JPH01263278A - 無電解銅めっき液 - Google Patents
無電解銅めっき液Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野〕
本発明は無電解銅めっき液に関する。
[従来の技術]
無電解銅めっき液は、第2銅塩、銅錯化剤、還元剤およ
びpH3整剤を基本浴とするものであるが、このような
構成の無電解めっき液から得られた銅めっき皮膜は、一
般にもろいため実用上問題があり、このためこのめっき
液に各種の添加剤を用いることが提案されている。
びpH3整剤を基本浴とするものであるが、このような
構成の無電解めっき液から得られた銅めっき皮膜は、一
般にもろいため実用上問題があり、このためこのめっき
液に各種の添加剤を用いることが提案されている。
このようなものとして、たとえばジピリジル類、1.1
0−フェナントロリンおよび2,2−ジキノリル類の少
なくとも1種と、ポリアルキレングリコールを組合せた
添加剤が知られている(特公昭513−27594号公
報)。
0−フェナントロリンおよび2,2−ジキノリル類の少
なくとも1種と、ポリアルキレングリコールを組合せた
添加剤が知られている(特公昭513−27594号公
報)。
しかし、これまで提案されている上記添加剤を含む無電
解めっき液は、いずれもめっき作業中、めっき重量外へ
の銅の析出があり、まためっき皮膜の平滑性および光沢
性の面でも満足のいくものではなかった。
解めっき液は、いずれもめっき作業中、めっき重量外へ
の銅の析出があり、まためっき皮膜の平滑性および光沢
性の面でも満足のいくものではなかった。
すなわち、めっき而での銅の析出反応は、Cu”” +
2HCHO+ 40H− −Cu’ + 2HCOO−+ 2H20+H2である
が、この反応の他に液内反応として、2Cu2” +
50H−+HCHO→Cu20+HCOO−+ 3
H20の反応が起り、この反応で生じたCu2Oがさら
に、 Cu 2 0+ 2HCHO+ 20H−→ 2
Cu 0 + 2HCOO−+H20+H2の反応で
、銅の粒子を析出し、極端な場合にはめっき液が分解状
態を呈することもある。
2HCHO+ 40H− −Cu’ + 2HCOO−+ 2H20+H2である
が、この反応の他に液内反応として、2Cu2” +
50H−+HCHO→Cu20+HCOO−+ 3
H20の反応が起り、この反応で生じたCu2Oがさら
に、 Cu 2 0+ 2HCHO+ 20H−→ 2
Cu 0 + 2HCOO−+H20+H2の反応で
、銅の粒子を析出し、極端な場合にはめっき液が分解状
態を呈することもある。
この分解反応を抑制するため、めっき液にさらに分解防
止剤を添加することも公知である。
止剤を添加することも公知である。
たとえば、特公昭58−58031号公報には上記添加
剤の組合せを用いためっき液にさらにこのような分解防
止剤として亜硫酸水素ナトリウムを使用することが開示
されている。
剤の組合せを用いためっき液にさらにこのような分解防
止剤として亜硫酸水素ナトリウムを使用することが開示
されている。
しかしながら、このような場合にもめっき作業中、ある
いは保存中にもわずかずつ上記の分解反応が進行し、1
〜2週間後にはめっき槽壁等への銅の析出が著しくなる
。そのような状態になった場合には、めっき作業を中断
し、めっき液を槽外に抜き出し、析出した銅を剥離液で
溶解除去した後、新たにめっき液を調製しなければなら
なかった。
いは保存中にもわずかずつ上記の分解反応が進行し、1
〜2週間後にはめっき槽壁等への銅の析出が著しくなる
。そのような状態になった場合には、めっき作業を中断
し、めっき液を槽外に抜き出し、析出した銅を剥離液で
溶解除去した後、新たにめっき液を調製しなければなら
なかった。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、こうした実情に鑑み、自己分解反応を抑制し
、安定性を向上せしめ、長期にわたって支障なく使用す
ることができ、しかもすぐれためっき皮膜を形成し得る
無電解銅めっき液を提供することを目的とするものであ
る。
、安定性を向上せしめ、長期にわたって支障なく使用す
ることができ、しかもすぐれためっき皮膜を形成し得る
無電解銅めっき液を提供することを目的とするものであ
る。
[課題を解決するための手段]
本発明者は、上記課題を解決するため従来より研究を重
ねてきたが、上記した添加剤の組合せを使用する無電解
銅めっき液において、分解防止剤としてセレン化合物を
使用することが有効であることを知見し、本発明に至っ
た。
ねてきたが、上記した添加剤の組合せを使用する無電解
銅めっき液において、分解防止剤としてセレン化合物を
使用することが有効であることを知見し、本発明に至っ
た。
すなわち、本発明は、第2銅塩、銅錯化剤、水酸化アル
カリおよび還元剤を主成分とし、これにさらに (A)
ポリアルキレングリコール、(B)ジピリジル類、1.
