JPH01283907A - 多層軟磁性膜とこれを用いた磁気ヘッドおよびトランス - Google Patents
多層軟磁性膜とこれを用いた磁気ヘッドおよびトランスInfo
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- JPH01283907A JPH01283907A JP11242388A JP11242388A JPH01283907A JP H01283907 A JPH01283907 A JP H01283907A JP 11242388 A JP11242388 A JP 11242388A JP 11242388 A JP11242388 A JP 11242388A JP H01283907 A JPH01283907 A JP H01283907A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録装置用磁気ヘッド、トランスなどに用
いられる強磁性薄膜に係り、特に高飽和磁束密度、高透
磁率を有する強磁性薄膜に関する。
いられる強磁性薄膜に係り、特に高飽和磁束密度、高透
磁率を有する強磁性薄膜に関する。
高密度、大容量の磁気記録技術を確立するためには高保
磁力の記録媒体の開発とともに、高保磁力媒体に信号を
十分に書込むことのできる。高飽和磁束密度をもつ磁気
ヘッド用の軟磁性膜が必要になる。
磁力の記録媒体の開発とともに、高保磁力媒体に信号を
十分に書込むことのできる。高飽和磁束密度をもつ磁気
ヘッド用の軟磁性膜が必要になる。
高飽和磁束密度を有する磁性材料としては従来Fe、C
o、Ni等を主成分とする材料が検討されている。例え
ば、Fe−AQ−3i系合金(センダスト)[特開昭5
0−74110号] 、Fa、Si系合金[特開昭52
−112797号]のように飽和磁束密度の高いFeを
主成分とし、これに添加元素を加えて軟磁気特性を改善
してきた。また、他の方法ではFeを主成分とする磁性
層を他の磁性層を介して積層し、軟磁気特性の改善を図
ってきた。
o、Ni等を主成分とする材料が検討されている。例え
ば、Fe−AQ−3i系合金(センダスト)[特開昭5
0−74110号] 、Fa、Si系合金[特開昭52
−112797号]のように飽和磁束密度の高いFeを
主成分とし、これに添加元素を加えて軟磁気特性を改善
してきた。また、他の方法ではFeを主成分とする磁性
層を他の磁性層を介して積層し、軟磁気特性の改善を図
ってきた。
[特開昭59−9905]
一方、磁気ヘッドとしては高周波領域(10MHz以上
)の比透磁率が高いことが望まれるが。
)の比透磁率が高いことが望まれるが。
磁性膜の膜厚が厚(なるにしたがって、渦電流による損
失のため、高周波特性が劣化する。このため、従来より
磁性膜の間に中間層として、渦電流損失防止用の絶縁膜
を挿入する方法で検討されてきた。[特開昭51−11
2797号]この方法では絶縁膜としてS i 02.
Ag2O3等の材料が用いられており、高周波特性の
改善が図られてきた。
失のため、高周波特性が劣化する。このため、従来より
磁性膜の間に中間層として、渦電流損失防止用の絶縁膜
を挿入する方法で検討されてきた。[特開昭51−11
2797号]この方法では絶縁膜としてS i 02.
