。
ｐ ｉ ｎ ／ Ａ Ｑ構造の素子に比べＸ線照射時の
感度が６０％増加した。これは、１つには透明電極とｐ
型層の反応による特性低下が抑えられたためである。他
の理由はシンチレータ／透明電極／ｐ （屈折率は２．
２／１．８／３．５）構造をシンチレータ／ ａ −Ｓ
ｉ Ｃ： Ｈ／ ｐ （屈折率は２．２／２．５以上
／３．５）構造に変更したことにより透明電極による界
面反射損がなくなったため光収集効率が高まったからで
ある。
実施例２
第２図に他の実施例の素子構造を示す。シンチレータ１
１のＸ線入射面にＡＱ蒸着膜１２．および他の面にＴａ
、Ｔｉ等を添加したシンチレータと同程度の屈折率を有
する１μｍ厚の５ｉＯｚ２１を形成する。Ｘ線受光面の
面積は１ ｍ Ｘ ３０ｍである。該５ｉＯｚ上に０．
２＋ｍ幅Ｘ３０ｏｎの面積に膜厚０．１μｍの透明電極
Ｓｎ○２２２を形成する。さらに、０．０３μｍ厚のｎ
型微結晶Ｓｉ ：Ｈ２３，１，５μｍ厚のｉ型ａ−８ｉ
：Ｈ２Ｓ、０．０３μｍ厚のｎ型機結晶Ｓ ｉ ： Ｈ
１６を順次、プラズマＣＶＤ法により形成し、最後にＡ
Ｑ電極１７を設ける。
１のＸ線入射面にＡＱ蒸着膜１２．および他の面にＴａ
、Ｔｉ等を添加したシンチレータと同程度の屈折率を有
する１μｍ厚の５ｉＯｚ２１を形成する。Ｘ線受光面の
面積は１ ｍ Ｘ ３０ｍである。該５ｉＯｚ上に０．
２＋ｍ幅Ｘ３０ｏｎの面積に膜厚０．１μｍの透明電極
Ｓｎ○２２２を形成する。さらに、０．０３μｍ厚のｎ
型微結晶Ｓｉ ：Ｈ２３，１，５μｍ厚のｉ型ａ−８ｉ
：Ｈ２Ｓ、０．０３μｍ厚のｎ型機結晶Ｓ ｉ ： Ｈ
１６を順次、プラズマＣＶＤ法により形成し、最後にＡ
Ｑ電極１７を設ける。
本素子は、従来素子、即ちシンチレータ／透明電極／
ｐ ｉ ｎ ／ Ａ Ｑ構造の素子に比べ、Ｘａ照射時
の感度が５０％増加した。
ｐ ｉ ｎ ／ Ａ Ｑ構造の素子に比べ、Ｘａ照射時
の感度が５０％増加した。
本実施例における透明電極２２を０．０５ｍ１幅の半透
明金属電極あるいは、０．０１ｍ幅の不透明金属に変更
しても感度増大の効果はほとんど同じであった。
明金属電極あるいは、０．０１ｍ幅の不透明金属に変更
しても感度増大の効果はほとんど同じであった。
また１本実施例の５ｉＯｚ膜２１がシンチレータの屈折
率より小さくとも、界面反射損が若干増えるのみで従来
構造素子に比べＸ線照射時の感度は３０％以上高かった
。
率より小さくとも、界面反射損が若干増えるのみで従来
構造素子に比べＸ線照射時の感度は３０％以上高かった
。
実施例３
第３図にさらに他の実施例の素子構造を示す。
Ｘ線受光面の面積は１ ｍ Ｘ ３０ ｒｒｒｎである
。シンチレータ１１のＸ線入射面にＡＱ蒸着膜１２．他
の面にオルガノシラノールＲｎ５ｉ（○Ｈ）４−ｎ系有
機シリコンを塗布焼成し、１μｍ厚の５ｉＯｚ３１を形
成する。該ＳｉＯ２上にプラズマＣＶＤ法によりｐ型ａ
−８ｉ：ＨｌｌＡを形成した後レーザーアニールにより
結晶化膜３２とする。該結晶膜３２上に０．２ｎｍ幅Ｘ
３０ｍｍの面積に膜厚０．０５μｍのＣｒ電極３３を形
成する。さらに、１．５ｐｍ厚のｉ型ａ−８ｉ ：Ｈ２
Ｓ、０．０３μｍ厚のｎ型微結晶Ｓｉ：ＨＩ３を順次、
プラズマＣＶＤ法により形成し、最後にＡＱ電極１７を
設ける。
。シンチレータ１１のＸ線入射面にＡＱ蒸着膜１２．他
の面にオルガノシラノールＲｎ５ｉ（○Ｈ）４−ｎ系有
機シリコンを塗布焼成し、１μｍ厚の５ｉＯｚ３１を形
成する。該ＳｉＯ２上にプラズマＣＶＤ法によりｐ型ａ
−８ｉ：ＨｌｌＡを形成した後レーザーアニールにより
結晶化膜３２とする。該結晶膜３２上に０．２ｎｍ幅Ｘ
３０ｍｍの面積に膜厚０．０５μｍのＣｒ電極３３を形
成する。さらに、１．５ｐｍ厚のｉ型ａ−８ｉ ：Ｈ２
Ｓ、０．０３μｍ厚のｎ型微結晶Ｓｉ：ＨＩ３を順次、
プラズマＣＶＤ法により形成し、最後にＡＱ電極１７を
設ける。
本素子は、従来素子、即ちシンチレータ／透明電極／
ｐ ｉ ｎ ／ Ａ Ｑ構造の素子に比べ、Ｘ線照射時
の感度が４０％増加した。
ｐ ｉ ｎ ／ Ａ Ｑ構造の素子に比べ、Ｘ線照射時
の感度が４０％増加した。
本実施例におけるレーザーアニールによる結晶化は完全
でなくともよく、微結晶化あるいは混相膜化程度でもＸ
線照射時の感度は従来素子に比べ３０％以上増加した。
でなくともよく、微結晶化あるいは混相膜化程度でもＸ
線照射時の感度は従来素子に比べ３０％以上増加した。
実施例４
実施例２において、Ｐ型機結品Ｓ ｉ ： Ｈをｎ型に
、ｎ型機結晶Ｓ ｉ ： Ｈをｐ型に変更したシンチレ
ータ／５ｉＯｚ／５ｎＯｚ （一部）／ｎｉｐ／Ａ１２
構造の素子を作製した０本素子は、従来素子。
、ｎ型機結晶Ｓ ｉ ： Ｈをｐ型に変更したシンチレ
ータ／５ｉＯｚ／５ｎＯｚ （一部）／ｎｉｐ／Ａ１２
構造の素子を作製した０本素子は、従来素子。
即ちシンチレータ／透明電極（全面） ／ ｐ ｉ ｎ
／ＡＱ構造素子に比べ、ＸＩ＆照射時の感度が４５％
増加した。
／ＡＱ構造素子に比べ、ＸＩ＆照射時の感度が４５％
増加した。
本発明によれば：放射線検出素子を構成するフォトダイ
オードの光感度を極めて高くできるため、素子の放射線
検出感度を高く、即ち、Ｓ／Ｎを高くすることができる
。
オードの光感度を極めて高くできるため、素子の放射線
検出感度を高く、即ち、Ｓ／Ｎを高くすることができる
。
第１図乃至第３図は本発明の実施例の検出素子の断面図
である。 １１・・・シンチレータ、１２・・・光反射膜、１３・
・・水素化アモルファスシリコンカーバイド、１４・・
・ｐ種水素化微結晶シリコンカーバイド、１５・・・ｉ
槽水素化アモルファスシリコン、１６・・・ｎ型水素化
微結晶シリコン、１７・・・金属電極、２１・・・８．
１０２透明膜、２２・・・透明電極、２３・・・Ｐ型水
素化微結晶シリコン。 代理人 弁理士 小ノー勝男、７′ １＋［２Ｉ 、＊ｚ図 第 ３ 図 ＸｇＬ ３２ Ｈ
ｅｅｄｅｄ、。
である。 １１・・・シンチレータ、１２・・・光反射膜、１３・
・・水素化アモルファスシリコンカーバイド、１４・・
