JPH01264998A - 燃焼炎によるダイヤモンド状炭素の合成法 - Google Patents
燃焼炎によるダイヤモンド状炭素の合成法Info
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- JPH01264998A JPH01264998A JP63091015A JP9101588A JPH01264998A JP H01264998 A JPH01264998 A JP H01264998A JP 63091015 A JP63091015 A JP 63091015A JP 9101588 A JP9101588 A JP 9101588A JP H01264998 A JPH01264998 A JP H01264998A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は燃焼炎によるダイヤモンド状炭素の合成法に関
する。ダイヤモンド状炭素は平滑な面とする切削材、耐
摩耗材料として有用なものである。
する。ダイヤモンド状炭素は平滑な面とする切削材、耐
摩耗材料として有用なものである。
従来技術
本発明者らはさきに従来の高周波熱プラズマ法、直流ア
ーク法によるダイヤモンド合成法におけるような高価な
装置を使用することなく、安価な炭化水素、水素等の燃
焼炎利用によるダイヤモンドの合成法を開発した。即ち
、炭素水素、水素の単独または混合ガスと酸素ガスまた
は空気の600℃以上の燃焼炎中で、有機化合物または
炭素材を分解・蒸発・解離させて炭素を励起し、これに
炭素に対し50倍以上の水素を混合した気体を600〜
1200℃に保持した基板に当てるかあるいはその気相
中でダイヤモンドを析出させた。(特願昭63−発明の
目的 本発明の目的は、炭化水素、水素等の燃焼炎を利用する
方法で、ダイヤモンド状炭素を合成する方法を提供しよ
うとするものである。
ーク法によるダイヤモンド合成法におけるような高価な
装置を使用することなく、安価な炭化水素、水素等の燃
焼炎利用によるダイヤモンドの合成法を開発した。即ち
、炭素水素、水素の単独または混合ガスと酸素ガスまた
は空気の600℃以上の燃焼炎中で、有機化合物または
炭素材を分解・蒸発・解離させて炭素を励起し、これに
炭素に対し50倍以上の水素を混合した気体を600〜
1200℃に保持した基板に当てるかあるいはその気相
中でダイヤモンドを析出させた。(特願昭63−発明の
目的 本発明の目的は、炭化水素、水素等の燃焼炎を利用する
方法で、ダイヤモンド状炭素を合成する方法を提供しよ
うとするものである。
発明の構成
本発明者らは、前記の炭化水素、水素の燃焼炎利用によ
るダイヤモンド合成法について研究を重ねた結果、励起
された炭素中に通ずる水素量によってダイヤモンド状炭
素を主とするものとなし得、その量は炭素に対し1〜4
0倍量が適当であること。
るダイヤモンド合成法について研究を重ねた結果、励起
された炭素中に通ずる水素量によってダイヤモンド状炭
素を主とするものとなし得、その量は炭素に対し1〜4
0倍量が適当であること。
また、基板温度または雰囲気気体温度は600〜170
0℃の広範囲で合成し得られることを究明し得た。この
新知見に基づいて本発明を完成するに到った。
0℃の広範囲で合成し得られることを究明し得た。この
新知見に基づいて本発明を完成するに到った。
本発明において言うダイヤモンド状炭素は、炭酸素ガス
または空気の600℃以上の燃焼炎中で、有機化合物ま
たは炭素材を分解・蒸発・解離させて炭素を励起し、こ
れに炭素に対し1〜45倍容量の水素を混合した気体を
600〜1700℃に保持した基板に当てるかあるいは
その気相中でダイヤモンド状炭素を析出させることを特
徴とするダイヤモンド状炭素の合成法 にある。
または空気の600℃以上の燃焼炎中で、有機化合物ま
たは炭素材を分解・蒸発・解離させて炭素を励起し、こ
れに炭素に対し1〜45倍容量の水素を混合した気体を
600〜1700℃に保持した基板に当てるかあるいは
その気相中でダイヤモンド状炭素を析出させることを特
徴とするダイヤモンド状炭素の合成法 にある。
本発明の方法における高温燃焼炎中で有機化合物または
炭素材を分解・蒸発・解離させる方法としては、高温燃
焼炎を発生させ、その中に有機化合物または炭素材を導
