JPH01270613A - Apparatus for magnetically detecting position or speed - Google Patents

Apparatus for magnetically detecting position or speed

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JPH01270613A
JPH01270613A JP9814588A JP9814588A JPH01270613A JP H01270613 A JPH01270613 A JP H01270613A JP 9814588 A JP9814588 A JP 9814588A JP 9814588 A JP9814588 A JP 9814588A JP H01270613 A JPH01270613 A JP H01270613A
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正 高橋
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昭一 川又
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Abstract

PURPOSE:To detect a position and a speed with high accuracy and high resolving power, by providing a magnetoresistance effect element changing in its internal resistance in proportion to the temp. of an atmosphere other than a plurality of magnetoresistance effect elements. CONSTITUTION:A magnetic drum 2 having a magnetic medium 21 on the surface thereof is fixed to a rotary shaft 1. Magnetic signals N-S, S-N are continuously recorded on the magnetic medium 21 of the drum 2 by magnetization writing. A magnetic sensor 3 has a substrate 31 corresponding to said drum 2, and magnetoresistance effect elements MR1-MR4 and the temp. compensating magnetoresistance effect element MR5 arranged on the side thereof are provided to the substrate 31. Therefore, when the drum 2 is rotated, the magnetic field applied to the elements MR1-MR4 changes corresponding to the magnetic signal N-S and, therefore, the rotary position of the drum 2 can be detected as the resistance change of the elements MR1-MR4. Since this apparatus is constituted so as to correct the inputs or outputs of the elements MR1-MR4 by the output of the element MR5, the outputs of the elements MR1-MR4 are not affected by a temp. change and a position or speed can be detected with high accuracy and high resolving power.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は位置や速度を検出する装置に係り、特に磁気抵
抗効果素子を用いた検出装置の温度補償、あるいはこれ
に用いられるのに好適な磁気センサに関するものである
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a device for detecting position and velocity, and in particular to temperature compensation of a detection device using a magnetoresistive element, or a device suitable for use therein. This relates to magnetic sensors.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の装置は磁気抵抗効果素子を用いた位置検出装置で
は、出力振幅の温度変化に対する考慮はなされてないの
が一般的であった。これは磁気抵抗効果素子の出力を波
形整形して方形波として使用しているため、温度補償な
しても方形波出力に与える影響が少ないからである。し
かし、位置検出の分解能を向」ニする目的で正弦波出力
の装置が要求されている。出力が正弦波であればアナロ
グ値を使用することで分解能を従来の方形波より高くで
きる。この技術に関して我々が特開昭62−204、1
1−8号公報で既に提案している。
Conventional position detection devices using magnetoresistive elements generally do not take temperature changes in output amplitude into consideration. This is because the output of the magnetoresistive element is waveform-shaped and used as a square wave, so even without temperature compensation there is little effect on the square wave output. However, in order to improve the resolution of position detection, a device with a sine wave output is required. If the output is a sine wave, the resolution can be higher than that of a conventional square wave by using analog values. Regarding this technology, we published JP-A-62-204, 1
This has already been proposed in Publication No. 1-8.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、正弦波出力の振幅が温度の影響で変化す
れば誤差となってしまい温度補償が必要とする。また、
方形波に波形整形する場合でも温度補償があればより高
精度で高分解能化ができる。
However, if the amplitude of the sine wave output changes due to the influence of temperature, an error occurs and temperature compensation is required. Also,
Even when shaping the waveform into a square wave, if temperature compensation is included, higher accuracy and resolution can be achieved.

しかし」二記従来技術では磁気抵抗効果素子の出力振幅
を温度補償することに配慮されておらす、温度によって
出力電圧の振幅が変化するので高分解能を得ることが難
かしかった。
However, in the prior art described in Section 2, consideration has been given to temperature-compensating the output amplitude of the magnetoresistive element, but since the amplitude of the output voltage changes depending on the temperature, it is difficult to obtain high resolution.

本発明の第1の目的は磁気抵抗効果素子の出力が温度に
よって変化することを補償して温度による影響をとり除
いて、高精度で高分解能である位置や速度を検出する装
置を得ることであり、第2の目的は、この装置に好適な
磁気センサを提供することである。
The first object of the present invention is to provide a device for detecting position and velocity with high accuracy and high resolution by compensating for changes in the output of a magnetoresistive element due to temperature and eliminating the influence of temperature. The second purpose is to provide a magnetic sensor suitable for this device.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記第1の目的は、近接して相対的に移動する第1の部
材および第2の部材と、この第1の部材に担持された磁
気記録媒体と、この磁気記録媒体に記録した磁気信号と
、前記第2の部材に担持された磁気センサの基体と、こ
の基体に担持され、前記磁気記録媒体の磁気信号に感応
じて電気抵抗が変化する複数の磁気抵抗効果素子と、こ
れらの磁気抵抗効果素子からの電気信号により第1およ
び第2の部材間の相対位置や速度を検出する装置におい
て、前記基体は前記複数の磁気抵抗効果素子以外に磁気
センサが配される雰囲気の温度に比例して内部抵抗が変
化する第2の素子を担持し、後者の第2の素子の出力に
て前者の磁気抵抗効果素子の入力あるいは出力を補正す
るように構成することによって達成され、又、上記第2
の目的は、同−絶縁基体上に所定の外部磁界に感応し内
部抵抗が変化する磁気抵抗効果素子と、この外部磁界に
は実質的に感応しないが雰囲気温度によって内部抵抗が
変化する素子の両者を担持した磁気センサ構造によって
達成される。
The first object is to provide a first member and a second member that are relatively movable in close proximity, a magnetic recording medium supported by the first member, and a magnetic signal recorded on the magnetic recording medium. , a base of a magnetic sensor supported on the second member, a plurality of magnetoresistive elements supported on the base and whose electrical resistance changes in response to a magnetic signal of the magnetic recording medium, and these magnetoresistive elements. In the device for detecting the relative position and velocity between the first and second members using an electric signal from an effect element, the base body is proportional to the temperature of the atmosphere in which a magnetic sensor is arranged in addition to the plurality of magnetoresistive elements. This is achieved by carrying a second element whose internal resistance changes, and by configuring the output of the latter second element to correct the input or output of the former magnetoresistive element. 2
The purpose of this is to create both a magnetoresistive element on the same insulating substrate that is sensitive to a predetermined external magnetic field and whose internal resistance changes, and an element that is substantially insensitive to this external magnetic field but whose internal resistance changes depending on the ambient temperature. This is achieved by a magnetic sensor structure carrying

〔作用〕[Effect]

位置検出装置を構成する磁気センサ内の磁気抵抗効果素
子の出力が温度しこよって変化するので、この温度を測
定し、温度に対して出力が一定になるように磁気センサ
の入力電圧を制御するか又は磁気抵抗効果素子の出力を
増幅する回路のゲインを温度に対応じて可変にしてやれ
ば位置検出装置の出力を温度に対して一定に保つことが
できる。
The output of the magnetoresistive element in the magnetic sensor that makes up the position detection device changes depending on the temperature, so this temperature is measured and the input voltage of the magnetic sensor is controlled so that the output remains constant with respect to temperature. Alternatively, by making the gain of the circuit that amplifies the output of the magnetoresistive element variable in accordance with the temperature, the output of the position detection device can be kept constant with respect to temperature.

