JPH01272097A - エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は交流駆動形エレクトロルミネッセンス素子に関
する。

（従来技術） 一般に、エレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素
子と記す）は、平面形固体発光素子として、各種デイス
プレィや平面光源などに利用されている。このＥＬ素子
は構造上、薄膜形と分散形に分けられ、交流電圧駆動形
と直流電圧駆動形があるが、現在、薄膜形の交流駆動二
重絶縁構造ＥＬ素子及び分散形の交流駆動誘電体分散形
ＥＬ素子が使用されている。

（発明の解決すべき問題点） しかしながら、実用されている分散形および薄膜形ＥＬ
素子において、素子を発光させるためには少なくとも１
００Ｖ以上の印加電圧を必要とし、さらに充分な発光輝
度を得るためには、高い駆動電圧および高周波電源が必
要である。黄燈色で十分な発光輝度を達成できている薄
膜形は、構造が複雑なため高価であり、絶縁層として厚
さが１μｍ以下の誘電体薄膜を使用しているため絶縁破
壊によって素子の特性が劣化したり、時としてカタスト
ロフ旬りな破壊に至るという問題がある。また、分散形
はその構造上パターン表示がむずかしい上に、キャリア
の供給が不十分なため達成できる発光輝度が低い等の欠
点がある。

薄膜形では、これまでに絶縁層として高抵抗の誘電体薄
膜と導電性を有する薄膜を重ねたものや多層膜としたも
のを使用すると、駆動電圧の低下が可能な場合があ−る
ことか知られている。しかし、薄膜形では、前記の特性
劣化やカタストロフィツタな破壊を起こさない安定な素
子を得るために、高抵抗の誘電体膜を絶縁層の一部にか
ならず挿入しなければならないため、十分な低電圧駆動
を達成す乞ことができなかった。

本発明は、薄膜形および分散形いずれにおいても問題で
ある駆動電圧の低下を図り、かつ特性劣化やカタストロ
フィツクな破壊を起こさない安定で、しかも高発光輝度
および高発光効率および高耐電圧の安価なＥＬ素子を提
供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、前記薄膜形および分散形ＥＬ素子の問題点を
解決するため、適当な導電性（誘電損失もしくは抵抗率
）を有し、薄膜形の絶縁層に比べて十分厚い比誘電率の
高い誘電体からなる絶縁層を使用し、これに発光層と電
極を形成するようにしたものである。

絶縁層の比誘電率の高い誘電体としては、強誘電体のペ
ロブスカイト型化合物や複合ペロプスカイト型化合物等
の純枠型、あるいは適当な不純物を添加したもの、およ
びこれらの混合物等公知のものを使用できる。また、絶
縁層の導電性すなわち誘電損失もしくは抵抗率は誘電体
の作成条件によっである程度制御でき、作成後の還元処
理や酸化処理等によっても制御でき、さらには他の誘電
体や抵抗体との混合物にすること、および適当な不純物
を添加することが有効である。　蛍光体としては、遷移
金属の塩などの純粋型、あるいはハロゲンン化アルカリ
土類属金属の酸化物、硫化物、セレン化物、酸素酸塩を
母体とし、これに付活剤を添加したものなど公知の任意
のものを使用できる。　本発明に係るＥＬ素子を構成す
る絶縁層としては、比誘電率の高いことが望まれ、さら
に高絶縁耐圧を実現するためには厚さが２μｍ以上必要
であり、膜状の材料を用いる場合には、真空蒸着法、ス
パッタ法あるいは化学気相成長法等の公知の任意の成膜
方法を用いて、発光層上に形成することができる。絶縁
層として焼結体を用いる場合には、誘電体粉末もしくは
誘電体を構成する原材料の原子や化合物の混合粉末を乾
式、半乾式あるいは湿式法による一軸性加圧成型、押し
出し加圧成型、静水圧加圧成型、もしくは鋳込成型、ド
クターブレード法等公知の任意の成型方法によって適当
な形状とした後、各種雰囲気中で焼成することによって
製造することができる。また成型と焼結が同時に行い得
る高温加圧成型、静水圧高温加圧成型も適用できる。こ
の場合には、発光層を焼結体上に形成することによって
ＥＬ素子を製造できる。絶縁層として誘電体粉末を用い
る場合には、誘電体粉末等を適当な有機バインダ中に分
散させ塗布もしくは成型することによってアルミニウム
フォイル等の導電性基体上に形成すればよい。

