JPH01262622A - Method of forming fine pattern - Google Patents
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、微細パターンの形成方法に関し、さらに詳
しくは、半導体装置の製造において、シリコン基板上に
塗布形成されたレジスト膜にマスクパターンを転写させ
るための微細パターンの形成方法の改良に係るものであ
る。Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention relates to a method for forming fine patterns, and more specifically, in the manufacture of semiconductor devices, a method for transferring a mask pattern to a resist film coated on a silicon substrate. This invention relates to an improvement in a method for forming a fine pattern for the purpose of achieving this.
（従来の技術〕
従来例によるこの種の微細パターンの形成方法によって
得たレジストパターンの構成態様を第３図に示す。(Prior Art) FIG. 3 shows a configuration of a resist pattern obtained by a conventional method for forming a fine pattern of this type.
すなわち、この第３図に示す従来例構成において、符号
１１は所期の半導体素子構成を形成するシリコン基板で
あり、また、１２はこのシリコン基板１１上、−数的に
微細パターンを得ようとする任意の対象領域あるいは対
象層上に塗布形成され、かつ所定の露光、現像処理工程
を経てパターニングされたｇ線、ｉ線用のポジ型レジス
トによるレジストパターンである。That is, in the conventional configuration shown in FIG. 3, reference numeral 11 is a silicon substrate on which a desired semiconductor element structure is formed, and 12 is a silicon substrate on which a numerically fine pattern is to be obtained. This is a resist pattern made of a positive resist for g-line and i-line, which is coated on any target area or target layer and patterned through predetermined exposure and development processing steps.
しかして、従来例による微細パターンの形成方法におい
ては、一般によく知られているように、まず、写真製版
技術によって、シリコン基板ｌｌ上に塗布形成された所
定膜厚によるｇ線、ｉ線用のポジ型レジスト膜に対し、
通常の場合、光源としての高圧水銀ランプから放射され
るところの、いわゆるｇ線（λ＝ ４３６ｎｍ ） 、
ｉ線（λ＝３６５ｎｎ ）などの光線を、中間部に介
在されている所定パターンをもつフォトマスクを通して
照射させることにより、このポジ型レジスト膜上にフォ
トマスクに与えられたパターンを縮少投影して露光させ
、ついで、所定の現像液（アルカリ溶液）により、現像
処理して所期通りの微細にバターニングされたレジスト
パターン１２を得るのである。However, in the conventional method of forming fine patterns, as is generally well known, first, a film of a predetermined thickness for g-line and i-line is coated and formed on a silicon substrate 11 by photolithography. For positive resist film,
In normal cases, the so-called g-line (λ = 436 nm), which is emitted from a high-pressure mercury lamp as a light source,
By irradiating a light beam such as i-ray (λ = 365 nn) through a photomask with a predetermined pattern interposed in the middle, the pattern given to the photomask is reduced and projected onto this positive resist film. The resist pattern 12 is then exposed to light and then developed using a predetermined developer (alkaline solution) to obtain the desired finely patterned resist pattern 12.
つまり、通常用いられるｇ線、ｉ線用のポジ型レジスト
膜に、ｇ線、ｉ線などの光線を照射させると、このポジ
型レジスト膜内では、その感光基に照射光線の強さに対
応した光分解を生じ、この光分解された照射部分が所定
の現像液（アルカリ溶液）に対して可溶性となり、この
結果、所期通りの微細にパターニングされたレジストパ
ターン１２が得られるのである。In other words, when a commonly used positive resist film for g-lines and i-lines is irradiated with light rays such as g-lines and i-lines, the photosensitive groups within this positive resist film respond to the intensity of the irradiated light. The photodecomposed irradiated portion becomes soluble in a predetermined developer (alkaline solution), and as a result, a resist pattern 12 that is finely patterned as expected is obtained.
そしてまた、前記した従来例方法でのｇ線、ｉ線用のポ
ジ型レジスト膜を用いる場合にあって、その露光照射用
の光源としては、前記の高圧水銀ランプに代えて、いわ
ゆる、 ＫｒＦエキシマレーザ−光（λ＝２４８ｎｍ
）を用いること、すなわち換言すると、エキシマ露光
プロセスを採用することによっても、前記と同様の過程
を経て、所期通りの微細にバターニングされたレジスト
パターン１２を形成し得るのである。Furthermore, when using the positive resist film for g-line and i-line in the conventional method described above, the light source for exposure irradiation is a so-called KrF excimer instead of the high-pressure mercury lamp. Laser light (λ=248nm
), or in other words, by employing an excimer exposure process, it is possible to form the desired finely patterned resist pattern 12 through the same process as described above.
