JPH01264156A - 電子ビーム試験装置 - Google Patents

電子ビーム試験装置

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JPH01264156A
JPH01264156A JP1040121A JP4012189A JPH01264156A JP H01264156 A JPH01264156 A JP H01264156A JP 1040121 A JP1040121 A JP 1040121A JP 4012189 A JP4012189 A JP 4012189A JP H01264156 A JPH01264156 A JP H01264156A
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JP
Japan
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electron beam
collector
faraday cup
screen
secondary electrons
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JP1040121A
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Sr Ollie C Woodard
オリー クリフトン ウッダード,シニア
Andrew W Ross
アンドリュー ウイリアム ロス
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Microelectronics and Computer Technology Corp
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Microelectronics and Computer Technology Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/045Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302Contactless testing
    • G01R31/305Contactless testing using electron beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24507Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は電子ビームを用いて電子素子などを試験する
電子ビーム試験装置に関する。
従来の技術 米国特許第3549999号、同第4169244号、
同第4292519号明細書に記載のように、集積回路
のような電子素子上の種々の点や部分に、電子ビームを
順次指向させる走査電子顕微鏡を用いて電子素子を試験
することは従来公知である。これは電子ビームの照射に
応じて2次電子流を放出させ、電気信号に変換して被試
験点の電気的パラメータの値を測定するものである。
発明が解決しようとする課題及びそれを解決するための
手段 しかし、殆んどの従来装置では、分解能の制約から1a
m以下相当の領域しか測定できない。
より広い電子素子領域を測定するためには、ビームに対
して素子を移動させる必要があった。
参考文献として、アイ・ビー・エム・テクニカル・ディ
スクロージャ・プルティン、28巻、8号、1986年
1月が上げられる。
従来装置の他の問題点は、ビーム電流の変化が測定結果
に悪影響を及ぼすことである。
上記従来の問題点を解決するため、この発明は2次電子
コレクタを採用して、電子素子を移動させることなく放
出2次電子を広い領域に亘って正確に測定することを特
徴としている。またこの発明の他の特徴は、ビーム電流
消去時における該ビーム電流を収集、測定する消去兼フ
ァラデーカップを用いて精度を向上させることにある。
この発明のさらに他の特徴は、電子ビームを用いて電子
素子内の回路の容量を測定することにある。
この発明によると、電子素子の部分へ電子ビームを投射
して該部分から放出される2次電子を測定する電子ビー
ム試験装置は、電子素子の部分へ電子ビームを指向させ
る手段と、電子素子の上方に配置された抽出手段と、こ
の抽出手段の上方に配置された減速手段と、この減速手
段の上方に配置された2次電子コレクタとを備えている
。コレクタは複数個の垂直スクリーンと1個の頂面スク
リーンとを有していて、減速格子の上方に2次電子を受
入れる閉止域を形成する。少なくとも1個の垂直スクリ
ーンに隣接して2次電子検出手段を配設し、また、広い
領域に亘って2次電子を効率よく収集するために、コレ
クタの各スクリーンに異なる電圧を印加する手段を設け
る。コレクタは少なくとも3個の垂直スクリーンを有す
るが、効率向上のためには垂直スクリーンを6個を設け
るのが好適である。1実施例によると、検出器は1つの
垂直スクリーンの全面積に結合し、該全面積を介して2
次電子を受取る。
この発明の他の目的は、電子ビームの各側方にそれぞれ
配置された正極板と、負極板とからなる1組の消去板を
備えた消去兼ファラデーカップを提供するにある。正極
板には電子ビーム消去時に、該ビームを受入れる開口が
形成されている。ファラデーカップが上記開口に連通し
て設けられ、消去時に開口を通過する電子ビームを受入
れる。ファラデーカップに接続した手段によって、ファ
ラデーカップ内の電子ビーム電流を測定する。このよう
な構成により、ビーム電流を頻繁にチエツクできるので
、出力測定の精度が大幅に向上する。
この発明のさらに他の目的は、検出手段に接続されて回
路が所定電圧まで充電するのに要する時間を測定する手
