JPH01280313A - X線露光装置及びその方法 - Google Patents
X線露光装置及びその方法Info
- Publication number
- JPH01280313A JPH01280313A JP63108982A JP10898288A JPH01280313A JP H01280313 A JPH01280313 A JP H01280313A JP 63108982 A JP63108982 A JP 63108982A JP 10898288 A JP10898288 A JP 10898288A JP H01280313 A JPH01280313 A JP H01280313A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- illuminance
- wafer
- irradiated onto
- detecting sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 235000006693 Cassia laevigata Nutrition 0.000 description 1
- 241000522641 Senna Species 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229940124513 senna glycoside Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、軟X線を用いて微細なノ(ターンを転写する
X線転写装置に係)、とくにX@積算照度を制御するの
に好適なX線露光装置及びその方法に関する。
X線転写装置に係)、とくにX@積算照度を制御するの
に好適なX線露光装置及びその方法に関する。
従来のxmix光装置においては、たとえば%開昭60
−7722号公報に記載されているように、露光面にお
けるX?s強度分布を測定する手段と、X線強度分布に
基づき露光物体を移動する手段とを備え、均一なx1m
強度にするようにしたものが提案されている。
−7722号公報に記載されているように、露光面にお
けるX?s強度分布を測定する手段と、X線強度分布に
基づき露光物体を移動する手段とを備え、均一なx1m
強度にするようにしたものが提案されている。
上記従来技術にbっては、フェノ1上に照射されるX線
積算照度について配慮が6nて8らず、数HzでXd源
からのX線照度をウニノー上で一定になるように制御す
ることが内点になるという問題があった。
積算照度について配慮が6nて8らず、数HzでXd源
からのX線照度をウニノー上で一定になるように制御す
ることが内点になるという問題があった。
本発明の目的は、マスクを透してフェノ1上に照射され
るX−の、f*算照度を正確に制御可能とするX線露光
Ii装置及びその方法を提供することにるる。
るX−の、f*算照度を正確に制御可能とするX線露光
Ii装置及びその方法を提供することにるる。
上記の目的を達成するため、本発明のx*g光装置にお
いては、XMAjl光装置において、X線源から発生す
るX線照度を測定し、測定されたX線照度とマスクを透
してウェハ上に照射されるX線照度との関係を算出する
算出手段と、この算出結果に基いてウェハ上に照射され
るXm照度を制御する制御手段とを備え付けたものであ
る。
いては、XMAjl光装置において、X線源から発生す
るX線照度を測定し、測定されたX線照度とマスクを透
してウェハ上に照射されるX線照度との関係を算出する
算出手段と、この算出結果に基いてウェハ上に照射され
るXm照度を制御する制御手段とを備え付けたものであ
る。
上記のように構成されたXIIR露光装置においては、
X電源に発生するX線照度を制御することによってウェ
ハ上に所定のX線を正確に照射することができる。
X電源に発生するX線照度を制御することによってウェ
ハ上に所定のX線を正確に照射することができる。
以下、本発明の一実施例を示す図面について説明する。
図面に示すように、Xll1A源1は、プラズマフォー
カス型などのXNA源でl)、1ケ所の露光に対して数
千回乃至数千回に亘5X線を断続的に発生する。このさ
い、1回に発生する照度は常に一定でなく数チ乃至数ナ
チのバラツキがある。ある1ケ所の露光を行う場合には
、ウェハ6上に照射されるX!!照度が所定の値になっ
たとき、Xa電源のX線発生を中断すれば良いが、ウェ
ハ6上のX線照度は、マスク5およびX線源1からウェ
ハ6までの経路において、X線源1で発生し九X線の数
チ乃至数十−が減衰するため、ウェハ6上のX扇照度を
測定することが不可能である。
カス型などのXNA源でl)、1ケ所の露光に対して数
千回乃至数千回に亘5X線を断続的に発生する。このさ
い、1回に発生する照度は常に一定でなく数チ乃至数ナ
チのバラツキがある。ある1ケ所の露光を行う場合には
、ウェハ6上に照射されるX!!照度が所定の値になっ
たとき、Xa電源のX線発生を中断すれば良いが、ウェ
ハ6上のX線照度は、マスク5およびX線源1からウェ
ハ6までの経路において、X線源1で発生し九X線の数
チ乃至数十−が減衰するため、ウェハ6上のX扇照度を
測定することが不可能である。
そこで、本発明においては、XMA源1の側面に取付け
たX′m検出セン?46と、XYステージ5上のウェハ
6周囲付近に取付けたX−検出センサ4bとの出力をそ
れぞれ照度制御回路6に取り込む。この照度制御側Nr
6は、一方のxm*出センナ4aによるX線の照KAと
、他方のX線検出センサ4bによるX?m照度Bとの比
Kをつぎの式によシあらかじめ算出する。
たX′m検出セン?46と、XYステージ5上のウェハ
6周囲付近に取付けたX−検出センサ4bとの出力をそ
れぞれ照度制御回路6に取り込む。この照度制御側Nr
6は、一方のxm*出センナ4aによるX線の照KAと
、他方のX線検出センサ4bによるX?m照度Bとの比
Kをつぎの式によシあらかじめ算出する。
K−81人
しかるに、実際に露光を行うときには、一方のX線検出
センサ4&で測定したxma度A°と比にとより Σ^1xK−所定照度(iはX線発生回数ンのON、0
FFll返し行い、X腋源電諏8の電荷をX?s源1に
供給し、Xmを発生させる。
センサ4&で測定したxma度A°と比にとより Σ^1xK−所定照度(iはX線発生回数ンのON、0
FFll返し行い、X腋源電諏8の電荷をX?s源1に
供給し、Xmを発生させる。
しかるのち、ウェハ6上の積算R@度が所定の値に4し
たとき、スイッチ7をOFF”状態に保持し、Xll5
の発生を中断する。この場合、マスク5の下方でのX線
照度測定は、ウェハ6gIIJのX線検出センサ4bに
よって行う。このXa検出センサ4bは、XYテーブル
5に搭載されているため、このXYテーブル5を駆動す
ることによりウェハ6g4のXd検出七ンサ4bt′マ
スク5の下方に移動して測定することが可能である。
たとき、スイッチ7をOFF”状態に保持し、Xll5
の発生を中断する。この場合、マスク5の下方でのX線
照度測定は、ウェハ6gIIJのX線検出センサ4bに
よって行う。このXa検出センサ4bは、XYテーブル
5に搭載されているため、このXYテーブル5を駆動す
ることによりウェハ6g4のXd検出七ンサ4bt′マ
スク5の下方に移動して測定することが可能である。
このようにしてX線源111のX線検出センナ44から
のX線照度人と、クエへ6側のX線検出センサ4bから
のX線照[Bとの比を算出することによって、以後は、
X線源1g4のXWA検出センナ4農からのXfI&照
度を検出することによシウエハ6のXd積算照度を間接
的に測定することができ、しかも実際に露光を行うとき
のX線源1からのX履量へ゛とそのときのウェハ6の積
算照度とで両者の関係を算出しているので数チ乃至数拾