Ag2O3等の材料が用いられており、高周波特性の
改善が図られてきた。
〔発明が解決しようとする1aM)
上記従来技術ではS i 02.A Q zo+s等の
中間層を挿入することにより高周波特性の改善が図られ
ているが、軟磁気特性の劣化が生じるといて欠点を残し
ていた。すなわち、従来の絶縁材料を磁性膜中に挿入す
ると、膜の比透磁率は高周波領域で増加するが、低周波
領域で減少した。また、膜の保磁力は増加し・てしまい
、磁気ヘッドとして必要な特性を得ることが困難であっ
た。
中間層を挿入することにより高周波特性の改善が図られ
ているが、軟磁気特性の劣化が生じるといて欠点を残し
ていた。すなわち、従来の絶縁材料を磁性膜中に挿入す
ると、膜の比透磁率は高周波領域で増加するが、低周波
領域で減少した。また、膜の保磁力は増加し・てしまい
、磁気ヘッドとして必要な特性を得ることが困難であっ
た。
本発明の目的は上述した従来技術の欠点を解消し、高飽
和磁束密度、高透磁率、低保磁力の軟磁性膜を提供する
ことにある。
和磁束密度、高透磁率、低保磁力の軟磁性膜を提供する
ことにある。
本発明は上記目的を達成するために、FeまたはCoの
単体金属、もしくは少なくとも1種の元素を主成分とす
る合金からなる磁性膜を主磁性膜とし、Ag,Al,A
u,Co,Cr、Cu。
単体金属、もしくは少なくとも1種の元素を主成分とす
る合金からなる磁性膜を主磁性膜とし、Ag,Al,A
u,Co,Cr、Cu。
Fs、Ge、I r’、Mn、Mo、Nb、Ni。
Pd、Pt、Rh、Ru、W、Znのうちより選ばれる
少なくとも1種の元素を主成分とする合金からなる膜を
第1の中間膜とし、B、C,N。
少なくとも1種の元素を主成分とする合金からなる膜を
第1の中間膜とし、B、C,N。
Si、Pより選ばれる単体元素もしくは少なくとも1種
の元素を含む化合物を第2の中間膜として。
の元素を含む化合物を第2の中間膜として。
各々を1層以上積層させて多層軟磁性膜としたものであ
る。
る。
なお、本発明において、B、C,Nu Sit Pより
選ばれる少なくとも1種の元素を含む化合物とは必ずし
も化学量論組成の物質だけでなく、任意の組成比で混合
された物質やこれらの非晶質物質をも含むものとする。
選ばれる少なくとも1種の元素を含む化合物とは必ずし
も化学量論組成の物質だけでなく、任意の組成比で混合
された物質やこれらの非晶質物質をも含むものとする。
本発明者らは飽和磁束密度の高いFaおよびCoを主成
分とする軟磁性膜の探索研究を行なってきた。この中で
、FeやCoは単体金属膜のままでは低い比透磁率およ
び大きな保磁力を有する低い軟磁性膜であるが、Feや
coに侵入型で固溶するB、C,N等の元素を添加する
と、その軟磁気特性が向上することが明らかになった。
分とする軟磁性膜の探索研究を行なってきた。この中で
、FeやCoは単体金属膜のままでは低い比透磁率およ
び大きな保磁力を有する低い軟磁性膜であるが、Feや
coに侵入型で固溶するB、C,N等の元素を添加する
と、その軟磁気特性が向上することが明らかになった。
さらに、この磁性膜(主磁性膜)を他の金属材料でその
金属原子半径がFeもしくはCoに近い金属膜を中間膜
(第1中間膜)として積層し、多層膜を形成すると5さ
ら軟磁気特性が向上することが明らかになった。
金属原子半径がFeもしくはCoに近い金属膜を中間膜
(第1中間膜)として積層し、多層膜を形成すると5さ
ら軟磁気特性が向上することが明らかになった。
以上の検討で得られた膜を1μm以上の厚さに積層する
と、渦電流損失のために、特に高周波領域(10MHz
以上)における比透磁率が大幅に減少した。渦電流損失
による高周波特性の劣化を防止する方法としては従来よ
り絶縁体である5iOzやA(lxosを中間層として
磁性膜間に挿入し、多層膜とする方法で知られていた。
と、渦電流損失のために、特に高周波領域(10MHz
以上)における比透磁率が大幅に減少した。渦電流損失
による高周波特性の劣化を防止する方法としては従来よ
り絶縁体である5iOzやA(lxosを中間層として
磁性膜間に挿入し、多層膜とする方法で知られていた。
この方法により、高周波特性の改善がなされることは明
らかであるが、低周波領域の特性が劣化するという問題
があった。また、このとき保磁力の増大が生じることも
問題であった。
らかであるが、低周波領域の特性が劣化するという問題
があった。また、このとき保磁力の増大が生じることも
問題であった。
この問題を解決するために、本発明者らは軟磁気特性の
劣化を生じない絶縁材料、半導体材料等からなる中間膜
の検討を行なってきた。この結果。
劣化を生じない絶縁材料、半導体材料等からなる中間膜