段を用いて、電子素子内の回路の容量を測定するにある
。電子ビームは非常に高インピーダンスで零容量のプロ
ーブに等価であるから、これを用いれば、本来自己容量
が大きい単一の機械的プローブによって帯電を行なう現
存の容量試験器に比べ、信頼度の高い試験をより高速に
行なうことができる。
実施例 以下実施例によりこの発明の詳細な説明する。
第1図に示すように、この発明の試験装置lOは走査電
子顕微鏡12を備え、この電子顕微鏡は電子ビーム16
発生用の電子銃14と、真空室24内の支持部材22上
に載置されている集積回路のような電子素子20へ電子
ビーム16を照射する電子光学系18とを有している。
電子素子20へ照射される電子ビーム16に応じて、素
子20から放出される2次電子を検出手段26によって
測定する。
また、通常の走査電子顕微鏡用制御装置28を始めアナ
ログ電子機器30、ディジタル電子機器32、ビデオモ
ニタ34、モニタ38付きPC/ATコンピュータ36
、制御マウス40が設けられている。
制御装置は消去信号42と、電子ビームを電子素子20
の種々の被試験部分へ順次指向制御する偏向信号44と
を供給し、2次放出検出信号46を受取って放出2次電
子を測定する。
通常のように、被試験電子素子(基板)20の例えば2
■上方に、抽出格子とか磁界抽出器とかを有する抽出手
段48が配置されている。素子20の一部分をなす回路
を細い電子ビーム16で走査するとき、抽出手段48は
正電圧印加の下で電界を形成し、この電界によって電子
素子20からの放出2次電子を著るしく加速して、近傍
の素子部分による局所電界の影響を大幅に低減している
。したがって、2次電子はそのエネルギの大小に関係な
く抽出手段48を通過して減速電界に達する。負に帯電
した減速格子のような減速手段50が上記減速電界を形
成している。素子20の負帯電部分から放出される2次
電子のエネルギは大きいので該2次電子は減速電界に打
勝って減速手段50を通過する。したがって、減速手段
50に印加される電圧によって帯電電位に対する閾値が
定まり1手段48.50を通過した2次電子を収集すれ
ば該帯電電位が求められる。さらに、通常のフラッドガ
ン(flood gun)52を用いれば、電子素子2
0に適当なエネルギの電子を投射して負電荷を除去し、
素子20の全面をほぼ接地電位へ回復させることができ
る。
従来の電子ビーム試験装置が可能な試験領域は数m相当
に過ぎず、電子ビーム16に対して電子素子20を動か
すことなく試験できる集積回路チップ領域は高々1】相
当の領域に過ぎなかった。この発明の装置10は電子素
子20の少なくともlOa*平方の領域の試験を可能に
している。このように広い素子領域に亘って電圧を正確
に測定するためには、2次電子の収集効率を試験領域に
亘り等しくする必要がある。2次電子の検出効率は、2
次電子放出点と検出手段26との間の距離に依存する。
第3図に示すように、電子素子20の異なる部分からそ
れぞれ放出される2次電子54.56についてみると、
2次電子54が検出手段26に到達するまでに移動する
距離53は2次電子56の移動距離と異なる。そこで、
この発明の装置10では、複数個の垂直スクリーンをも
つ2次電子コレクタ60を設ける。この実施例において
は、減速手段50の上方に6個のスクリーン62.64
.66、68゜70、72を配設し、頂面スクリーン7
4と共に閉止域を形成している。そして、電圧手段63
.65゜67、69.71.73.75により各スクリ
ーン62.64゜66、68.70.72.74への印
加電圧をそれぞれ調節することによって閉止域内に種々
の電界が形成され、いずれの部分からの放出2次電子で
あっても1個のスクリーン(図示の例では68)もしく
はそれ以上のスクリーンの後方に配設された検出手段2
6へ指向される。いずれか特定の2次電子放出湯所に対
して適切な電圧設定が一旦行なわれると、これらの設定
電圧は減速手段50の電位が変らない限り変更されない
。コレクタ60の各電圧を減速手段電圧を基準にし、減
速手段電圧源から得るようにすれば、1個の電圧を用い
てエネルギしゃ断範囲に亘るフィルタチューニングが行
なえる。電子素子20上で電子ビーム16が走査される
につれてコレクタ60の各スクリーンの電圧が、試験場
所に対して最適となるように設定される。垂直スクリー
ンの数は第3図の実施例に示すように6個である必要は
なく、例えば3個に減少させることもできる。逆に6個
以上にして効率を上げることもできる。しかし収集の効
率と構造の複雑化とのかね合いからすると6個が好まし
い。
コンピュータ36は各スクリーンの電圧を設定する。1
例として抽出手段48の正電圧が100V、減速手段5
0の負電位がIOVのとき、スクリーン68に50Vの
正電圧、スクリーン62に50Vの負電圧、スクリーン
64.72に30Vの負電圧、スクリーン66、70に
IOVの負電圧が印加される。
検出手段26は、通常の光電子増倍管に接続した正電位
シンチレータなどである。隣接スクリーン68の背面全
域を光ガイド27で覆い、スクリーン68を通過する全
ての2次電子を受取るようにするとよい、他のスクリー
ンの後方にもシンチレータを設ければ、収集の効率、−
様性を向上できる。
第2図、第2A図に示すように、電子素子20はX方向
、Y方向にそれぞれ複数個の通常の位置合せ格子線80
.82を有している。通常のように、格子線80.82
を用いて電子素子20上の部分の位置合せ状態を測定し
て素子上の電子ビームの位置を較正する。最も簡単な較
正方法では、操作者がマウス40を動かして、第2A図
に示す目標映像81をビデオモニタ34上に投影する。
操作者は対話的に誤差を測定して交差格子線80゜82
に対する部位を訂正し、訂正関数の作成のために上記誤
差をコンピュータ36へ送り、これによって電子ビーム
