JPH01281787A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

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JPH01281787A
JPH01281787A JP11081388A JP11081388A JPH01281787A JP H01281787 A JPH01281787 A JP H01281787A JP 11081388 A JP11081388 A JP 11081388A JP 11081388 A JP11081388 A JP 11081388A JP H01281787 A JPH01281787 A JP H01281787A
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JP
Japan
Prior art keywords
monitoring
signal reproducing
monitor
semiconductor laser
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP11081388A
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English (en)
Inventor
Seiichi Nagai
永井 精一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、信号再生用フォトダイオード(以下、信号
再生用PDと略す)とモニタ用フォトダイオード(以下
、モニタ溶PDと略す)とを内蔵した半導体レーザ装置
(以下、LDと略す)に関するものである。
〔従来の技術〉 従来のLDlooの構成を第2図に示す。第2図におい
て、LDチップ1は熱応力緩和材としてのサブマウント
2を介して放熱ブロック3に組立てられ、放熱ブロック
3はモニタ用PD4が組込まれたステム5に組立てられ
ている。LDチップ1およびモニタ用PDチップ4には
金線6がボンディングされ、リード線7へ接続され電気
的に導通されている。ステム5にはキャップ8が取り付
けられ、LDlooが構成される。LDlooはピック
アップに組込まれ、オーディオディスク。
ビデオディスク等の光ディスクの読取り用光源として使
用される。
ピックアップ200の構成を第3図に示す。すなわち、
LD 100の全面にコーリメートレンズ9が設置され
偏光ビームスプリッタ10.−波長板11、対物レンズ
12、集束レンズ13.信号再生用PD14および光デ
ィスク15によりピックアップ200が構成されている
次に、従来のLDlooの動作について説明する。
第2図に示すLDlooは、リード線7に電圧が印加さ
れるとLDチップ1に電流が流れレーザ発振が始まり、
LDチップ1より二方向にレーザ光が図中矢印で示す如
く放射される。一方のレーザ光は光デイスク読取り用光
源として用いられ、他方のレーザ光はモニタ用PD4に
入射しLD光出力の制御に用いられる。モニタ用PD4
はレーザ光に対して傾斜しており、レーザ光の入射光が
モニタ用PD4で反射され、再びLDチップ1へ入射す
ることのないように組立てられている。
第3図に示すピックアップ200では、LDlooより
放射されたレーザ光がコリメートレンズ9を通り平行光
線となり、偏向ビームスピリッり10で直線偏光となり
、さらに−波長板11を通って円偏光となる。対物レン
ズ12で光デイスク15上で光スポットに絞られる。光
スポットは光ディスク15のピットの部分では弱められ
、ランドの部分では弱められずに反射した光は対物しン
ズ12を通過して平行光線となる。また、−波長板11
を通過すると、往きでは90°偏光方向が異なる直線偏
光になるため、偏光ビームスピリツタ−0で反射され、
反射光は集束レンズ13を通り信号再生用PD14に入
射し信号再生が行われることとなる。
(発明が解決しようとする課題〕 上記のような構成の半導体レーザ装置を用いて構成した
従来のピックアップ200では、第3図に示すように、
部品点数が多くなり、価格が高くなる等の欠点があった
。また、所要の性能を得るため部品の位置調整を必要と
する欠点があった。
この発明は、上記のような欠点を解消するためになされ
たもので、安価で高性能な半導体レーザ装置を得ること
を目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザ装置は、サブマウントのレ
ーザダイオードチップが組み付けられた面と同一平面内
に信号再生用フォトダイオードおよびモニタ用フォトダ
イオードを作り込むとともに、この面と同一面にレーザ
ダイオードチップの両端面から出射されるレーザ光およ
びモニタ光を互いに干渉することなく信号再生用フォト
ダイオードおよびモニタ用フォトダイオードにそれぞれ
入射せしめるための反射面を所要角度傾斜せしめたミラ
ーを配置したものである。
〔作用〕
この発明においては、サブマウントとなる半導体基板の
同一面に信号再生用PDおよびモニタ用PDを作り込み
、これを同一面の所定箇所にLDチップと反射面を傾斜
させたミラーを設けたことから、LDチップの一端から
出射された各種光源に用いられるレーザ光は信号再生用
PDに他端から出射されたレーザ光はモニタ用PDに互
いに干渉することなく入射する。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を341図(a)。
(b)により説明する。第1図において、N形半導体基
板(以下単に基板という)16をサブマウントとして用
い、この基板16の同一平面内に写真製版技術および拡
散技術を用いて2カ所にP形拡散領域を形成し、信号再
生用PD14およびモニタ用PD4を作成する。また、
基板16上にLDチップ1をダイボンドする。さらに、
信号再生用PD14およびモニタ用PDd上にその反射
面が位置するように反射面を所要の角度傾斜させたミラ
ー17を設置する。
