JPH01267994A - 高周波加熱調理器 - Google Patents
高周波加熱調理器Info
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- JPH01267994A JPH01267994A JP9718688A JP9718688A JPH01267994A JP H01267994 A JPH01267994 A JP H01267994A JP 9718688 A JP9718688 A JP 9718688A JP 9718688 A JP9718688 A JP 9718688A JP H01267994 A JPH01267994 A JP H01267994A
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- magnetron
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- filament
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000010411 cooking Methods 0.000 title abstract description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 17
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 17
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 241000277331 Salmonidae Species 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、インバータ回路によってマグネトロンへ電
力の供給を行う高周波加熱調理器に関するものである。
力の供給を行う高周波加熱調理器に関するものである。
従来の高周波加熱調理器について、第５図を用いて説明
する。
する。
第５図において、（１）は商用電源、（２）は整流器。
（３）は平滑コンデンサで、これらによシ直流′也源（
至）を構成している。（ト）は絶縁トランスで、１次、
２次、３次巻線（７）、 （８）、 ＋９）を有してい
る。絶縁トランス９Ｑの１次巻線（７）に直列に半導体
スイッチ（５）を接続し、この半導体スイッチ（５）に
並列に転流ダイオード（６）、および１次巻線（７）に
並列に共像コンデンサ（４）を接続し、１次巻線（７）
の一方を直流電源（至）に接続して高周波スイッチング
パワー回路となるインバータ回路（至）を構成している
。また、絶縁トランス＠１の２次巻線（９）には高圧コ
ンデンサα１．高圧ダイオード＋１１）が接続され、半
波倍電圧整流回路を構成し、ダイオードα９を通してマ
グネトロンＵに絶縁トランス（４０の高圧電力を供給し
、また、マグネトロン（１３のフィラメントを加熱する
ヒーター電力を供給するために、絶縁トランスθＧの３
次巻線（８）がマグネトロンαりに接続され、電子レン
ジ加熱回路（６０）を構成していた。
至）を構成している。（ト）は絶縁トランスで、１次、
２次、３次巻線（７）、 （８）、 ＋９）を有してい
る。絶縁トランス９Ｑの１次巻線（７）に直列に半導体
スイッチ（５）を接続し、この半導体スイッチ（５）に
並列に転流ダイオード（６）、および１次巻線（７）に
並列に共像コンデンサ（４）を接続し、１次巻線（７）
の一方を直流電源（至）に接続して高周波スイッチング
パワー回路となるインバータ回路（至）を構成している
。また、絶縁トランス＠１の２次巻線（９）には高圧コ
ンデンサα１．高圧ダイオード＋１１）が接続され、半
波倍電圧整流回路を構成し、ダイオードα９を通してマ
グネトロンＵに絶縁トランス（４０の高圧電力を供給し
、また、マグネトロン（１３のフィラメントを加熱する
ヒーター電力を供給するために、絶縁トランスθＧの３
次巻線（８）がマグネトロンαりに接続され、電子レン
ジ加熱回路（６０）を構成していた。
従来の高周波加熱調理器は以上のように構成されている
ので、後述するようにマグネトロンαのへの入力電力が
