JPH0125405Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は陰極線管電子銃に用いられる陰極構体
に関し、特に陰極と第１制御電極、又は複数の陰
極が同一平面に配列された場合の陰極相互の絶縁
性を良好にするための陰極構体の改良に関するも
のである。

第１図は従来一般に用いられている陰極構体１
０を示す第１制御電極を含む部分断面図である。
アルミナ、ステアタイト等のセラミツクで形成さ
れ、円筒部１１Ｃと開孔の穿設された底面を持つ
た絶縁石１１の底面に外側陰極支持筒１２がカシ
メ縁１２Ａ，１２Ｂでカシメ固定される等の方法
で固着され、その下端部には頂部に熱電子放射物
質層が被着された帽状筒体の陰極筒１３の下端部
が溶接固定されている。陰極筒１３を支持した絶
縁石１１は閉塞面に透孔が穿設された有底円筒状
の第１制御電極１４の内側底面に円筒部１１Ｃの
上端を突き当てて、その下面は固定子１５で押圧
接して、固定子１５を第１制御電極１４の筒側面
に溶接して支持固定される。この際絶縁石１１の
円筒部１１Ｃから所定距離下がつた位置に陰極筒
１３の頂部があるように外側陰極支持筒１２に対
する陰極筒１３の位置が決定される。

通常陰極筒１３の電子放射面側の絶縁石１１の
上面１１Ｂには外側陰極支持筒１２を取囲む溝１
１Ａが穿設されている。これは陰極線管動作時に
陰極筒１３に挿入された加熱線条の熱で陰極頂部
電子放射面より還元生成された金属Baが蒸発し、
この蒸発物が絶縁石１１の上面１１Ｂに付着して
も陰極筒１３と第１制御電極１４間の絶縁性が劣
化することのないように、陰極頂部から溝１１Ａ
を見込む角度内に死角を作るようになつている。

然しながら上述の溝１１Ａによつて陰極頂部か
らの蒸発物に対する死角を形成する方法では、陰
極筒１３と第１制御電極１４間の絶縁性を高める
ためには溝１１Ａの深さは深い程、その幅は狭い
程よいが、通常絶縁石１１の厚みは１〜２mm程度
であり、深くすると絶縁石の機械的強度を損うこ
とになり、一方幅を狭くすると粉体を押圧加工し
て絶縁石１１を形成する際の溝成形が困難とな
り、必要十分な死角が得られない。特に陰極線管
ネツクの細い電子銃に用いられる陰極構体では全
体の寸法が縮小され、絶縁石１１に環状溝１１Ａ
を穿設する寸法余裕がなくなり、溝１１Ａを形成
する絶縁石１１の押出し型の加工が非常に困難で
あり、更に絶縁石１１の押圧加工時には溝成形が
困難となり、精度も出なく、且つ寸法上の制約等
から有効な死角が得られなくなる欠点があつた。

本考案は上述の欠点を除去して頂部に熱電子放
射物質層を被着された１つ以上の帽状陰極筒の下
端部を夫々溶接固定する絶縁石に固着された１つ
以上の外側陰極支持筒を備え、帽状陰極筒頂部側
にあつて絶縁石の外周部の少くとも一部が第１制
御電極の裏面に突き当てられる陰極構体に於て、
陰極筒頂部側で外側陰極支持筒の固着部がある絶
縁石上面に、その固着部より高い段部を夫々設
け、この段部に中空円筒状で絶縁性の遮蔽円筒の
下端部を夫々突き当て固定した陰極線管陰極構体
を提供することを目的とする。

以下、本考案の実施例を図面に従がつて詳細に
説明する。

第２図は本考案の一実施例に基づく陰極構体２
０の第１制御電極を含む側断面図を示し、以下説
明の簡略化のため従来と同一のものには第１図と
同一の符号をつける。円筒部１１Ｃと開孔の穿設
された底面を持つた絶縁石１１には、陰極筒１３
の頂面側に面した外側陰極支持筒１２のカシメ部
１２Ａ側に、カシメ部１２Ａの形成される面１１
Ｂより少くともそのカシメ部１２Ａの厚みより高
い段部１１Ｄを形成する。一方、絶縁石１１の円
筒部１１Ｃの内径に嵌合する外径と、外側陰極支
持筒１２の外径以下の内径をもつたアルミナ、ス
テアタイト等のセラミツクで形成された絶縁性の
遮蔽円筒２１がその下端部を絶縁石の段部１１Ｄ
に突き当て絶縁石の円筒部１１Ｃに嵌合させて固
定される。遮蔽円筒２１の高さは絶縁石の円筒部
１１Ｃ上端から外側陰極支持筒１２の上部固着部
がある上面１１Ｂ迄の距離以下であればよい。こ
の場合絶縁石１１の上面には従来の様に陰極筒１
３の頂部からの蒸発物降着による外側陰極支持筒
１２と第１制御電極１４間の絶縁性低下防止の環
状溝は特に必要ない。

