JPH01260690A - Memory access control system - Google Patents

Memory access control system

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JPH01260690A
JPH01260690A JP63087624A JP8762488A JPH01260690A JP H01260690 A JPH01260690 A JP H01260690A JP 63087624 A JP63087624 A JP 63087624A JP 8762488 A JP8762488 A JP 8762488A JP H01260690 A JPH01260690 A JP H01260690A
Authority
JP
Japan
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memory
access
access control
mode
processor
Prior art date
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Pending
Application number
JP63087624A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuyuki Mitsuishi
三石 和幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH01260690A publication Critical patent/JPH01260690A/en
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

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  • Dram (AREA)

Abstract

PURPOSE:To attain an optimum access control according to the using frequency of a memory by setting a control input according to a stand-by mode or an active mode to the setting state of a mode setting flag to a memory when the access control is received from a host device. CONSTITUTION:A memory access control part 14 has a function for setting the control input of the stand-by mode having a first access time to the memory 12 at the time of receiving the access control from the host device 10 and a function for setting the control input of the active mode having a shorter access time than the first access time to the memory 12. The mode setting flag FL for switching and setting both the modes is provided. To the memory 12 high in the using frequency, a high speed access can be attained by setting the active mode, and to the memory 12 low in the using frequency, the stand-by mode is set. Thereby, a consuming power is lowered to execute the optimum memory access control designed to establish a compatibility for improving the performance of a processor and lowering the power consumption.

Description

【発明の詳細な説明】 [概要] プロセッサによりメモリをリード又はライトするメモリ
アクセス制御方式に関し、 メモリの使用頻度に応じた最適なアクセス制御を目的と
し、 メモリアクセス制御部に、アクセス時間は長いが消費電
力の少ないスタンバイモードによる制御入力をメモリに
設定する機能と、消費電力は多いがアクセス時間の短い
アクティブモードの制御入力をメモリに設定する機能を
持たせ、更にスタンバイモードとアクティブモードを切
換設定するモード設定フラグを設け、上位装置からアク
セス制御を受けた時に、モード設定フラグの設定状態に
応じてタンバイモード又はアクティブモードによる制御
入力をメモリに設定するように構成した。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a memory access control method in which a processor reads or writes memory, the aim is to achieve optimal access control according to the frequency of use of the memory. Equipped with a function to set control inputs in memory for standby mode, which consumes less power, and a function to set control inputs in active mode, which consumes more power but has a shorter access time, and also allows switching between standby mode and active mode. A mode setting flag is provided, and when receiving access control from a host device, a control input for standby mode or active mode is set in the memory depending on the setting state of the mode setting flag.

「産業上の利用分野] 本発明は、プロセッサによりメモリをリード又はライト
するメモリアクセス制御方式に関する。
"Field of Industrial Application" The present invention relates to a memory access control method for reading or writing memory by a processor.

ROM、RAM等のメモリはリード又はライトアクセス
のためにチップセレクトC81ライトイネーブル(出力
イネーブル)0「、及びライトイネーブルWEの各制御
入力端子をもっており、プロセッサによるメモリアクセ
ス時には、メモリアクセス制御部によりメモリにチップ
セレクトO8とり一ドイネーブルOE又はライトイネー
ブルREの制御入力をオンしてデータリード又はデータ
ライトを行なっている。
Memories such as ROM and RAM have control input terminals such as chip select C81 write enable (output enable) 0'' and write enable WE for read or write access, and when the processor accesses the memory, the memory access controller Then, the control input of chip select O8 and write enable OE or write enable RE is turned on to read or write data.

[従来の技術] 従来のメモリアクセス制御方式の制御モートには、スタ
ンバイモードとアクティブモードの2種類がある。
[Prior Art] There are two types of control modes in conventional memory access control systems: standby mode and active mode.

即ち、スタンバイモードとは、例えばプロセッサからメ
モリアクセスAs及びリード命令RDによるアクセス制
御を受けた時に、メモリに対するチップセレクトC8及
びリードイネーブルOEの制御入力をオンするモートで
あり、通常のメモリアクセスはこのスタンバイモードと
なっている。
That is, the standby mode is a mode in which the chip select C8 and read enable OE control inputs for the memory are turned on when receiving access control from the processor using memory access As and read command RD, for example, and normal memory access is performed in this mode. It is in standby mode.

一方、アクティブモードとは、常時、メモリに対するチ
ップセレクトO8の制御入力をオン状態としておき、例
えばリードアクセスのためプロセッサからメモリアクセ
スAS及びリード命令RDによるアクセス制御を受けた
時に、メモリに対するリードイネーブルOE又はライト
イネーブルWFの制御入力のみをオンする方式である。
On the other hand, active mode means that the control input of the chip select O8 for the memory is always in the ON state, and for example, when receiving access control by the memory access AS and read command RD from the processor for read access, the read enable OE for the memory is set. Alternatively, only the control input of the write enable WF is turned on.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、従来のスタンバイモードによるメモリア
クセス制御にあっては、メモリに対しチップセレクトC
8が発行されてからリード動作又はライト動作が開始さ
れるまでのアクセス時間が大きいため、アクセス開始ま
でプロセッサを待機させるウェイト数を増大させる必要
がある場合があり、このウェイト数の増加によりプロセ
ッサの性能低下を招くという問題がある。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional memory access control using standby mode, the chip select C
Since the access time from when 8 is issued until the start of a read or write operation is long, it may be necessary to increase the number of waits for the processor to wait until the start of the access. There is a problem in that it causes performance deterioration.