この絶縁層と透明電極上に形成した発光層を互いに張り
合わせることによってＥＬ素子を製造できる。

本発明に係るＢＬ素子の発光層は、蛍光体からなる薄膜
を真空蒸着法、スパッタ法もしくは有機金属化学気相成
長法等の公知の任意の成膜法もしくは、バインダ中に分
散させた蛍光体粉末を塗布もしくは成型することによっ
て形成することが出来る。

本発明に係るＥＬ素子は、第１図に示すように、前記の
方法で透明基体■上に形成した透明電極６上に、前記の
方法を用いて絶縁層２として２μｍ以上の厚い膜を形成
し、その上に発光層３さらにその上に絶縁層２と同様に
して絶縁層４を形成した後、背面電極５を形成すること
によって作製できる。また、第２図に示すように、透明
電極６上に薄膜発光層３、絶縁層７として、膜を形成も
しくはバインダ中に分散させた誘電体粉末を塗布した後
、背面電極５を形成する片絶縁構造のＥＬ素子を作製す
ることは駆動電圧の低電圧化に有効である。さらに、第
３図に示すように、絶縁層９として焼結体を使用すると
厚さが十分ある場合は特別な基体を必要とせずに、背面
電極８を付けることができ、また焼結体９の内部に電極
８を挟み込むことも可能であり、これらの絶縁層９上に
発光Ｎ３および透明電極ＩＯを形成することによって素
子作製ができる。一方、ＦＪＲ発光層１３を透明基体１
５上に形成した透明電極】４上に形成したものと、導電
性基体もしくは表面に導電性膜を形成した基体からなる
導電性の基体ｌｌ上にバインダ中に分散させた誘電体粉
末を塗布等によって形成した絶縁層１２の両方を張り合
わせることによって、第４図に示すようなＥＬ素子を作
製することができる。第１図から第４図の発光層３は薄
膜もしくは、バインダ中に分散させた蛍光体粉末を塗布
もしくは成型することによって形成できる。また、第４
図の薄膜発光ＩＪ１３を、バインダ中に蛍光体粉末を分
散させた発光層１６に代えた第５図にしめずような分散
形ＥＬ素子および、第５図の絶縁層１２を厚さ２μｍ以
上の膜１７に代えた第６図にしめすようなＥＬ素子を作
製することができる。

（作用） 本発明に係るＥＬ素子の発光層としては、有効な電圧を
印加するためにはその厚さが薄い方が有利であるが１１
００ｎ以下の薄膜では膜の絶縁破壊が起こり易く、安定
な素子を得難く、厚さが２μｍ以上になると十分な電界
を発光層に印加できなくなる。また、ＥＬ素子の発光効
率および輝度は発光層の膜厚に依存し、　この場合にお
いても１１００ｎ以下では十分な発光効率および輝度を
実現することは困難である。蛍光体粉末を使用する場合
は、薄膜の場合と同様の理由によって、５μｍから５０
０μｍ程度が適当である。

絶縁層の強誘電体の誘電損失は通１ｔａｎδで表され、
その定義は複素誘電率の実数部と虚数部の比として定義
される。また、電気回路論的には抵抗とコンデンサの直
列もしくは並列等価回路を用いて、周波数、静電容量お
よび抵抗値から決定できる。しかし、ＥＬ素子の絶縁層
が誘電損失および抵抗率を有する場合、絶縁層の誘電的
特性とＥＬ特性との関係を評価する際、その誘電損失を
電気的等価回路から求めることが困難なため、誘電体の
物性定数として比誘電率と抵抗率を使用するのが適当な
場合がある。絶縁層の抵抗率は、交流ブリッジ等による
ｔａｎδとキャパシタンスの測定から求めることが可能
であり、また公知の電気抵抗を測定する方法で求めるこ
とができる。ｔａｎδは測定周波数に依存するため、測
定周波数を指定しなければならず、本件の中で示してい
るｔａｎδの値は１　ｋ　１４　ｚで測定した。

申請者らは最近の研究成果として、ＥＬ素子の低発光開
始電圧すなわち低電圧駆動および高輝度で高発光効率を
実現するためには、発光層中へ有効なキャリア（電子）
を注入するためにこれまでに試みられているような発光
層と絶縁層の界面のみ導電性を持たせても十分な効果が
期待できず、本発明に係るＥＬ素子のように、絶縁層が
適度のｔａｎδを有することが必要であることを見いだ
し、昭和６３年３月２９日第３５回応用物理学会関係連
合講演会において発表している。