すなわち、本発明の磁気センサが配される雰囲気の温度
に応じてその内部抵抗が変化する第2の素子は、湿度変
化によって磁気抵抗効果素子の出力が減少傾向にあると
きは磁気抵抗効果素子に印加する入力電圧を増大し7、
又、磁気抵抗効果素子の出力が増加傾向にあるときは磁
気抵抗効果素子に印加する入力電圧を減少するよう作用
する。
In other words, the second element whose internal resistance changes depending on the temperature of the atmosphere in which the magnetic sensor of the present invention is arranged changes to the magnetoresistive element when the output of the magnetoresistive element tends to decrease due to a change in humidity. Increase the applied input voltage7,
Further, when the output of the magnetoresistive element tends to increase, it acts to reduce the input voltage applied to the magnetoresistive element.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例構成に第1図ないし第6図に裁
づいて説明する。第1図は磁気抵抗効果素子を用いた回
転位置検出装置の構成を示す。1はモータ軸等の回転軸
である。この回転軸1にはその表面に磁気媒体21を有
する磁気1くうA2が固定されている。磁気媒体21に
は磁気信号N−8を着磁書き込みにより連続記録してい
る。3はこの磁気)へラムに近接対向させて配した磁気
センサ3である。この磁気センサ3は基体3)−を有し
、ごの基体31には複数の磁気抵抗効果素子を有する。
Hereinafter, the structure of one embodiment of the present invention will be explained with reference to FIGS. 1 to 6. FIG. 1 shows the configuration of a rotational position detection device using a magnetoresistive element. 1 is a rotating shaft such as a motor shaft. A magnetic disk A2 having a magnetic medium 21 on its surface is fixed to the rotating shaft 1. As shown in FIG. A magnetic signal N-8 is continuously recorded on the magnetic medium 21 by magnetized writing. Reference numeral 3 designates a magnetic sensor 3 disposed close to and facing the magnetic ram. This magnetic sensor 3 has a base body 3), and each base body 31 has a plurality of magnetoresistive elements.

したかつて、磁気トラA 2か回転すると磁気抵抗効果
素子に加わる磁界が磁気信号N−8に対応じて変化する
ので、磁気抵抗効果素子の抵抗変化として磁気トラム2
の回転位置を検出てきる。
Once, when the magnetic tram A2 rotates, the magnetic field applied to the magnetoresistive element changes in accordance with the magnetic signal N-8, so the magnetic tram 2 changes as the resistance change of the magnetoresistive element.
The rotational position of can be detected.

第2図は磁気Iヘラl、 2と磁気センサ3との関係を
展開して示したものである。磁気1<ラム2の磁気媒体
21には図示のように記録ピッチλの磁気信号1f−8
,S−Nが連続して記録しており、これに対応じて磁気
センサ3には磁気抵抗効果素子M R+〜M1く4とM
R5で構成される。磁気抵抗効果素子M R+〜M R
4はλ/2間隔て配置し、MR3はこれらに刻して直交
する方向しこ配置する。第33図は磁気抵抗効果素子M
 R1〜M、 Raの接続図で各磁気抵抗効果素子M 
RI−M、 Raでブリッジを構成している。また、各
磁気抵抗効果素子M Ri〜MRsはパーマロイやNi
C0等の薄膜で作られており、長手方向に対して直角方
向の磁界Hにより、第4図のように内部電気抵抗が変化
する。しかし、長手方向の磁界に対しては電気抵抗の変
化はほとんど生しない。したがって、第1図の磁気ドラ
l\2が回転すると磁気センサ3の各磁気抵抗効果素子
M R1〜M R4には磁気信号により、第4図のよう
な磁気信号磁界1−T、が加えられる。この磁界I(。
FIG. 2 shows an expanded view of the relationship between the magnetic I spatulas 1 and 2 and the magnetic sensor 3. As shown in the figure, the magnetic medium 21 of the magnetic 1<ram 2 receives a magnetic signal 1f-8 with a recording pitch λ.
, S-N are recorded continuously, and correspondingly, the magnetic sensor 3 has magnetoresistive elements M R+ to M14 and M
It consists of R5. Magnetoresistive element M R+ ~ M R
4 are arranged at intervals of λ/2, and MR3 is arranged in a direction orthogonal to these. Figure 33 shows magnetoresistive element M
Each magnetoresistive element M in the connection diagram of R1 to M, Ra
RI-M and Ra constitute a bridge. In addition, each magnetoresistive element M Ri to MRs is made of permalloy or Ni.
It is made of a thin film such as C0, and its internal electrical resistance changes as shown in FIG. 4 by a magnetic field H in a direction perpendicular to the longitudinal direction. However, there is almost no change in electrical resistance in response to a longitudinal magnetic field. Therefore, when the magnetic driver l\2 shown in FIG. 1 rotates, a magnetic signal magnetic field 1-T as shown in FIG. 4 is applied to each magnetoresistive element M R1 to M R4 of the magnetic sensor 3 by a magnetic signal. . This magnetic field I(.