一方、チップセレクトC8を常時オン状態としたアクテ
ィブモードにあっては、リードイネーブルOE又はライ
トイネーブルWEのみのオンによりメモリ制御を行なう
ことからアクセス時間を減少でき、プロセッサのウェイ
ト数を低減できる利点を有するか、チップセレクトO8
を常時オン状態としているため、メモリの消費電力が増
大する問題がある。
On the other hand, in active mode in which chip select C8 is always on, memory control is performed by turning on only read enable OE or write enable WE, which reduces access time and has the advantage of reducing the number of processor waits. Has chip select O8
Since it is always on, there is a problem that the power consumption of the memory increases.

即ち、スタンバイモード又はアクティブモードによるア
クセス制御にあっては、曲名についてはプロセッサの性
能低下、後者については消費電力の増大という欠点を生
じている。
That is, when access control is performed in standby mode or active mode, the performance of the processor decreases when it comes to song titles, and the power consumption increases when it comes to the latter.

特にプロセッサに対しては通常、ROMやRAM等の複
数のメモリが接続されており、メモリの使用頻度は様々
であり、特定のメモリの使用頻度か他のメモリに比べて
高くなる場合かある。
In particular, a plurality of memories such as ROM and RAM are usually connected to a processor, and the frequency of use of the memories varies, and the frequency of use of a particular memory may be higher than that of other memories.

このため、高い使用頻度をもつメモリの高速アクセスを
可能にするため全てのメモリに対しアクティブモードを
設定すると、高速アクセスが要求されないメモリもチッ
プセレク1〜を常時オンとするため、メモリユニット全
体としての消費電力が大幅に増加する。
Therefore, if active mode is set for all memories to enable high-speed access to frequently used memories, chip selects 1~ are always on even for memories that do not require high-speed access, so the memory unit as a whole power consumption increases significantly.

逆に消費電力の低減に重点を於いてスタンバイモードを
設定していると、使用頻度の高いメモリのアクセスによ
りプロセッサのウェイト数が増大し、プロセッサの性能
低下が著しくなる問題がある。
On the other hand, if the standby mode is set with emphasis on reducing power consumption, the number of waits for the processor increases due to frequently used memory accesses, resulting in a problem in which the performance of the processor deteriorates significantly.

本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
ので、メモリの使用頻度に応じて最適なアクセス制御が
できるようにしたメモリアクセス−6= 制御方式を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such conventional problems, and an object of the present invention is to provide a memory access control method that enables optimal access control depending on the frequency of memory use. .

[課題を解決するための手段] 第1図は本発明の原理説明図である。[Means to solve the problem] FIG. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention.

第1図(a)において、上位装置10、上位装置10に
よりアクセスされるメモリ12及びメモリアクセス制御
部14とか設けられる。
In FIG. 1(a), a host device 10, a memory 12 accessed by the host device 10, and a memory access control unit 14 are provided.

メモリアクセス制御部14は、上位装置10からアクセ
ス制御を受けた時に第1のアクセス時間T1をもつスタ
ンバイモード(第1図(b)参照)の制御入力をメモリ
12に設定する機能と、第1のアクセス時門下1より短
いアクセス時間T2をもつアクティブモード(第1図(
C)参照)の制御入力をメモリ12に設定する機能を有
する。
The memory access control unit 14 has a function of setting a control input in the memory 12 for a standby mode (see FIG. 1(b)) having a first access time T1 when receiving access control from the host device 10, and Active mode (see Fig. 1 (
It has a function of setting the control input (see C) in the memory 12.

更に、メモリアクセス制御部14にはスタンバイモード
とアクティブモードを切換設定するモード設定フラグF
Lが設(プられる。
Furthermore, the memory access control unit 14 has a mode setting flag F for switching between standby mode and active mode.
L is set.

モード設定フラグ[Lを例えばFL=Oに設定するとス
タンバイモードとなり、また「L−1に設定するとアク
ティブモードとなる。
If the mode setting flag [L is set to FL=O, for example, the mode becomes standby mode, and if it is set to "L-1", the mode becomes active mode.

FL=Oとなるスタンバイモードにあっては、第1図(
b)に示すように、上位装置10からメモリアクセスA
sとリート命令RDのアクセス制御を受けたときに、メ
モリアクセス制御部14はメモリ12に対するチップセ
レクトC8とリードイネーブルOEをオンし、その結果
、上位クロックを越えるアクセス時門下1後にリードデ
ータが出力され1.アクセス時間T1か長いことから上
位装置10はウェイト動作を行なう。
In standby mode where FL=O, as shown in Figure 1 (
As shown in b), memory access A from the host device 10
When receiving the access control of s and the read command RD, the memory access control unit 14 turns on the chip select C8 and read enable OE for the memory 12, and as a result, read data is output after 1 when the upper clock is accessed. 1. Since the access time T1 is long, the host device 10 performs a wait operation.

一方、FL=1となるアクティブモートにあっては、第
1図(C)に示すように、メモリ12に対するチップセ
レクトC8は常時オン状態に置かれている。
On the other hand, in the active mode where FL=1, as shown in FIG. 1(C), the chip select C8 for the memory 12 is always on.