10−フェナントロリン類、および2,2°−ツキノリ
ル類から選択された少なくとも1種類および(C)セレ
ン化合物を含むことを特徴とする無電解めっき液である
。
カリおよび還元剤を主成分とし、これにさらに (A)
ポリアルキレングリコール、(B)ジピリジル類、1.
10−フェナントロリン類、および2,2°−ツキノリ
ル類から選択された少なくとも1種類および(C)セレ
ン化合物を含むことを特徴とする無電解めっき液である
。
本発明に用いる第2銅塩としては、無電解銅めっき液と
して使用することが知られているものであればいずれの
ものでもよく、例えば、硫酸銅、塩化銅、硝酸銅等が挙
げられる。銅錯化剤としては、同様に公知のものを使用
することができ、例えば、酒石酸、そのアルカリ金属塩
、エチレンジアミンテトラ酢酸、そのアルカリ金属塩、
ニトリロトリ酢酸、そのアルカリ金属塩、グルコン酸、
そのアルカリ金属塩、トリエタノールアミン、N、N、
N’、N’−テトラキス−2−ヒドロキシプロピルエチ
レンジアミン等が挙げられる。
して使用することが知られているものであればいずれの
ものでもよく、例えば、硫酸銅、塩化銅、硝酸銅等が挙
げられる。銅錯化剤としては、同様に公知のものを使用
することができ、例えば、酒石酸、そのアルカリ金属塩
、エチレンジアミンテトラ酢酸、そのアルカリ金属塩、
ニトリロトリ酢酸、そのアルカリ金属塩、グルコン酸、
そのアルカリ金属塩、トリエタノールアミン、N、N、
N’、N’−テトラキス−2−ヒドロキシプロピルエチ
レンジアミン等が挙げられる。
還元剤としては、同様に無電解銅めっき液に使用される
ものとして公知のものが使用できる。
ものとして公知のものが使用できる。
たとえばホルムアルデヒド、バラホルムアルデヒド、ア
ルカリ金属はう素化水素、アルキルアミン・ボラン等を
挙げることができる。また、水酸化アルカリとしては水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が好ましい。
ルカリ金属はう素化水素、アルキルアミン・ボラン等を
挙げることができる。また、水酸化アルカリとしては水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が好ましい。
上記した無電解銅めっき液の主成分に対して本発明にお
いては下記(A)、(B) 、(C)の添加成分が使用
される。
いては下記(A)、(B) 、(C)の添加成分が使用
される。
(A)ポリアルキレングリコール、
(B)ジピリジル類、■、10−フェナントロリン類、
2.2°−ツキノリル類から選択された少なくとも1種
、 (C)セレン化合物。
2.2°−ツキノリル類から選択された少なくとも1種
、 (C)セレン化合物。
(A)成分としては、平均分子H200〜20,000
゜好ましくは400〜2000のもので、たとえば、ポ
リエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポ
リブチレングリコール等を例示することができる。
゜好ましくは400〜2000のもので、たとえば、ポ
リエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポ
リブチレングリコール等を例示することができる。
(B)成分のジピリジル類としては、2.2′−ジピリ
ジル、その低級アルキル、フェニル等の置換体、1.1
0−フェナントロリン類としては1,1゜−フェナント
ロリン、その低級アルキル、フェニル等の置換体、2.
2’−ツキノリル類としては、2.2゛−ジキノリル、
その低級アルキル、フェニル等の置換体が用いられる。
ジル、その低級アルキル、フェニル等の置換体、1.1
0−フェナントロリン類としては1,1゜−フェナント
ロリン、その低級アルキル、フェニル等の置換体、2.
2’−ツキノリル類としては、2.2゛−ジキノリル、
その低級アルキル、フェニル等の置換体が用いられる。
本発明に使用する安定剤としての(C)成分のセレン化
合物としては、セレノシアン酸塩、セレン酸塩、亜セレ
ン酸塩、等を挙げることができる。また、セレン化合物
は他の安定剤(亜硫酸水素ナトリウムなど)と共に使用
することもできる。
合物としては、セレノシアン酸塩、セレン酸塩、亜セレ
ン酸塩、等を挙げることができる。また、セレン化合物
は他の安定剤(亜硫酸水素ナトリウムなど)と共に使用
することもできる。
本発明の無電解銅めっき液は、以上の成分から構成され
るが、次にその組成について説明する。
るが、次にその組成について説明する。
第2銅塩は、0.O1〜0.5モル/交、好ましくは0
.03〜0.1モル151で用いられ、銅錯化剤は第2
銅塩を溶解するに必要な量以上で使用されるが、通常0
.01−1モル/lである。
.03〜0.1モル151で用いられ、銅錯化剤は第2
銅塩を溶解するに必要な量以上で使用されるが、通常0
.01−1モル/lである。
還元剤は0.01−1モル15Iが適当であり、また水
酸化アルカリは、めっき液のpHを11.5以上、好ま
しくは12.5〜13.5に保持するに要する量で用い
られる。アルカリ度で表わすと、0.005〜160好
ましくは0.02〜0,3の範囲に調整するのがよい。
酸化アルカリは、めっき液のpHを11.5以上、好ま
しくは12.5〜13.5に保持するに要する量で用い
られる。アルカリ度で表わすと、0.005〜160好
ましくは0.02〜0,3の範囲に調整するのがよい。
また、上記主成分への添加剤の使用量は、(A)成分が
0.01〜100m1/ 51 、 (B)成分が0
.1〜300mg/ 51 、 (C)成分が0.0
1〜b(A)成分濃度が0.01m1151では、めっ
き皮膜の甲滑性は得られず、100111/ 9以上で
は、銅の析出速度が低下する。
0.01〜100m1/ 51 、 (B)成分が0
.1〜300mg/ 51 、 (C)成分が0.0
1〜b(A)成分濃度が0.01m1151では、めっ
き皮膜の甲滑性は得られず、100111/ 9以上で
は、銅の析出速度が低下する。
(B)成分濃度が、0.1mg71以下では、めっき皮
膜が黒味がかって光沢性が悪くなり、loOmg/9以
上では、銅の析出速度が低下する。
膜が黒味がかって光沢性が悪くなり、loOmg/9以
上では、銅の析出速度が低下する。
また (C)成分の濃度については、0゜01mg/
Q以下では、液の安定性が、低下し、100mg/ 1
以上では、銅の析出速度が極端に低下する。以上の理由
により、(A)、(B)、(C)の添加剤は、前記の濃
度範囲にすることが望ましい。
Q以下では、液の安定性が、低下し、100mg/ 1
以上では、銅の析出速度が極端に低下する。以上の理由
により、(A)、(B)、(C)の添加剤は、前記の濃
度範囲にすることが望ましい。
本発明の無電解銅めっき液を使用してめっきを行うにあ
たっては、めっき液の温度は5〜80℃、好ましくは2
0〜50℃に保持することが望ましい。液温か5℃未満
では銅の析出速度が低下し、80℃を越えるとめっき重
量外での銅の析出が起るためである。めっき作業中のめ
っき液の撹拌は、とくに必須ではないが、空気吹き込み
やポンプで液を循環しながら連続濾過するのが好ましい
。また、被めっき物は揺動させることが好ましい。
たっては、めっき液の温度は5〜80℃、好ましくは2
0〜50℃に保持することが望ましい。液温か5℃未満
では銅の析出速度が低下し、80℃を越えるとめっき重
量外での銅の析出が起るためである。めっき作業中のめ
っき液の撹拌は、とくに必須ではないが、空気吹き込み
やポンプで液を循環しながら連続濾過するのが好ましい
。また、被めっき物は揺動させることが好ましい。
本発明の無電解鋼めっき液を用いてプリント回路基板等
に用いられるプラスチック上へ無電解銅めっきする場合
は、銅の析出および密着性を良くするためにクロム酸−
硫酸混合溶液によるエツチング処理および錫塩−パラジ
ウム塩混合溶液による触媒処理等の前処理を予めプラス
チックへ施してから行うのが望ましい。
に用いられるプラスチック上へ無電解銅めっきする場合
は、銅の析出および密着性を良くするためにクロム酸−
硫酸混合溶液によるエツチング処理および錫塩−パラジ
ウム塩混合溶液による触媒処理等の前処理を予めプラス
チックへ施してから行うのが望ましい。
以下に実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。
[実施例]
硫酸銅0.05モル151、エチレンジアミンテトラ酢
酸ナトリウム0.06モル1511ホルムアルデヒド(
37%ホルマリン)0.2モル/交およびアルカリ度調
整用として水酸化ナトリウムを含む溶液に表に示す添加
剤類を加えためっき液を19ずつ調合した。
酸ナトリウム0.06モル1511ホルムアルデヒド(
37%ホルマリン)0.2モル/交およびアルカリ度調
整用として水酸化ナトリウムを含む溶液に表に示す添加
剤類を加えためっき液を19ずつ調合した。
被めっき物には、5X10cn+の大きさのプリント配
線板に用いられる銅張積層板(ガラス繊維−エポキシ樹
脂基材)およびこの基材より銅箔を硝酸溶液で溶解除去
したエポキシ樹脂板を用い、通常の無電解めっきの前処
理に用いられる錫塩−パラジウム塩混合溶液により活性
化処理を行ったものを用いた。
線板に用いられる銅張積層板(ガラス繊維−エポキシ樹
脂基材)およびこの基材より銅箔を硝酸溶液で溶解除去
したエポキシ樹脂板を用い、通常の無電解めっきの前処
理に用いられる錫塩−パラジウム塩混合溶液により活性
化処理を行ったものを用いた。
前記のめっき液を所定の条件に調整した後・被めっき体
を30分間浸漬して、めっきを行った後、めっきの膜厚
を重量法によりn1定した。
を30分間浸漬して、めっきを行った後、めっきの膜厚
を重量法によりn1定した。
その後、めっき液をめっき条件の温度で放置し、液の安
定性を観察した。
定性を観察した。
なお、本発明のめっき皮膜については、非常に平滑で、
光沢、密着性のすぐれたものであった。
光沢、密着性のすぐれたものであった。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の無電解銅めっき液は、め
っき重態外に銅粒子が析出することがなく、長期間にわ