その抵抗率としては！０４Ωａｍから１０”Ωｃｍの範
囲もしくは、誘電損失としては０．５％から３０％の範
囲であれば良いが、好ましくはＩＯ″Ωｃｍから１０’
Ωｃｍの範囲の抵抗率もしくは、１％から５％の範囲の
誘電損失が良い。抵抗率が１０４Ωｃｍ以下もしくは誘
電損失が３０％以上では、絶縁層中での電力損失が増加
し、発光層中にも励起に有効でない電流が増加するため
発光効率の低下等の悪影響が現れ、また発光層に掛かる
電界が減少してしまい、発光開始電圧が高くなってしま
う。一方、抵抗率が１０５Ωｃｍより高くなるかもしく
は、誘電損失が０．５％より低くなると発光層への電子
の注入が十分に起こらないため、発光開始電圧が高くな
り、高い輝度および発光効率を実現できなくなる。しか
し、本発明に係るＥＬ素子の絶縁層は、適度の導電性（
電力損失）を伴うため動作時の発熱が主たる原因となっ
て、膜状の場合においてはピンホールや誘電的特性の面
内分布が原因で絶縁層の絶縁破壊や誘電的特性の経時変
化等を引き起こすため、その厚さを２μｍ以上にしなけ
ればならない。

以下、本発明の実施例について説明する。

（実施例Ｉ） ガラス基板（ＨＯＹＡ　　ＮＡ−４０）上に形成したア
ルミニウム（ＡＩ）添加酸化亜鉛（ＺｎＯ：ＡＩ）透明
電極上に、亜鉛（Ｚｎ）ソースとしてジエチル亜鉛（Ｄ
ＥＺ）、イオウ（Ｓ）ソースとして二硫化イオウ（ＣＳ
　ｔ）を用いた有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法
により形成した硫化亜鉛（ＺｎＳ）薄膜に約６００℃で
熱拡散法によりマンガン（Ｍ　ｎ　）をドープし、さら
にその上に、１３００℃の大気中で９０分間焼成したＢ
ａＴ　ｉ　Ｏｓ粉末に無色透明な有機系のバインダーを
主成分とする粘稠性液体を混ぜ室温で２時間混練して作
成したペーストをスクリーン印刷法により約２０μｍの
厚さに塗布し、１２０℃で約３０分間乾燥した後、ＡＩ
金属薄膜を真空蒸着法により蒸着して電極としＥＬ素子
を作製した。この絶縁層の誘電損失は３％であった。こ
のＥＬ素子を５ｋＨｚの正弦波交流電圧で駆動していく
と、３０Ｖからオレンジ色の発光が認められ、最大輝度
１０００　ｃ　ｄ／ｍ’を得た。この発光は素子全面に
わたって均一であった。

（実施例２） 実施例１と同様の方法でインジウム・錫酸化物（ＩＴＯ
）透明電極付きガラス上にＭｎをドープしたＺｎＳ：Ｍ
ｎ薄膜発光層を形成したものと、対向電極としての厚さ
約１００μｍのＡｔ板上に実施例１と同様の材料を混合
して作製したペースト状のＢａＴｉ０．をスクリーン印
刷法により厚さ約２０μｍに塗布したものを、薄膜発光
層と絶縁層が相接するようにして、線圧的１．８ｋｇｆ
／ｃｍで１４０℃の温度で熱圧着してＥＬ素子を作製し
た。このＥＬ素子を４００Ｈｚの矩形波交流電圧で駆動
していくと、約４０Ｖからオレンジ色の発光が認められ
、最大輝度的８００ｃｄ／ｍ″を得た。この場合のＥＬ
素子の発光部の面積は約４００ｍｍ”であり、この発光
は素子全面にわたって均一であった。

（実施例３） 実施例１と同様の方法でＩＴＯ透明導電ガラス上にＭｎ
をドープしたＺｎＳ：Ｍｎ薄膜発光層を形成しさらにそ
の上に電荷注入層として厚さ約５０ｎｍの化学量論的組
成比のずれたＴａ、Ｏ，薄膜抵抗層をスパッタ法により
形成し、実施例１または２と同様の方法で絶縁層のＢ　
ａ　Ｔ　ｉ　Ｏｓおよび対向電極のＡｌを形成したＥＬ
素子を作製した。