入してもよく、あるいは燃焼原料と同時に有機化合物ま
たは炭素材を導入してもよい。
炭素材を分解・蒸発・解離させる方法としては、高温燃
焼炎を発生させ、その中に有機化合物または炭素材を導
入してもよく、あるいは燃焼原料と同時に有機化合物ま
たは炭素材を導入してもよい。
本発明の高温燃焼炎を発生させるガスとしては、炭化水
素もしくは水素またはその混合ガスと酸素または空気が
用いられる。その燃焼炎温度は使用するガスの種類・濃
度とシースガス、冷却用ガス、例えば水素、不活性ガス
の単独またはこれらの混合ガスを導入することによって
調整し得られる。
素もしくは水素またはその混合ガスと酸素または空気が
用いられる。その燃焼炎温度は使用するガスの種類・濃
度とシースガス、冷却用ガス、例えば水素、不活性ガス
の単独またはこれらの混合ガスを導入することによって
調整し得られる。
燃焼炎の温度は600℃以上であることが必要で、この
温度より低いと単原子の炭素が生成し得なく、ダイヤモ
ンド状炭素を合成し得ない。
温度より低いと単原子の炭素が生成し得なく、ダイヤモ
ンド状炭素を合成し得ない。
有機化合物としては、燃焼中で分解し、炭素を含むイオ
ン種、ラジカル種を生成し得るものであれば、気体、液
体、固体のいずれの形態でもよい。
ン種、ラジカル種を生成し得るものであれば、気体、液
体、固体のいずれの形態でもよい。
例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、エチレン
、ベンゼン等の炭化水素、メタノール、エタノール、プ
ロパツール等のアルコール類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等の高分子物質、油脂、ピリジン、チオフェンの
ような分子中あるいは添加物中に窒素、ホウ素、硫黄等
を含むものであってもよい。
、ベンゼン等の炭化水素、メタノール、エタノール、プ
ロパツール等のアルコール類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等の高分子物質、油脂、ピリジン、チオフェンの
ような分子中あるいは添加物中に窒素、ホウ素、硫黄等
を含むものであってもよい。
炭素材としては、例えば電極用黒鉛が挙げられる。
励起された炭素雰囲気中に、水素を炭素に対し、1〜4
5倍容量導入混合する。この水素は炭素の単原子を安定
化し、sp’の励起状態を保持する。この水素量が炭素
に対し1倍容量より少ないとグラファイトとなり、45
倍容量を超えるとダイヤモンドを主としたものとなるの
で、ダイヤモンド状炭素を得るには1〜45倍容量の範
囲であることが適当である。
5倍容量導入混合する。この水素は炭素の単原子を安定
化し、sp’の励起状態を保持する。この水素量が炭素
に対し1倍容量より少ないとグラファイトとなり、45
倍容量を超えるとダイヤモンドを主としたものとなるの
で、ダイヤモンド状炭素を得るには1〜45倍容量の範
囲であることが適当である。
基板の保持温度、雰囲気気体温度は、600〜1700
℃に保持する。600’C未満ではグラファイトとなり
、1700”Cを超えるとガス状となり、ダイヤモンド
状炭素はできない。
℃に保持する。600’C未満ではグラファイトとなり
、1700”Cを超えるとガス状となり、ダイヤモンド
状炭素はできない。
本発明の方法を図面に基づいて説明すると、第1図は本
発明の方法を実施する一実施概要図である。図中1は同
心円状三重管、2は反応容器、3は基板、4は冷却ガス
導入口、5は点火用プラグ、6はシースガス吹出しリン
グ、7は排ガス処理装置、8は真空ポンプを示す。
発明の方法を実施する一実施概要図である。図中1は同
心円状三重管、2は反応容器、3は基板、4は冷却ガス
導入口、5は点火用プラグ、6はシースガス吹出しリン
グ、7は排ガス処理装置、8は真空ポンプを示す。
同心円状三重管1 (石英製)の容管より、燃焼用原料
ガスまたはこれと同時または後に有機化合物または炭素
材を、反応容器2に導入し、点火用プラグ5により点火
して高温燃焼炎を発生させ、また有機化合物または炭素
材を、分解・蒸発・解離させる。これに炭素に対し1〜
45倍容量の水素をシースガス吹出しリング6から導入
する。ダイヤモンド状炭素膜合成の際には、基体3を反
