JPH01258658A - イミド類の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、置換基を有してもよい脂環式炭化水素、芳香
族炭化水素又は複素環式炭化水素の環上に少なくとも２
個の隣接する同一でも異なってもよいノ・ロゲン原子を
有する有機ノ・ロゲン化物を、パラジウム化合物及びホ
スフィン化合物を触媒とし、塩基の存在下、一酸化炭素
及び有機ハロゲン化物の環上の隣接する一対の７・ロゲ
ン原子に対して等モル乃至２倍モル未満の量のアミン類
と反応させることを特徴とするイミド類の製造法に関す
るものであシ、更に詳しくは、 一般式（転）。

Ｒ’−（Ｙ）ＩＴＩ　　　　　　　　　　　ＧＶ）（式
中、Ｒ１は置換基を有してもよい脂環式炭化水素基、芳
香族炭化水素基又は複素環式炭化水素基を示し、Ｙは同
一でも異なってもよい・・ロゲン原子を示し、ｍは２以
上の整数を示す。）で表される有機ハロゲン化物をパラ
ジウム化合物及びホスフィン化合物を触媒とし、塩基の
存在下、一酸化炭素及び有機ノ・ロゲン化物の壇上の隣
接する一対のハロゲン原子に対して等モル乃至２倍モル
未満の量の一般式（Ｖ）：Ｒ２ＮＨ，（ｖ） （式中、Ｒ２は水素原子、置換基を有してもよく、脂肪
族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は複素環式炭化水素
基を示す。）で表されるアミン類と反応させることを特
徴とする一般式（ロ）：（式中、］％ｌ　、　Ｒ２は前
記に同じ。）で表されるイミド類の製造法に関するもの
である。

本発明の製造法により得られるイミド類は、それ自体農
薬、医薬、その他化学品及びこれらの中間体として有用
な化合物であり、本発明はこれらの化合物の新規な製造
法を提供するものである。

従来、イミド類の製造法としては、酸無水物又は二塩基
酸とアミン類との脱水縮合反応による方法が一般的に用
いられている。しかしながら、イミド類の原料化合物で
あるフタル酸やフタル酸無水物のように安価に工業原料
として入手できるものもあるが、一般的に工業原料とし
て入手し得る酸無水物又は二塩基酸の種類は限られてお
り、原料化合物として酸無水物又は二塩基酸等を使用せ
ず、工業原料として安価に入手し得る原料化合物からイ
ミド類の新規な製造法が望まれている。

本発明者等は上記の課題を解決すべく、有機ハロゲン化
物とアミン類との反応を鋭意研究を重ねた結果、文献に
未記載の新規な製造法を確立し本発明を完成させたもの
である。

本発明の製造法は原料化合物として、工業原料として安
価に入手することができ、しかも種類も豊富な有機ハロ
ゲン化物を使用することにより容易に各種のイミド類を
製造することができ、又従来法では製造できないイミド
類をも製造することができるものである。

本発明の反応を、例えば図式的に示すと下記の如く表す
ことができる。

Ｒ”ＮＨ，（Ｖ） （ロ） （式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｙ、及びｍは前記に同じ。）即ち
、一般式□□□で表される有機・・ロゲン化物を、パラ
ジウム化合物及び１種のホスフィン化合物を触媒として
、塩基の存在下、不活性溶媒の存在下着くは不存在下に
、一酸化炭素及び有機ハロゲン化物の環上の隣接する一
対のハロゲン原子に対して等モル乃至２倍モル未満の量
の一般式（７）で表されるアミン類と反応させることに
より、目的とする一般式（ロ）で表されるイミド類を製
造することができる。

本発明の製造法は、好ましくは、ホスフィン化合物とし
てトリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィン、
下記一般式（１）　、　（ＩＩ）又は面で表わされる化
合物から選択される１種のホスフィンを用いて行われる
。