しかしながら、一方、前記した従来例方法によるｇ線、
ｉ線用のポジ型レジスト膜を用いたエキシマ露光プロセ
スにおいては、露光時にあって、ポジ型レジスト膜での
表層部側に対するＫｒＦエキシマレーザ−光の吸収が強
いために、このポジ型レジスト膜上に転写されるレジス
トパターン自体に関しては、その現像時にあって、現像
液による感光部分の溶解が、処理時間の経過と共に、表
層部側から基板部側にかけて順次−様に、つまり、何等
の制御性をも有することなしに上部側から下部側へ行な
われ、これに伴ない、レジストパターンもまた表層部側
からの浸蝕を多く受けることになり、現像処理を終了し
た状態では、形成される微細なレジストパターンの断面
プロファイル、殊にその幅寸法が、第３図に見られる通
りに、必然的にＦ方の表層部側で狭くなり、かつ下方の
基板部側で広くなった。いわゆるテーパー状の断面形状
を呈し、このために、以後、このようにして形成された
レジストパターンをマスクに用いてなされるエツチング
工程などにおいては、被エツチング対象となる任意の対
象領域あるいは対象層などでの、エツチングによる微細
なパターニング成形に重大な支障を来して、装置構成の
製造に好ましくない影響をもたらす恐れがあると云う問
題点があった。However, on the other hand, the g-line according to the conventional method described above,
In the excimer exposure process using a positive resist film for i-line, during exposure, the KrF excimer laser light is strongly absorbed by the surface layer side of the positive resist film. Regarding the resist pattern itself that is transferred to the substrate, during its development, the photosensitive area is dissolved by the developer in a sequential manner from the surface layer side to the substrate side as the processing time progresses, in other words, there is no controllability. As a result, the resist pattern is also subject to a lot of erosion from the surface layer side, and when the development process is completed, the fine particles formed are As seen in FIG. 3, the cross-sectional profile of the resist pattern, especially its width, inevitably became narrower on the surface layer side in the F direction and wider on the lower substrate side. It has a so-called tapered cross-sectional shape, and therefore, in the subsequent etching process using the resist pattern formed in this way as a mask, any target area or layer to be etched can be etched. However, there is a problem in that this poses a serious problem in forming a fine pattern by etching, which may have an unfavorable effect on the manufacturing of the device structure.
この発明は、従来例方法でのこのような問題点を解消す
るためになされたもので、その目的とするところは、ｇ
ａ、１線用のポジ型レジスト膜をＫｒＦエキシマレーザ
−光により照射露光させて微細なレジストパターンを形
成させる際、このレジストパターンの断面プロファイル
、ひいては、その断面形状のコントラストを向上させる
ようにした。この種の微細パターンの形成方法を提供す
ることである。This invention was made to solve these problems in the conventional method, and its purpose is to
a. When a positive resist film for one line is exposed to KrF excimer laser light to form a fine resist pattern, the cross-sectional profile of this resist pattern and, by extension, the contrast of its cross-sectional shape are improved. . The object of the present invention is to provide a method for forming this type of fine pattern.
〔２！題を解決するための手段〕
前記目的を達成するために、この発明に係る微細パター
ンの形成方法は、ｇ線、ｉ線用のポジ型レジスト膜に対
して、フォトマスクのパターンを転写させる以前に、−
旦、その全面に膜厚に対応した照射エネルギーのＫｒＦ
エキシマレーザー光を照射させて、レジスト表層部側に
難溶融化層を形成させ、その後、再度、あらためてフォ
トマスクを介して所期通りにＫｒＦエキシマレーザ−光
を照射させることにより、そのマスクパターンの転写を
なすようにしたものである。[2! Means for Solving the Problem] In order to achieve the above object, the method for forming a fine pattern according to the present invention includes a process in which a pattern of a photomask is transferred to a positive resist film for G-line and I-line. To, -
Then, KrF is applied to the entire surface with irradiation energy corresponding to the film thickness.
