JPH01282194A - 単結晶製造方法 - Google Patents
単結晶製造方法Info
- Publication number
- JPH01282194A JPH01282194A JP13514788A JP13514788A JPH01282194A JP H01282194 A JPH01282194 A JP H01282194A JP 13514788 A JP13514788 A JP 13514788A JP 13514788 A JP13514788 A JP 13514788A JP H01282194 A JPH01282194 A JP H01282194A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- granular
- single crystal
- crucible
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13514788A JPH01282194A (ja) | 1988-01-19 | 1988-05-31 | 単結晶製造方法 |
US07/357,717 US5037503A (en) | 1988-05-31 | 1989-05-26 | Method for growing silicon single crystal |
US07/953,630 USRE35242E (en) | 1988-05-31 | 1992-09-30 | Method for growing silicon single crystal |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63-10407 | 1988-01-19 | ||
JP1040788 | 1988-01-19 | ||
JP13514788A JPH01282194A (ja) | 1988-01-19 | 1988-05-31 | 単結晶製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01282194A true JPH01282194A (ja) | 1989-11-14 |
JPH0477712B2 JPH0477712B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1992-12-09 |
Family
ID=26345665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13514788A Granted JPH01282194A (ja) | 1988-01-19 | 1988-05-31 | 単結晶製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01282194A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991013192A1 (en) * | 1990-03-02 | 1991-09-05 | Nkk Corporation | Single crystal production apparatus |
JPH059097A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の引上方法 |
JPH05148073A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-15 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
JPH05208889A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
JP2008266017A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-11-06 | Sharp Corp | 固体材料供給装置、固体材料処理装置および固体材料供給方法 |
WO2023007830A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコン単結晶の製造方法及び単結晶引上装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50155423A (enrdf_load_stackoverflow) * | 1974-05-13 | 1975-12-15 | ||
JPS57183392A (en) * | 1981-05-01 | 1982-11-11 | Tohoku Metal Ind Ltd | Apparatus for preparation of single crystal |
JPS5945917A (ja) * | 1982-09-02 | 1984-03-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 多結晶シリコンの連続的製法 |
JPS6117537A (ja) * | 1984-04-27 | 1986-01-25 | インペリアル・ケミカル・インダストリ−ズ・ピ−エルシ− | フエノ−ル誘導体、その製造法及び該化合物を含有する、抗エストロゲン作用を有する医薬品 |
JPS61242984A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-29 | Shinetsu Sekiei Kk | シリコン単結晶引上げ用ルツボ |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP13514788A patent/JPH01282194A/ja active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50155423A (enrdf_load_stackoverflow) * | 1974-05-13 | 1975-12-15 | ||
JPS57183392A (en) * | 1981-05-01 | 1982-11-11 | Tohoku Metal Ind Ltd | Apparatus for preparation of single crystal |
JPS5945917A (ja) * | 1982-09-02 | 1984-03-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 多結晶シリコンの連続的製法 |
JPS6117537A (ja) * | 1984-04-27 | 1986-01-25 | インペリアル・ケミカル・インダストリ−ズ・ピ−エルシ− | フエノ−ル誘導体、その製造法及び該化合物を含有する、抗エストロゲン作用を有する医薬品 |
JPS61242984A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-29 | Shinetsu Sekiei Kk | シリコン単結晶引上げ用ルツボ |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991013192A1 (en) * | 1990-03-02 | 1991-09-05 | Nkk Corporation | Single crystal production apparatus |
JPH059097A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の引上方法 |
JPH05148073A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-15 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
JPH05208889A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
JP2008266017A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-11-06 | Sharp Corp | 固体材料供給装置、固体材料処理装置および固体材料供給方法 |
WO2023007830A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコン単結晶の製造方法及び単結晶引上装置 |
JP2023020503A (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-09 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコン単結晶の製造方法及び単結晶引上装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0477712B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1992-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5242531A (en) | Continuous liquid silicon recharging process in czochralski crucible pulling | |
JP4225688B2 (ja) | ポリシリコン装填物からシリコンメルトを製造する方法 | |
USRE35242E (en) | Method for growing silicon single crystal | |
JP4103593B2 (ja) | 固形状多結晶原料のリチャージ管及びそれを用いた単結晶の製造方法 | |
JP5777336B2 (ja) | 多結晶シリコン原料のリチャージ方法 | |
JPH09328391A (ja) | 多結晶シリコン装填材料から溶融シリコンメルトを製造する方法 | |
TWI883302B (zh) | 在單晶矽錠成長過程中使用緩衝劑 | |
US5306473A (en) | Quartz glass crucible for pulling a single crystal | |
JPH01282194A (ja) | 単結晶製造方法 | |
US5306388A (en) | Quartz glass crucible for pulling a semiconductor single crystal | |
JP6708173B2 (ja) | リチャージ管及び単結晶の製造方法 | |
JP2531415B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
JPH06100394A (ja) | 単結晶製造用原料供給方法及び装置 | |
JP4804348B2 (ja) | 溶融シリコンの冷却塊状物およびその製造方法 | |
JPH0280392A (ja) | 単結晶製造装置 | |
CN116783333B (zh) | 用于以连续直拉法生长单晶硅锭的方法 | |
JPH0550478B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
TW202248470A (zh) | 石英板於單晶矽錠生長期間之用途 | |
JPH05148073A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JPH0733583A (ja) | 半導体単結晶育成装置 | |
JPH0558769A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JPH0597570A (ja) | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 | |
JPH02233582A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
JPH1081580A (ja) | ルツボ内への塊状原料の装填方法 | |
JPH01275495A (ja) | シリコン単結晶の製造方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |