JPH01263264A - 真空アーク放電型ｐｖｄ成膜方法 - Google Patents
真空アーク放電型ｐｖｄ成膜方法Info
- Publication number
- JPH01263264A JPH01263264A JP8947488A JP8947488A JPH01263264A JP H01263264 A JPH01263264 A JP H01263264A JP 8947488 A JP8947488 A JP 8947488A JP 8947488 A JP8947488 A JP 8947488A JP H01263264 A JPH01263264 A JP H01263264A
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- film formation
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、酸化物系の電気絶縁膜等の真空アーク放電
型ｐｖｏ成膜方法に関するものである。
型ｐｖｏ成膜方法に関するものである。
真空アーク放電型ＰＶＩＩ成膜方法は、真空槽内にカソ
ードと成膜対象とを配置し前記真空槽の反応ガス導入口
より前記真空槽内に反応ガスを導入しアーク放電を行う
ことにより前記カソードの蒸発イオンと前記反応ガスと
を反応させて前記成膜対象の表面に成膜するものである
。
ードと成膜対象とを配置し前記真空槽の反応ガス導入口
より前記真空槽内に反応ガスを導入しアーク放電を行う
ことにより前記カソードの蒸発イオンと前記反応ガスと
を反応させて前記成膜対象の表面に成膜するものである
。
酸化物系の絶縁膜を形成する場合、通常真空槽を１０−
５〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒまで真空排気した後、反応ガスと
して酸素ガスを１０−４〜１０− ”Ｔｏｒｒになるま
で導入し、高周波バイアス出力５０Ｗ〜５００讐を印加
し、アーク電圧をカソードに印加してアーク放電を生し
させ、そのジュール熱でカソードを蒸発イオン化して酸
素ガスと反応させ、成膜対象の表面に酸化物膜を成膜す
る。
５〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒまで真空排気した後、反応ガスと
して酸素ガスを１０−４〜１０− ”Ｔｏｒｒになるま
で導入し、高周波バイアス出力５０Ｗ〜５００讐を印加
し、アーク電圧をカソードに印加してアーク放電を生し
させ、そのジュール熱でカソードを蒸発イオン化して酸
素ガスと反応させ、成膜対象の表面に酸化物膜を成膜す
る。
この真空アーク放電型ＰＶＤ成膜方法は、カソードのア
ーク放電による蒸発が最初は安定して行われるが、数分
後にはカソード表面に酸素ガスが吸収されカソードの表
面が酸化物膜で覆われたり、カソードの表面の仕事関数
が増大するため、アーク放電が不安定になったりカソー
ドの表面から火花が飛ぶようになるなどアーク放電によ
る蒸発状況が異なって（るという問題があった。
ーク放電による蒸発が最初は安定して行われるが、数分
後にはカソード表面に酸素ガスが吸収されカソードの表
面が酸化物膜で覆われたり、カソードの表面の仕事関数
が増大するため、アーク放電が不安定になったりカソー
ドの表面から火花が飛ぶようになるなどアーク放電によ
る蒸発状況が異なって（るという問題があった。
このため、アーク放電が安定し再現性よくかつ効率的に
酸化物系の絶縁膜等の成膜を得ることが困難であった。
酸化物系の絶縁膜等の成膜を得ることが困難であった。
したがって、この発明の目的は、カソードの表面に反応
ガスが吸収されるのを防止することができる真空アーク
放電型ＰνＤ成膜方法を提供することである。
ガスが吸収されるのを防止することができる真空アーク
放電型ＰνＤ成膜方法を提供することである。
この発明の真空アーク放電型ＰＶＤ成膜方法は、第１図
において、真空槽１内にカソード２と成膜対象３とを配
置し前記真空槽１の反応ガス導入口５より前記真空槽１
内に反応ガスを導入しアーク放電を行うことにより前記
カソード２の蒸発イオンと前記反応ガスとを反応させて
前記成膜対象３の表面に成膜する真空アーク放電型ＰＶ
Ｄ成膜方法において、前記真空槽１の前記反応ガス導入
口５の前記カソード２側に不活性ガス導入口６を設け、
前記反応ガスより大きい圧力の不活性ガスを成膜中導入
することを特徴とするものである。
において、真空槽１内にカソード２と成膜対象３とを配
置し前記真空槽１の反応ガス導入口５より前記真空槽１
内に反応ガスを導入しアーク放電を行うことにより前記
カソード２の蒸発イオンと前記反応ガスとを反応させて
前記成膜対象３の表面に成膜する真空アーク放電型ＰＶ
Ｄ成膜方法において、前記真空槽１の前記反応ガス導入
口５の前記カソード２側に不活性ガス導入口６を設け、
前記反応ガスより大きい圧力の不活性ガスを成膜中導入
することを特徴とするものである。
成膜の一例として、酸化物系の絶縁膜たとえばＡ Ｉ
、０．の場合、カソード′２はＡＩであり、反応ガスは
酸素ガス０！である。また不活性ガスの一例はｌｌｅ、
Ａｒ等である。なお、第１図において、４は成膜対象３
の保持体、７は成膜対象３のバイアス電源、８はアーク
電源、９は真空ポンプである。
、０．の場合、カソード′２はＡＩであり、反応ガスは