Excimer laser light is irradiated to form a refractory layer on the surface layer side of the resist, and then KrF excimer laser light is irradiated again as desired through the photomask to form the mask pattern. It is designed to be a transcription.
すなわち、この発明は、対象領域あるいは対象層上に形
成されたｇ線、ｉｌｉ用のポジ型レジスト膜に対し、
ＫｒＦエキシマレーザー光を照射して露光処理させ、か
つ現像処理して微細なレジストパターンを形成させる微
細パターンの形成方法であって、まず、前記ポジ型レジ
スト膜の全面に、その膜厚に対応した照射エネルギーの
ＫｒＦエキシマレーザー光を照射させ、ついで、このポ
ジ型レジスト膜に対し、フォトマスクを介してＫｒＦエ
キシマレーザー光を所期通りに照射させて、このフォト
マスクのマスクパターンを、ポジ型レジスト膜りに転写
させるようにしたことを特徴とする微細パターンの形成
方法である。That is, the present invention provides a positive resist film for g-line and ili formed on a target region or a target layer.
A method for forming a fine pattern in which a fine resist pattern is formed by irradiation with KrF excimer laser light, followed by a development process, in which a fine resist pattern is formed on the entire surface of the positive resist film in a manner corresponding to the film thickness. A KrF excimer laser beam of irradiation energy is irradiated, and then this positive resist film is irradiated with a KrF excimer laser beam as expected through a photomask, and the mask pattern of this photomask is changed into a positive resist film. This is a method for forming a fine pattern, characterized in that the pattern is transferred onto a film.
従って、この発明方法においては、ｇ線、ｉ線用のポジ
型レジスト膜に対し、フォトマスクのパターンを転写す
る以随に、−旦、その全面に、膜厚に対応した照射エネ
ルギーのＫｒＦエキシマレーザー光を照射させておき、
その後、この状態のまＳで、再度、ポジ型レジスト膜上
に、フォトマスクを介して所期通りにＫｒＦエキシマレ
ーザ−光を照射させ、このようにしてマスクパターンを
ポジ型レジスト膜上に転写させるようにしたので、この
ポジ型レジスト膜に転写されるレジストパターンには、
そのレジスト表層部側に、予め事前に所定の深さの難溶
融化層が形成されることになり、この結果として、レジ
ストの厚さ方向に対するところの、現像液による溶解速
度の制御が、この難溶融化層の存在で、表層部側から基
板部側へ可能になって改善され、最終的に形成されるレ
ジストパターンの断面プロファイルを格段に向上させ得
るのである。Therefore, in the method of this invention, after transferring a photomask pattern to a positive resist film for g-line and i-line, first, a KrF excimer is applied to the entire surface of the positive resist film at an irradiation energy corresponding to the film thickness. Let the laser light irradiate,
After that, in this state, the positive resist film is again irradiated with KrF excimer laser light as expected through the photomask, and in this way the mask pattern is transferred onto the positive resist film. As a result, the resist pattern transferred to this positive resist film has
A refractory layer of a predetermined depth is formed in advance on the surface layer side of the resist, and as a result, the dissolution rate by the developer in the direction of the resist thickness cannot be controlled. The presence of the hard-to-melt layer makes it possible to improve the cross-sectional profile of the resist pattern that is finally formed from the surface layer side to the substrate side.
（実 施 例〕
以下、この発明に係る微細パターンの形成方法の一実施
例につき、第１図および第２図を参照して詳細に説明す
る。(Example) Hereinafter, an example of the method for forming a fine pattern according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.
第１図（ａ）ないしくｄ）はこの実施例方法を適用した
微細パターンの形成過程を工程順にそれぞれ模式的に示
す断面構成図、第２図は同上方法でのポジ型レジスト膜
の露光後における未露光部分の現像処理に伴なう溶解速
度と表層部側からの深さとの関係を示すグラフである。Figures 1 (a) to d) are cross-sectional configuration diagrams schematically showing the process of forming a fine pattern using the method of this embodiment in the order of steps, and Figure 2 shows the post-exposure of a positive resist film using the same method. 3 is a graph showing the relationship between the dissolution rate and the depth from the surface layer side during the development process of the unexposed portion in FIG.