の検討を行なってきた。この結果。
第2の中間膜として、従来の酸化物絶縁材料とは全く異
なるB + Cy N + S 1 * Pより選ば九
る単体元素もしくはこれらの元素より選ばれる少なくと
も1種の元種を含む化合物を用いて上述した高軟磁性膜
を積層し、多層膜とすれば、軟磁気特性の劣化なしに渦
電流損失を押さえることができ。
なるB + Cy N + S 1 * Pより選ば九
る単体元素もしくはこれらの元素より選ばれる少なくと
も1種の元種を含む化合物を用いて上述した高軟磁性膜
を積層し、多層膜とすれば、軟磁気特性の劣化なしに渦
電流損失を押さえることができ。
高周波特性が改善できることを見出した。
主磁性膜を第1中間膜を介して積層することによる軟磁
性が向上する理由は明確になっているわけではないが、
その理由の1つは多層化によって主磁性膜を構成する結
晶粒の大きさが単層の膜の場合に比べて微細化し、微細
な結晶粒からなる磁性膜では磁気異方性の分散が小さく
なるために、軟磁気特性が向上するものと考えられる。
性が向上する理由は明確になっているわけではないが、
その理由の1つは多層化によって主磁性膜を構成する結
晶粒の大きさが単層の膜の場合に比べて微細化し、微細
な結晶粒からなる磁性膜では磁気異方性の分散が小さく
なるために、軟磁気特性が向上するものと考えられる。
また、F e ’e’ G oと金属原子半径の近い金
属原子から構成された第1中間膜を用いた場合に、特に
高い軟磁気特性を示すが、これは主磁性膜と第1中間膜
の界面で結晶格子がスムーズに成長しやすいからであり
、このような場合、中間膜を介しても主磁性膜の膜質の
完全性はそこなわれることなく、むしろ主磁性膜の結品
配向特が高まる効果をも有し、磁気異方性の分散が小さ
くなるために、軟磁気特性の改善が図れるものと推察さ
れる。
属原子から構成された第1中間膜を用いた場合に、特に
高い軟磁気特性を示すが、これは主磁性膜と第1中間膜
の界面で結晶格子がスムーズに成長しやすいからであり
、このような場合、中間膜を介しても主磁性膜の膜質の
完全性はそこなわれることなく、むしろ主磁性膜の結品
配向特が高まる効果をも有し、磁気異方性の分散が小さ
くなるために、軟磁気特性の改善が図れるものと推察さ
れる。
一方1以上のようにして形成した高い軟磁気特性を示す
多層膜の高周波特性を改善するために用いたBy C,
N、si、pから構成される第2の中間膜は従来の酸化
物絶縁膜と異なり、形成される多層磁性膜の軟磁気特性
を劣化させないことが明らかになったが、この理由は現
在のところ全く明らかではない。但し、得られた主磁性
膜の結晶配向性をX線回折法によって測定してみると、
酸化物絶縁膜を用いて場合低下した配向性が1本発明の
第2中間膜を用いた場合には高まるが明らかになった。
多層膜の高周波特性を改善するために用いたBy C,
N、si、pから構成される第2の中間膜は従来の酸化
物絶縁膜と異なり、形成される多層磁性膜の軟磁気特性
を劣化させないことが明らかになったが、この理由は現
在のところ全く明らかではない。但し、得られた主磁性
膜の結晶配向性をX線回折法によって測定してみると、
酸化物絶縁膜を用いて場合低下した配向性が1本発明の
第2中間膜を用いた場合には高まるが明らかになった。
これらの第2中間膜を用いた場合に配向性が高まる理由
は高らかではないが、配向性が高まったことが磁気異方
性の分散を減少させ、酸化物絶縁膜を用いた場合よりは
軟磁気特性を高めたものと推察される。
は高らかではないが、配向性が高まったことが磁気異方
性の分散を減少させ、酸化物絶縁膜を用いた場合よりは
軟磁気特性を高めたものと推察される。
第1の中間膜の膜厚は主磁性膜が分離するに必要な膜厚
であれば良く、さらに低飽和磁束密度の磁性膜もしくは
非磁性膜が厚くなる程、多層膜全体の飽和磁束密度は減
少することになるから、5〜1000人が望ましい。
であれば良く、さらに低飽和磁束密度の磁性膜もしくは
非磁性膜が厚くなる程、多層膜全体の飽和磁束密度は減
少することになるから、5〜1000人が望ましい。
第2の中間膜の膜厚は主磁性膜が電気的に絶縁されるに
必要な膜厚であれば良く、さらに非磁性膜が厚くなる程
、多層膜全体の飽和磁束密度は減少することになるから
、5〜1000人が望ましい。なお、第2中間膜の挿入
は高周波特性の改善の他、ストライプ状に多層膜を加工
した時の磁区構造に良い影響を与えることも確認された
。すなわち、主磁性膜は第1中間膜から構成された多層
膜ではストライプ状磁性膜の磁区が三角形の構造を示す
のに対し、第2の中間膜を挿入した多層膜では三角形構
造の磁区は消え、磁区構造はlil!察されなくなった
。このストライプ加工した多層膜の比透磁率は、第2中