応容器2の内部に設置し、冷却用のガスを冷却ガス導入
口4から導入して基板3の温度を600〜1700℃に
調整し、基板3に当て基板3上にダイヤモンド状炭素膜
を析出させる。ダイヤモンド状炭素粉末の合成の際には
、基板3を取外し、気相中でダイヤモンド状炭素を析出
させる。
ガスまたはこれと同時または後に有機化合物または炭素
材を、反応容器2に導入し、点火用プラグ5により点火
して高温燃焼炎を発生させ、また有機化合物または炭素
材を、分解・蒸発・解離させる。これに炭素に対し1〜
45倍容量の水素をシースガス吹出しリング6から導入
する。ダイヤモンド状炭素膜合成の際には、基体3を反
応容器2の内部に設置し、冷却用のガスを冷却ガス導入
口4から導入して基板3の温度を600〜1700℃に
調整し、基板3に当て基板3上にダイヤモンド状炭素膜
を析出させる。ダイヤモンド状炭素粉末の合成の際には
、基板3を取外し、気相中でダイヤモンド状炭素を析出
させる。
発明の効果
本発明の方法によると、有機化合物または炭素材を分解
・蒸発・解離させて炭素を励起したものを作るのに、炭
化水素、水素の単独または混合ガスと酸素の燃焼炎を使
用するため、従来の高価な装置を使用する必要がない。
・蒸発・解離させて炭素を励起したものを作るのに、炭
化水素、水素の単独または混合ガスと酸素の燃焼炎を使
用するため、従来の高価な装置を使用する必要がない。
またダイヤモンド状炭素生成速度は0.1〜数十μm/
minと速い効果を存する。
minと速い効果を存する。
実施例1゜
第1図に示した装置を用い、石英製三重管の中心部より
酸素20 Q /win、中間部よりプロパンガス10
1!、 /min、外側の管よりメタン1827削in
を流して点火し約3000℃の燃焼炎を発生させた。さ
らにシースガス(吹き出し口6)として水素50 E
/winを流した。水冷のホルダー上に直径20閣のモ
リブデン基板を置き光温度計により基板表面が1100
℃の温度になる位置に10分間置いて反応を行わせた。
酸素20 Q /win、中間部よりプロパンガス10
1!、 /min、外側の管よりメタン1827削in
を流して点火し約3000℃の燃焼炎を発生させた。さ
らにシースガス(吹き出し口6)として水素50 E
/winを流した。水冷のホルダー上に直径20閣のモ
リブデン基板を置き光温度計により基板表面が1100
℃の温度になる位置に10分間置いて反応を行わせた。
反応後、室温に下がったモリブデン基板を取り出して調
べてみると約10μ剤の黒灰色がかったダイヤモンド状
炭素膜が生成していることがわかった。
べてみると約10μ剤の黒灰色がかったダイヤモンド状
炭素膜が生成していることがわかった。
X線回折及びラマン散乱スペクトルによりダイヤモンド
状炭素であることが確認された。
状炭素であることが確認された。
実施例2゜
中心部より酸素10 N /sin、中間部よりメタン
101 /win、外管より水素8j’/ll1inを
流して点火し1500℃以上の燃焼炎を発生させた。さ
らにシースガスとして水素5p/minを流した。水冷
のホルダー上に直径20mmのモリブデン基板を置き、
光温度計により基板表面が1000’Cの温度になる位
置に10分間置いて反応を行わせた。反応後、室温に下
がった基板を取り出して調べてみると35μmのダイヤ
モンド状炭素膜が得られていることが確認された。
101 /win、外管より水素8j’/ll1inを
流して点火し1500℃以上の燃焼炎を発生させた。さ
らにシースガスとして水素5p/minを流した。水冷
のホルダー上に直径20mmのモリブデン基板を置き、
光温度計により基板表面が1000’Cの温度になる位
置に10分間置いて反応を行わせた。反応後、室温に下
がった基板を取り出して調べてみると35μmのダイヤ
モンド状炭素膜が得られていることが確認された。
実施例3゜
中心部より酸素101 /min、中間の管よりメタン
5j!/win、外管より水素10 E /minを流
して点火し1500’C以上の燃焼炎を発生させた。予
め基板を置いた際1200℃となる空間を見いだしてお
き基体を置かず、その内壁面より円周状に冷却用ガスと
して水素101 /l1inを吹き込んだ。1時間の反
応の後、反応容器壁面および低部に堆積した黒灰色がか
った粉末0.1gを回収して調べてみたところ、0.1