すなわち、これらの第１図（ａ）ないしくｄ）に示す実
施例方法において、シリコン基板１上での図示省略した
対象領域あるいは対象層の表面には、写真製版技術によ
り、所定膜厚によるｇ線、ｉ線用のポジ型レジスト膜２
ａを塗布形成させた上で、まず、このポジ型レジスト膜
２ａの全面に対して、−旦、その膜厚に対応した照射エ
ネルギーを有するＫｒＦエキシマレーザ−光３ａを照射
させることにより（第１図（ａ））、同ポジ型レジスト
膜２ａの表層部側には、所定の深さの難溶融化層２ｂが
形成される（同図（ｂ））。That is, in the embodiment method shown in FIGS. 1(a) to d), the surface of the target region or target layer (not shown) on the silicon substrate 1 is coated with g of a predetermined film thickness by photolithography. Positive type resist film 2 for line and i line
After coating and forming the positive resist film 2a, the entire surface of the positive resist film 2a is first irradiated with KrF excimer laser light 3a having an irradiation energy corresponding to the film thickness (first In Figure (a)), a hard-to-melt layer 2b of a predetermined depth is formed on the surface layer side of the positive resist film 2a (Figure (b)).
ついで、前記したように表層部側に所定の深さの難溶融
化層２ｂを形成させたポジ型レジスト膜２ａに対しては
、従来例方法の場合と同様に、フォトマスク４を介して
ＫｒＦエキシマレーザ−光３ｂを所期通りに照射させて
、このポジ型レジスト膜２ａ上にフォトマスク４に与え
られているパターンを縮少投影して露光させると、ポジ
型レジスト膜２ａ上には、パターン該当部以外の難溶融
化層２ｂ部分を通した膜部分が感光されて既露光部分２
Ｃを生じ、かつパターン該当部の難溶融化層２ｂ部分を
通した膜部分に未露光部分、つまり、最終的にレジスト
パターンとなる未露光部分２ｄを生ずることになる（同
図（Ｃ））。Next, as in the case of the conventional method, KrF is applied to the positive resist film 2a on which the refractory layer 2b of a predetermined depth is formed on the surface layer side as described above through the photomask 4. When the excimer laser beam 3b is irradiated as planned and the pattern given to the photomask 4 is reduced and projected onto the positive resist film 2a, the positive resist film 2a is exposed to the following: The part of the film that passes through the hard-to-fusible layer 2b other than the part corresponding to the pattern is exposed to light, and the exposed part 2
C, and an unexposed part, that is, an unexposed part 2d that will eventually become a resist pattern, is created in the film part that passes through the refractory layer 2b of the pattern corresponding part ((C) in the same figure). .
さらに、その後１前記のように露光処理されたシリコン
基板ｌを所定の現像液（アルカリ溶液）で現像処理する
ことにより、この現像が等方的に進行するために、ポジ
型レジスト膜２ａでの既露光部分２Ｃ側にあっては、処
理時間の経過に従い、これが表層部側から基板部側に順
次に溶解除去されると共に、未露光部分２ｄ側にあって
も、同様に溶解作用、換言すると、いわゆる、サイドエ
ツチングが開始され、この現像処理を終了した時点にお
いては、次に述べるように、表層部側と基板部側との幅
寸法がはＸ同一に垂直化された断面プロファイルのレジ
ストパターン２を形成し得るのである（同図（ｄ））。Furthermore, by subsequently developing the silicon substrate l exposed as described above with a predetermined developer (alkaline solution), since this development proceeds isotropically, the positive resist film 2a is On the exposed portion 2C side, as the processing time passes, this is sequentially dissolved and removed from the surface layer side to the substrate side, and on the unexposed portion 2d side, a similar dissolving action, in other words, occurs. , so-called side etching is started, and at the end of this development process, as described below, the resist pattern has a cross-sectional profile with the same vertical width dimension on the surface layer side and the substrate side. 2 can be formed ((d) in the same figure).