この状態で上位装置10からメモリアクセスAS及びリ
ード命令RDによるアクセス制御を受けると、メモリア
クセス制御部14はメモリに12に対するリートイネー
ブルOEのみをオンし、スタンバイモードのアクセス時
門下1に対し短いアクセス時門下2でリードデータが出
力され、アクセス時間は上位クロック内に収まることか
ら、上位装置10のウェイト動作は不要となる。
In this state, when receiving access control by the memory access AS and read command RD from the host device 10, the memory access control unit 14 turns on only the read enable OE for the memory 12, and accesses the subordinate 1 for a short time when accessing in standby mode. Since the read data is outputted by the timer 2 and the access time is within the upper clock, the wait operation of the host device 10 is not necessary.

[作用] このような本発明のメモリアクセス制御方式にあっては
、使用頻度の高いメモリに対してはモード設定フラグの
セットによりアクティブモードを設定することで高速ア
クセスを可能とし、一方、使用頻度の低いメモリに対し
てはモード設定フラグのリセットによりスタンバイモー
ドを設定することで消費電力を低減させ、プロセッサの
性能向上と低消費電力化の両立を図った最適なメモリア
クセス制御ができる。
[Function] In the memory access control method of the present invention, high-speed access is possible by setting the active mode to the frequently used memory by setting the mode setting flag; For memory with low power consumption, power consumption can be reduced by setting the standby mode by resetting the mode setting flag, and optimal memory access control can be performed to achieve both improved processor performance and lower power consumption.

[実施例] 第2図は本発明の一実施例を示した実施例構成図である
[Embodiment] FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.

第2図において、10aは上位装置としてのプロセッサ
であり、プロセッサ10aに対してはこの実施例におっ
ては、アドレスバス24及びデータバス26を介して3
台のメモリ12a、12b。
In FIG. 2, 10a is a processor as a host device, and in this embodiment, the processor 10a is connected to three
memories 12a, 12b.

12Cか接続される。メモリ12a〜12cは例えばメ
モリ12aがプロセッサ10aの制御プログラムを固定
的に格納したROM (この場合、12aのWE大入力
不要となる)、メモリ12b。
12C is connected. The memories 12a to 12c include, for example, the memory 12a is a ROM in which the control program for the processor 10a is fixedly stored (in this case, the large WE input of 12a is unnecessary), and the memory 12b.

12cが処理データを一時的に記憶するRAMとなる。12c is a RAM that temporarily stores processing data.

プロセッサ10aによるアクセス制御を受けてメモリ1
2a〜12Gをリードアクセス又はライトアクセスする
ため、メモリアクセス制御部14が設けられる。
Memory 1 under access control by processor 10a
A memory access control unit 14 is provided to perform read access or write access to 2a to 12G.

本発明のメモリアクセス制御部14は第1のアクセス時
間T1をもつスタンバイモードの制御入力をメモリに設
定する機能と、第1のアクセス時門下1より短い第2の
アクセス時間T2をもつアクティブモードの制御入力を
メモリに設定する機能を有する。
The memory access control unit 14 of the present invention has a function of setting a control input in the memory in a standby mode having a first access time T1, and a function in an active mode having a second access time T2 shorter than that of the subordinate 1 at the time of the first access. It has a function to set control input in memory.

即ち、メモリアクセス制御部14はプロセッサ10aと
の入出力接続を行なう入出力部16と、メモリ12a〜
12Gに対応して設【プた制御部20a、20b、20
Gを有する。入出力部16に対してはプロセッサ10a
よりメモリアクセスAS、リード命令RD、ライト命令
WRが入力され、入出力部16からはプロセッサ10a
に対しウェイト動作を行なわせるためのREADY信号
が出力される。一方、制御部20a〜20cは、例えば
メモリ12aに対応して設けられ、制御部20aを例に
とると、メモリ12aに対しチップセレクトO8、リー
ドイネーブル(出力イネーブル〉OE、及びライトイネ
ーブルWEの制御入力を設定する機能を有する。
That is, the memory access control unit 14 includes an input/output unit 16 that performs input/output connections with the processor 10a, and the memories 12a to 12a.
Control units 20a, 20b, 20 designed in accordance with 12G
It has G. For the input/output unit 16, a processor 10a
A memory access AS, a read command RD, and a write command WR are input from the input/output unit 16 to the processor 10a.
A READY signal is output for causing a wait operation to be performed. On the other hand, the control units 20a to 20c are provided corresponding to the memory 12a, for example. Taking the control unit 20a as an example, the control units 20a to 20c control chip select O8, read enable (output enable) OE, and write enable WE for the memory 12a. It has a function to set input.

制御部20a〜20Gのそれぞれに対しては、スタンバ
イモードとアクティブモードを切換えるためのフラグF
L1〜FL3のそれぞれを設定するフラグ設定部18a
、18b、18Cが設けられる。
A flag F for switching between standby mode and active mode is provided for each of the control units 20a to 20G.
Flag setting unit 18a that sets each of L1 to FL3
, 18b, and 18C are provided.

この実施例において、フラグ設定部188〜18Cに設
定されるモード設定フラグFL1〜FL3は、FL1〜
FL3=1のフラグセット状態でアクティブモードを設
定し、FL1〜FL3=0のフラグリセット状態でスタ
ンバイモードを設定する。
In this embodiment, mode setting flags FL1 to FL3 set in flag setting units 188 to 18C are FL1 to FL3.
The active mode is set in the flag set state of FL3=1, and the standby mode is set in the flag reset state of FL1 to FL3=0.