一般式（Ｉ）： （Ｒ，ｌ、−Ｐ−Ｘ−Ｐ−（Ｆｔ）、　　　　　　　　
　（１）〔式中、Ｒはアルキル基又は置換基を有しても
よいフェニル基を示し、Ｘは炭素原子数１〜６のアルキ
レン基、 （ｔは２〜４の整数を示す。）又はビナフチル基を示。

〕 一般式（■）： （式中、Ｒは前記に同じ） 一数式＠）： （式中、ｎは１〜５の整数を示す。） また、本発明の製造法は、パラジウム化合物がパラジウ
ム金属、固体に担持された０価、２価若しくは４価の錯
体であるとき、特にパラジウム化合物がパラジウム−カ
ーボン、塩化パラジウム又は酢酸パラジウムであるとき
好ましく行われる。

本発明で用いる一般式（転）で表わされる有機ハロゲン
化物としては、置換基を有していてもよい脂環式炭化水
素、芳香族炭化水素又は複素環式炭化水素の環上に少な
くとも２個の隣接するハロゲン原子を有する有機ハロゲ
ン化物であればよく、又縮合環炭化水素及び縮合複素環
炭化水素をも包含するものであり、代表例を示すと例エ
バジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、テトラクロ
ロベンゼン、ペンタクロロベンゼン、ヘキサクロロベン
ゼン、ジクロロフルオロベンゼン、ジクロロジフルオロ
ベンゼン、ジクロロトリフルオロベンゼン、ジクロロテ
トラフルオロベンゼン、トリクロロフルオロベンゼン、
トリクロロジフルオロベンゼン、トリクロロトリフルオ
ロベンゼン、テトラクロロフルオロベンゼン、テトラク
ロロジフルオロベンゼン、ジクｏ　ｏ　トＩＪ　フルオ
ロメチルベンゼン、ジクロロジトリフルオロメチルベン
ゼン、ジクロロトルエン、トリクロロトルエン、テトラ
クロロトルエン、ペンタクロロトルエン、エチルジクロ
ルベンゼン、ジクロロクメン、ジクロロトリメチルベン
ゼン、ジクロロキシレン、トリクロロキシレン、テトラ
クロロキシレン、ジクロロフェノール、トリクロロフェ
ノール、ジクロアニソール、トリクロロアニソール、ジ
クロロジメトキシベンゼン、ジクロロトリメトキシベン
ゼン、ジクロロメチレンジオキシベンゼン、ジクロロフ
ェノキシフェノール、ジクロロベンゾイルフェノール、
ジクロロベンゼンスルホニルフェノール、ジクロロニト
ロベンゼン、ジクロロニトロベンゼン、ジクロロシアノ
ベンゼン、ジクロロフェニル酢酸エステル、Ｎ−アセチ
ルジクロロアニリン、ジクロロフェノキシアニリン、ジ
クロロベンゾイルアニリン、ジクロロベンゼンスルホニ
ルアニリン、ジクロロアセトフェノン、ジクロロベンゾ
フェノン、ジクロロメチルチオベンゼン、ジクロロ安息
香酸エステル、ジクロロジフェニルエーテル、ベンジル
オキシジクロロベンゼン、ジクロロフェニルブトキシベ
ンゼン、ジクロロジフェニルエーテル、ジクロロベンゾ
フェノン、ジクロ１２ジフエニルメタン、ジクロロジフ
ェニルジフルオロメタン、ジクロロジフェニルへキサフ
ルオロプロパン、ジクロロジフェニルスルフィド、ジク
ロロジフェニルスルフォキサイド、ジクロロジフェニル
スルホン、ジクロロビフェニル、テトラクロロジフェニ
ルエーテル、テトラクロロベンゾフェノン。