間膜がない多層膜に比べて大幅に改善されており、三角
形状磁区の消失が比透磁率を向上させていることは明ら
かである。
必要な膜厚であれば良く、さらに非磁性膜が厚くなる程
、多層膜全体の飽和磁束密度は減少することになるから
、5〜1000人が望ましい。なお、第2中間膜の挿入
は高周波特性の改善の他、ストライプ状に多層膜を加工
した時の磁区構造に良い影響を与えることも確認された
。すなわち、主磁性膜は第1中間膜から構成された多層
膜ではストライプ状磁性膜の磁区が三角形の構造を示す
のに対し、第2の中間膜を挿入した多層膜では三角形構
造の磁区は消え、磁区構造はlil!察されなくなった
。このストライプ加工した多層膜の比透磁率は、第2中
間膜がない多層膜に比べて大幅に改善されており、三角
形状磁区の消失が比透磁率を向上させていることは明ら
かである。
以下1本発明を実施例により詳しく説明する。
(実施例1)
FeおよびCOを主成分とする磁性膜の形成はイオンビ
ームスパッタリング法によって行なった。
ームスパッタリング法によって行なった。
本実施例で使用したイオンビームスパッタリング装置は
デュアルイオンビーム型であり、イオンガンを2台有し
、片方でターゲットのスパッタリングを行ない、スパッ
タ粒子を基板に被着させる。
デュアルイオンビーム型であり、イオンガンを2台有し
、片方でターゲットのスパッタリングを行ない、スパッ
タ粒子を基板に被着させる。
また、他方のイオンガンは基板を直接イオン照射するこ
とができ、通常低加速エネルギー(500V以下)のイ
オンを基板に当てて、被着膜の膜構造を制御することが
できる。
とができ、通常低加速エネルギー(500V以下)のイ
オンを基板に当てて、被着膜の膜構造を制御することが
できる。
高飽和磁束密度、高透磁率、低磁歪定数、高耐食性、高
耐熱性をもつ磁性膜を形成するためのスパッタリング条
件は検討の結果、以下の条件が好適であった。
耐熱性をもつ磁性膜を形成するためのスパッタリング条
件は検討の結果、以下の条件が好適であった。
第1イオンガン加速電圧1000〜1400V第2イオ
ンガン加速電圧200〜500vAr圧力 2〜3 X
10−”P a基板表面温度 50〜100℃ 基板回転数 20〜60RPM 回転式ターゲットボルダ−には3種類のターゲツト材を
固定した。第1のターゲットは主磁性膜用であり、Fe
またはCO抜板上B、C,BN等のチップを固定したも
の、第2のターゲットは第1中間膜用であり、Ag、A
fl、Au、Co。
ンガン加速電圧200〜500vAr圧力 2〜3 X
10−”P a基板表面温度 50〜100℃ 基板回転数 20〜60RPM 回転式ターゲットボルダ−には3種類のターゲツト材を
固定した。第1のターゲットは主磁性膜用であり、Fe
またはCO抜板上B、C,BN等のチップを固定したも
の、第2のターゲットは第1中間膜用であり、Ag、A
fl、Au、Co。
Cr、Cu、Fe、Ge、I r、Mn、Mo。
Nb、Ni、Pd、Pt、Rh、Ru、W、Zn等を主
成分とした金属板、第3のターゲットは第2中間膜用で
あり、B、C,S i、BN、BaC。
成分とした金属板、第3のターゲットは第2中間膜用で
あり、B、C,S i、BN、BaC。
S iC,5isNa等の材料である。ターゲットホル
ダーは自動的に回転して所定の順序で、所定の時間スパ
ッタし、これを繰り返すことにより、多層膜が得ら九る
。
ダーは自動的に回転して所定の順序で、所定の時間スパ
ッタし、これを繰り返すことにより、多層膜が得ら九る
。
得られた磁性体膜の組成は溶液発光分光法、オージェ電
子分公法によって測定した。また、得られた磁性体膜の
磁気特性は300〜400℃が熱処理を行なった後、振
動試料型磁束計で飽和磁束密度を、ベクトルインピーダ
ンスメータで透磁率を、B−Hカーブトレーサを用いて
保磁力をそれぞれ測定した。
子分公法によって測定した。また、得られた磁性体膜の
磁気特性は300〜400℃が熱処理を行なった後、振
動試料型磁束計で飽和磁束密度を、ベクトルインピーダ
ンスメータで透磁率を、B−Hカーブトレーサを用いて
保磁力をそれぞれ測定した。
第1表には作製した代表的な多層磁性膜の磁気特性を示
す、ここで多層膜の構造は主磁性膜の膜厚を950人、
第1中間膜の膜厚を50人、第2中間膜の膜厚を200
人とし、第1図に示すように、主磁性膜2と第1中間膜
3を交互に積層した膜をさらに第2中間膜4を介して8
i層した。全体の膜厚は約2μmである。
す、ここで多層膜の構造は主磁性膜の膜厚を950人、
第1中間膜の膜厚を50人、第2中間膜の膜厚を200
人とし、第1図に示すように、主磁性膜2と第1中間膜