は磁気lくラム2が回転中は連続して発生しているので
磁気抵抗効果素子M R1等の抵抗変化は図示のような
波形の連続となる。また、磁気抵抗効果素子M R2は
MRtに対してλ/2位置がずれているので図示の破線
のような抵抗変化となる。同様に磁気抵抗効果素子MR
3及びMR4も図示のような波形となる。従って、第3
図のブリッジ回路の入力端子には直流電圧■が加わって
いるので、出力端子eoには第4図のeQのような出力
が得られる。
Since the magnetic ram 2 is continuously generated while the magnetic ram 2 is rotating, the resistance change of the magnetoresistive element MR1, etc. has a continuous waveform as shown in the figure. Furthermore, since the magnetoresistive element MR2 is shifted in position by λ/2 from MRt, the resistance changes as shown by the broken line in the figure. Similarly, magnetoresistive element MR
3 and MR4 also have waveforms as shown. Therefore, the third
Since the DC voltage ■ is applied to the input terminal of the bridge circuit shown in the figure, an output like eQ in FIG. 4 is obtained at the output terminal eo.

−・方各磁気抵抗効果素子の抵抗値は温度に対して変化
し、温度が」―昇すると抵抗値も]:、昇する特−12
= 性を有する。従って温度が上昇すると第3図の出力eQ
の振幅が低下してしまい、温度に対する出力eoの温度
特性は第6図の破線で示したeoiのように温度と共に
変化してしまう。
The resistance value of each magnetoresistive element changes with temperature, and as the temperature rises, the resistance value also increases.
= Having sex. Therefore, as the temperature rises, the output eQ in Figure 3
The amplitude of the output eo decreases, and the temperature characteristic of the output eo with respect to temperature changes with the temperature as shown by the broken line eoi in FIG.

第5図はこの温度変化を補償するための回路である。磁
気抵抗効果素子M R5と固定抵抗R1〜R8て図示の
ような抵抗ブリッジを構成し、この出力端子a、bより
各々抵抗R4,R5を介して増幅器○P1の入力端子に
接続している、また増幅器の負人力と出力間しこはフィ
ードバック抵抗Reが接続しである。増幅器OP1の出
力には磁気抵抗効果素子M RL−M R4のブリッジ
回路の電源端子を接続しており、電源端子の他端は負電
圧−■を加えである。磁気抵抗効果素子M R1〜MR
4のブリッジの出力端子c、dより抵抗R7,Rδを介
して増幅器OP2の入力接続している。増幅器OP2の
負入力と出力間にはフィードバック抵抗R9を接続しで
ある。この回路構成において、温度が一定の場合は磁気
抵抗効果素子M R5の抵抗は一定であり、増幅器○P
1の出力すなわち磁低抵抗効果素子M R1〜MR4の
ブリッジの入力電圧V、は一定である。しかし、温度が
上昇すると磁気抵抗効果素子M R5の抵抗値が」1昇
するので増幅器OP 1の負入力の電圧が低下し、その
結果磁気抵抗効果素子M R1〜M R4のブリッジの
入力電圧■lnは上昇する。温度に対してこの入力電圧
V + nは第6図のV Inのようになる。したがっ
て、第5図の磁気抵抗効果素子M R1〜MR4のブリ
ッジの出力eoの振幅は温度に対して丁度相殺されて温
度による変化が補償される。その結果位置検出装置の出
力である増幅器○P2の出力Eoの振幅は第6図の実線
のように温度に対して振幅変化がなく補償できる。なお
、磁気抵抗効果素子M R5は磁気ドラム2の磁気信号
に対して長手方向に配置しであるので磁気信号磁界H1
によって抵抗変化は生じない。また、磁気抵抗効果素子
M R工〜M R4と温度補償用の磁気抵抗効果素子M
 R5は同一材料でかつ同一チップ上に構成されている
ので、温度的にはほぼ同じ変化をするので、温度補償も
ほぼ完全にできる。
FIG. 5 shows a circuit for compensating for this temperature change. The magnetoresistive element M R5 and fixed resistors R1 to R8 constitute a resistive bridge as shown in the figure, and the output terminals a and b are connected to the input terminal of the amplifier ○P1 via resistors R4 and R5, respectively. Further, a feedback resistor Re is connected between the negative input power and the output of the amplifier. The output of the amplifier OP1 is connected to the power supply terminal of the bridge circuit of the magnetoresistive elements MRL-MR4, and the other end of the power supply terminal is applied with a negative voltage -■. Magnetoresistive element M R1 to MR
The output terminals c and d of the bridge No. 4 are connected to the inputs of the amplifier OP2 via resistors R7 and Rδ. A feedback resistor R9 is connected between the negative input and output of the amplifier OP2. In this circuit configuration, when the temperature is constant, the resistance of the magnetoresistive element M R5 is constant, and the amplifier ○P
1, that is, the input voltage V of the bridge of the magnetic low resistance effect elements MR1 to MR4 is constant. However, as the temperature rises, the resistance value of the magnetoresistive element M R5 increases by 1, so the voltage at the negative input of the amplifier OP1 decreases, and as a result, the input voltage of the bridge of the magnetoresistive elements M R1 to M R4 decreases. ln increases. This input voltage V + n with respect to temperature becomes V In in FIG. Therefore, the amplitude of the output eo of the bridge of the magnetoresistive elements MR1 to MR4 shown in FIG. 5 is exactly canceled out against the temperature, and changes due to temperature are compensated for. As a result, the amplitude of the output Eo of the amplifier ○P2, which is the output of the position detection device, can be compensated for without changing the amplitude with respect to temperature, as shown by the solid line in FIG. Note that since the magnetoresistive element M R5 is arranged in the longitudinal direction with respect to the magnetic signal of the magnetic drum 2, the magnetic signal magnetic field H1
There is no change in resistance due to In addition, magnetoresistive elements MR~MR4 and magnetoresistive elements M for temperature compensation are also provided.
Since R5 is made of the same material and is constructed on the same chip, it undergoes almost the same change in temperature, so temperature compensation can be almost completely achieved.

さらに、磁気抵抗効果素子M R6とM R1〜M R
4と異った材料を使用した場合は、両者の温度係数が異
るが、増幅器○P1の抵抗R5とR6で決る増幅率を調
整して温度補償を完全に行うことが可能である。
Furthermore, magnetoresistive elements M R6 and M R1 to M R
If a different material is used, the temperature coefficients of the two will be different, but it is possible to completely compensate for the temperature by adjusting the amplification factor determined by the resistors R5 and R6 of the amplifier ○P1.