を所望位置へ正確に指向させる。この処理はプログラミ
ングによって完全自動化されており、操作者は格子交差
点を知って偏向系に対する交差点の位置を測定すること
ができる。通常、従来の電子ビーム測定装置は分解能に
制限があるために、IC11平方程度の領域しか測定で
きない。したがって、素子20に端点B、B’によって
決まる回路84.端点A、A’によって決まる回路86
が形成されているとすると、従来の装置は各回路84.
86の端点をカバーできないので、該回路84.86が
たとえば短絡しているのか開放しているのか判断できな
い。これに対して、第3図の放出2次電子コレクタ60
を備えたこの発明の装置は、100平方の電子素子20
の全面をカバーできる。さらに、上記較正手段を用いる
ことによって、放出された2次電子の正確な位置を求め
ることができ、コレクタ60の各スクリーンの電圧を適
切に設定して、各位置ごとに最適なスクリーン電圧を与
えることができる。
通常、電子ビーム16は絞りを通過するようになってい
るから、ビーム16の指向位置を変えている間にビーム
消去を行ないたい場合は、絞りからはずれるようにビー
ムを偏向させればよい。
しかし、このときビーム16による電流が変化して試験
の結果が不正確になる。そこで、第1図、第4図、第4
A図、第4B図に示すような消去兼ファラデーカップを
用いて、ビーム消去時の電子ビーム16による電流を測
定する。すなわち、電子ビーム16の各測方に配置され
た正極板90と負極板92とからなる1組の消去板を設
ける。正極板90には開口94が形成されていて、わき
へそらされたビーム16はこの間口94を通って消去さ
れるので電子素子20へは到達しない。このようにして
消去された電子ビームは、開口94の後方のファラデー
カップ96に注入される。周知構造のファラデーカップ
に入射したビームは、カップの一端で収集される。この
ようにしてビーム消去時にカップ96に閉込められた電
流は電流・電圧変換器98で測定され、 A/D変換器
100とライン102を介してコンピュータ36へ送ら
れる。したがって、電子ビーム16による電流を頻繁に
チエツクして検出手段26の出力電圧値を補正できるの
で精度が向上する。
この発明は、装置10と併用されたり全く単独に用いら
れたりする電子ビーム回路容量試験器を提供することも
特徴としている。現存の容量試験器は単一のプローブを
用いて、電子素子20上の回路に接触、帯電を行ってい
る。一般に試験速度は1秒当り約10回の試験に制限さ
れ、その上、被測定容量が小さいときはプローブの自己
容量が誤差を招く。これに対して、電子ビームは高イン
ピーダンス、零容量のプローブと等価であり、回路への
ビーム照射時において該回路が所定電圧まで帯電するの
に要する時間を測定すれば、副次的に回路容量を測定で
きる。
第5図は電子ビームを容量試験に用いるときの回路構成
を示し、消去制御部104を通過した電子ビーム16は
電子素子20上の回路106に投射され、放出2次電子
が検出器26によって検出される。回路106の容量値
は回路106の大きさの関数である。もし他の回路へ短
絡していると容量値は増大し、一方、回路106中に断
線または開放部があると容量が低下する。検出手段26
の出力は比較器108へ送られ1回路106が比較器1
08への基準電圧入力110に対して所定電圧値に達し
た時点が判断される。回路106が比較器lO8の所定
電圧まで帯電するのに要する時間を測定するために、充
電時間測定回路を設ける0例えば、ライン112上の「
ビームオン」信号をラッチ114へ供給すると同時にこ
の信号によってカウンタ116をリセットする。ラッチ
114の出力は消去制御部の作動を停止させてビーム1
6を回路106上八指向させ、同時に該出力はライン1
18を介してクロック120へ送られ、クロックの出力
が上記カウンタ116へ与えられる。比較器108が所
定の帯電状態を検出すると、リセットライン124を介
して送出された出力がラッチ114をリセットするので
消去制御部104が作動され、ライン118を介して送
出された信号がクロック120を停止させる。充電時間
、充電電圧、ビーム16による電流が知れれば1回路1
06の容量が求まる。
このように、電子ビームによる零容量プローブを用いる
ことによって、毎秒10,000回にのぼる容量試験が
行なえ、高信頼性の高速容量試験を実現できる。
したがって、この発明は既述の諸口的を達成し、かつ他
の本来の利点を得るのに適している。
この発明の上記の実施例は説明のために用いたものであ
り、その構造および諸部品の配置の詳細にわたる数多く
の変形が、この発明の特許請求の範囲内で当業者によっ
て実施できるものである6
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の電子ビーム試験装置の実施例の全体
構成を示すブロック図、第2図は。 電子素子上の較正線を用いて電子素子上の電子ビームと
電子素子からの放出2次電子の位置を較正する方法の説
明図、第2A図は第2図の部分2Aの拡大図、第3図は
この発明の2次電子コレクタと検出器の斜視図、第4図
はこの発明のビーム電流測定用の消去兼ファラデーカッ
プを示す概略回路図、第4A図は第4図の4A−4A線
による断面図、第4B図は第4A図の4B−4B線によ
る断面図、第5図は、電子素子上の回路の容量を測定す
る回路を示す概略回路図である。 lO・・・電子ビーム試験装置   16・・・電子ビ
ーム18・・・電子ビーム指向手段   20・・・電
子素子26・・・2次電子検出手段    48・・・
抽出手段50・・・減速手段        60・・
・2次電子コレクタ62、64.66、68.70.7
2・・・垂直スクリーン63、65.67、69.71
.73.75・・・電圧印加手段74・・・頂面スクリ
ーン