フラグ設定部188〜18Cに対するフラグのセット/
リセットは、メモリ12a〜12Cの使用頻度に基づい
て予め固定的に設定する。例えば、メモリ12a〜12
Cのうち、プロセッサ10aの制御プログラムを格納し
たメモリ12a(ROM)は使用頻度が高いことがらF
L1=1としてアクセス時間の短いアクティブモードを
設定し、RAMでなるメモリ12b、12cについては
FL2=FL3−○としてスタンバイモードを設定する
Setting flags for flag setting units 188 to 18C/
The reset is fixedly set in advance based on the frequency of use of the memories 12a to 12C. For example, memories 12a to 12
Of C, the memory 12a (ROM) that stores the control program for the processor 10a is frequently used, so it is
An active mode with a short access time is set by setting L1=1, and a standby mode is set by setting FL2=FL3-○ for the memories 12b and 12c made of RAM.

尚、フラグ設定部188〜18Gに対するモード設定フ
ラグFL1〜FL3の設定は、予め固定的に設定する他
に、例えばプロセッサ10aでメモリ12a〜12cの
使用頻度を監視し、プロセッサ10aからの制御で使用
頻度の高いメモリについてはアクティブモード、使用頻
度の低いメモリについてはスタンバイモードを設定する
ようにしてもよい。
The mode setting flags FL1 to FL3 for the flag setting units 188 to 18G may be set in a fixed manner in advance, or may be set by, for example, monitoring the usage frequency of the memories 12a to 12c in the processor 10a, and using them under control from the processor 10a. An active mode may be set for frequently used memory, and a standby mode may be set for less frequently used memory.

更に、メモリアクセス制御部14に設けた制御−12= 部20a〜20Cに対しては、アドレスデコーダ22で
解読されたデコード出力が与えられる。
Furthermore, the decoded output decoded by the address decoder 22 is given to the control units 20a to 20C provided in the memory access control unit 14.

従って、制御部20a〜20Cは、プロセッサ10aか
らのアクセス制御入力、即ちメモリアクセスASとリー
ド命令RD又はライト命令WR、アドレスデコーダ22
のデコーダ出力とに基づいてモード設定フラグで設定さ
れたスタンバイ又はアクティブモードに基づくメモリに
対する制御入力、即ちチップセレクトC8とリードイネ
ーブルOE又はライトイネーブルWEを決めるようにな
る。
Therefore, the control units 20a to 20C receive access control inputs from the processor 10a, that is, memory access AS, read command RD or write command WR, and address decoder 22.
Control inputs for the memory based on the standby or active mode set by the mode setting flag, ie, chip select C8 and read enable OE or write enable WE, are determined based on the decoder output.

メモリアクセス制御部14からメモリ12a〜12Gに
設定される制御入力をスタンバイモードとアクティブモ
ードに分けて説明すると次のようになる。
The control inputs set from the memory access control unit 14 to the memories 12a to 12G will be explained separately in standby mode and active mode as follows.

[スタンバイモード;FL=1] プロセッサ10aからアクセス制御入力を受けていない
状態でチップセレクトC81リードイネーブルOE及び
ライトイネーブルWEは全てオフとなっている。例えば
、プロセッサ10aよりリ一ドアクセスのためメモリア
クセスASとリード命令RDの制御入力を受けると、メ
モリに対するチップセレクトO8とり一ドイネーブルO
Eを同時にオンする。勿論、ライトアクセスであればチ
ップセレクトC8とライトイネーブルWEを同時にオン
する。
[Standby mode; FL=1] The chip select C81 read enable OE and write enable WE are all off when no access control input is received from the processor 10a. For example, when receiving control inputs of memory access AS and read command RD for read access from the processor 10a, chip select O8 and read enable O for the memory are received.
Turn on E at the same time. Of course, for write access, chip select C8 and write enable WE are turned on at the same time.

[アクティブモード;FL−1] プロセッサ10aからのアクセス制御入力の有無に係わ
らず、メモリに対するチップセレクトC8は常時オン状
態におかれる。例えば、リードアクセスのため、プロセ
ッサ10aよりメモリアクセスASとリード命令RDの
制御入力を受けるとメモリに対するリードイネーブルO
Eのみをオンする。勿論、ライトアクセスであればライ
トイネーブルWEのみをオンする。
[Active mode; FL-1] Regardless of the presence or absence of access control input from the processor 10a, the chip select C8 for the memory is always turned on. For example, when a control input of memory access AS and read command RD is received from the processor 10a for read access, read enable O for the memory is received.
Turn on only E. Of course, if it is a write access, only the write enable WE is turned on.

第3図は第2図の実施例におけるメモリアクセス制御部
14の一実施例を1つのメモリに対する制御部を取り出
して示した回路構成図である。
FIG. 3 is a circuit configuration diagram showing one embodiment of the memory access control section 14 in the embodiment of FIG. 2, with a control section for one memory taken out.

第3図において、メモリアクセス制御部14はアドレス
デコーダ22のデコード出力DECとプロセツサ10a
からのメモリアクセスASを入力したANDゲート28
を有し、ANDゲート28の出力をORゲート30の一
方に人力している。
In FIG. 3, the memory access control unit 14 outputs the decode output DEC of the address decoder 22 and the processor 10a.
AND gate 28 which inputs the memory access AS from
The output of the AND gate 28 is input to one side of the OR gate 30.

このORグー1〜30の出力がメモリに対するチップセ
レクトC8となる。
The output of these ORGs 1 to 30 becomes the chip select C8 for the memory.