テトラクロロジフェニルメタン、テトラクロロジフェニ
ルジフルオロメタン、テトラクロロジフェニルへキサフ
ルオロプロパン、テトラクロロジフェニルスルフィド、
テトラクロロジフェニルスルフォキサイド、テトラクロ
ロジフェニルスルホン、テトラクロロビフェニル、ジク
ロロナフタレン、トリクロロナフタレン、テトラクロロ
ナフタレン、ジクロロメチルナフタレン、ジクロロアン
トラキノン等の芳香族有機ハロゲン化物、　１　、２−
　ジクロロシクロヘキセン等の脂環式有機ハロゲン化物
、ジクロロチオフェン、ジクロロフラン、ジクロロイン
ドール、ジクロロピリジン、ジクロロトリフルオロメチ
ルピリジン、ジクロロピコリン、ジクロロキノリン、ト
リクロロキノリン、ジクロロキノキサリン等の複素環有
機ハロゲン化物、更にはジブロモベンゼン、ショートベ
ンゼン、クロロブロモベンゼン、クロロヨードヘンセン
等モ使用スることができる。

有機ハロゲン化物は所定量使用すれば良く、又過剰に使
用して溶媒として使用することもできる。

本発明で使用する一般式（２）で表わされるアミン類と
しては、例えばアンモニア、メチルアミン、エチルアミ
ン等の脂肪族アミン類、エチレンジアミン、ジアミノプ
ロパン、ジアミノブタン、ジアミノペンタン、ジアミノ
ヘキサン、ジアミノへブタン、ジアミノオクタン、ジア
ミノデカン等の脂肪族ジアミン類、エチレンジアミン、
アミノプロパツール、アミノブタノール、アミノペンタ
ノール、アミノヘキサノール等の脂肪族アミノアルコー
ル類、アニリン、アルキルアニリン（トルイジン、ジエ
チルアニリン、ジイソプロピルアニリン）、ハロアニリ
ン（クロロアニリン、フルオロアニリン、シクロｏ７ニ
リン）、ハロアルキルアニリン（トリフルオロメチルア
ニリン、クロロトリフルオロメチルアニリン）、アルコ
キシアニリン（アニンジン、エトキシアニリン、インプ
ロポキシアニリン、トリフルオロメトキシアニリン）、
ベンジルアミ：／Ｃクロロベンジルアミン、フルオロベ
ンジルアミン）、ジアミノジフェニルエーテル、ジアミ
ノベンゾフェノン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミ
ノジフェニルスルフィド、ジアミノジフェニルスルホン
、アミノフェノキシフェノール、アミノヒドロキシベン
ゾフェノン１アミノヒドロキシジフエニルメタン、アミ
ノヒドロキシジフェニルスルフィド、アミンヒドロキシ
ジフェニルスルホン等の芳香族アミン類、アミノピリジ
ン、アミノトリアゾール、アミノイミダゾール、アミノ
チオフェン、アミノチアゾール、アミノフラン、アミノ
ベンズイミダゾール、アミノベンズチアゾール、アミノ
ベンズイミダゾール、アミノキノリン等の複素環アミン
類が挙げられる。

アミン類の反応量は有機ハロゲン化物の積上の隣接する
一対のハロゲン原子に対して等モル乃至２倍モル未満の
量の範囲で反応系内に存在すればよく、例えばオルソジ
クロロベンゼンの如く１対の頂上の隣接するノ・ロゲン
原子を有する有機ハロゲン化物であればオルソジクロロ
ベンゼンに対して等モル乃至２倍モル未満の量でよいが
、１，２，４．５−テトラクロロベンゼンの如く２対の
壌土の隣接する・・ロゲン原子を有す満の量を必要とす
る。

本発明で触媒として使用するパラジウム化合物は、ホス
フィ／化合物と組合せて使用すればよく、パラジウム化
合物と１−では、例えば金属パラジウム、パラジウムカ
ーボン、パラジウムアルミナ、塩化パラジウム、臭化パ
ラジウム、酢酸パラジウム、ジクロロビスシアノフェニ
ルパラジウム、ジクロロビストリフェニルホスフィンパ
ラジウム、テトラギストリフェニルホスフィンパラジウ
ム等を挙げることができる。