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電子素子の部分へ電子ビームを投射して該部分から
    放出される2次電子を測定する電子ビーム試験装置であ
    って、電子素子の部分へ電子ビームを指向させる手段と
    、電子素子の上方に配置された抽出格子をもつ抽出手段
    と、抽出格子の上方に配置された減速格子をもつ減速手
    段と、この減速手段の上方に配置され、複数個の垂直ス
    クリーンと1個の頂面スクリーンとを有していて、減速
    手段の上方に閉止域を形成する2次電子コレクタと、垂
    直スクリーンのいずれかに隣接して配置された2次電子
    検出手段と、広い領域に亘って2次電子を効率よく収集
    するために、コレクタの各スクリーンに異なる電圧を印
    加する手段とを備えた電子ビーム試験装置。 2、請求項1において、コレクタは少なくとも3個の垂
    直スクリーンを有する電子ビーム試験装置。 3、請求項1において、コレクタは6個の垂直スクリー
    ンを有する電子ビーム試験装置。4、請求項1において
    、検出手段は少なくとも1個の垂直スクリーンの全面積
    と結合している電子ビーム試験装置。 5、請求項1において、消去兼ファラデーカップを備え
    、この消去兼ファラデーカップは、電子ビームの一側方
    に配置され、電子ビーム消去時に該電子ビームを受入れ
    る開口が形成された正極板と、他側方に配置された負極
    板とからなる1組の消去板と、消去時に開口を通過する
    電子ビームを受入れるために該開口に連通して設けられ
    たファラデーカップと、このファラデーカップに接続し
    て該カップ内の電子ビーム電流を測定する手段とを備え
    ている電子ビーム試験装置。 6、請求項1において、電子素子内回路の容量のパラメ
    ータを測定する手段を設け、この測定手段は、前記検出
    手段に接続されて回路が所定電圧まで充電するのに要す
    る時間を測定する手段を有する電子ビーム試験装置。 7、電子素子の部分へ電子ビームを投射して、該部分か
    ら放出される2次電子を測定する電子ビーム試験装置で
    あって、電子ビームの一側方に配置されて、電子ビーム
    消去時に該電子ビームを受入れる開口が形成された正極
    板と、他側方に配置された負極板とからなる1組の消去
    板と、消去時に開口を通過する電子ビームを受入れるた
    めに、該開口に連通して設けられたファラデーカップと
    、このファラデーカップに接続して該カップ内の電子ビ
    ーム電流を測定する手段とを備えている電子ビーム試験
    装置。 8、電子素子の部分へ電子ビームを投射して該部分から
    放出される2次電子を測定する電子ビーム試験装置であ
    って、検出器に接続されて前記部分が電子ビームによっ
    て所定電圧まで充電された時を測定する手段と、上記部
    分が前記所定電圧まで充電するのに要する時間を測定す
    る手段とを備えている電子ビーム試験装置。
JP1040121A 1988-02-19 1989-02-20 電子ビーム試験装置 Pending JPH01264156A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/157,780 US4829243A (en) 1988-02-19 1988-02-19 Electron beam testing of electronic components
US157780 1993-11-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01264156A true JPH01264156A (ja) 1989-10-20