また、この例では温度補償用の抵抗M R5は磁気抵抗
効果素子で構成しているが、他の材料でも温度に対して
抵抗が変化するものであれば同じ効果が得られる。さら
に第2図の例では磁気抵抗効果素子M R5を磁気ドラ
ム2からの磁界が長手方向に受けるように配置しである
が、磁気ドラム2からの磁界が及ばないような位置に配
置すれば、その配置の方向は任意にできる。
Further, in this example, the temperature compensation resistor MR5 is made of a magnetoresistive element, but the same effect can be obtained with other materials as long as the resistance changes with temperature. Furthermore, in the example of FIG. 2, the magnetoresistive element M R5 is arranged so as to receive the magnetic field from the magnetic drum 2 in the longitudinal direction, but if it is arranged at a position where the magnetic field from the magnetic drum 2 does not reach, The direction of the arrangement can be arbitrary.

第7図は他の実施例で温度補償用の磁気抵抗効果素子M
 R5を他の磁気抵抗効果素子M Rs〜MR4の横に
配置した例である。第7図でL1〜L5は各磁気抵抗効
果素子M R1〜MRr、のリード線部であり、M R
1〜M R5より十分広い幅をもち磁気ドラム2からの
信号磁界H,に対して抵抗変化が生じないようにしであ
る。又、磁気抵抗効果素子MR5は磁気ドラム2の信号
磁界に対して長手方向になるような配置となっているの
で、信号磁界によって抵抗変化を生じない。すなわち、
磁気抵抗効果素子MR5は温度変化に対してのみ抵抗変
化を生ずるので、第5図と組合せて温度補償をすること
ができる。
Figure 7 shows another embodiment of the magnetoresistive element M for temperature compensation.
This is an example in which R5 is placed next to other magnetoresistive elements M Rs to MR4. In FIG. 7, L1 to L5 are lead wire portions of the respective magnetoresistive elements MR1 to MRr, and MR
It has a width sufficiently wider than MR1 to MR5 so that no change in resistance occurs with respect to the signal magnetic field H from the magnetic drum 2. Furthermore, since the magnetoresistive element MR5 is arranged in the longitudinal direction with respect to the signal magnetic field of the magnetic drum 2, no resistance change occurs due to the signal magnetic field. That is,
Since the magnetoresistive element MR5 causes a resistance change only in response to a temperature change, it can be used in combination with FIG. 5 to perform temperature compensation.

第8図は他の実施例を示す温度補償回路である。FIG. 8 shows a temperature compensation circuit showing another embodiment.

直流電圧■に対して抵抗R1〜R8及び磁気抵抗効果素
子MR5で構成した抵抗ブリッジ及び、磁気抵抗効果素
子M R1〜M R4で構成したブリッジが接続しであ
る。各ブリッジの出力は抵抗R7,R8及びR4、R3
を介して増幅器○P1及びOF2の入力端子に加えられ
る。さらに各増幅器OP 1及びOF2の負入力端子と
出力端子間にはフィードバック抵抗Ro及びR6を接続
し、各増幅器OP 1及びOF2の出力は乗算器MPの
入力に加えられ、乗算器MPの出力Eoが位置検出装置
の出力である。増幅器OP 1の出力V。は第5図のO
P 1の出力V + nと全く同じ構成であり、温度に
対して第9図の一点破線Vcのように温度に比例して変
る。また、磁気抵抗効果素子M R1〜M Raのブリ
ッジ出力は第5図で説明したように温度により、出力振
幅が低下するのでこれを増幅した増幅器OP2の出力e
02は第9図の破線のように温度に反比例して変化をす
る。したかつて第9図の電圧■。とeoの積は温度に対
し出力振幅が変化しないEo となる。
A resistance bridge made up of resistors R1 to R8 and magnetoresistive elements MR5 and a bridge made up of magnetoresistive elements M R1 to M R4 are connected to the DC voltage (1). The output of each bridge is resistor R7, R8 and R4, R3
It is applied to the input terminals of amplifiers ○P1 and OF2 via . Further, feedback resistors Ro and R6 are connected between the negative input terminal and output terminal of each amplifier OP 1 and OF2, and the output of each amplifier OP 1 and OF2 is added to the input of a multiplier MP, and the output Eo of the multiplier MP is is the output of the position detection device. Output V of amplifier OP1. is O in Figure 5
It has exactly the same configuration as the output V + n of P1, and changes in proportion to the temperature as indicated by the one-dot broken line Vc in FIG. Furthermore, as explained in FIG. 5, the output amplitude of the bridge outputs of the magnetoresistive elements M R1 to M Ra decreases depending on the temperature, so the output e of the amplifier OP2 that amplifies this decreases.
02 changes in inverse proportion to the temperature as shown by the broken line in FIG. Once the voltage in Figure 9 ■. The product of and eo is Eo, whose output amplitude does not change with temperature.

第10図は温度補償回路の他の実施例である。FIG. 10 shows another embodiment of the temperature compensation circuit.

直流電圧Vに対して抵抗R1〜R3と磁気抵抗効果素子
M R5及びM Rt〜MRBは第9図と同じ構成であ
り、増幅器OP 1の構成も第9図と同じである。磁気
抵抗効果素子M R工〜M R4のブリッジ出力は抵抗
R4,R5を介して可変ゲインの増幅器■○Pの入力に
接続しである。可変ゲインの増幅□器■OPは増幅器○
P1の出力電圧によって内部ゲインが決定される増幅器
である。したがって、磁気抵抗効果素子M R1〜MR
4の出力振幅が温度によって第9図の破線のように変化
する。しかしその出力を増幅する増幅器■○Pは第9図
の一点破線の出力でゲインが変化するのでその出力E。
For the DC voltage V, the resistors R1 to R3 and the magnetoresistive elements M R5 and M Rt to MRB have the same configuration as in FIG. 9, and the configuration of the amplifier OP1 is also the same as in FIG. The bridge outputs of the magnetoresistive elements MR to MR4 are connected to the input of the variable gain amplifier ■○P via resistors R4 and R5. Variable gain amplifier □ device■OP is amplifier○
This is an amplifier whose internal gain is determined by the output voltage of P1. Therefore, the magnetoresistive elements M R1 to MR
The output amplitude of No. 4 changes with temperature as shown by the broken line in FIG. However, the gain of the amplifier ■○P that amplifies the output changes as indicated by the dotted line in Figure 9, so its output is E.

は第9図の実線のように温度に対して一定値となる。becomes a constant value with respect to temperature as shown by the solid line in FIG.

以−ヒ回転体の位置検出装置の例で説明したが、本発明
は直線運動をするものに適用しても同し作用、効果が得
られるものである。
Although the present invention has been explained below using an example of a position detection device for a rotating body, the same operation and effect can be obtained even if the present invention is applied to a body that moves in a straight line.