しかして、前記現像処理時におけるポジ型レジスト膜２
ａの未露光部分２ｄ側のサイドエツチング速度、つまり
、未露光部分２ｄ側での溶解速度と表層部側からの深さ
との関係は、フォトマスクのパターンの転写に先立って
表層部側に形成された難溶融化層２ｂの存在によって、
こ工では、同深さを表層部側から基板部側にかけた等距
離部分ａないしｄの４点にとったとき、それぞれに曲線
Ｅａ、Ｆ、ｂＪｃおよびＥｄに示す通りで、特に難溶融
化層２ｂのある表層部側では、曲線Ｅａに従うために、
この未露光部分２ｄの基板部側が表層部側よりも速く溶
解される。すなわち未露光部分２ｄの基板部側と表層部
側との溶解速度に差を与える。換言すると、溶解速度に
良好な制御性を与えことができ、従来例方法に比較した
場合１′−、レジストパターン２での側端面の垂直成形
性が大幅に改善され、この結果として、前記したように
、最終的に形成されるレジストパターン５の断面プロフ
ァイルを格段に向上させ得るのである。Therefore, during the development process, the positive resist film 2
The relationship between the side etching rate on the unexposed portion 2d side of a, that is, the dissolution rate on the unexposed portion 2d side and the depth from the surface layer side, is that Due to the presence of the hard to melt layer 2b,
In this process, when the same depth is taken at four points a to d, which are equidistant from the surface side to the substrate side, the curves Ea, F, bJc and Ed are respectively shown, and in particular, the curves Ea, F, bJc and Ed are On the surface layer side where layer 2b is located, in order to follow the curve Ea,
The substrate side of this unexposed portion 2d is dissolved faster than the surface layer side. That is, a difference is given to the dissolution rate between the substrate side and the surface layer side of the unexposed portion 2d. In other words, it is possible to give good controllability to the dissolution rate, and when compared with the conventional method, the vertical formability of the side edges of resist pattern 2 is greatly improved, and as a result, the above-mentioned Thus, the cross-sectional profile of the resist pattern 5 finally formed can be significantly improved.
以上詳述したように、この発明方法によれば、対象領域
あるいは対象層上に形成されたｇ線、ｉ線用のポジ型レ
ジスト膜に対し、ＫｒＦエキシマレーザ−光を照射して
露光処理させ、かつ現像処理して微細なレジストパター
ンを形成させる微細パターンの形成方法において、ポジ
型レジスト膜に対し、まず、フォトマスクのパターンを
転写する以萌にあって、−旦、その全面に、膜厚に対応
した照射エネルギーのＫｒＦエキシマレーザー光を照射
させるようにしたので、このポジ型レジスト膜の表層部
側には、予め所定の深さの難溶融化層を形成でき、つい
で、その後、再度、ポジ型レジスト膜上に、今度は、フ
ォトマスクを介して所期通りにＫｒＦエキシマレーザー
光を照射させ、フォトマスクのパターンをポジ型レジス
ト膜上に投影転写して露光処理させ、かつ引き続き、現
像処理させるようにしたから、ポジ型レジスト膜に転写
されるレジストパターンには、その表層部側に先の難溶
融化層が形成されているため、この露光処理されたポジ
型レジスト膜での未露光部分の基板部側と表層部側との
溶解速度に差を与え得て、その現像処理を良好な制御性
のもとに、効果的にパターニングでき、従来例方法に比
較するとき、最終的に得られるレジストパターンでの側
端面の垂直成形性を大幅に改善できて、目的とするレジ
ストパターンの断面プロファイルを格段に向上させ得る
のであり、しかも、製造工程の面では、拳に、ポジ型レ
ジスト膜上へのフォトマスクのパターンの転写に先立っ
て、このポジ型レジスト膜の全面に、膜厚に対応した照
射エネルギーのＫｒＦエキシマレーザー光を照射させて
、その表層部側に難溶融化層を形成するだけの極めて簡
単な手段を付加するのみで足りるため、容易に実施可能
であるなどの優れた特長を有するものである。As detailed above, according to the method of the present invention, a positive resist film for g-line and i-line formed on a target area or layer is exposed to KrF excimer laser light. , and in a method for forming a fine resist pattern in which a fine resist pattern is formed by development, the pattern of a photomask is first transferred to a positive resist film, and then the film is coated on the entire surface of the resist film. Since the KrF excimer laser beam is irradiated with an irradiation energy corresponding to the thickness, a refractory layer of a predetermined depth can be formed on the surface side of this positive resist film, and then the layer is re-irradiated. , The positive resist film is then irradiated with KrF excimer laser light as expected through a photomask, the pattern of the photomask is projected and transferred onto the positive resist film, and exposed, and subsequently, Since the resist pattern is transferred to the positive resist film through development processing, the previously hard-to-melt layer is formed on the surface side of the resist pattern. It is possible to give a difference in the dissolution rate between the substrate side and the surface layer side of the unexposed area, and the development process can be effectively patterned with good controllability, and when compared with the conventional method, the final It is possible to greatly improve the vertical formability of the side end faces of the resist pattern obtained by the process, and the cross-sectional profile of the desired resist pattern can be significantly improved.Moreover, in terms of the manufacturing process, Prior to transferring the photomask pattern onto the type resist film, the entire surface of this positive type resist film is irradiated with KrF excimer laser light with an irradiation energy corresponding to the film thickness to make the surface layer part difficult to melt. This method has an excellent feature that it can be easily implemented because it is sufficient to add an extremely simple means of forming a layer.