Family

ID=22565248

Family Applications (1)

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JP1040121A Pending JPH01264156A (ja) 1988-02-19 1989-02-20 電子ビーム試験装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4829243A (ja)
EP (1) EP0328869B1 (ja)
JP (1) JPH01264156A (ja)
AU (1) AU605401B2 (ja)
CA (1) CA1307057C (ja)
DE (1) DE68914178T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015028851A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6435838A (en) * 1987-07-31 1989-02-06 Jeol Ltd Charged particle beam device
US4943769A (en) * 1989-03-21 1990-07-24 International Business Machines Corporation Apparatus and method for opens/shorts testing of capacitively coupled networks in substrates using electron beams
US4983830A (en) * 1989-06-29 1991-01-08 Seiko Instruments Inc. Focused ion beam apparatus having charged particle energy filter
US5017863A (en) * 1989-10-20 1991-05-21 Digital Equipment Corporation Electro-emissive laser stimulated test
US5142828A (en) * 1990-06-25 1992-09-01 Microelectronics And Computer Technology Corporation Correcting a defective metallization layer on an electronic component by polishing
US5122753A (en) * 1990-12-20 1992-06-16 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of testing electrical components for defects
US5192913A (en) * 1990-12-20 1993-03-09 Microelectronics And Computer Technology Corporation Segmented charge limiting test algorithm for electrical components
US5404110A (en) * 1993-03-25 1995-04-04 International Business Machines Corporation System using induced current for contactless testing of wiring networks
US5614833A (en) * 1994-10-25 1997-03-25 International Business Machines Corporation Objective lens with large field deflection system and homogeneous large area secondary electron extraction field
US5602489A (en) * 1994-12-02 1997-02-11 Alcedo Switch potential electron beam substrate tester
DE19802848B4 (de) * 1998-01-26 2012-02-02 Display Products Group,Inc. Verfahren und Vorrichtung zum Testen eines Substrats
US6291823B1 (en) * 1999-10-12 2001-09-18 Sandia Corporation Ion-induced electron emission microscopy
US6359451B1 (en) 2000-02-11 2002-03-19 Image Graphics Incorporated System for contactless testing of printed circuit boards
AU3354401A (en) 2000-02-14 2001-08-20 Eco 3 Max Inc. Process for removing volatile organic compounds from an air stream and apparatustherefor
JP4034500B2 (ja) * 2000-06-19 2008-01-16 株式会社日立製作所 半導体装置の検査方法及び検査装置、及びそれを用いた半導体装置の製造方法
US6573735B2 (en) * 2000-06-22 2003-06-03 Qualcomm Incorporated Reliability of vias and diagnosis by e-beam probing
US6801046B1 (en) * 2000-09-26 2004-10-05 National Semiconductor Corporation Method of testing the electrostatic discharge performance of an IC device
US6872953B1 (en) * 2004-05-20 2005-03-29 Axcelis Technologies, Inc. Two dimensional stationary beam profile and angular mapping
GB2414857B (en) * 2004-06-03 2009-02-25 Nanobeam Ltd Apparatus for blanking a charged particle beam
US7348568B2 (en) * 2004-06-24 2008-03-25 Lawrence Livermore Natonal Security, Llc Electron beam diagnostic for profiling high power beams
EP1760762B1 (en) * 2005-09-06 2012-02-01 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Device and method for selecting an emission area of an emission pattern
CN102353978B (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 南京理工大学 一种用于电子束加工束流品质测试的法拉第筒传感装置
GB201401892D0 (en) * 2014-02-04 2014-03-19 Welding Inst System and method for measuring properties of a charges particle beam
CN112578426B (zh) * 2020-11-26 2022-09-20 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种可调节型阵列式法拉第筒
EP4134749A1 (en) * 2021-08-12 2023-02-15 ASML Netherlands B.V. Overlay measurement using balanced capacity targets