このＥＬ素子を４００　Ｈｚの矩形波交流電圧で駆動し
ていくと、約３０Ｖから強いオレンジ色の発光が認めら
れ、最大輝度的１２００　ｃ　ｄ　／　ｍ　’を得た。

また、発光は素子全面にわたって均一であった。

（実施例４） 実施例Ｉ〜３において、ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜発光層の代わ
りに、Ｚ　ｎ　Ｓ　：　Ｔ　ｂ　Ｆ　ｓ薄膜発光層を用
いて実施例１，２．３および４と同様にしてＥＬ素子を
作製したところ、いずれの場合も素子全面にわたって均
一緑色の発光を得た。

（実施例５） 市販のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末（純度９
９．９％）を厚さ約０．８ｍｍの板状に加圧成形し空気
中で約６００℃まで除々に加熱しバインダ抜きをした後
、空気中１３００℃で９０分間焼成した。得られた０、
４ｍｍ厚の焼結体を、通常の半導体ウェーハ研磨と同様
な工程で、厚さ０．２ｍｍまで研磨した。この研磨面上
に実施例１と同様のＭＯＣＶＤ法により厚さ４００ｎｍ
のＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体薄膜を蒸着した。　その後、Ｚｎ
Ｓ＋Ｍｎ面に高周波マグネトロンスパッタ法で透明導電
膜としてＡｌドープＺｎＯ：Δ１薄膜、さらに焼結体側
にＡＩ金属薄膜を真空蒸着法でそれぞれ蒸着して電極と
し、第１図の構造のＥＬ素子を作製した。この焼結体の
絶縁層の誘電損失は、２％であった。このＥＬ素子を５
ｋＨｚの正弦波交流電圧で駆動していくと、約２０Ｖか
らオレンジ色の発光が認められ、最大輝度的　７４００
ｃ　ｄ　／　ｍ　”を得た。この場合のＥＬ、素子は直
径的２０ｍｍであり、この発光は素子全面にわったで均
一であった。また本実施例において、焼結体の厚さを０
．３ｍｍ、０．４ｍｍおよび０．５ｍｍにした所、発光
はそれぞれ、２４Ｖ、３０Ｖおよび３６Ｖから観測でき
た。

また蛍光体薄膜の厚さを２００ｎｍと薄くして、上記と
同様な方法でＥＬ素子を作製し発光を観測したところ、
１５ｖから均一なオレンジ発光が認められた。

（実施例６） 市販の炭酸バリウム（Ｂ　ａ　ＣＯ３）粉末（純度９９
．９％）と酸化チタン（Ｔｉｅ、）粉末（純度９９．９
％）および少量の酸化アンチモン（ｓｂｔ。

、）粉末（純度９９．９％）にバインダとしてメチルセ
ルロースを加えイソプロピルアルコール中で十分混合し
た後、厚さ約０．８ｍｍの板状に加圧成形し、空気中で
加熱しバインダ抜きを経た後、１３５０℃で２時間焼成
した。得られた焼結体を実施例１と同様な方法で研磨し
、ＺｎＳ；Ｍｎ蛍光体薄膜、そして電極を形成すること
によって素子を作製した。

この素子を５　ｋＨｚの正弦波交流で駆動した所、実施
例Ｉとほぼ同等の発光特性が得られた。またこの焼結体
シートと蛍光体薄膜の間に高周波マグネトロンスパッタ
法により３０ｎｍの導電性を有するＴａｔＯｓの抵抗膜
を蒸着し、ＥＬ素子を作製したものを５　ｋＨｚ正弦波
交流電圧で駆動した所、実施例５と同様の発光特性が得
られた。

（実施例７） 市販（Ｄ　Ｂ　ａ　ＣＯ３粉末（高純度９９．９Ｂ）と
Ｔ　ｉＯを粉末（純度９９．９Ｈ）に少量のＭ　ｎ　Ｃ
Ｏｓおよび５ｉＯ８等を添加し、バインダとして、メチ
ルセルロース、可塑剤としてブチルベンジルフタレート
、解膠剤としてアリムスルフオン酸、湿潤剤としてオク
チルフェノキンエタノール等を混合したスラリーを使っ
てドクターブレード成形し、焼結した厚さ０．２ｍｍの
板状焼結体シートを大気圧水素ガス中で４５０℃から６
００℃で１５０分間熱処理して、各種のｔａｎδを有す
る焼結体を作成し、その上に実施例１と同様のＭＯＣＶ
Ｄ法でＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体薄膜及び電極を形成し、ＥＬ
素子を作製した。