変化した時にフィラメント電力も共に変化してしまいマ
グネトロンαりのフィラメント磁力が定格に入らなくな
るという問題点があった。
ので、後述するようにマグネトロンαのへの入力電力が
変化した時にフィラメント電力も共に変化してしまいマ
グネトロンαりのフィラメント磁力が定格に入らなくな
るという問題点があった。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、マグネトロンのフィラメント電力の安定化を
はかり、マグネトロンの入力電力の変化に対応できる高
周波加熱調理器を得ることを目的とする。
たもので、マグネトロンのフィラメント電力の安定化を
はかり、マグネトロンの入力電力の変化に対応できる高
周波加熱調理器を得ることを目的とする。
この発明に係る高周波加熱調理器は、商用電源に接続さ
れた整流平滑回路、この整流平滑回路に接続された高周
波インバータ回路、この高周波インバータ回路を駆動す
る加熱出力制御回路、上記高周波インバータ回路に直列
に接続された絶縁トランス、この絶縁トランスの２次巻
線に接続されたマグネトロンを含む電子レンジ加熱回路
を備え。
れた整流平滑回路、この整流平滑回路に接続された高周
波インバータ回路、この高周波インバータ回路を駆動す
る加熱出力制御回路、上記高周波インバータ回路に直列
に接続された絶縁トランス、この絶縁トランスの２次巻
線に接続されたマグネトロンを含む電子レンジ加熱回路
を備え。
上記マグネトロンのフィラメント電力供給部にサイリス
タならびに電流検出器を設け、上記電流検出器の検出信
号に応じ上記サイリスタを駆動し。
タならびに電流検出器を設け、上記電流検出器の検出信
号に応じ上記サイリスタを駆動し。
上記フィラメント電力を制御するものである。
この発明における高周波加熱調理器は、マグネトロンの
フィラメントの電力供給部にサイリスタならびに電流検
出器を設け、電流検出器の検出信号に応じサイリスタを
駆動し、フィラメント電力を制御することにより、マグ
ネトロンの入力電力が変化しても、フィラメント電力は
安定化する。
フィラメントの電力供給部にサイリスタならびに電流検
出器を設け、電流検出器の検出信号に応じサイリスタを
駆動し、フィラメント電力を制御することにより、マグ
ネトロンの入力電力が変化しても、フィラメント電力は
安定化する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、（りは商用゛電源、αＪは安全スイッ
チ、（２）は整流器、（３）は平滑コンデンサで、これ
らで直流電源（至）を構成している。（７）は絶縁トラ
ンスで、１次、２次、３次巻線（７１，（８）、 （９
）を有している。絶縁トランス（７）の１次巻線（７）
に直列に半導体スイッチ（５）を接続し、この半導体ス
イッチ（５）に並列に転流ダイオード（６）、および１
次巻線（７）に並列に共振コンデンサ（４）を接続し、
１次巻線（７）の−方を直流電源に接続して高周波スイ
ッチングパワー回路となるインバータ回路間を構成して
いる。
チ、（２）は整流器、（３）は平滑コンデンサで、これ
らで直流電源（至）を構成している。（７）は絶縁トラ
ンスで、１次、２次、３次巻線（７１，（８）、 （９
）を有している。絶縁トランス（７）の１次巻線（７）
に直列に半導体スイッチ（５）を接続し、この半導体ス
イッチ（５）に並列に転流ダイオード（６）、および１
次巻線（７）に並列に共振コンデンサ（４）を接続し、
１次巻線（７）の−方を直流電源に接続して高周波スイ
ッチングパワー回路となるインバータ回路間を構成して
いる。
また絶縁トランス０Ｑの２次巻線（９）には高圧コンデ
ンサα１．高圧ダイオードαυが接続され、半波倍電圧
整流回路を構成し、ダイオードαυを通してマグネトロ
ンα２に絶縁トランス（４１の高圧電力を供給し。
ンサα１．高圧ダイオードαυが接続され、半波倍電圧
整流回路を構成し、ダイオードαυを通してマグネトロ
ンα２に絶縁トランス（４１の高圧電力を供給し。
また、マグネトロン（Ｉ７Ｊのフィラメントを加熱する
ヒータ電力を供給するために、絶縁トランス（４１の３
次巻線（８）をサイリスタ（至）を介してマグネトロン
［３に接続し、電子レンジ加熱回路（７ｏ）を構成する