第１図（ａ）ないしくｄ）はこの発明方法の一実施例を
適用した微細パターンの形成過程を工程順にそれぞれ模
式的に示す断面構成図、第２図は同上方法における露光
後のレジストパターン表層部での溶解速度と深さとの関
係を示すグラフであり、また、第３図は従来例による同
上微細パターンの形成方法によって得たレジストパター
ンの構成態様を模式的に示す断面構成図である。
１・・・・シリコン基板。
２ａ・・・・ポジ型レジスト膜、２ｂ・・・・難溶融化
層、２ｃ・・・・既露光部分、２ｄ・・・・未露光部分
、２・・・・レジストパターン。
３ａ・・・・ポジ型レジスト膜上の全面に照射されるＫ
ｒＦエキシマレーザー光、３ｂ・・・・フォトマスクを
介してポジ型レジスト膜上に照射されるＫｒＦエキシマ
レーザー光。
４・・・・フォトマスク。
代理人 大 岩 増 雄FIGS. 1(a) to d) are cross-sectional configuration diagrams schematically showing the process of forming a fine pattern in the order of steps using an embodiment of the method of the present invention, and FIG. 2 is a resist pattern after exposure in the same method. FIG. 3 is a graph showing the relationship between dissolution rate and depth in the surface layer, and FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram schematically showing the configuration of a resist pattern obtained by the conventional method for forming a fine pattern as described above. . 1...Silicon substrate. 2a...Positive resist film, 2b...Hard to melt layer, 2c...Exposed portion, 2d...Unexposed portion, 2...Resist pattern. 3a: K irradiated on the entire surface of the positive resist film
rF excimer laser light, 3b...KrF excimer laser light irradiated onto the positive resist film through a photomask. 4...Photomask. Agent Masuo Oiwa
Claims (1)
のポジ型レジスト膜に対し、ＫｒＦエキシマレーザー光
を照射して露光処理させ、かつ現像処理して微細なレジ
ストパターンを形成する微細パターンの形成方法であつ
て、まず、前記ポジ型レジスト膜の全面に、その膜厚に
対応した照射エネルギーのＫｒＦエキシマレーザー光を
照射させ、ついで、このポジ型レジスト膜に対し、フォ
トマスクを介してＫｒＦエキシマレーザー光を所期通り
に照射させて、このフォトマスクのマスクパターンを、
ポジ型レジスト膜上に転写させるようにしたことを特徴
とする微細パターンの形成方法。A fine pattern in which a positive resist film for g-line and i-line formed on a target area or layer is irradiated with KrF excimer laser light, exposed, and developed to form a fine resist pattern. In the forming method, first, the entire surface of the positive resist film is irradiated with a KrF excimer laser beam with an irradiation energy corresponding to the film thickness, and then the positive resist film is exposed to the KrF excimer laser beam through a photomask. By irradiating the KrF excimer laser beam as planned, the mask pattern of this photomask is
A method for forming a fine pattern, characterized in that the pattern is transferred onto a positive resist film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63092151A JPH01262622A (en) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | Method of forming fine pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63092151A JPH01262622A (en) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | Method of forming fine pattern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01262622A true JPH01262622A (en) | 1989-10-19 |
Family
ID=14046423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63092151A Pending JPH01262622A (en) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | Method of forming fine pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01262622A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012133163A (en) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Tokyo Electron Ltd | Local exposure method |
-
1988
- 1988-04-13 JP JP63092151A patent/JPH01262622A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012133163A (en) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Tokyo Electron Ltd | Local exposure method |
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