・ｐ種水素化微結晶シリコンカーバイド、１５・・・ｉ
槽水素化アモルファスシリコン、１６・・・ｎ型水素化
微結晶シリコン、１７・・・金属電極、２１・・・８．
１０２透明膜、２２・・・透明電極、２３・・・Ｐ型水
素化微結晶シリコン。 代理人 弁理士 小ノー勝男、７′ １＋［２Ｉ 、＊ｚ図 第 ３ 図 ＸｇＬ ３２ Ｈ
ｅｅｄｅｄ、。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、アモルファスシリコンフォトダイオードとシンチレ
ータから成る放射線検出素子において、シンチレータと
ｐ型あるいはｎ型微結晶層とが少なくとも一部分で、直
接接するかあるいは非導電膜を介して接することを特徴
とする放射線検出素子。 ２、シンチレータと比抵抗５０Ω・ｃｍ以下の半導体層
とが少なくとも一部分で、直接接するかあるいは非導電
膜を介して接することを特徴とする請求項第１項記載の
放射線検出素子。 ３、特許請求の範囲第２項における半導体層が、結晶層
、微結晶層あるいはアモルファス相と多結晶相から成る
混相膜のうち少なくとも１つから成ることを特徴とする
放射線検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63114630A JPH01286471A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 放射線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63114630A JPH01286471A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 放射線検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286471A true JPH01286471A (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14642650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63114630A Pending JPH01286471A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 放射線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01286471A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000340835A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 高エネルギー線入射位置検出素子及び装置 |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP63114630A patent/JPH01286471A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000340835A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 高エネルギー線入射位置検出素子及び装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4728370A (en) | Amorphous photovoltaic elements | |
| US4442310A (en) | Photodetector having enhanced back reflection | |
| JPWO2006057160A1 (ja) | 薄膜光電変換装置 | |
| CN101286531A (zh) | 太阳能电池 | |
| JP2686263B2 (ja) | 放射線検出素子 | |
| US5291036A (en) | Amorphous silicon sensor | |
| JPH04207085A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2004221119A (ja) | 太陽電池及びその設置方法 | |
| JPS6230714B2 (ja) | ||
| JP3342257B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH01286471A (ja) | 放射線検出素子 | |
| JPH0583199B2 (ja) | ||
| JPH0234975A (ja) | 光起電力素子 | |
| JP2815934B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JP3091755B1 (ja) | 集光型太陽光発電装置 | |
| JP3303577B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JP4358493B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JPS63170976A (ja) | ａ−Ｓｉ光ダイオ−ドの製造方法 | |
| JP3143392B2 (ja) | 積層型太陽電池 | |
| JPH06101576B2 (ja) | アモルフアスシリコンｘ線センサ | |
| JPS6220380A (ja) | 非晶質シリコンを用いた光電変換装置 | |
| JP2010103347A (ja) | 薄膜光電変換装置 | |
| JPH03157976A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH01263586A (ja) | 放射線検出素子 | |
| JPS635914B2 (ja) |