μl程度のダイヤモンド状炭素であることが確認された
。
5j!/win、外管より水素10 E /minを流
して点火し1500’C以上の燃焼炎を発生させた。予
め基板を置いた際1200℃となる空間を見いだしてお
き基体を置かず、その内壁面より円周状に冷却用ガスと
して水素101 /l1inを吹き込んだ。1時間の反
応の後、反応容器壁面および低部に堆積した黒灰色がか
った粉末0.1gを回収して調べてみたところ、0.1
μl程度のダイヤモンド状炭素であることが確認された
。
図面は本発明の方法を実施する装置の一態様図である。
1:同心円状三重管、 2:反応容器、3:基板、
4;冷却ガス導入口、5:点火用プラグ
、 6:シースガス吹き出しリング、 7;排ガス処理装置、 8:真空ポンプ。
4;冷却ガス導入口、5:点火用プラグ
、 6:シースガス吹き出しリング、 7;排ガス処理装置、 8:真空ポンプ。
Claims (1)
- 炭化水素、水素の単独または混合ガスと酸素ガスまたは
空気の600℃以上の燃焼炎中で、有機化合物または炭
素材を分解・蒸発・解離させて炭素を励起し、これに炭
素に対し1〜45倍容量の水素を混合した気体を600
〜1700℃に保持した基板に当てるかあるいはその気
相中でダイヤモンド状炭素を析出させることを特徴とす
るダイヤモンド状炭素の合成法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63091015A JPH01264998A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 燃焼炎によるダイヤモンド状炭素の合成法 |
| US07/307,942 US4981671A (en) | 1988-02-09 | 1989-02-09 | Method for preparing diamond or diamond-like carbon by combustion flame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63091015A JPH01264998A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 燃焼炎によるダイヤモンド状炭素の合成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01264998A true JPH01264998A (ja) | 1989-10-23 |
| JPH0474316B2 JPH0474316B2 (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=14014729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63091015A Granted JPH01264998A (ja) | 1988-02-09 | 1988-04-13 | 燃焼炎によるダイヤモンド状炭素の合成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01264998A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04292497A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-16 | Fujitsu Ltd | ダイヤモンド膜形成方法及びその形成装置 |
-
1988
- 1988-04-13 JP JP63091015A patent/JPH01264998A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04292497A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-16 | Fujitsu Ltd | ダイヤモンド膜形成方法及びその形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0474316B2 (ja) | 1992-11-25 |
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