第11図は温度補償の他の実施例を示す。この実施例は
温度検出用素子を特別用いることなく、位置検出用の磁
気抵抗効果素子M R1〜M R4で温度検出を共用し
た例である。電源Vに抵抗R1゜R2を直列接続し、そ
の中点から増幅器OPIの正入力に接続する。また増幅
器○Plの出力に接続した磁気抵抗効果素子M R1〜
M R4のブリッジに直列に抵抗R3を接続し、その中
点8oより抵抗R4を介して増幅器○P1の負入力に接
続する。
FIG. 11 shows another embodiment of temperature compensation. This embodiment is an example in which temperature detection is shared by magnetoresistive elements M R1 to M R4 for position detection, without using any special temperature detection element. A resistor R1°R2 is connected in series to the power supply V, and the midpoint thereof is connected to the positive input of the amplifier OPI. In addition, the magnetoresistive effect element M R1 ~ connected to the output of the amplifier ○Pl
A resistor R3 is connected in series to the bridge of M R4, and its midpoint 8o is connected to the negative input of the amplifier ○P1 via the resistor R4.

さらに磁気抵抗効果素子M R1〜M R4のブリッジ
の出力端から各抵抗Ro 、Rhoを介して増幅器OP
2の入力に接続する。また増幅器OF +の出力には抵
抗R13,R7を直列に接続し、その中点から抵抗Rδ
を介して増幅器OP 2の入力端に接続する。各増幅器
○P1.○P2の出力ど負入力間にはフィードバック抵
抗R5、R11が接続しである。抵抗R1とR2の中点
boの電位により増幅器○pt にはバイアスが加えら
れるのて0I)1の出力にはある電圧V + nが発生
する。また、各磁気抵抗効果素7− M R1とM R
2及びM R4とM R3は第4図に示したように磁気
信号による磁界H7に刺して、抵抗変化の位相が逆位相
となるため、M R1とM R2及びMEζ4とM R
3の直列端子から見た抵抗変化は相殺されてなくなり、
一定値となるので位置検出動作では点aoの電位は一定
である。しかし温度が」1昇すれば磁気抵抗効果素子M
 R1〜M Raの抵抗は上昇する。固定抵抗R3は温
度し対してほとんど抵抗変化かないので点aOの電位は
温度−ヒ昇に対して低下する。したがって増幅器OP 
l の負入力電位が低下するのでOPlの出力が増加す
るように動作するので点aQの電位は一定に保たれる。
Furthermore, the amplifier OP is connected from the output terminal of the bridge of the magnetoresistive elements MR1 to MR4 through the respective resistors Ro and Rho.
Connect to input 2. In addition, resistors R13 and R7 are connected in series to the output of the amplifier OF +, and from the midpoint to the resistor Rδ
to the input of the amplifier OP2. Each amplifier○P1. Feedback resistors R5 and R11 are connected between the output and negative input of P2. Since a bias is applied to the amplifier pt by the potential at the midpoint bo between the resistors R1 and R2, a certain voltage V + n is generated at the output of 0I)1. In addition, each magnetoresistive element 7-M R1 and M R
2 and M
The resistance change seen from the series terminal of 3 is canceled out and disappears.
Since it is a constant value, the potential at point ao is constant in the position detection operation. However, if the temperature increases by 1, the magnetoresistive effect element M
The resistance of R1 to M Ra increases. Since the resistance of the fixed resistor R3 hardly changes with temperature, the potential at point aO decreases as the temperature rises. Therefore the amplifier OP
Since the negative input potential of l decreases, the output of OPl increases, so the potential of point aQ is kept constant.

これは温度によって磁気抵抗効果素子M、 R1〜MR
4の値が増加して、その結果位置検出出力の振幅が低下
するのを補償するように動作することである。これは第
6図のように温度によって磁気抵抗効果素子M Rl−
M R4に加える電圧V Inを制御して位置検出出力
Eoの振幅を温度変化に対し一定になるようにする。ま
た、抵抗R6とR7は回路のオフセットが温度により変
化しないようにバイアスするものである。すなわち、磁
気抵抗効果素子M Rs〜M Raのフリツジ出力にオ
フセットが生じている場合は温度変化によって電圧vI
nが変化するのでこのオフセット電圧も変化してしまう
。そこで抵抗R6,R7でこのオフセットを打消すよう
にすれば増幅器OP 2の出力のオフセット変化を取除
くことができる。
This changes depending on the temperature of the magnetoresistive elements M, R1 to MR.
4 increases, thereby compensating for the decrease in the amplitude of the position detection output. As shown in Fig. 6, the magnetoresistive effect element M Rl-
The voltage V In applied to M R4 is controlled to keep the amplitude of the position detection output Eo constant against temperature changes. Further, resistors R6 and R7 provide a bias so that the offset of the circuit does not change due to temperature. In other words, if an offset occurs in the frizz output of the magnetoresistive elements M Rs to M Ra, the voltage vI
Since n changes, this offset voltage also changes. Therefore, by canceling this offset using resistors R6 and R7, the offset change in the output of the amplifier OP2 can be removed.

以上この実施例では位置検出用磁気抵抗効果素子以外の
温度検出素子を用いずに温度補償を可能にしたものであ
る。
As described above, in this embodiment, temperature compensation is made possible without using any temperature detection element other than the magnetoresistive element for position detection.

第11図の例では磁気抵抗効果素子を4個使用してブリ
ッジを構成した例であるが、磁気抵抗効果素子を2個又
は1個使用した位置検出装置にも全く同様に使用できる
。また第11図の抵抗R3は温度係数の少ないものが最
良であるが、磁気抵抗効果素子の温度係数と異るもので
あれば同じ効果が得られる。さらにこの抵抗R3は磁気
抵抗効果素子しコ比へて小さな値であれば磁気抵抗効果
素子に加えられる電圧を大きくてき有利である。したが
って抵抗R3の値によって増幅器OP iの増幅率を抵
抗Ra、R5によって調整するようにすれば良好な温度
補償が可能である。
In the example of FIG. 11, the bridge is constructed using four magnetoresistive elements, but it can be used in exactly the same way for a position detection device using two or one magnetoresistive elements. Further, it is best to use a resistor R3 in FIG. 11 with a small temperature coefficient, but the same effect can be obtained as long as the resistor R3 is different from the temperature coefficient of the magnetoresistive element. Furthermore, if this resistance R3 has a small value compared to the magnetoresistive element, it is advantageous to increase the voltage applied to the magnetoresistive element. Therefore, good temperature compensation can be achieved by adjusting the amplification factor of the amplifier OP i using the resistors Ra and R5 depending on the value of the resistor R3.