3を交互に積層した膜をさらに第2中間膜4を介して8
i層した。全体の膜厚は約2μmである。
第 1 表
第1表つづき
第1表つづき
第1表に示したように、得られた多層膜は従来例に比較
して、I M Hz、 20 M Hz両周波数におい
て良好な比透磁率を示した。また、保磁力は従来例の酸
化物中間層を用いた場合に比較して減少しており、軟磁
気特性が向上した。
して、I M Hz、 20 M Hz両周波数におい
て良好な比透磁率を示した。また、保磁力は従来例の酸
化物中間層を用いた場合に比較して減少しており、軟磁
気特性が向上した。
得られて多層膜をX線回折法によって調べてみると、従
来の酸化物中間層を用いた場合に比較して、本発明の多
層膜の回折強度は増加していた。
来の酸化物中間層を用いた場合に比較して、本発明の多
層膜の回折強度は増加していた。
この原因は本発明の第2中間膜がFeあるいはco結晶
粒と相性が良く、欠陥の少ないFeあるいはCO結晶粒
が成長しやすいこと、さらに、本発明の第1中間膜およ
び第2中間膜上には最稠密面で接するようにFeまたは
CO結晶粒が成長しやすく、磁気異方性分散の小さい軟
磁性多層膜が得られるものとみられる。
粒と相性が良く、欠陥の少ないFeあるいはCO結晶粒
が成長しやすいこと、さらに、本発明の第1中間膜およ
び第2中間膜上には最稠密面で接するようにFeまたは
CO結晶粒が成長しやすく、磁気異方性分散の小さい軟
磁性多層膜が得られるものとみられる。
なお、第1表から第1中間膜を挿入しない場合に比較し
て1本発明の第1中間膜を挿入した場合は、高・低周波
数の比透磁率が増加しており、しかもまた保磁力も減少
し、第1中間膜が多層膜の軟磁性を向上させていること
は明らかである。
て1本発明の第1中間膜を挿入した場合は、高・低周波
数の比透磁率が増加しており、しかもまた保磁力も減少
し、第1中間膜が多層膜の軟磁性を向上させていること
は明らかである。
この理由は必ずしも明らかになっていないが、第1中間
層が主磁性膜の結晶粒を微細化すること、および主磁性
膜の結晶配向性を高めることに関係するものと推察され
る。
層が主磁性膜の結晶粒を微細化すること、および主磁性
膜の結晶配向性を高めることに関係するものと推察され
る。
(実施例2)
実施例1において、主磁性膜、第1中間膜、第2中間膜
、主磁性膜暦数を変えて多層膜を形成し、その軟磁気特
性を評価した。第2図にはFe9sG3主磁性膜膜厚5
00人、BN第2中間膜膜厚200人、主磁性膜層数2
0層、第2中間膜は主磁性膜5層毎に挿入し、Ni第1
中間膜の膜厚を変えて形成した多層膜の5 M Hzの
比透磁率と保磁力を示す。また、第3図にはFee3C
s主磁性膜膜厚500人、Ni第1中間膜膜厚50人、
主磁性膜層数20層、BN第2中間膜は主磁性[5層毎
に挿入し、第2中間膜の膜厚を変えて形成した多層膜の
20MHzの比透磁率と保磁力を示す。
、主磁性膜暦数を変えて多層膜を形成し、その軟磁気特
性を評価した。第2図にはFe9sG3主磁性膜膜厚5
00人、BN第2中間膜膜厚200人、主磁性膜層数2
0層、第2中間膜は主磁性膜5層毎に挿入し、Ni第1
中間膜の膜厚を変えて形成した多層膜の5 M Hzの
比透磁率と保磁力を示す。また、第3図にはFee3C
s主磁性膜膜厚500人、Ni第1中間膜膜厚50人、
主磁性膜層数20層、BN第2中間膜は主磁性[5層毎
に挿入し、第2中間膜の膜厚を変えて形成した多層膜の
20MHzの比透磁率と保磁力を示す。
第2図から明らかなように、多層膜の比透磁率は第1中
間膜の膜厚が5〜1000人の間で高い値を示し、保磁
力は小さい値を示した。この結果は第1中間膜の望まし
い膜厚が5〜1000人であることを示す、なお、この
時多層磁性膜の飽和磁束密度は第1中間膜の膜厚増加す
るに従って単調に減少し、第1中間膜の膜厚が1000
人の時は、1.2Tの値を示した。
間膜の膜厚が5〜1000人の間で高い値を示し、保磁
力は小さい値を示した。この結果は第1中間膜の望まし
い膜厚が5〜1000人であることを示す、なお、この
時多層磁性膜の飽和磁束密度は第1中間膜の膜厚増加す
るに従って単調に減少し、第1中間膜の膜厚が1000
人の時は、1.2Tの値を示した。
一方、第3図の比透磁率からは望ましい第2中間膜の膜
厚が5〜1000人であることがわかる。
厚が5〜1000人であることがわかる。
このとき、保磁力は第2中間膜の膜厚とは顕著な相関を
示さなかった。
示さなかった。
(実施例3)
実施例1で示した方法によって形成した主磁性膜Fee
s(、yp第1中間膜NigoFa2o、第2中間膜C
からなる軟磁性多層膜を用いて垂直磁気記録用の単磁極
型磁気ヘッドおよび面内記録用の薄膜磁気ヘッドを作製