酸素ガス０！である。また不活性ガスの一例はｌｌｅ、
Ａｒ等である。なお、第１図において、４は成膜対象３
の保持体、７は成膜対象３のバイアス電源、８はアーク
電源、９は真空ポンプである。
この発明の構成によれば、反応ガス導入口５よりカソー
ド２側に配設された不活性ガス導入口６から反応ガスよ
り大きい圧力の不活性ガスが導入されるため、反応ガス
のカソード２側への拡散が不活性ガスにより妨げられる
。このため、カソード２の表面に反応ガスが形成される
のを防止することができ、アーク放電を安定化できると
ともに火花の発生を防止でき、成膜対象３を再現性よく
かつ効率的に成膜することができる。
ド２側に配設された不活性ガス導入口６から反応ガスよ
り大きい圧力の不活性ガスが導入されるため、反応ガス
のカソード２側への拡散が不活性ガスにより妨げられる
。このため、カソード２の表面に反応ガスが形成される
のを防止することができ、アーク放電を安定化できると
ともに火花の発生を防止でき、成膜対象３を再現性よく
かつ効率的に成膜することができる。
硬質工具鋼（ＳＸＨ５１）の表面にＡｌ２Ｏ，の被膜を
形成する場合について、っぎの条件で行った。不活性ガ
スＡｒの圧力Ｉ Ｘｌ０−”Ｔｏｒｒ、反応ガス０□の
圧力Ｉ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ、アーク＠流６０Ａ 、
高Ｐｉ］ 波バイア ス出力２００Ｗ、 コーティ
ング時間３０分とした。
形成する場合について、っぎの条件で行った。不活性ガ
スＡｒの圧力Ｉ Ｘｌ０−”Ｔｏｒｒ、反応ガス０□の
圧力Ｉ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ、アーク＠流６０Ａ 、
高Ｐｉ］ 波バイア ス出力２００Ｗ、 コーティ
ング時間３０分とした。
以上の条件によりＡ Ａ ｔｏｙの成膜を行った結果、
アーク放電は成膜期間中安定で、カソードから火花を発
生することなく成膜することができ、膜組成もＡ１：Ｏ
＝’２：３の化学量論組成のものが得られた。
アーク放電は成膜期間中安定で、カソードから火花を発
生することなく成膜することができ、膜組成もＡ１：Ｏ
＝’２：３の化学量論組成のものが得られた。
この発明の真空アーク放電型ｐｖｏ成膜方法によれば、
反応ガス導入口よりカソード側に配設された不活性ガス
導入口から反応ガスより大きい圧力の不活性ガスが導入
されるため、カソードの表面に反応ガスが形成されるの
を防止することができ、アーク放電を安定化できるとと
もに火花の発生を防止でき、成膜対象を再現性よくかつ
効率的に成膜することができるという効果がある。
反応ガス導入口よりカソード側に配設された不活性ガス
導入口から反応ガスより大きい圧力の不活性ガスが導入
されるため、カソードの表面に反応ガスが形成されるの
を防止することができ、アーク放電を安定化できるとと
もに火花の発生を防止でき、成膜対象を再現性よくかつ
効率的に成膜することができるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の説明図である。
Claims (1)
- 真空槽内にカソードと成膜対象とを配置し前記真空槽の
反応ガス導入口より前記真空槽内に反応ガスを導入しア
ーク放電を行うことにより前記カソードの蒸発イオンと
前記反応ガスとを反応させて前記成膜対象の表面に成膜
する真空アーク放電型ＰＶＤ成膜方法において、前記真
空槽の前記反応ガス導入口の前記カソード側に不活性ガ
ス導入口を設け、前記反応ガスより大きい圧力の不活性
ガスを成膜中導入することを特徴とする真空アーク放電
型ＰＶＤ成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8947488A JPH01263264A (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 真空アーク放電型ｐｖｄ成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8947488A JPH01263264A (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 真空アーク放電型ｐｖｄ成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01263264A true JPH01263264A (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=13971722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8947488A Pending JPH01263264A (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 真空アーク放電型ｐｖｄ成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01263264A (ja) |
-
1988
- 1988-04-11 JP JP8947488A patent/JPH01263264A/ja active Pending
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