一方、フラグ設定部としてフリップフロップ18が設け
られ、FL=Oとなるスタンバイモードの状態でフリッ
プフロップ18はリセット状態におかれて出力rOJを
生じており、一方、FL−1となるアクティブモードの
設定状態にあっては、セット状態となって出力「1」を
生ずる。フラグ設定部としてのフリップ70ツブ1Bの
出力はORゲート30の他方に入力されている。
On the other hand, a flip-flop 18 is provided as a flag setting section, and in a standby mode state where FL=O, the flip-flop 18 is placed in a reset state and produces an output rOJ, and on the other hand, in an active mode state where FL=0. In the set state, it is in the set state and produces an output "1". The output of the flip 70 block 1B serving as a flag setting section is input to the other of the OR gates 30.

従って、ANDゲート28、ORゲート30及びフリッ
プフロップ18によってメモリに対するチップセレクト
C8のオン、オフ状態か決まる。
Therefore, the ON or OFF state of chip select C8 for the memory is determined by AND gate 28, OR gate 30, and flip-flop 18.

ここで、ANDゲート28、ORゲート30及びフリッ
プフロップ18によるチップセレクトC8の出力状態を
まとめると、アクティブモードにあっては次表−1のよ
うになり、またスタンバイモードにあっては次表−2の
ようになる。
Here, the output states of the chip select C8 by the AND gate 28, OR gate 30, and flip-flop 18 are summarized as shown in the following table-1 in active mode, and as shown in the following table-1 in standby mode. It will be like 2.

尚、前記表−1,2におけるタイミング■〜■は後の説
明で明らかにする第4図の動作タイミング説明図に対応
する。
Incidentally, the timings ① to ② in Tables 1 and 2 above correspond to the operation timing explanatory diagram of FIG. 4, which will be explained later.

更に、メモリアクセス制御部14にはメモリ(二対しリ
ードイネーブルOEを出力するANDゲート32と、ラ
イトイネーブWEを出力するANDゲート34が設けら
れる。ANDゲート32にはプロセッサ10aからのリ
ード命令RDとANDゲート28の出力が入力される。
Furthermore, the memory access control unit 14 is provided with an AND gate 32 that outputs a read enable OE and an AND gate 34 that outputs a write enable WE. The output of AND gate 28 is input.

また、ANDゲート34にはプロセッサ10aからのラ
イト命令WRとANDゲート28の出力が入力される。
Further, the write command WR from the processor 10a and the output of the AND gate 28 are input to the AND gate 34.

プロセッサ10aに対するREADY信号はANDゲー
ト36,38、ORゲート40.インバータ42及びプ
レイ回路44でなる回路部で作り出される。
The READY signal to processor 10a is provided by AND gates 36, 38, OR gates 40 . It is created by a circuit section consisting of an inverter 42 and a play circuit 44.

即ち、ANDゲート36の一方の入力にはANDゲート
28の出力が接続され、他方の入力にはフリップフロッ
プ18の出力が接続される。このためANDゲート36
はフリップフロップ18のセットによるアクティブモー
ドの設定状態で許容状態となり、プロセッサ10aから
メモリアクセスASを受けたときのANDゲート28の
出力「1」を受けて、ANDゲート36の出力が「1」
となり、ORゲート40を介してREADY信号として
プロセッサ10aに出力し、この「1」となるREAD
Y信号を受けたプロセッサ10aはウェイト動作を行な
わないようになる。
That is, one input of the AND gate 36 is connected to the output of the AND gate 28, and the other input is connected to the output of the flip-flop 18. For this reason, AND gate 36
is in an allowable state in the active mode setting state by setting the flip-flop 18, and in response to the output "1" of the AND gate 28 when memory access AS is received from the processor 10a, the output of the AND gate 36 becomes "1".
is output to the processor 10a as a READY signal via the OR gate 40, and the READ signal becomes "1".
The processor 10a that receives the Y signal no longer performs a wait operation.

ANDゲート38の一方の入力にはプレイ回路44で遅
延されたANDゲート28の出力が接続され、ANDゲ
ート3Bの他方の入力にはインバータ42で反転された
フリップフロップ18の出力が接続される。このためA
NDゲート38はフリップフロップ1Bをセット状態と
したアクティブモードのとき禁止状態に置かれ、フリッ
プフロップ18をリセットしたスタンバイモードの状態
で許容状態に置かれる。この許容状態でプロセッサ10
aからのメモリアクセスASを受けたANDゲート28
が出力「1」を生ずると、遅延回路44で所定時間遅延
した後に許容状態にあるANDゲート38に与えられ、
ORゲート40を介してプロセッサ10aに対し「1」
となるREADY信号を出力する。この「1」となるR
EADY信号はプレイ回路44により遅延されているこ
とから、READY信号か「1jに立ち上がるまでプロ
セッサ10aはウェイト動作を行なうようになる。
The output of the AND gate 28 delayed by the play circuit 44 is connected to one input of the AND gate 38, and the output of the flip-flop 18 inverted by the inverter 42 is connected to the other input of the AND gate 3B. For this reason A
The ND gate 38 is placed in a disabled state in an active mode with the flip-flop 1B set, and enabled in a standby mode with the flip-flop 18 reset. In this permissive state, the processor 10
AND gate 28 receives memory access AS from a
When the output "1" is generated, after being delayed for a predetermined time by the delay circuit 44, it is applied to the AND gate 38 which is in the permissive state.
“1” to the processor 10a via the OR gate 40
A READY signal is output. This “1” is R
Since the EADY signal is delayed by the play circuit 44, the processor 10a performs a wait operation until the READY signal rises to 1j.