このように構成されたこの発明の半導体レーザ装置は、
サブマウントとしての基板16の同一平面内に信号再生
用PD14およびモニタ用PD4が一体化されて形成さ
れており、基板16上に載置されたLDチップ1から出
射された一方のレーザ光は、図示はしないが、ビームス
プリッタ等の光学部品を用いることにより、光ディスク
に照射され信号光となった戻り光は基板16上のミラー
17に反射され、信号再生用PD14に入射される。ま
た、他方のレーザ光も同様に基板16上のミラー17に
反射されモニタ用PD4に入射し、LD光出力を制御す
るために用いられる。
信号再生用PD14はモニタ用PD4への入射光の影響
のない位置に設置される。
なお、基板16としては、熱応力緩和材、PDを作り込
むことにも適しているシリコンが最適である。
また、上記実施例では、サブマウントとしてN形半導体
基板16を用いたが、これはP形半導体基板を用い、N
形拡散領域を形成してPDを作成しても同様の効果が得
られることは言うまでもない。
(発明の効果) 以上説明したようにこの発明は、信号再生用PDおよび
モニタ用PDを同一基板の同一平面内に形成するととも
に、前記基板上に載置されたLDチップから出射する各
種光源として用いられるレーザ光および前記レーザ光の
制御に用いられるモニタ光を前記信号再生用PDおよび
モニタ用PDに互いに干渉することなく入射するように
反射面を所要角度傾斜せしめたミラーを設けたので、モ
ニタ用PDへの入射へ影響することなく、信号再生用P
Dにレーザ光を入射させることができ、良好な信号再生
を行うことができる半導体レーザ装置を安価に、かつ高
精度に得ることができ、これを用いてピックアップを構
成する場合には、その組立時の調整が少なくてすむ利点
を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(b)はこの発明の一実施例を説明する
ための半導体レーザ装置の上面図および側面図、第2図
は従来の半導体レーザ装置の構成図、第3図は従来の第
2図の半導体レーザ装置を用いたピックアップを説明す
るための構成図である。 図において、1はLDチップ、4はモニタ用PD、14
は信号再生用PD、16はN形半導体基板、17はミラ
ーである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄    (外2名)第1図 11 、ミラー 1、事件の表示   特願昭63−110813号20
発明の名称  半導体レーザ装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所    東京都千代田区丸の内二丁目2番3号。 名 称  (601)三菱電機株式会社代表者志岐守哉 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1)  明細書第2頁2行の[モニタ溶PDJを、[
モニタ用PDJと補正する。 (2)  同じ(第2頁11行の「モニタ用PDチップ
4」を、[モニタ用PD4Jと補正する。 以  上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レーザダイオードチップが熱応力緩和材としてのサブマ
    ウントを介して放熱体に組み付けられた半導体レーザ装
    置において、前記サブマウントの前記レーザダイオード
    チップが組み付けられた面と同一平面内に信号再生用フ
    ォトダイオードおよびモニタ用フォトダイオードを作り
    込むとともに、この面と同一面に前記レーザダイオード
    チップの両端面から出射されるレーザ光およびモニタ光
    を互いに干渉することなく前記信号再生用フォトダイオ
    ードおよびモニタ用フォトダイオードにそれぞれ入射せ
    しめるための反射面を所要角度傾斜せしめたミラーを配
    置したことを特徴とする半導体レーザ装置。
JP11081388A 1988-05-07 1988-05-07 半導体レーザ装置 Pending JPH01281787A (ja)

Priority Applications (1)

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JP11081388A JPH01281787A (ja) 1988-05-07 1988-05-07 半導体レーザ装置

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JP11081388A JPH01281787A (ja) 1988-05-07 1988-05-07 半導体レーザ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01281787A true JPH01281787A (ja) 1989-11-13

Family

ID=14545309

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JP11081388A Pending JPH01281787A (ja) 1988-05-07 1988-05-07 半導体レーザ装置

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JP (1) JPH01281787A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5327415A (en) * 1992-01-14 1994-07-05 International Business Machines Corporation Integrated light deflector and method of fabrication therefor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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