５ｋＨｚ正弦波電圧で駆動した時の焼結体絶縁層のｔａ
ｎδと発光開始電圧（Ｉｃｄ／ｍ”の輝度の得られる電
圧）の関係を第７図に示す。これより、ｔａｎδが約３
％で最も低電圧駆動が実現できることがわかる。

（実施例８） 実施例！の方法で作成した焼結体シートに八ｌ金属薄膜
を真空蒸着した後、Ｈ２５％含有Ａｒガス気流中５００
℃で１時間、ＡＩを焼結体中に熱拡散させることによっ
て得た抵抗体シート上に厚さ約６００ｎｍのＺｎＳ：Ｍ
ｎ蛍光体薄膜を、その上にＺｎ（ｊ　：　Ａ　ｌ透明導
電膜をそれぞれ高周波マグネトロンスパッタ法で形成す
ることによって、ＥＬ水素子作製した。　この焼結体絶
縁層の抵抗率は８ＸＩＯ’Ωｃｍであった。

この素子に商用交流（周波数６０１１　ｚ　）の電圧を
約ＩＯ■印加すると、オレンジ色の均一な発光が得られ
、５０Ｖで約８００　ｃｄ／ｍ’の輝度を得た。

（実施例９） 高周波マグネトロンスパッタ法を用いて、Ａｒスパッタ
ガス中でのスパッタリングによってガラス基板上に形成
したＺｎＯ：　Ａ　Ｉａ明電電極上導電性を有するＴ　
ａ　２０５−Ｘ絶縁層を５μｍ形成し、その上に高周波
マグネトロンスパッタ法を用いてＺｎＳ：Ｍｎ発光層を
５００　ｎｍ形成し、さらに前記ＴａｔＯｂ−ｘ絶縁層
を５μｍ形成してＥＬ水素子作製した。この場合の絶縁
層の抵抗率は、５×１０５Ωｃｍであった。この素子を
Ｉ　ｋ　Ｈｚ正弦波電圧で駆動した所、４０Ｖかヤ興匹
γ観Ｑｌｌでき、１００Ｖで４０００　ｃ　ｄ／ｍ’の
輝度が実現できた。また、絶縁層を片方のみとした片絶
縁構造にすると、２５Ｖから発光が観測でき、低電圧駆
動が実現できた。

また、実施例１から実施例９で使用した絶縁層および発
光層を、それぞれ各種紐み合わせることによって、ここ
に示した実施例１から実施例９のＥＬ水素子特性と同様
の特性が実現できることがわかった。

（発明の効果） 本発明によれば、絶縁層として適度な導電性（誘電損失
もしくは抵抗率）を存し、厚さが薄膜形の絶縁層に比べ
て上方厚い比誘電率の高い誘電体を使用することによっ
て、発光開始電圧の低減、高輝度および高発光効率の交
流駆動形ＥＬ素子を実現した。特に、従来のＥＬ水素子
おいて採用することが常識であった、絶縁層としての絶
縁耐圧の高い高抵抗層を使用することなく、新しいＥＬ
素子構成を採用をること、および絶縁層の導電性に最適
値が存在することを見い出した成果がある。

この新しい効果は、直流ＥＬ素子における電流制限層の
考えを、交流ＥＬ素子に応用できることと等価である。

さらに、蛍光体を適宜選択することによって、所望の発
光色の低電圧駆動ＥＬ素子を得ることが可能である。

本発明方法によるＥＬ水素子、絶縁層として非常に厚い
０．１ｍｉ〜０．８ｍｍの強誘電体層を採用しているた
め、薄膜形ＥＬ素子のようなカタストロフィツクな絶縁
破壊がなく、蛍光体層は薄膜形ＥＬ素子と同じであるか
ら、非常に高輝度発光が実現できる。さらに、この絶縁
層を抵抗化処理することにより直流駆動が可能となる。

本発明方法によるＥＬ水素子焼結体シート上の蛍光体層
が発光するため、表面が光学的に鏡面となっていないた
め、薄膜形ＥＬ素子のような光の干渉効果やグレアがな
く、どのような角度からでも発光が見易い。