尚、第3図の実施例において、モード設定フラグFLを
設定するフリップフロップ18に対しては外部よりフラ
グセット/リセット信号を与えるようにしているが、前
述したように予めセット又はリセット状態としても良い
し、プロセッサ10aにおけるメモリの使用頻度に基づ
いてプロセッサ10aからの信号によりフリップフロッ
プ18のセット、リセットを制御するようにしても良い
In the embodiment shown in FIG. 3, a flag set/reset signal is externally applied to the flip-flop 18 for setting the mode setting flag FL, but as described above, it can also be set or reset in advance. Alternatively, the setting and resetting of the flip-flop 18 may be controlled by a signal from the processor 10a based on the memory use frequency in the processor 10a.

次に、第4図の動作タイミング説明図を参照して第2,
3図の実施例の動作を説明する。
Next, referring to the operation timing explanatory diagram of FIG.
The operation of the embodiment shown in FIG. 3 will be explained.

今、第3図のノリツブ70ツブ18がセラ1へ状態とな
るFL=1のアクティブモードにあっては、第4図(a
)に示す動作が行なわれる。
Now, in the active mode of FL=1 in which the knob 70 knob 18 in FIG.
) is performed.

第4図(a)において、まず、第3図に示したフリップ
フロップ1BはFL=1となるアクティブモードにより
セット状態にあるため、フリップフロップ18からOR
グー1〜30に対する出力は「1」となっており、OR
ゲート30の出力として例えば第2図のメモリ12aに
与えられるチップセレクトO8は「1」となる常時オン
状態に保たれている。
In FIG. 4(a), first, since the flip-flop 1B shown in FIG. 3 is in the set state due to the active mode where FL=1, the OR
The output for goo 1 to 30 is "1", and OR
Chip select O8, which is applied to, for example, the memory 12a in FIG. 2 as an output of the gate 30, is always kept on at "1".

このようなチップセレクトO8のオン状態でプロセッサ
10aかリードアクセスをメモリ12aに対して発行す
ると、プロセッサクロックの立ち下がりに続いてアドレ
スバス24を通じてメモリ12aに対しアドレスデータ
が出力され、このアドレスデータはアドレスデコーダ2
2で解読され、第3図のANDゲート28に対するDE
C出力か「1」に立ち上がる。
When the processor 10a issues a read access to the memory 12a while the chip select O8 is on, address data is output to the memory 12a via the address bus 24 following the fall of the processor clock, and this address data is address decoder 2
2 and DE to AND gate 28 in FIG.
C output rises to "1".

続いて、プロセッサクロックの立ち上がりに同期してプ
ロセッサ10aはメモリアクセス制御部14に対しメモ
リアクセスAsとリード命令RDを発行する。
Subsequently, the processor 10a issues a memory access As and a read command RD to the memory access control unit 14 in synchronization with the rise of the processor clock.

プロセッサ10aからのリードアクセスASは第3図の
ANDゲート28に入力され、ANDゲート28の出力
かrlJとなる。このときORグー1〜30の入力は(
1,1>となることから、チップセレクトC8はオン状
態に保たれる。同時にANDゲート28の出力「1」に
よりANDゲート32.34が許容状態となる。プロセ
ッサ10aはメモリアクセスASと同時にリード命令R
Dを発行することから、ANDゲート28の出力「1」
により許容状態となったANDゲート32の出力が11
」となり、メモリ12aに対するリードイネーブルOE
がオンする。
Read access AS from processor 10a is input to AND gate 28 in FIG. 3, and the output of AND gate 28 becomes rlJ. At this time, the input for ORgu 1 to 30 is (
1, 1>, the chip select C8 is kept in the on state. At the same time, the output "1" of the AND gate 28 causes the AND gates 32 and 34 to enter the allowable state. The processor 10a issues a read command R at the same time as the memory access AS.
Since D is issued, the output of the AND gate 28 is "1".
The output of the AND gate 32, which is now in the permissible state, is 11.
”, and the read enable OE for the memory 12a is
turns on.

このようにチップセレクトC8が常時オンした状態でリ
ードイネーブルOEがオンすると、メモリ12aはプロ
セッサクロックの立ち上がり周期、例えば200nsの
時間内となるアクセス時門下2=80ns後にリードデ
ータの出力を開始し、データバス26を介してプロセッ
サ10aにり一ドデータを送る。
When the read enable OE is turned on with the chip select C8 always on, the memory 12a starts outputting read data after access time 2 = 80 ns, which is within the rising cycle of the processor clock, for example, 200 ns. Direct data is sent to the processor 10a via the data bus 26.

プロセッサ10aはメモリアクセス△Sの立ち上がり後
、次のプロセッサクロックの立下がりにて、例えばセッ
トアツプタイム80nsを要求してデータを取込むため
、メモリアクセスASから120nS以前にリードデー
タが入力されていなければならない。その結果、第4図
(a)に示すアクティブモードにあっては、メモリアク
セスの立ち上がりから丁2−80nsでリートデータが
= 21 − 出力されていることから、プロセッサ10aにはプロセ
ッサクロックの立ち下がりからセットアツプタイム80
ns以前にリードデータが入力されており、その結果、
プロセッサ10aはメモリアクセスAsをオンした後の
プロセッサクロックの立ら下がりでリードデータをラッ
チすることができる。
After the rise of memory access ΔS, the processor 10a requests a set-up time of, for example, 80 ns to read data at the fall of the next processor clock, so read data must be input from memory access AS before 120 ns. Must be. As a result, in the active mode shown in FIG. 4(a), since the read data is output = 21 - 80 ns after the rise of the memory access, the processor 10a receives the fall of the processor clock. Set up time from 80
Lead data was entered before ns, and as a result,
The processor 10a can latch read data at the falling edge of the processor clock after turning on memory access As.