本発明でパラジウム化合物と組合せて使用できるトリア
ルキルホスフィン又はトリアリールホスフィンとしては
、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ
プロピルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、ト
リブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリバ
ラフルオロフェニルホスフィン、トリーペンタフルオロ
フェニルホスフィン、トリパラトリルホスフィン、トリ
オルソトリルホスフィン、トリオルソジメチルアミノフ
ェニルホスフィン、トリフエノキシホスフィン、ジメチ
ルフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、
ジペンタフルオロフェニルホスフィン等長ヒ、−般式（
１）で表わされるホスフィン化合物としては、例えば１
，１−ビス（ジメチルホスフィノ）メタン、１，１−ビ
ス（ジエチルホスフィノ）メタン、１．２−ビス（ジメ
チルホスフィノ）エタン、１゜２−ビス（ジエチルホス
フィノ）エタン、１，５−ビス（ジメチルホスフィノ）
プロパン、１，４−ビス（ジメチルホスフィノ）ブタン
等のビス（ジアルキルホスフィノ）アルカン類；ｊ、１
−ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１．２−ビス
（ジフェニルホスフィノ）エタン、１．３−ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）ブタン、１，５−ビス（ジフェニルホス
フィノ）ペンタン、１゜６−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）ヘキサン、２．３−０−インプロビリデン−２，５
−ジヒドロキシ−１，４−ビスジフェニルホスフィノブ
タン、ビスジフェニルホスフィノフエロセ／、ビスジフ
ェニルホスフィノビナフチル、１．２−ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）ベンゼン、α、α′−ビス（ジフェニル
ホスフィン）キシレン、（１，２−シクロペンタンジイ
ル（メチレン）〕ヒス（ジフェニルホスフィン）、［１
，２−シクロヘキサンジイル（メチレン）〕ビス（ジフ
ェニルホスフィン）等及び、一般式（Ｉｔ）で表わされ
るホスフィン化合物としては、例えばメチルジベンゾホ
スホール、エチルジベンゾホスホール、プロピルジベン
ゾホスホール、ブチルベンゾホスホール、ペンチルベン
ゾホスホール、フエニルジベンゾホスホール、トリルジ
ベンゾホスホール、アニシルジベンゾホスホール等及び
、一般式（２）で表わされるホスフィ／化合物としては
、例えば１．１−ビス（ジベンゾホスホリル）メタン、
１．２−ビス（ジベンゾホスホリル）エタン、１゜３−
ビス（ジベンゾホスホリル）フロパン、１゜４−ビス（
ジベンゾホスホリル）ブタン、１，５−ビス（ジベンゾ
ホスホリル）ペンタン等が挙げられる。

ホスフィン化合物の添加量はパラジウム化合物に対して
α０１〜１０，０００倍モル使用すればよく、好ましく
はα１〜１ｏ　ｏ　＃”＊用すればよい。

本発明で使用できる触媒でちるパラジウム化合物及びホ
スフィ／化合物は組み合わせて使用すればよく、又反応
系にそれぞれ単独で添加してもよく、予め錯体の形に調
製して添加してもよい。触媒の添加量は特に限定される
ものではないが、一般式ωで表される有機ハロゲン化物
１モルに対してα０００１倍モル乃至α５倍％＃＋７）
範囲で使用すればよく、好ましくはｌ１００１倍モル乃
至α１倍モルの範囲から選択すればよい。

本発明で使用できる塩基としては無機塩基又は有機塩基
から選択すればよく、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機塩基
、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピ
ルエチルアミン、トリイソオクチルアミン、ピリジン、
Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エ
チルモルホリン等の有機塩基を例示することができる。