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3549999A (en) * 1968-06-05 1970-12-22 Gen Electric Method and apparatus for testing circuits by measuring secondary emission electrons generated by electron beam bombardment of the pulsed circuit
GB1304344A (ja) * 1969-02-01 1973-01-24
US3679896A (en) * 1969-12-23 1972-07-25 Ibm Electrostatic prism
US3882391A (en) * 1973-06-25 1975-05-06 Ibm Testing the stability of MOSFET devices
US3961190A (en) * 1975-03-06 1976-06-01 International Business Machines Corporation Voltage contrast detector for a scanning electron beam instrument
US4084095A (en) * 1977-02-14 1978-04-11 Burroughs Corporation Electron beam column generator for the fabrication of semiconductor devices
US4169244A (en) * 1978-02-03 1979-09-25 Plows Graham S Electron probe testing, analysis and fault diagnosis in electronic circuits
US4179609A (en) * 1978-03-10 1979-12-18 Ramachandran Kovilvila N Point scattering detector
DE2902495A1 (de) * 1979-01-23 1980-07-31 Siemens Ag Einrichtung zur beruehrungslosen potentialmessung
DE2903077C2 (de) * 1979-01-26 1986-07-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur berührungslosen Potentialmessung an einem elektronischen Bauelement und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
DE3036734A1 (de) * 1980-09-29 1982-05-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur messung von widerstaenden und kapazitaeten von elektronischen bauelementen
DE3206309A1 (de) * 1982-02-22 1983-09-15 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Sekundaerelektronen-spektrometer und verfahren zu seinem betrieb
EP0178431B1 (de) * 1984-09-18 1990-02-28 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für HalbleiterprÀ¼ftechnik mbH Gegenfeld-Spektrometer für die Elektronenstrahl-Messtechnik
DE3500903A1 (de) * 1985-01-12 1986-07-17 Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim Detektor fuer rueckstreuelektronen
US4697080A (en) * 1986-01-06 1987-09-29 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Analysis with electron microscope of multielement samples using pure element standards
US4721910A (en) * 1986-09-12 1988-01-26 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories High speed circuit measurements using photoemission sampling

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015028851A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置

Also Published As

Publication number Publication date
AU605401B2 (en) 1991-01-10
EP0328869B1 (en) 1994-03-30
AU2880189A (en) 1989-08-24
EP0328869A3 (en) 1991-06-12
CA1307057C (en) 1992-09-01
DE68914178D1 (de) 1994-05-05
EP0328869A2 (en) 1989-08-23
US4829243A (en) 1989-05-09
DE68914178T2 (de) 1994-07-14

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