一方、プロセッサ10aに対するREADY信号は、フ
リップフロップ18の出力「1」によりANDグー1〜
36か許容状態にあり、一方、ANDゲート38は禁止
状態にあるため、ANDゲート28がメモリアクセスA
Sにより出力「1」を生じたときにREADY信号かオ
ンし、この結果、プロセッサ10aはウェイト動作を行
なわずに次のクロックの立ち下かりてリードデータをラ
ッチするようになる。
On the other hand, the READY signal to the processor 10a is output by the output "1" of the flip-flop 18.
36 is in the allowable state, while AND gate 38 is in the inhibited state, so AND gate 28 accesses memory access A.
When the output "1" is generated by S, the READY signal is turned on, and as a result, the processor 10a latches the read data at the falling edge of the next clock without performing a wait operation.

次に、スタンバイモードによる動作を第4図(b)を参
照して説明する。
Next, the operation in standby mode will be explained with reference to FIG. 4(b).

第4図(b)において、プロセッサ10aが例えば12
aに対しリードアクセスを発行すると、= 22− プロセッサクロックの立ち下がりに続いてアドレスデー
タが出力され、次のプロセッサクロックの立ち上がりに
同期してメモリアクセスAsとリード命令RDがメモリ
アクセス制御部14に出力される。
In FIG. 4(b), the processor 10a is, for example, 12
When a read access is issued to a, address data is output following the fall of the processor clock, and memory access As and read command RD are sent to the memory access control unit 14 in synchronization with the rise of the next processor clock. Output.

このとき、スタンバイモードであることから第3図のフ
リップフロップ18はリセット状態におかれて出力rO
Jとなってあり、メモリアクセスASが発行されるまで
ORゲート3oの出力はrOJとなってメモリ12aに
対するチップセレクトO8をオフとしている。
At this time, since it is in standby mode, the flip-flop 18 in FIG. 3 is placed in a reset state and the output rO
J, and until memory access AS is issued, the output of OR gate 3o becomes rOJ, turning off chip select O8 for memory 12a.

プロセッサ10aよりメモリアクセスΔSが発行される
と、ANDゲート28の出力が11」となり、ORゲー
ト30の出力も「1」となり、メモリ12aに対するチ
ップセレクトC8をオンする。同時にANDゲート32
の出力がプロセッサ10aからのリード命令RDの立ち
上がりにより「1ゴとなり、メモ1ノ12aに対するリ
ードイネーブルOEがオンする。
When the processor 10a issues the memory access ΔS, the output of the AND gate 28 becomes 11'', the output of the OR gate 30 also becomes 1, and the chip select C8 for the memory 12a is turned on. AND gate 32 at the same time
The output becomes "1" due to the rise of the read command RD from the processor 10a, and the read enable OE for the memo 1 12a is turned on.

このようにメモリ12aに対するチップセレク= 23
− 1−C8及びリードイネーブルOFがオンすると、メモ
リ12aはアクセス時間T1−20Qns後にリードデ
ータを出力するようになる。即ち、メモリ12aの性能
としてチップセレクトCSオンからのアクセス時間T1
は最小でも150nSでアリ、第4図(b)にあっては
T1=200nSとしてリートアクセスが開始された状
態を示している。
In this way, chip select for memory 12a = 23
- When 1-C8 and read enable OF are turned on, the memory 12a begins to output read data after an access time of T1-20Qns. That is, as the performance of the memory 12a, the access time T1 from chip select CS on
is 150 nS at the minimum, and FIG. 4(b) shows a state in which the REET access is started with T1=200 nS.

一方、プロセッサ10aに対し出力されるREADY信
号は、第3図において、フリップフロップ18の出力か
「O」であることからANDゲート38か許容状態にお
かれ、メモリアクセスASに基づいて得られたANDゲ
ート28の出力[1」はプレイ回路44で例えばプロセ
ッサクロックの立ち上かり周期20onsを越える時間
遅延され、プロセッサクロックか立ち下がるタイミング
で「1]となるREADY−信号が得られていないため
、プロセッサ10aはウェイト動作に入る。
On the other hand, the READY signal output to the processor 10a is output from the flip-flop 18 in FIG. The output [1] of the AND gate 28 is delayed by the play circuit 44, for example, by a time exceeding 20 ounces of the rising cycle of the processor clock, and the READY- signal that becomes "1" at the falling timing of the processor clock is not obtained. Processor 10a enters a wait operation.

このプロセッサ10aのウェイト状態でチップセレク1
−〇Sのオンからアクセス時量子1−200nsを経過
したときにメモリ12aからリードデータの出力が開始
され、ウェイト後のプロセッサクロックの立ち下がりで
プロセッサ10aはリードデータをラッチするようにな
る。
Chip select 1 is selected in the wait state of this processor 10a.
The output of read data from the memory 12a is started when 1-200 ns has elapsed during access from the ON of -0S, and the processor 10a starts to latch the read data at the fall of the processor clock after waiting.