。
ヒータ電力を供給するために、絶縁トランス（４１の３
次巻線（８）をサイリスタ（至）を介してマグネトロン
［３に接続し、電子レンジ加熱回路（７ｏ）を構成する
。
■はマグネトロンαりのフィラメント電流を検出する電
流検出器、＠は電流検出器の検出信号に応じてサイリス
タを駆動するフィラメント電流制御回路である。また、
半導体スイッチｆ５１には、マグネトロ７０本へ供給電
力を制御する加熱出力制御回路α９が接続され、マイク
ロコンピュータａηにょシ制御されるレンジ出力制御指
令（ＩＱに基づいて加熱出力の制御を行う。
流検出器、＠は電流検出器の検出信号に応じてサイリス
タを駆動するフィラメント電流制御回路である。また、
半導体スイッチｆ５１には、マグネトロ７０本へ供給電
力を制御する加熱出力制御回路α９が接続され、マイク
ロコンピュータａηにょシ制御されるレンジ出力制御指
令（ＩＱに基づいて加熱出力の制御を行う。
第２図は、レンジ出力制御を説明する各部の電流、電圧
波形である。マイクロコンピュータＱ７＋により、レン
ジ出力制御指令（Ｉｅから第２図（ａ）に示す出力Ｑｌ
がなされると加熱出力制御回路αりにより半導体スイッ
チ（５）のペース・エミッタ間に第３図（ｂ）に示す電
圧α優が順方向に印加され、半導体スイッチ（５）は導
通し、絶縁トランス（４Ｑの１次巻線（７）に第２図（
Ｃ）に示す励磁インダクタンス電流（至）が流れる。
波形である。マイクロコンピュータＱ７＋により、レン
ジ出力制御指令（Ｉｅから第２図（ａ）に示す出力Ｑｌ
がなされると加熱出力制御回路αりにより半導体スイッ
チ（５）のペース・エミッタ間に第３図（ｂ）に示す電
圧α優が順方向に印加され、半導体スイッチ（５）は導
通し、絶縁トランス（４Ｑの１次巻線（７）に第２図（
Ｃ）に示す励磁インダクタンス電流（至）が流れる。
この時マグネトロンα３には、第２図（θ）に示すアノ
ード電圧（２）が印加される。第２図（ｆ）におけるｔ
。Ｎ時間経過後、半導体スイッチ（５）のペース・エミ
ッタ間に電圧ａ９を逆方向に印加するようレンジ出力制
御指令αｅから出力αｌすると、半導体スイッチ（５）
はＯＦ Ｆ ｌ、、励磁インダクタンス電流（至）は共
振コンデンサ（４）に流れこみ、共振コンデンサ（４）
の端子電圧ｅ２Ｄは第２図（ｄ）に示すような波形にな
る。電圧Ｑυが上昇するとダイオードαυが導通し、励
磁インダクタンス電流（１）はコンデンサα〔を充電し
てマグネトロン（Ｉ２に供給されるアノード電圧＠は零
となシ、マグネトロンα２への電力の供給は停止され。
ード電圧（２）が印加される。第２図（ｆ）におけるｔ
。Ｎ時間経過後、半導体スイッチ（５）のペース・エミ
ッタ間に電圧ａ９を逆方向に印加するようレンジ出力制
御指令αｅから出力αｌすると、半導体スイッチ（５）
はＯＦ Ｆ ｌ、、励磁インダクタンス電流（至）は共
振コンデンサ（４）に流れこみ、共振コンデンサ（４）
の端子電圧ｅ２Ｄは第２図（ｄ）に示すような波形にな
る。電圧Ｑυが上昇するとダイオードαυが導通し、励
磁インダクタンス電流（１）はコンデンサα〔を充電し
てマグネトロン（Ｉ２に供給されるアノード電圧＠は零
となシ、マグネトロンα２への電力の供給は停止され。
第２図（ｆ）に示すｔ。ＦＦ’となる。また、励磁イン
ダクタンス電流が零となればダイオードαＤは遮断され
、共振コンデンサ（４）に蓄積され是電荷が放電し。
ダクタンス電流が零となればダイオードαＤは遮断され
、共振コンデンサ（４）に蓄積され是電荷が放電し。
励磁インダクタンス電流■は負の向きの共振電流となる
。共振コンデンサ（４）の端子間電圧００が零となれば
、転流ダイオード（６）が導通し、励磁インダクタンス
電流（１）のうちマグネトロンａ３側へ流れる電流が零
となった時点で半導体スイッチ（５）は導通し、マグネ
トロンＱｌに電力が供給される。半導体スイッチ（５）
の導通期間をｔ。Ｎ、遮電時間をｔ。ＦＦとすると、そ
の周期ｔはｔ” ｔＯＮ ＋ｔＯＦＦになり。
。共振コンデンサ（４）の端子間電圧００が零となれば
、転流ダイオード（６）が導通し、励磁インダクタンス
電流（１）のうちマグネトロンａ３側へ流れる電流が零
となった時点で半導体スイッチ（５）は導通し、マグネ
トロンＱｌに電力が供給される。半導体スイッチ（５）