し、保磁力12000 eの高保磁力媒体を用いて記録
再生特性を評価した結果、良好な特性を得ることができ
た。この結果、従来の磁気記録密度の80KBPI
(キロビット/インチ)を大幅に上回る150KBPI
の記録密度を得ることができた。
s(、yp第1中間膜NigoFa2o、第2中間膜C
からなる軟磁性多層膜を用いて垂直磁気記録用の単磁極
型磁気ヘッドおよび面内記録用の薄膜磁気ヘッドを作製
し、保磁力12000 eの高保磁力媒体を用いて記録
再生特性を評価した結果、良好な特性を得ることができ
た。この結果、従来の磁気記録密度の80KBPI
(キロビット/インチ)を大幅に上回る150KBPI
の記録密度を得ることができた。
(実施例4)
実施例1の方法で形成したFe5eNa主磁性膜。
Cr −M o第1中間膜、BN第2中間膜からなる軟
磁性膜多層膜を用いて、高周波用(I M Hz)の超
小型トランスを作製し、その変換効率を計測した。この
結果、変換効率は100MH2Cまで98%の値を示し
、高効率のトランスが得られることが確認できた。
磁性膜多層膜を用いて、高周波用(I M Hz)の超
小型トランスを作製し、その変換効率を計測した。この
結果、変換効率は100MH2Cまで98%の値を示し
、高効率のトランスが得られることが確認できた。
以上の実施例ではイオンビームスパッタリング法によっ
て磁性膜の形成を行なった結果だけを示したが、本発明
者らはマグネトロンスパッタリング法によっても同様の
検討を行なっており、基板温度を調節することによって
同様の磁気特性が得られることを確認した。したがって
、本発明のスパッタリングの方法によって制限を受ける
ものではない。
て磁性膜の形成を行なった結果だけを示したが、本発明
者らはマグネトロンスパッタリング法によっても同様の
検討を行なっており、基板温度を調節することによって
同様の磁気特性が得られることを確認した。したがって
、本発明のスパッタリングの方法によって制限を受ける
ものではない。
以上説明したごとく、本発明による軟磁性多層膜は高飽
和磁束密度、高低画周波数領域において高比透磁率、低
保磁力を示す、したがって、この軟磁性多層膜を磁気記
録用の磁気ヘッド材料あるいはトランスとして用いるこ
とができる。
和磁束密度、高低画周波数領域において高比透磁率、低
保磁力を示す、したがって、この軟磁性多層膜を磁気記
録用の磁気ヘッド材料あるいはトランスとして用いるこ
とができる。
第1図は本発明の一実施例の多層膜の断面図、第2図は
多層膜の5 M H2Cの比透率および保磁力と第1中
間膜の膜厚とのを関係を示す図、第3図は多層膜の20
MI(cの比透磁率および保磁力と第2中間膜の膜厚と
の関係を示す図である。 1・・・基板、2・・・主磁性膜、3・・・第1中間膜
、4・・・第2中間膜。 芽 2 図 6+/ / io /
aa yaり 71110竿) g P、
F頑榎厚(わ
多層膜の5 M H2Cの比透率および保磁力と第1中
間膜の膜厚とのを関係を示す図、第3図は多層膜の20
MI(cの比透磁率および保磁力と第2中間膜の膜厚と
の関係を示す図である。 1・・・基板、2・・・主磁性膜、3・・・第1中間膜
、4・・・第2中間膜。 芽 2 図 6+/ / io /
aa yaり 71110竿) g P、
F頑榎厚(わ
Claims (6)
- 1.FeまたはCoの、単体金属もしくは1種の元素を
主成分とする合金からなる磁性膜を主磁性膜とし、Ag
,Al,Au,Co,Cr,Cu,Fe,Ge,Ir,
Mn,Mo,Nb,Ni,Pd,Pt,Rh,Ru,W
,Znのうちより選ばれる少なくとも1種の元素を主成
分とする合金からなる膜を第1の中間膜としB,C,N
,Si,Pより選ばれる単体元素もしくは少なくとも1
種の元種を含む化合物を第2の中間膜として、各々を1
層以上積層させたことを特徴とする多層軟磁性膜。 - 2.上記主磁性膜が、B,C,Nのうちより選ばれる少
なくとも1種の元素を1〜10at%含有し、飽和磁束
密度が1.0T以上で、保磁力が2Oe以下であること
を特徴とする多層軟磁性膜。 - 3.第1の中間膜の膜厚が5〜1000Åであることを
特徴とする請求項第1及至第2項記載の多層軟磁性膜。 - 4.第2の中間膜の膜厚が5〜1000Åであることを
特徴とする請求項第1及至第3項記載の多層軟磁性膜。 - 5.特許請求の範囲第1項記載の多層軟磁性膜を用いた
磁気ヘッド。 - 6.特許請求の範囲第1項記載の多層軟磁性膜を用いた
