JPH01258401A - サーミスタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、サーミスタ素子かばね端子により弾撥挟持さ
れた構造を備えるサーミスタ装置の改良に関する。

〔従来の技術〕

第２図に従来のサーミスタ装置の一例を示す。

ここでは、合成樹脂よりなるケース１内に例えばチタン
酸バリウム系の材料よりなるサーミスタ素子２が収納さ
れている。サーミスタ素子２の両生面には全面に渡りＮ
ｉよりなる電極３ａ、３ｂが形成されている。電ｉ３ａ
、３ｂの上には、さらに外周端縁を残してより小径のＡ
ｇよりなる電極４ａ、４ｂが形成されている。

銀よりなる電極４ａ、４ｂを外周縁に至る大きさに形成
した場合には、マイグレーションにより両生面間が短絡
する恐れがあるため、上記のように小径の電極４ａ、４
ｂを形成している。

電ｆｆ１３ａ〜４ｂの形成されたサーミスタ素子２は、
ばね端子５．６で弾撥挟持された状態でケースｌ内に収
納されている。

〔発明が解決しようとする技術的課題〕第２図の構造で
は、いずれかのばね端子５．６側から力が加わった場合
や、いずれかのばね端子５．６が疲労した場合、以下の
ような問題があった。

すなわち、例えば第３図に示すように、一方のばね端子
６側からサーミスタ素子２の方向に力が加わった場合や
他方のばね端子５が疲労した場合、ばね端子５の電極４
ａとの接触部分の間隔が拡がる。その結果、電極４ａで
はなく、外周部で電極３ａに接触することがあった。

Ｎｉよりなる電極３ａに接触されると、ばね端子５と電
極との間の接触抵抗が高くなる。そのため接点部分で電
極３ａが焼損し、装置が所望通りに動作しなくなる。

よって、本発明の目的は、ばね端子の弾性ばらつき、ば
ね端子の疲労あるいは組み立て時の力のかかり具合のば
らつき等により、ばね端子に加わる力がサーミスタ素子
の両側で異なった場合であっても焼損等の欠陥の生じな
い信転性に優れたサーミスタ装置を従供することにある
。

〔技術的課題を解決するための手段〕

本発明のサーミスタ装置は、両主面上において外周縁近
傍を残して電極が形成されたサーミスタ素子と、この電
橋部分で該サーミスタ素子をばね性を持って挟持しかつ
電極との電気的な接続を果たすばね端子とを備えるサー
ミスタ装置において、ばね端子が、先端側で電極に接触
された複数の弾患部を有しており、かつ該弾ｉａ部の先
端側での電極との接触部分が弾撥部の基部よりもサーミ
スタ素子の主面の中心寄りに位置されていることを特徴
とするものである。

〔作用〕

本発明は、ばね端子の弾撥部の先端側での電極との接触
部分を、支点となる弾撥部の基部よりもサーミスタ素子
の主面の中心寄りに位置させることにより、ばね端子に
サーミスタ素子方向の力が加わった場合に、ばね端子の
電極との接触部分をサーミスタ素子の主面の中心側に移
動させるものである。従って、組み立て作業時のばらつ
きや、ばね端子の弾性ばらつき等により弾撥部の基部と
サーミスタ素子との間の間隙が縮められたとしても、ば
ね端子の電極との接触部分が電極の周縁側には移動しな
い。

〔実施例の説明〕

第１図は本発明の一実施例の断面図である０合成樹脂よ
りなるケースｌｌ内にチタン酸バリウム等の半導体材料
よりなるサーミスタ素子１２が収納されている。このサ
ーミスタ素子１２の両主面には、Ｎｉよりなる電極１３
ａ、１３ｂが全面に渡り形成されている。電極１３ａ、
１３ｂの外側には、より小径の銀よりなる電極１４ａ、
１４ｂが形成されている。

上記の二層構造の電極構成は、Ｎｉによりサーミスタ素
子１２とのオーミックな接触を確保するとともに、Ａｇ
により接触抵抗を低減するために、並びにはんだ付は性
を高めるために採用されているものである。同様に、銀
よりなる電ｈ　ｌ　４　ａ　。

１４ｂが外周縁に至らないように形成されているのも、
従来例と同じくマイグレーシランによる短絡を防止する
ためである。

本実施例の特徴は、このサーミスタ素子１２をばね性を
持って挟持するばね端子１５．１６の構造にある。

ばね端子１５を代表して説明すると、第４図に斜視図で
示すように、ばね端子１５は、サーミスタ素子１２の電
１１４ａに接触される弾撥部Ｉ５ａ、１５ａと、ケース
１１外に引き出される引出し部１５ｂとを備える。引出
し部１５ｂは図示のように一体に形成する必要は必ずし
もなく、別体の引出し部１５ｂを弾撥部１５ａに接合し
て形成してもよい。