たって安定しており、使用寿命が長いものであり、しか
もこのめっき液を使用して平滑性、密着性、光沢にすぐ
れためっき皮膜を形成することができる。
っき重態外に銅粒子が析出することがなく、長期間にわ
たって安定しており、使用寿命が長いものであり、しか
もこのめっき液を使用して平滑性、密着性、光沢にすぐ
れためっき皮膜を形成することができる。
Claims (1)
- 第2銅塩、銅錯化剤、水酸化アルカリおよび還元剤を主
成分とし、これにさらに(A)ポリアルキレングリコー
ル、(B)ジピリジル類、1,10−フェナントロリン
類、および2,2′−ジキノリル類から選択された少な
くとも1種類および(C)セレン化合物を含むことを特
徴とする無電解めっき液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8804888A JPH0684544B2 (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | 無電解銅めっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8804888A JPH0684544B2 (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | 無電解銅めっき液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01263278A true JPH01263278A (ja) | 1989-10-19 |
JPH0684544B2 JPH0684544B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=13931946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8804888A Expired - Lifetime JPH0684544B2 (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | 無電解銅めっき液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0684544B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000016597A1 (en) * | 1998-09-14 | 2000-03-23 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
WO2002088423A1 (fr) * | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Solution de cuivrage et procede de cuivrage |
CN114150299A (zh) * | 2021-04-27 | 2022-03-08 | 天津大学 | 用于超低轮廓铜箔及其覆铜板制备的化学沉积方法 |
-
1988
- 1988-04-12 JP JP8804888A patent/JPH0684544B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000016597A1 (en) * | 1998-09-14 | 2000-03-23 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
US7230188B1 (en) | 1998-09-14 | 2007-06-12 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
EP1919266A3 (en) * | 1998-09-14 | 2009-08-05 | Ibiden Co., Ltd. | Electroless plating solution, electroless plating process, and printed circuit board |
US7691189B2 (en) | 1998-09-14 | 2010-04-06 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
US7827680B2 (en) | 1998-09-14 | 2010-11-09 | Ibiden Co., Ltd. | Electroplating process of electroplating an elecrically conductive sustrate |
US8065794B2 (en) | 1998-09-14 | 2011-11-29 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
WO2002088423A1 (fr) * | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Solution de cuivrage et procede de cuivrage |
JP2002327278A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 銅めっき液および銅めっき方法 |
US7517555B2 (en) | 2001-04-27 | 2009-04-14 | Hitachi Metals, Ltd. | Copper plating solution and method for copper plating |
JP4595237B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2010-12-08 | 日立金属株式会社 | 銅めっき液および銅めっき方法 |
CN114150299A (zh) * | 2021-04-27 | 2022-03-08 | 天津大学 | 用于超低轮廓铜箔及其覆铜板制备的化学沉积方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0684544B2 (ja) | 1994-10-26 |
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