尚、上記の動作説明はリードアクセスを例にとるもので
あったが、ライトアクセスについてもモード設定フラグ
FLの状態に応じてアクティブモード又はスタンバイモ
ードによるアクセス制御を同様に行なうことができる。
It should be noted that although the above description of the operation took read access as an example, access control can be similarly performed for write access using active mode or standby mode depending on the state of the mode setting flag FL.

[発明の効果] 以上説明してきたように本発明によれば、使用頻度の高
いメモリについてはモード設定フラグのセットにより消
費電力は大きいが、アクセス時間の短いアクティブモー
ドを設定し、使用頻度の少ないメモリについてはモード
設定フラグのリセットによりアクセス時間は長いが消費
電力の少ないスタンバイモードを設定することで、メモ
リの使用頻度に応じてプロセッサの性能向上と低消費電
力化の両立を図った最適なアクセス制御を実現す−25
= ることができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, by setting the mode setting flag for frequently used memory, an active mode with high power consumption but short access time is set, and memory that is used less frequently For memory, by resetting the mode setting flag, a standby mode with long access time but low power consumption can be set, allowing optimal access to improve processor performance and reduce power consumption depending on the frequency of memory use. Achieving control-25
= Can be done.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の原理説明図: 第2図は本発明の一実施例を示した実施例構成図;第3
図はメモリアクセス制御部の回路構成図;第4図はメモ
リアクセスの動作タイミング説明図である。 図中、 10:上位装置 10a:プロセッサ 12.12a〜12c:メモリ 14:メモリアクセス制御部 16:入出力部 18a〜18c:フラグ設定部 18:フリップフロップ 20a〜20b :制御部 22ニアドレスデコーダ 24ニアドレスバス 26:データバス 28.32.34,36.38二△NDゲート30.4
0:ORゲート 42:インバータ 44:デレイ回路 i−、−−−rl−i /f−45日月ッ。 第 (cl 娘工1該咋図 1図 メ干すリードQE    i−一二−−−]−−−−−
−」−m−:   :   ″   : l      11 FL=1;アクティブ干−ド (a) メ干すアクセスd 第 FL=O;スタフハ゛イ干−ド fb) ?刀イ乍タイ三フグeL口月m 4図
Fig. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention; Fig. 2 is an embodiment configuration diagram showing one embodiment of the present invention; Fig. 3
The figure is a circuit configuration diagram of a memory access control section; FIG. 4 is an explanatory diagram of memory access operation timing. In the figure, 10: Host device 10a: Processor 12.12a to 12c: Memory 14: Memory access control section 16: Input/output section 18a to 18c: Flag setting section 18: Flip-flop 20a to 20b: Control section 22 Near address decoder 24 Near address bus 26: data bus 28.32.34, 36.38 two △ND gates 30.4
0: OR gate 42: Inverter 44: Delay circuit i-, ---rl-i /f-45 day/month. No. (cl Daughter 1 The 1st figure drying lead QE i-12---]------
-''-m-: : '': l 11 FL=1;Active drying (a) Me drying access d th FL=O;Staff high drying fb) ?Katai 乍 Thai three blowfish eL mouth moon m 4th figure

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)上位装置(10)と、該上位装置(10)により
アクセスされるメモリ(12)と、第1のアクセス時間
(T1)をもつスタンバイモードの制御入力を前記メモ
リ(12)に設定する機能と第1のアクセス時間(T1
)より短い第2のアクセス時間(T2)をもつアクティ
ブモードの制御入力を前記メモリ(12)に設定する機
能を備えたメモリアクセス制御部(14)とを有し、 該メモリアクセス制御部(14)に前記スタンバイモー
ドとアクティブモードを切換設定するモード設定フラグ
(FL)を設け、前記上位装置(10)からアクセス制
御を受けた時に前記モード設定フラグ(FL)の設定状
態に応じた前記スタンバイモード又はアクティブモード
による制御入力を前記メモリ(12)に設定することを
特徴とするメモリアクセス制御方式。
(1) A host device (10), a memory (12) accessed by the host device (10), and a standby mode control input having a first access time (T1) are set in the memory (12). Function and first access time (T1
), the memory access control unit (14) having a function of setting an active mode control input having a shorter second access time (T2) in the memory (12); ) is provided with a mode setting flag (FL) for switching between the standby mode and the active mode, and when receiving access control from the host device (10), the standby mode is set according to the setting state of the mode setting flag (FL). Alternatively, a memory access control method characterized in that a control input according to an active mode is set in the memory (12).
(2)前記メモリアクセス制御部(14)は、スタンバ
イモードの設定状態では前記上位装置(10)からアク
セス制御を受けた時に前記メモリ(12)に対するチッ
プセレクト(CS)とリードイネーブル(OE)又はラ
イトイネーブル(WE)をオンし、一方、アクティブモ
ードの設定状態では前記メモリ(12)に対するメモリ
アクセス入力(CS)を常時オン状態とし、上位装置(
10)からアクセス制御を受けた時にリードイネーブル
(OE)又はライトイネーブ(WE)をオンすることを
特徴とする請求項1記載のメモリアクセス制御方式。
(2) In the standby mode setting state, the memory access control unit (14) performs chip select (CS) and read enable (OE) for the memory (12) when receiving access control from the host device (10). The write enable (WE) is turned on, while in the active mode setting state, the memory access input (CS) for the memory (12) is always turned on, and the host device (
10. The memory access control system according to claim 1, wherein a read enable (OE) or a write enable (WE) is turned on when receiving access control from the memory access control system 10).
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