の導通期間をｔ。Ｎ、遮電時間をｔ。ＦＦとすると、そ
の周期ｔはｔ” ｔＯＮ ＋ｔＯＦＦになり。
この周期を繰シ返すことにより、マグネトロンαりに一
定電力が供給される。
定電力が供給される。
マグネトロ／α２のフィラメントを加熱するヒー′
タ電力は絶縁トランス顛の３次巻線（８）から取ってお
り、２次巻線（９）と同じく絶縁トランス顛の１次巻線
（７）から電力を供給されるため、第３図（ａ）に示す
ように半導体スイッチ（５）のベース・エミッタ間に電
圧（至）が順方向に印加されると半導体スイッチ（５）
は導通し第３図（ｂ）に示すフィラメント電流＠が順方
向に流れ、半導体スイッチ（５）のベース・エミッタ間
に電圧（至）が逆方向に印加されると半導体スイッチ（
５）は遮断し、第３図（ｂ）に示すフィラメント電流（
財）は逆方向に流れマグネトロンａりのヒータを加熱す
る。
タ電力は絶縁トランス顛の３次巻線（８）から取ってお
り、２次巻線（９）と同じく絶縁トランス顛の１次巻線
（７）から電力を供給されるため、第３図（ａ）に示す
ように半導体スイッチ（５）のベース・エミッタ間に電
圧（至）が順方向に印加されると半導体スイッチ（５）
は導通し第３図（ｂ）に示すフィラメント電流＠が順方
向に流れ、半導体スイッチ（５）のベース・エミッタ間
に電圧（至）が逆方向に印加されると半導体スイッチ（
５）は遮断し、第３図（ｂ）に示すフィラメント電流（
財）は逆方向に流れマグネトロンａりのヒータを加熱す
る。
マグネトロンαりの入力電力の変化は、第３図（ａ）に
示すような半導体スイッチ（５）のベース・エミッタ間
にかける電圧（至）のＴＯＮ、ＴＯＰＦの比によシ調節
されるため、それに伴い第５図に示す従来の高周波加熱
調理器では、第４図（ｂ）に示すフィラメント電流波形
（ハ）の順方向、逆方向の比も変化してしまいマグネト
ロンαりの入力電力の変化時にフィラメント電流も変化
して、フィラメント電流許容範囲を越えることがあるが
、第１図に示す実施例では電流検出器Ｉでフィラメント
電流を検出し、フィラメント電流制御回路勾でフィード
バックをかけサイリスタ（ハ）のゲートを制御すること
により第３図（ｂ）に示すフィラメント電流波形Ｑ４の
ように位相を制御し、常に安定したフィラメント電力と
することができる。これによりマグネトロンαりの入力
電力が変化してもフィラメント電力を安定に保つことが
できる。
示すような半導体スイッチ（５）のベース・エミッタ間
にかける電圧（至）のＴＯＮ、ＴＯＰＦの比によシ調節
されるため、それに伴い第５図に示す従来の高周波加熱
調理器では、第４図（ｂ）に示すフィラメント電流波形
（ハ）の順方向、逆方向の比も変化してしまいマグネト
ロンαりの入力電力の変化時にフィラメント電流も変化
して、フィラメント電流許容範囲を越えることがあるが
、第１図に示す実施例では電流検出器Ｉでフィラメント
電流を検出し、フィラメント電流制御回路勾でフィード
バックをかけサイリスタ（ハ）のゲートを制御すること
により第３図（ｂ）に示すフィラメント電流波形Ｑ４の
ように位相を制御し、常に安定したフィラメント電力と
することができる。これによりマグネトロンαりの入力
電力が変化してもフィラメント電力を安定に保つことが
できる。
以上のように、この発明によればマグネトロンのフィラ
メント供給部にサイリスタならびに電流検出器を設ける
ことによシ、マグネトロ／の入力電力が変化してもフィ
ラメント電力を安定に保つことができ、マグネトロン入
力電力可変幅を広げられる効果がある。
メント供給部にサイリスタならびに電流検出器を設ける
ことによシ、マグネトロ／の入力電力が変化してもフィ
ラメント電力を安定に保つことができ、マグネトロン入
力電力可変幅を広げられる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す回路構成図。
第２図は第１図の実施例のレンジ出力制御を説明するだ
めの各都電流・電圧波形図、第３図は第１図の実施例の
フィラメント電力制御を説明するための′上流・電圧波
形図、第４図は従来の高周波加熱調理器のフィラメント
電力制御を説明するだめの直流・′ぼ正波形図、第５図
は従来の高周波加熱調理器を示す回路構成図である。 図において、 ＋２１（３１は整流平滑回路、α２はマ