第12図に磁気抵抗効果素子M、 R5の配置に関し、
他の構成について述へる。
FIG. 12 shows the arrangement of magnetoresistive elements M and R5.
Let's talk about other configurations.

第12図においては、雰囲気温度を検出するための素子
M RBを絶縁性基体31に担持し、その上をカラス等
の絶縁被膜Gて被覆する。そして、この絶縁被膜Gに磁
気抵抗効果素子M Ri〜MR4を担持させる。このと
き、磁気抵抗効果素子MR3の真下に素子MR5が位置
するようにする。
In FIG. 12, an element MRB for detecting ambient temperature is supported on an insulating base 31, and is covered with an insulating coating G such as a glass. Then, the insulating film G supports the magnetoresistive elements MRi to MR4. At this time, element MR5 is positioned directly below magnetoresistive element MR3.

このように構成すると磁気媒体からの磁気信号N−8の
磁界H1は、M R3に作用してM R3の磁気抵抗を
変化させるように作用することは前述のとおりであるが
、このM R3はM R5に対し磁気シールド効果をも
つ。これは、磁気信号N−8からの磁界はM R3を通
る磁気閉回路が形成されることから明らかである。した
がって、M R5は温度の影響のみを受けて抵抗変化す
る。
As described above, with this configuration, the magnetic field H1 of the magnetic signal N-8 from the magnetic medium acts on M R3 to change the magnetic resistance of M R3. Has a magnetic shielding effect against MR5. This is clear from the fact that a magnetic closed circuit is formed in which the magnetic field from the magnetic signal N-8 passes through MR3. Therefore, the resistance of MR5 changes only under the influence of temperature.

尚、このとき、MRsに電流が流れると発熱するが、M
 Rsの裏面に非常に近接してM R5が配されている
ので、M R5はMRsの温度状態を正確に検出するこ
とができ、他の例で示した磁気センサの配置空間の温度
に感応するものに比し、補償感度を向上することが出来
る。
At this time, when current flows through MRs, it generates heat, but M
Since MR5 is placed very close to the back surface of Rs, MR5 can accurately detect the temperature state of MRs, and is sensitive to the temperature of the space in which the magnetic sensor is placed as shown in other examples. Compensation sensitivity can be improved compared to the conventional one.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上述べたように、第1の発明は、近接して相対的に移
動する第1の部材および第2の部材と、この第1の部材
に担持された磁気記録媒体と、この磁気記録媒体に記録
した磁気信号と、前記第2の部材に担持された磁気セン
サの基体と、この基体に担持され、前記磁気記録媒体の
磁気信号に感応じて電気抵抗が変化する複数の磁気抵抗
効果素子と、これらの磁気抵抗効果素子からの電気信号
により第1および第2の部材間の相対位置や速度を検出
する装置において、前記基体は前記複数の磁気抵抗効果
素子以外に磁気センサが配される雰囲気の温度に比例し
て内部抵抗が変化する第2の素子を担持し、後者の第2
の素子の出力にて前者の磁気抵抗効果素子の入力あるい
は出力を補正するように構成したので、磁気抵抗効果素
子の出力が温度変化に影響されず、高精度で高分解能の
装置を得ることができる。
As described above, the first invention provides a first member and a second member that are relatively movable in close proximity, a magnetic recording medium supported by the first member, and a magnetic recording medium supported by the first member. a recorded magnetic signal, a base of a magnetic sensor supported on the second member, and a plurality of magnetoresistive elements supported on this base whose electrical resistance changes in response to the magnetic signal of the magnetic recording medium; , in a device that detects the relative position and velocity between the first and second members by electric signals from these magnetoresistive elements, the base body is an atmosphere in which a magnetic sensor is arranged in addition to the plurality of magnetoresistive elements. carries a second element whose internal resistance changes in proportion to the temperature of the second element;
Since the input or output of the former magnetoresistive element is corrected using the output of the former element, the output of the magnetoresistive element is not affected by temperature changes, making it possible to obtain a high-precision, high-resolution device. can.

又、第2の発明は、同一絶縁基体上に所定の外部磁界に
感応し内部抵抗が変化する磁気抵抗効果素子と、この外
部磁界には実質的に感応しないが雰囲気温度によって内
部抵抗が変化する素子の両者を担持したので、前記第1
の発明に適用されるのに好適な磁気センサを提供するこ
とができるものである。
Further, the second invention includes a magnetoresistive element whose internal resistance changes in response to a predetermined external magnetic field on the same insulating substrate, and a magnetoresistive element whose internal resistance changes depending on the ambient temperature although it is not substantially sensitive to the external magnetic field. Since both of the elements were supported, the first
A magnetic sensor suitable for application to the invention can be provided.