遮蔽円筒２１を固定後頂部に熱電子放射物質層
を被着された帽状陰極筒１３が従来と同様に外側
陰極支持筒１２の下端部で溶接固定され、この陰
極筒１３を支持した絶縁石１１は第１制御電極１
４の閉塞面に円筒部１１Ｃの上端を突き当て、次
にその下面は固定子１５で押圧接し、固定子１５
を第１制御電極１４の筒側部に溶接して支持固定
される。

本考案の実施例によれば、陰極筒１３頂部より
の蒸発物降着による外側陰極支持筒１２と第１制
御電極１４間の絶縁性劣化防止用として従来行わ
れている絶縁石１１の上面１１Ｂに外側陰極支持
筒を取囲む様に形成された環状溝が特に形成され
ていなくても、絶縁石１１の段部１１Ｄと、円筒
部１１Ｃに嵌合させた遮蔽円筒２１の下端とで形
成される遮蔽部２１Ｂにより、蒸発物降着に対し
て十分な死角が得られる。従がつて、従来の様に
環状溝で陰極頂部からの蒸発物降着の死角を形成
するのに対し、本考案では十分な死角を作つて遮
蔽出来るため、絶縁石１１の強度と、その加工性
を犠性にしてその溝を深く、その幅を狭くする必
要がなくなる。或いは絶縁石１１に必要十分な環
状溝を形成する寸法余裕が少ない、特に陰極構体
２０が小型化された場合でも、本考案を適用すれ
ば環状溝が不要のため、絶縁石１１の上面１１Ｂ
の形状が一層単純となり、その成形型加工や、製
造が極めて容易となる。

又陰極線管動作時に陰極筒１３の頂部から還元
生成された金属Baはその頂部からの見透し角度
内で直線的に絶縁石１１上面１１Ｂに垂直に降着
するものがあるが、これらに対しても本考案実施
例は十分な死角を形成出来て、特に絶縁石１１の
段部１１Ｄと、円筒部１１Ｃに嵌合させた遮蔽円
筒２１の下端とで形成される遮蔽部２１Ｂは陰極
頂部に対して完全な死角に入つている。

或いは第３図の本考案の他の実施例に示す様
に、同一平面内に三つの陰極筒１３がインライン
配列されて絶縁石３１に固定されたインライン型
陰極構体３０では、中央と両外側陰極支持筒１２
の間には両側の陰極筒１３から蒸発物が降着する
が、これに対して従来の外側陰極支持筒１２の
夫々の周囲に形成する環状溝だけでは十分な死角
が得られなかつた。然るに本実施例では絶縁石３
１の陰極頂部側の夫々の外側陰極支持筒１２のカ
シメ縁１２Ａがある面に段部３１Ｄが形成されて
いて、これに三つの絶縁性の遮蔽円筒２１が突き
当て固定されているため、絶縁石３１の段部３１
Ｄと遮蔽円筒２１の下端とで夫々遮蔽部２１Ｂが
形成されて、陰極構体３０が収納される第１制御
電極（図示せず）と夫々の陰極間は勿論のこと、
隣接陰極相互間の絶縁性も劣化することが有効に
防止される。

以上の説明では、絶縁石の上端部を第１制御電
極面に突き当てる陰極構体について説明したが、
本考案はこれに限定されることなく、例えば絶縁
石上面と第１制御電極面間に所定の間隔子を入れ
て固定する陰極構体に用いても上述の説明と全く
同様の効果が得られることは明らかである。或い
は説明では絶縁石の上面に環状溝が形成されてい
ない場合について述べたが、従来の様に環状溝と
本考案を併用してもよく、この場合外側陰極支持
筒の陰極頂面側にあるカシメ縁の周囲で、段部近
くに環状溝を形成すれば、環状溝は遮蔽円筒で覆
われ、陰極頂部よりの蒸発物降着に対し一層有効
な遮蔽効果が得られる。

又、外側陰極支持筒の絶縁石への固着法はカシ
メ固定について述べたが、これに限定されること
なく、例えば硝子材を用いた接着固定であつても
よいことはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来用いられている陰極構体を示す第
１制御電極を含む部分断面図、第２図は本考案の
一実施例に基づく陰極構体を示す第１制御電極を
含む断面図、第３図は本考案の他の実施例に基づ
くインライン型陰極構体の断面図を夫々示す。 １１，３１……絶縁石、１１Ａ……環状溝、１
１Ｃ……絶縁石の円筒部、１２……外側陰極支持
筒、１３……帽状陰極筒、１４……第１制御電
極、１５……固定子、２１……遮蔽円筒、１１
Ｄ，３１Ｄ……絶縁石の段部。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 頂部に熱電子放射物質層を被着された１つ以上
   の帽状陰極筒の下端部を夫々溶接固定する、絶縁
   石に固着された１つ以上の外側陰極支持筒を備
   え、帽状陰極筒頂部側にあつて絶縁石の外周部の
   少くとも一部が第１制御電極の裏面に突き当てら
   れる陰極構体に於て、前記陰極筒頂部側で外側陰
   極支持筒の固着部がある絶縁石上面に、その固着
   部より高い段部を夫々設け、この段部に中空円筒
   状で絶縁性の遮蔽円筒の下端部を夫々突き当てて
   固定したことを特徴とする陰極線管陰極構体。