使用する無機塩基又は有機塩基の量は、生成する塩化水
素を中和するのに必要な量を使用するのが好ましいが、
これより少なくてもよいし、多くてもよい。

本発明における反応は不活性溶媒の存在下又は不存在下
に反応を行えばよく、使用できる不活性溶媒としては本
反応を著しく阻害しないものであればよく、例えばヘキ
サン、ベンゼン、エーテル、テトラヒドロフラン、アセ
トニトリル、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホス
ホロトルアミド、アセトン等の不活性溶媒を挙げること
ができる。

本発明の反応は常圧乃至加圧下に行われ、−酸化炭素の
圧力は１乃至２００気圧の範囲から選択され、好ましく
は１〜５０気圧の範囲で行われる。

本発明の反応温度は通常１００℃乃至３００℃の範囲で
行われ、好ましくは１５０℃乃至２５０℃の範囲から選
択すればよい。

本発明で用いられる反応容器としては、通常用いられる
反応容器でよく、加圧反応の場合、反応圧力に耐えるも
のであればよく、通常金属製又はガラス製の反応容器が
用いられる。

反応時間は反応剤の量及び反応温度等によって一定しな
いが、反応が完結していれば↓く数分乃至４８時間の範
囲から選択される。

反応終了後、常法によって処理することにより目的とす
るイミド類を得ることができる。

以下に本発明の実施例を示すが本発明はこれらに限定さ
れるものではない。

実施例１　Ｎ−フェニルフタルイミドの製造＋＋ 金属製オートクレーブにオルソジクロロベンゼン（ａ８
４ｇ）、アニリン（１，８６ｇ）、塩化パラジウム（１
７，７１）ｖ）、１，４−ビスジフェニルホスフィノブ
タン（４２６ｔｔｑ　）、炭酸ナトリウム（２，３３ｇ
）、ベンゼン（２５ｍ）を入れ一酸化炭素で数回置換し
た後５０　Ｋｔｉ／ｃｓｎ”で充填し、塩浴で内温２０
０℃とし攪拌しつつ５時間反応させた。

反応後室温まで冷却し、反応液を水にあけ析出する結晶
を濾過水洗乾燥した。目的物であるＮ−７エニル７タル
イミドを１．５２　ｇ得た。

融点　２０６〜２０７℃ 実施例２　　Ｎ−（３−インプロポキシフェニル）金属
製オートクレーブにオルソジクロロベンゼン（１４７ｇ
）、メタイソプロボキシアニリ／（１，５ｇ）、塩化パ
ラジウム（１）６■）、１，４−ビスジフェニルホスフ
ィノブタン（１０６＊）、炭酸ナトリウム（４，２ｇ）
、ベンゼン（１５ｍｇ）を入れ一酸化炭素で数回置換し
た後５０　ｂ／ｃａｒ　”で充填し、塩浴で内温２００
℃とし攪拌しつつ５時間反応させた。

反応後室温まで冷却し、反応液を水にあけ析出する結晶
を濾過水洗乾燥した。目的物であるフタルイミド（ｍ／
　ｅ　　２８　ｆ　）をガスクロマトグラム面積百分率
で２５％得た。融点１０３〜４℃同様に１．２，４．５
−テトラクロロベンゼン（１，０８ｇ）、メタイソプロ
ポキシアニリン（１，５ｇ）から４，５−ジクロロ−Ｎ
−（３−イソプロポキシフェニル）フタルイミド（ｍ／
ｅ３４９）をガスクロマトグラフ面積百分率収率で１．
３チ得た。

実施例ｓ　　ｓ−メチル−Ｎ−フェニルフタルイミドリ
製造 金属製オートクレーブに３−メチル−１，２−ジクロロ
ベンゼン（６，４４ｇ）、アニリン（１，８６ｇ）、塩
化パラジウム（１７，７４）、１　、４−ビスジフェニ
ルホスフィノブタン（４２６ｘｑ）、炭酸ナトリウム（
４，２ｇ）、ベンゼン（２５−）を入れ一酸化炭素で数
回置換した後３０　Ｋｓ＋　／ｃｍ　”で充填し、塩浴
で内温２００℃とし攪拌しつつ５時間反応させた。