尚、本発明は磁気センサの出力をパルス処理して位置や
速度を検出するもの、あるいは磁気センサの出力をその
ままアナログ値として検出するもの、いずれにも適用さ
れるが、特に後者のものに適用されて顕著な効果を発揮
するものである。
Note that the present invention is applicable to either a device that processes the output of a magnetic sensor to detect position or velocity, or a device that directly detects the output of a magnetic sensor as an analog value, but it is particularly applicable to the latter. It has a remarkable effect.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の位置検出装置の構成図、第2図は本発
明の磁気センサと磁気ドラムの展開図の一実施例、第3
図は本発明の磁気センサの接続図、第4図は磁気抵抗効
果素子の特性と動作説明図、第5図は本発明の温度補償
回路の一実施例、第6図は第5図の特性説明図、第7図
は本発明の磁気センサの他の実施例を示す展開図、第8
図は本発明の他の実施例の温度補償回路図、第9図は第
8図の特性説明図、第10図は本発明のその他の実施例
の温度補償回路図、第11図は本発明の他の実施例の温
度補償回路図、第12図は同じく他の実施例の構造を示
す断面図である。 1・回転軸、2・・磁気ドラム、3・・磁気センサ、2
1・磁気媒体、31・・基体、M Rt〜MR4磁気抵
抗効果素子、MRs  ・・温度により抵抗が変化する
素子。
FIG. 1 is a configuration diagram of a position detection device according to the present invention, FIG. 2 is an exploded view of a magnetic sensor and a magnetic drum according to an embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a connection diagram of the magnetic sensor of the present invention, Figure 4 is a diagram explaining the characteristics and operation of the magnetoresistive element, Figure 5 is an embodiment of the temperature compensation circuit of the present invention, and Figure 6 is the characteristic of Figure 5. An explanatory diagram, FIG. 7 is a developed diagram showing another embodiment of the magnetic sensor of the present invention, and FIG.
The figure is a temperature compensation circuit diagram of another embodiment of the present invention, FIG. 9 is a characteristic diagram of FIG. 8, FIG. 10 is a temperature compensation circuit diagram of another embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a diagram of the present invention. FIG. 12 is a sectional view showing the structure of another embodiment. 1. Rotating shaft, 2. Magnetic drum, 3. Magnetic sensor, 2
1. Magnetic medium, 31. Base, MRt to MR4 magnetoresistive element, MRs... Element whose resistance changes depending on temperature.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、近接して相対的に移動する第1の部材および第2の
部材と、この第1の部材に担持された磁気記録媒体と、
この磁気記録媒体に記録した磁気信号と、前記第2の部
材に担持された磁気センサの基体と、この基体に担持さ
れ、前記磁気記録媒体の磁気信号に感応して電気抵抗が
変化する複数の磁気抵抗効果素子と、これらの磁気抵抗
効果素子からの電気信号により第1および第2の部材間
の相対位置や速度を検出する装置において、 前記基体は前記複数の磁気抵抗効果素子以外に磁気セン
サが配される雰囲気の温度に比例して内部抵抗が変化す
る第2の素子を担持し、後者の第2の素子の出力にて前
者の磁気抵抗効果素子の入力あるいは出力を補正するよ
うに構成したことを特徴とする磁気的に位置や速度を検
出する装置。 2、前記特許請求の範囲第1項記載のものにおいて、 第2の素子は前者の磁気抵抗効果素子と同一材料である
ことを特徴とする磁気的に位置や速度を検出する装置。 3、前記特許請求の範囲第2項記載のものにおいて、 前記の磁気抵抗効果素子と後者の第2の素子を同一チッ
プ上に配置したものであることを特徴とする磁気的に位
置や速度を検出する装置。 4、前記特許請求の範囲第2項記載のものにおいて、 第2の素子の長手方向を前記磁気信号の磁界の方向に合
せたことを特徴とする磁気的に位置や速度を検出する装
置。 5、前記特許請求の範囲第2項記載のものにおいて、 第2の素子は前記磁気記録媒体に記録した磁気信号に実
質的に感応しない位置に配したことを特徴とする磁気的
に位置や速度を検出する装置。 6、近接して相対的に移動する第1の部材および第2の
部材と、この第1の部材に担持された磁気記録媒体と、
この磁気記録媒体に記録した磁気信号と、前記第2の部
材に担持された磁気センサの基体と、この基体に担持さ
れ、前記磁気記録媒体の磁気信号に感応して電気抵抗が
変化する複数の磁気抵抗効果素子と、これらの磁気抵抗
効果素子からの電気信号により第1および第2の部材間
の相対位置や速度を検出する装置において、 前記磁気センサの雰囲気温度を検出する温度検出素子を
設け、この温度検出素子の出力に応じて前記磁気センサ
の入力電圧を制御することを特徴とする磁気的に位置や
速度を検出する装置。 7、前記特許請求の範囲第6項記載のものにおいて、 温度検出素子を磁気抵抗効果素子と同一チップに担持し
たことを特徴とする磁気的に位置や速度を検出する装置
。 8、近接して相対的に移動する第1の部材および第2の
部材と、この第1の部材に担持された磁気記録媒体と、
この磁気記録媒体に記録した磁気信号と、前記第2の部
材に担持された磁気センサの基体と、この基体に担持さ
れ、前記磁気記録媒体の磁気信号に感応して電気抵抗が
変化する複数の磁気抵抗効果素子と、これらの磁気抵抗
効果素子からの電気信号により第1および第2の部材間
の相対位置や速度を検出する装置において、 前記磁気センサが配される雰囲気温度を検出する素子を
設け、この素子の出力と前記磁気抵抗効果素子の出力と
の積を出力するように構成したことを特徴とする磁気的
に位置や速度を検出する装置。 9、前記特許請求の範囲第8項記載のものにおいて、 前記素子は磁気抵抗効果素子と同一材料で、かつ磁気抵
抗効果素子と同一のチップに担持されていることを特徴
とする磁気的に位置や速度を検出する装置。 10、近接して相対的に移動する第1の部材および第2
の部材と、この第1の部材に担持された磁気記録媒体と
、この磁気記録媒体に記録した磁気信号と、前記第2の
部材に担持された磁気センサの基体と、この基体に担持
され、前記磁気記録媒体の磁気信号に感応して電気抵抗
が変化する複数の磁気抵抗効果素子と、これらの磁気抵
抗効果素子からの電気信号により第1および第2の部材
間の相対位置や速度を検出する装置において、 前記磁気センサが配される空間の雰囲気温度を検出する
素子を設け、この素子の出力によつて前記磁気抵抗効果
素子の出力を増幅する増幅ゲインを調整するように構成
したことを特徴とする磁気的に位置や速度を検出する装
置。 11、前記特許請求の範囲第10項記載のものにおいて
、 前記素子は磁気抵抗効果素子と同一材料で、かつ磁気抵
抗効果素子と同一の基体に担持されていることを特徴と
する磁気的に位置や速度を検出する装置。 12、近接して相対的に移動する第1の部材および第2
の部材と、この第1の部材に担持された磁気記録媒体と
、この磁気記録媒体に記録した磁気信号と、前記第2の
部材に担持された磁気センサの基体と、この基体に担持
され、前記磁気記録媒体の磁気信号に感応して電気抵抗
が変化する複数の磁気抵抗効果素子と、これらの磁気抵
抗効果素子からの電気信号により第1および第2の部材
間の相対位置や速度を検出する装置において、 前記磁気抵抗効果素子に直列にこの磁気抵抗効果素子と
温度係数を異にする素子を接続し、これらの素子間の中
点の電位を利用して前記磁気抵抗効果素子に加える電圧
を制御することを特徴とする磁気的に位置や速度を検出
する装置。 13、同一絶縁基体上に所定の外部磁界に感応し内部抵
抗が変化する磁気抵抗効果素子と、この外部磁界には実
質的に感応しないが雰囲気温度によつて内部抵抗が変化
する素子の両者を担持した磁気センサ。 14、前記特許請求の範囲第13項記載のものにおいて
、 後者の素子は前者の磁気抵抗効果素子から得られる出力
信号の振幅を温度にて変化しないように補償するもので
あることを特徴とする磁気センサ。 15、前記特許請求の範囲第13項記載のものにおいて
、 前記磁気抵抗効果素子と温度によつて内部抵抗が変化す
る素子は同一材料であり、かつ同一基体に担持したもの
である磁気センサ。 16、前記特許請求の範囲第13項記載のものにおいて
、 温度によつて内部抵抗が変化する素子上に絶縁被膜を介
して磁気抵抗効果素子を担持したものであることを特徴
とする磁気センサ。 17、前記特許請求の範囲第16項記載のものにおいて
、 磁気抵抗効果素子は前者の素子に対し、磁気シールド作
用を有するものであることを特徴とする磁気センサ。
[Claims] 1. A first member and a second member that are relatively movable in close proximity, and a magnetic recording medium supported by the first member;
A magnetic signal recorded on the magnetic recording medium, a base of a magnetic sensor supported on the second member, and a plurality of sensors supported on the base whose electrical resistance changes in response to the magnetic signals of the magnetic recording medium. In a device that detects relative positions and velocities between first and second members using magnetoresistive elements and electric signals from these magnetoresistive elements, the base body includes a magnetic sensor in addition to the plurality of magnetoresistive elements. It carries a second element whose internal resistance changes in proportion to the temperature of the atmosphere in which it is placed, and is configured to correct the input or output of the former magnetoresistive element with the output of the latter second element. A device that magnetically detects position and speed. 2. An apparatus for magnetically detecting position and velocity according to claim 1, wherein the second element is made of the same material as the magnetoresistive element. 3. The device according to claim 2, characterized in that the magnetoresistive element and the latter second element are arranged on the same chip. Device to detect. 4. An apparatus for magnetically detecting position and velocity according to claim 2, wherein the longitudinal direction of the second element is aligned with the direction of the magnetic field of the magnetic signal. 5. The device according to claim 2, wherein the second element is arranged at a position that is not substantially sensitive to the magnetic signal recorded on the magnetic recording medium. A device that detects 6. A first member and a second member that are relatively movable in close proximity, and a magnetic recording medium supported by the first member;