チのバラツキをもっていたウェハ6上のX線積算照度を
1−以下に制御することができ、これによって微細パタ
ーンの転写を目的とするX線露光により製造するLSI
の品質向上および保留向上に大きく寄与することができ
る。
のX線照度人と、クエへ6側のX線検出センサ4bから
のX線照[Bとの比を算出することによって、以後は、
X線源1g4のXWA検出センナ4農からのXfI&照
度を検出することによシウエハ6のXd積算照度を間接
的に測定することができ、しかも実際に露光を行うとき
のX線源1からのX履量へ゛とそのときのウェハ6の積
算照度とで両者の関係を算出しているので数チ乃至数拾
チのバラツキをもっていたウェハ6上のX線積算照度を
1−以下に制御することができ、これによって微細パタ
ーンの転写を目的とするX線露光により製造するLSI
の品質向上および保留向上に大きく寄与することができ
る。
以上説明し九よりに本発E!Aによれば、ウェハ上に照
射するX、@の照度を正確に制御でき、これによってx
mg光装置を用いて製造するLSIの品質向上および歩
留向上に大きく寄与することができる。
射するX、@の照度を正確に制御でき、これによってx
mg光装置を用いて製造するLSIの品質向上および歩
留向上に大きく寄与することができる。
第1図は本発明の一実施例であるxsg元装型装置す斜
視図である。 1−X@@、5− X Y y −7’ル、4−Xgf
i&測定センナ、5−マスク、6−1エバ、7−24ツ
デ、s−X線源用電源、9−照度制御回路。
視図である。 1−X@@、5− X Y y −7’ル、4−Xgf
i&測定センナ、5−マスク、6−1エバ、7−24ツ
デ、s−X線源用電源、9−照度制御回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、X線源から発生するX線照度と、マスクを透してウ
ェハ上に照射されるX線照度との関係を算出する算出手
段と、この算出手段によって算出された関係に基いてウ
ェハ上に照射されるX線照度を制御する制御手段とを備
え付けたことを特徴とするX線露光装置。 2、上記制御手段は、X線源をオン・オフすることによ
って構成したことを特徴とする請求項1記載のX線露光
装置。 3、予めX線源から発生するX線照度を測定し、測定さ
れたX線照度とマスクを透してウェハ上に照射されるX
線照度との関係を算出し、算出された関係に基いてウェ
ハに照射されるX線照度を制御することを特徴とするX
線露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63108982A JPH01280313A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | X線露光装置及びその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63108982A JPH01280313A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | X線露光装置及びその方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01280313A true JPH01280313A (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=14498583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63108982A Pending JPH01280313A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | X線露光装置及びその方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01280313A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003051398A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Nikon Corp | X線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP63108982A patent/JPH01280313A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003051398A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Nikon Corp | X線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100334301B1 (ko) | 가열 장치, 가열 장치의 평가법 및 패턴 형성 방법 | |
EP1065567A3 (en) | Integrated critical dimension control | |
TW200821772A (en) | Line width measuring method, image forming status detecting method, adjusting method, exposure method and device manufacturing method | |
JPS61202437A (ja) | ステップアンドリピート露光方法 | |
JPH09129550A (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
CN110462522B (zh) | 光刻系统、euv辐射源、光刻扫描设备和控制系统 | |
JPH01280313A (ja) | X線露光装置及びその方法 | |
JPH0562876A (ja) | 露光装置 | |
JPH11354425A (ja) | 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
TWI617897B (zh) | 微影裝置及方法 | |
CN101114128A (zh) | 测量光刻系统中的功率的系统和方法 | |
JPS58156938A (ja) | 露光装置 | |
TWI269868B (en) | A method of monitoring the light integrator of a photolithography system | |
JPH0382943A (ja) | 全反射蛍光x線分析装置 | |
JPH0418454B2 (ja) | ||
JPS61164126A (ja) | 照度分布測定装置及び照度分布測定方法 | |
CN207281466U (zh) | 一种光刻机光源漏光监测系统 | |
SU1595270A1 (ru) | Устройство дл совмещени рисунка на маске с рисунком подложки | |
JPH02153517A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
JPH0689843A (ja) | 縮小投影露光装置の制御方法 | |
JP2640247B2 (ja) | 露光装置 | |
JPS622534A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
JP2000252193A (ja) | 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 | |
JPH0287616A (ja) | 電子線直接描画方法 | |
JPH01243421A (ja) | X線露光装置 |