反応後室温まで冷却し、反応液を水にあけ析出する結晶
を濾過水洗乾燥した。目的物であるフタルイミドをα７
１ｇ得た。

融点　１３２〜１３４℃ 同様に４−メチル−１，２−ジクロロベンゼン１．６ｇ
、アニリン０．９３ｇから４−メチル−Ｎ−７エニル７
タルイミド（ｍ／ｅ　２　ｓ　ｙ　）が得られた。

実施例４３−メトキシ−Ｎ−７エニルフタルイミドの製
造 金属製オートクレーブに５−メトキシ−１，２−ジクロ
ロベンゼン（五５４ｇ）、７二＋）７（α９３ｇ）、塩
化パラジウム（ａ８＋＋ｖ）、１，４−ビスジフェニル
ホスフィノブタン（２１３ｎ；１　ン、炭酸ナトリウム
（２−１ｇ）、ベンゼン（１５ｍ／）を入れ一酸化炭素
で数回置換した後３０　Ｋ、ｙ／。２で充填し、塩浴で
内温２００℃とし攪拌しつつ５時間反応させた。

反応後室温まで冷却し、反応液を水にあけ析出する結晶
をい過水洗乾燥した。目的物であるフタルイミドをα５
０ｇ得た。

融点　１８５〜１８８℃ 実ｍ例５　　Ｎ−フェニル−４−トリフルオロメチルフ
タルイミドの製造 金属製オートクレーブに４−トリフルオロメチル−１，
２−ジクロロベンゼン（ａ６ｇ）、７ニリン（１，８６
ｇ）、塩化パラジウム（１）７■）、１゜４−ビスジフ
ェニルホスフィノブタン（４２６１）１Ｉ）、炭酸ナト
リウム（２，３３ｇ）、ベンゼン（２５７）を入れ一酸
化炭素で数回置換した後５０　Ｋ１７ｃｍ　”　で充填
し、塩浴で内温２００℃とし攪拌しつつ３時間反応させ
た。

反応後室温まで冷却し、反応液を水にあけ析出する結晶
を濾過水洗乾燥した。目的物であるフタルイミドを５８
６ｇ得た。

融点　１５３〜１５４．５℃ 実施ｆｌＪＡ　　Ｎ−２−ピリジルフタルイミドの製造 暦 金属製オートクレーブにオルソジブロモベンゼン（４，
７２ｇ）、２−アミノピリジン（０９４ｇ）、塩化パラ
ジウム（ａ８ｙ）、１．４−ビスジフェニルホスフィノ
ブタン（２１５岬）、炭酸ナトリウム（２，３３ｇ）、
ベンゼン（３０ｓｉｇ）を入れ一酸化炭素で数回置換し
た後２０Ｋｇ／６ｎ２で充填し、塩浴で内温１８０℃と
し攪拌しつつ３時間反応させた。

反応後室温まで冷却し、反応液を水にあけ析出する結晶
を濾過水洗乾燥した。目的物であるＮ−２−ピリジルフ
タルイミド（＋ｎ、ｚ’ｅ　　２２４）をガスクロマト
グラム面積百分率収率で１４．６％得た。　融点　２２
７〜２２８℃ 実施例７　　Ｎ−ｎ−へキシルフタルイミドの製造 金属製オートクレーブにオルソジブロモベンゼン（４，
７２ｇ）、ヘキシルアミン（１，０１ｇ）、塩化パラジ
ウム（＆８■）、１．４−ビスジフェニルホスフィノブ
タン（２１３■）、炭酸すｌ・リウム（２，３３ｇ）、
ベンゼン（３０ゴ）を入れ一酸化炭素で数回置換した後
２０　Ｋｙ／ｃｐｙｔ　”で充填し、塩浴で内温１８０
℃とし攪拌しつつ３時間反応させた。

