JPH01269305A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01269305A JPH01269305A JP63098687A JP9868788A JPH01269305A JP H01269305 A JPH01269305 A JP H01269305A JP 63098687 A JP63098687 A JP 63098687A JP 9868788 A JP9868788 A JP 9868788A JP H01269305 A JPH01269305 A JP H01269305A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- amplifier
- phase difference
- gain
- balun
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、VHF帯、UHF帯のチューナーのアンプに
用いる半導体装置に関するものである。
用いる半導体装置に関するものである。
従来の技術
近年、この種の半導体装置を用いたチューナー用アンプ
は、低歪が重視されている。
は、低歪が重視されている。
第5図(a) 、 (b)は従来のチューナー用アンプ
の構成を示す各等価回路図である。第5図(a) 、
(b)において、1はシングルゲートFET、2はデュ
アルゲートFETである。
の構成を示す各等価回路図である。第5図(a) 、
(b)において、1はシングルゲートFET、2はデュ
アルゲートFETである。
発明が解決しようとする課題
このような従来の構成では、歪率が高いという問題があ
った。本発明は、このような問題点を解決するもので、
低歪でしかも、ゲインコントロールを容易にすることを
目的とするものである。
った。本発明は、このような問題点を解決するもので、
低歪でしかも、ゲインコントロールを容易にすることを
目的とするものである。
課題を解決するための手段
この問題点を解決するために、本発明は、ゲインをコン
トロールするための第2ゲートを持つFETを、低歪を
実現するために、プッシュプルに結合構成したものであ
る。
トロールするための第2ゲートを持つFETを、低歪を
実現するために、プッシュプルに結合構成したものであ
る。
作用
この構成により、低歪なAGC(オートゲインコントロ
ール)が可能な、チューナー用アンプが実現できる。
ール)が可能な、チューナー用アンプが実現できる。
実施例
第1図は本発明の一実施例半導体装置を適用した増幅器
の回路図を示す。端子10からの入力信号をバランによ
り180°の位相差を持つ信号に変換し、各FET11
.12の各第1ゲートGI+G2に入力する。そして、
各FETII、12て増幅された信号を各ドレインDI
+ D2からバラン結合により、180°の位相差
で合成して、出力端子13に出力する。また、ゲインの
コントロ−ルは、各FETl1.12の第2ゲートを共
通接続したAGC端子14で行なう。なお、端子Sは共
通ソースである。第2図は各FETl1.12のチップ
平面図である。この各FETl1.12は、ゲートメタ
ルにAeを用い、ゲート長1μm。
の回路図を示す。端子10からの入力信号をバランによ
り180°の位相差を持つ信号に変換し、各FET11
.12の各第1ゲートGI+G2に入力する。そして、
各FETII、12て増幅された信号を各ドレインDI
+ D2からバラン結合により、180°の位相差
で合成して、出力端子13に出力する。また、ゲインの
コントロ−ルは、各FETl1.12の第2ゲートを共
通接続したAGC端子14で行なう。なお、端子Sは共
通ソースである。第2図は各FETl1.12のチップ
平面図である。この各FETl1.12は、ゲートメタ
ルにAeを用い、ゲート長1μm。
AGC用4 p m 、ゲート幅800μmである。2
個のFETが近接しているため、特性がそろい、さらに
低歪化が可能となる。第3図は第2図示のチップから外
部リードを引出した実施例FETの外形図であり、6端
子のプラスチックパッケージに封入したものである。
個のFETが近接しているため、特性がそろい、さらに
低歪化が可能となる。第3図は第2図示のチップから外
部リードを引出した実施例FETの外形図であり、6端
子のプラスチックパッケージに封入したものである。
第4図は本発明の第2の実施例を示す。これはプッシュ
プルアンプとダブルバランスドミキサを組み合わせた回
路構成ブロック図である。ダブルバランスドミキサは、
180°の位相差を持つプッシュプルアンプの出力をそ
のまま入力信号として使用できるため、バランの省略が
可能である。
プルアンプとダブルバランスドミキサを組み合わせた回
路構成ブロック図である。ダブルバランスドミキサは、
180°の位相差を持つプッシュプルアンプの出力をそ
のまま入力信号として使用できるため、バランの省略が
可能である。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、AGC端子を有する低
歪のチューナー用アンプが構成できる。
歪のチューナー用アンプが構成できる。
第1図は本発明の一実施例装置を適用したアンプの回路
図、第2図はチップ平面図、第3図は外形図、第4図は
本発明実施例装置を適用したダブルバランスドミキサを
組み合わせた回路構成ブロック図、第5図(a) 、
(b)は従来のチューナー用アンプの各等価回路図であ
る。 10・・・・・・入力端子、11.12・・・・・・F
ET、13・・・・・・出力端子、14・・・・・・A
GC端子。
図、第2図はチップ平面図、第3図は外形図、第4図は
本発明実施例装置を適用したダブルバランスドミキサを
組み合わせた回路構成ブロック図、第5図(a) 、
(b)は従来のチューナー用アンプの各等価回路図であ
る。 10・・・・・・入力端子、11.12・・・・・・F
ET、13・・・・・・出力端子、14・・・・・・A
GC端子。
Claims (1)
- デュアルゲートFETをプッシュプルに結合構成した
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63098687A JPH01269305A (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63098687A JPH01269305A (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01269305A true JPH01269305A (ja) | 1989-10-26 |
Family
ID=14226418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63098687A Pending JPH01269305A (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01269305A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997005695A1 (en) * | 1995-07-27 | 1997-02-13 | Scientific-Atlanta, Inc. | Field effect transistor cable television line amplifier |
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EP1742358A1 (en) * | 2005-07-05 | 2007-01-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Tuner and tuning method |
WO2011098336A1 (de) * | 2010-02-10 | 2011-08-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Gegentaktverstärker mit induktiver gleichtaktentkopplung |
JP2019220978A (ja) * | 2013-08-19 | 2019-12-26 | アリス エンタープライジズ エルエルシーArris Enterprises Llc | 順方向データ・コンテンツによって電力消費が駆動される、光ファイバ・ノード |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4984159A (ja) * | 1972-12-15 | 1974-08-13 |
-
1988
- 1988-04-21 JP JP63098687A patent/JPH01269305A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS4984159A (ja) * | 1972-12-15 | 1974-08-13 |
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WO1997017721A2 (en) * | 1995-11-08 | 1997-05-15 | Endgate Corporation | Method for making a circuit structure having a flip-mounted matrix of devices |
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WO2011098336A1 (de) * | 2010-02-10 | 2011-08-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Gegentaktverstärker mit induktiver gleichtaktentkopplung |
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JP2019220978A (ja) * | 2013-08-19 | 2019-12-26 | アリス エンタープライジズ エルエルシーArris Enterprises Llc | 順方向データ・コンテンツによって電力消費が駆動される、光ファイバ・ノード |
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