本発明方法によるＥＬ水素子形状は、焼結体の形状によ
って決まるため、円形や矩形など任意の形状の、小面積
から比較的大面積までの用途に応じたＥＬ水素子実現で
きる。さらに、焼結体シートの比誘電率、厚さ及び蛍光
体薄膜の厚さを制御することによって、約１０Ｖの低電
圧から２００Ｖ以上の高電圧駆動用ＥＬ素子が容易に実
現でき、しかも安価であるため、マトリクス形あるいは
セグメント形デイスプレィや表示用ランプ等の用途に最
適である。

本発明によれば、各種の絶縁層や発光層を使用すること
ができるのみならず両者を種々組み合わせることにより
広範な用途に対応できるＥＬ水素子実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は透明基体上に形成した本発明にかかる二重絶縁
形ＥＬ素子の断面図、第２図は透明基体上に形成した本
発明にかかる片絶縁形ＥＬ素子の　”断面図、第３図は
焼結体絶縁層を基体とする本発明にかかるＥＬ水素子断
面図、第４図は別々に作成した薄膜発光層部分と絶縁層
部分を張り合わせた構造を有するＥＬ水素子断面図、第
５図は肪図における該発光色を分散形としたＥＬ水素子
断面図、第６図は面図における該絶縁層を透明基体側に
形成した本発明にがかるＥＬ水素子断面図、第７図は本
発明にがかるＥＬ水素子おける発光開始電圧のｔａｎδ
依存性を示す図である。 １．１５〜透明基体、２．４．７．９〜絶締層、３〜薄
膜または厚膜発光層、５．８〜背面電極、６．１０．１
４〜透明電極、１１〜導電性基体、１３〜薄膜発光層、
１６．１７〜分散形または厚膜発光色

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）　抵抗率が１０＾４Ωｃｍから１０＾５Ωｃｍの
   範囲もしくは、１ｋＨｚで測定した誘電損失（ｔａｎδ
   ）が０．５％から３０％の範囲の導電性を有し、厚さが
   ２μｍ以上である少なくとも一種の比誘電率の高い誘電
   体からなる絶縁層と、少なくとも１種の蛍光体からなる
   発光層を重ね、これらの層を挟む電極をもって電界を印
   加できることを特徴とする交流駆動形エレクトロルミネ
   ッセンス素子。
2. （２）　前記絶縁層の抵抗率が１０＾５Ωｃｍから１０
   ＾７Ωｃｍの範囲もしくは、１ｋＨｚで測定したｔａｎ
   δが１％から５％の範囲である特許請求の範囲第１項記
   載の交流駆動形エレクトロルミネッセンス素子。
3. （３）　前記発光層が厚さ０．１μｍから２μｍの薄膜
   であり、１種もしくは２種以上の蛍光体による単層膜も
   しくは多層膜あるいは、蛍光体自体の発光効率を低下さ
   せない範囲で蛍光体以外の薄膜との多層膜もしくは、こ
   れらの膜に適当な不純物を添加したものである特許請求
   の範囲第１項もしくは第２項記載の交流駆動形エレクト
   ロルミネッセンス素子。
4. （４）　前記発光層が１種の蛍光体粉末もしくは、２種
   以上の蛍光体粉末の混合物あるいは、これらに誘電体粉
   末もしく抵抗体粉末を添加した混合物を適当なバインダ
   中に分散させ塗布もしくは成型したものである特許請求
   範囲第１項もしくは第２項に記載の交流駆動形エレクト
   ロルミネッセンス素子。
5. （５）　前記絶縁層を発光層の両面に付けてなる、いわ
   ゆる２重絶縁構造である特許請求の範囲第１項から第４
   項のいずれか１項に記載の交流駆動形エレクトロルミネ
   ッセンス素子。
6. （６）　前記絶縁層が単層もしくは多層の膜である特許
   請求範囲第１項から第５項のいずれかに記載の交流駆動
   形エレクトロルミネッセンス素子。
7. （７）　前記絶縁層が焼結体である特許請求の範囲第１
   項から第４項のいずれかに記載の交流駆動形エレクトロ
   ルミネッセンス素子。
8. （８）　前記絶縁層が強誘電体粉末もしくは、強誘電体
   粉末と誘電体粉末もしく抵抗体粉末の混合物を適当なバ
   インダ中に分散させ塗布もしくは成型したものである特
   許請求の範囲第１項から第４項のいずれかに記載の交流
   駆動形エレクトロルミネッセンス素子。