グネトロン、 Ｑ４）は電流検出器、α９は加熱出力制
御回路。 （１）はサイリスタ、＠はフィラメント電流制御回路。 鱒は絶縁トランス、団は高周波インバータ回路。 （７０）は電子レンジ加熱回路である。 なお０図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
めの各都電流・電圧波形図、第３図は第１図の実施例の
フィラメント電力制御を説明するための′上流・電圧波
形図、第４図は従来の高周波加熱調理器のフィラメント
電力制御を説明するだめの直流・′ぼ正波形図、第５図
は従来の高周波加熱調理器を示す回路構成図である。 図において、 ＋２１（３１は整流平滑回路、α２はマ
グネトロン、 Ｑ４）は電流検出器、α９は加熱出力制
御回路。 （１）はサイリスタ、＠はフィラメント電流制御回路。 鱒は絶縁トランス、団は高周波インバータ回路。 （７０）は電子レンジ加熱回路である。 なお０図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 商用電源に接続された整流平滑回路、この整流平滑回路
に接続された高周波インバータ回路、この高周波インバ
ータ回路を駆動する加熱出力制御回路、上記高周波イン
バータ回路に直列に接続された絶縁トランス、この絶縁
トランスの２次巻線に接続されたマグネトロンを含む電
子レンジ加熱回路を備え、上記マグネトロンのフィラメ
ント電力供給部にサイリスタならびに電流検出器を設け
、上記電流検出器の検出信号に応じ上記サイリスタを駆
動し、上記フィラメント電力を制御するようにしたこと
を特徴とする高周波加熱調理器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9718688A JPH01267994A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 高周波加熱調理器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9718688A JPH01267994A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 高周波加熱調理器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01267994A true JPH01267994A (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=14185551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9718688A Pending JPH01267994A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 高周波加熱調理器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01267994A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111212491A (zh) * | 2020-02-20 | 2020-05-29 | 烟台长青微波科技有限公司 | 一种变频微波发生源灯丝电流控制装置 |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP9718688A patent/JPH01267994A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111212491A (zh) * | 2020-02-20 | 2020-05-29 | 烟台长青微波科技有限公司 | 一种变频微波发生源灯丝电流控制装置 |
| CN111212491B (zh) * | 2020-02-20 | 2020-11-24 | 烟台长青微波科技有限公司 | 一种变频微波发生源灯丝电流控制装置 |
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