トランス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11242388A JPH01283907A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 多層軟磁性膜とこれを用いた磁気ヘッドおよびトランス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11242388A JPH01283907A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 多層軟磁性膜とこれを用いた磁気ヘッドおよびトランス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01283907A true JPH01283907A (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14586274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11242388A Pending JPH01283907A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 多層軟磁性膜とこれを用いた磁気ヘッドおよびトランス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01283907A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04214203A (ja) * | 1990-02-09 | 1992-08-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気膜積層体およびそれを利用した磁気記録ヘツド |
US6628478B2 (en) | 2001-04-17 | 2003-09-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Write head with all metallic laminated pole pieces with thickness differential |
US7057837B2 (en) | 2002-10-17 | 2006-06-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Flux closed single pole perpendicular head for ultra narrow track |
US7697244B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-04-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head with stabilized ferromagnetic shield |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP11242388A patent/JPH01283907A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04214203A (ja) * | 1990-02-09 | 1992-08-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気膜積層体およびそれを利用した磁気記録ヘツド |
US6628478B2 (en) | 2001-04-17 | 2003-09-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Write head with all metallic laminated pole pieces with thickness differential |
US7057837B2 (en) | 2002-10-17 | 2006-06-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Flux closed single pole perpendicular head for ultra narrow track |
US7697244B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-04-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head with stabilized ferromagnetic shield |
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