反応後室温まで冷却し、反応液を水にあけ析出する結晶
を濾過水洗乾燥した。目的物であるＮ　−ｎ　−ヘキシ
ルフタルイミド（ｍ／ｅ　　２４２）を２．３５ｇ得た
。

同様にｎ−プロピルアミン０．５９ｇからＮ−ｎ−グロ
ビルフタルイミド（ｍ／ｅ　　１Ｂ？）α６３ｇ１ｎ−
ブチルアミンａ７３ｇからＮ　−ｎ−ブチルフタルイミ
ド（ｍ／ｅ　　２０５）１．１２ｇ、ｎ−オクチルアミ
ン１．５７　ｇからＮ−ｎ−オクチルアミンからＮ−ｎ
−オクチル７タルイミド（ｉ点５４〜５５℃）１．２４
ｇを得た。

実施例ａ　　Ｎ、Ｎ’−ジー（ｎ−ヘキシル）ピロメリ
ットイミ　ドの製造 ０り 金属製オートクレーブに１．２，４．５−テトラクロロ
ベンゼン（４ｊｇ）、ヘキシルアミン（２，０２ｇ）、
塩化パラジウム（１７，７１Ｐ）、１，４−ビスジフェ
ニルホスフィノブタン（４２６ｒｑ）　　、炭酸ナトリ
ウム（４，６６ｇ）、ベンゼン（３０ｔｎｌ）を入れ一
酸化炭素で数回置換した後４０Ｋｆ／ｃｒｎ！　で充填
し、塩浴２２０℃とし攪拌しつつ５時間反応させた。反
応後室温まで冷却し、反応液を水にあけ析出する結晶を
濾過水洗乾燥した。目的物であるイミド（ｍ／ｅ　　５
８４）を１．４６　ｇ得た。

融点　１９７〜１９９℃ 特許出願人　　日本農薬株式会社 ほか２名’Ｑ％’ｊ　”　’

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）置換基を有してもよい脂環式炭化水素、芳香族炭
   化水素又は複素環式炭化水素の環上に少なくとも２個の
   隣接する同一でも異なってもよいハロゲン原子を有する
   有機ハロゲン化物を、パラジウム化合物及びホスフィン
   化合物を触媒とし、塩基の存在下、一酸化炭素及び有機
   ハロゲン化物の環上の隣接する一対のハロゲン原子に対
   して等モル乃至２倍モル未満の量のアミン類と反応させ
   ることを特徴とするイミド類の製造法。
2. （２）ホスフィン化合物がトリアルキルホスフィン、ト
   リアリールホスフィン、下記一般式（ I ）（II）又は
   （III）で表わされる化合物から選択される１種のホス
   フィンである請求項第１項記載のイミド類の製造法。 一般式（ I ）： （Ｒ）＿２−Ｐ−Ｘ−Ｐ−（Ｒ）＿２（ I ）〔式中、
   Ｒはアルキル基又は置換基を有してもよいフェニル基を
   示し、Ｘは炭素原子数１〜６のアルキレン基、▲数式、
   化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼ （ｌは２〜４の整数を示す。）又はビナフチル基を示す
   。〕 一般式（II）： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒは前記に同じ） 一般式（III）： ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、ｎは１〜５の整数を示す。）
3. （３）パラジウム化合物がパラジウム金属、固体に担持
   された０価、２価若しくは４価の錯体である請求項第１
   項記載のイミド類の製造法。
4. （４）パラジウム化合物がパラジウム−カーボン、塩化
   パラジウム又は酢酸パラジウムである請求項第３項記載
   のイミド類の製造法。
5. （５）反応温度が１００〜３００℃である請求項第１項
   記載のイミド類の製造法。