A magnetic signal recorded on the magnetic recording medium, a base of a magnetic sensor supported on the second member, and a plurality of sensors supported on the base whose electrical resistance changes in response to the magnetic signals of the magnetic recording medium. A device for detecting relative positions and speeds between first and second members using magnetoresistive elements and electric signals from these magnetoresistive elements, further comprising a temperature detection element for detecting an ambient temperature of the magnetic sensor. . A device for magnetically detecting position and velocity, characterized in that the input voltage of the magnetic sensor is controlled according to the output of the temperature detection element. 7. An apparatus for magnetically detecting position and velocity according to claim 6, characterized in that the temperature detection element and the magnetoresistive element are carried on the same chip. 8. A first member and a second member that are relatively movable in close proximity, and a magnetic recording medium supported by the first member;
A magnetic signal recorded on the magnetic recording medium, a base of a magnetic sensor supported on the second member, and a plurality of sensors supported on the base whose electrical resistance changes in response to the magnetic signals of the magnetic recording medium. A device for detecting relative positions and speeds between first and second members using magnetoresistive elements and electrical signals from these magnetoresistive elements, comprising: an element for detecting the ambient temperature in which the magnetic sensor is arranged; 1. An apparatus for magnetically detecting position and velocity, characterized in that the device is configured to output the product of the output of this element and the output of the magnetoresistive element. 9. The device according to claim 8, wherein the element is made of the same material as the magnetoresistive element and is supported on the same chip as the magnetoresistive element. A device that detects speed. 10, a first member and a second member that move relatively in close proximity;
a magnetic recording medium supported on the first member, a magnetic signal recorded on the magnetic recording medium, a base of a magnetic sensor supported on the second member, and a magnetic sensor supported on the base; A plurality of magnetoresistive elements whose electrical resistance changes in response to magnetic signals from the magnetic recording medium, and detecting relative positions and speeds between the first and second members using electrical signals from these magnetoresistive elements. In the device, an element is provided for detecting the ambient temperature of a space in which the magnetic sensor is arranged, and an amplification gain for amplifying the output of the magnetoresistive element is adjusted based on the output of the element. A device that magnetically detects position and speed. 11. The device according to claim 10, wherein the element is made of the same material as the magnetoresistive element and is supported on the same base as the magnetoresistive element. A device that detects speed. 12, a first member and a second member that move relatively in close proximity;
a magnetic recording medium supported on the first member, a magnetic signal recorded on the magnetic recording medium, a base of a magnetic sensor supported on the second member, and a magnetic sensor supported on the base; A plurality of magnetoresistive elements whose electrical resistance changes in response to magnetic signals from the magnetic recording medium, and detecting relative positions and speeds between the first and second members using electrical signals from these magnetoresistive elements. In the device, an element having a temperature coefficient different from the magnetoresistive element is connected in series with the magnetoresistive element, and a voltage applied to the magnetoresistive element is applied using a potential at a midpoint between these elements. A device that magnetically detects position and speed. 13. Both a magnetoresistive element that is sensitive to a predetermined external magnetic field and whose internal resistance changes, and an element that is not substantially sensitive to this external magnetic field but whose internal resistance changes depending on the ambient temperature are placed on the same insulating substrate. Carrying magnetic sensor. 14. The device according to claim 13, characterized in that the latter element compensates the amplitude of the output signal obtained from the former magnetoresistive element so that it does not change with temperature. magnetic sensor. 15. The magnetic sensor according to claim 13, wherein the magnetoresistive element and the element whose internal resistance changes depending on temperature are made of the same material and supported on the same substrate. 16. A magnetic sensor according to claim 13, characterized in that a magnetoresistive element is supported via an insulating film on an element whose internal resistance changes depending on temperature. 17. The magnetic sensor according to claim 16, wherein the magnetoresistive element has a magnetic shielding effect with respect to the former element.
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JP2685489B2 (en) 1997-12-03

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