第１回に戻り、ばね端子１５．１６は上記の構造を有し
、サーミスタ素子１２のｉｉｉ橿１４ａ、１４ｂに弾撥
部１５ａ、１６ａが適宜の間隔を持って接触するように
配置されている。この弾１８部１５ａ、１６ａの支点と
なる基部１５ｃ、１６ｃに比べて、電極１４ａ、１４ｂ
との接触部分はサーミスタ素子１２の主面の中心寄りに
位置されている。

第１図実施例において、組み立て作業時の力の加わり具
合のばらつきにより、一方のばね端子１５側においてサ
ーミスタ素子１２の方向に力が強く加えられた場合を想
定すると、サーミスタ素子１２が第５図に示すように、
ばね端子１５側に移動される。この場合、加えられた力
により、ばね端子１５の弾撥部１５ａ、１５ａの接触部
分の間隔は狭まる。すなわち、電極１４ａとの接触部分
はサーミスタ素子１２の主面の周縁側ではなく、中心側
に移動される。よって、第３図に示した従来例のように
電極との接触部分が外周側に移動してＮｉよりなる電極
に接触することのないことがわかる。

上記の説明は、組み立て作業時の力の加わり具合かばね
端子１５．１６間で異なる場合についてのものであった
が、両ばね端子１５．１６の弾性にばらつきがある場合
も同様である。

また、第４図に示したばね端子１５に限らず、第６図に
斜視図で示すように、四角形の枠の内側から弾撥部２５
ａ、２５ａが中心側に延び、枠体から引出し部２５ｂが
延ばされているばね端子２５を用いることも可能である
。

さらに、第４図および第６図に示したばね端子１５．２
５は、サーミスタ素子１２の中心を挟んで上下に所定距
離を隔てた支点（基部）からサーミスタ素子の主面の中
心側に延びる弾撥部を複数備えていたが、これに限られ
るものではない。例えば、中心側に延びるものである限
り、図示のようにケース１１の上下方向に延びる弾撥部
１５ａ。

２５ａに限らず、水平方向において弾撥部がサーミスタ
素子の主面の中心側に延びるようなばね端子を用いても
よい。

さらに、第１図実施例では、サーミスタ素子１２の両生
面には二層構造の電極１３ａ、１３ｂ。

１４ａ、１４ｂが形成されていたが、主面に形成される
電極は一層だけであってもよい、たとえばオーミック性
のＡｇよりなる電極を外周縁近傍を残して形成したもの
であってもよい、その場合においても、本発明によるば
ね端子を用いれば、サーミスタ素子側に力が加わったと
しても、電極との接触部分がサーミスタ素子の主面の外
周縁側に移動することがないため、通電が遮断されたり
することはない。

さらに、第１図実施例は一個のサーミスタ素子１２をば
ね端子１５．１６で挟持していたが、複数個のサーミス
タ素子を両側から弾Ｉ發挟持する場合にも、本発明を適
用することができる。

〔発明の効果］ 本発明では、ばね端子の複数の弾撥部が、先端側で電極
に接触されており、かつこの先端側での電極との接触部
分が支点となる弾撥部の基部よりもサーミスタ素子の主
面の中心寄りに位置されているので、ばね端子がサーミ
スタ素子側に近づけられた場合であっても、電極との接
触部分はサーミスタ素子の主面の外周縁側ではなく中心
側に移動することが確保されている。従って、組み立て
作業時にばね端子に加えられる力のばらつき、複数のば
ね端子の弾性のばらつき等により、上記のような力が加
わったとしても、電極との接触部分がサーミスタ素子の
主面の外周面側に移動しないため、焼損等の事故を確実
に防止することができる。よって、信顧性に優れたサー
ミスタ装置を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来例の
断面図、第３図は第２図従来例における問題点を説明す
るための断面図、第４図は第１図実施例に用いるばね端
子を示す斜視図、第５図は第１図実施例の効果を説明す
るための断面図、第６図はばね端子の他の例を説明する
ための斜視図である。 図において、１２はサーミスタ素子、１３ａ。 １３ｂ、１４ａ、１４ｂは電極１．１５．１６はばね端
子、１５ａ、１６ａは弾撥部、１５ｃ、１６ｃは弾撥部
の基部を示す。 第１区　　１３ａ　　１２ 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 両主面上において外周縁近傍を残して電極が形成された
   サーミスタ素子と、 前記電極部分でサーミスタ素子をばね性を持って挟持し
   、かつ前記電極との電気的な接続を果たすばね端子とを
   備えるサーミスタ装置において、前記ばね端子が、先端
   側で前記電極に接触された複数の弾撥部を有しており、
   かつ該弾撥部の先端側での電極との接触部分が弾撥部の
   基部よりもサーミスタ素子の主面の中心寄りに位置され
   ていることを特徴とするサーミスタ装置。