JPH01248573A - レーザ検出装置 - Google Patents
レーザ検出装置Info
- Publication number
- JPH01248573A JPH01248573A JP63075654A JP7565488A JPH01248573A JP H01248573 A JPH01248573 A JP H01248573A JP 63075654 A JP63075654 A JP 63075654A JP 7565488 A JP7565488 A JP 7565488A JP H01248573 A JPH01248573 A JP H01248573A
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- JP
- Japan
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- light
- laser
- photodetector
- interference
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- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明はレーザ検出装置に関する。 ′(従来の技
術) たとえば移動する物体の検出にレーザを使用することは
普通に行なわれている。これはレーザ発光源からのレー
ザを、受光素子によって受光するようにし、そのレーザ
を移動物体が遮ることによる、受光素子の出力からその
移動物体が検出される。
術) たとえば移動する物体の検出にレーザを使用することは
普通に行なわれている。これはレーザ発光源からのレー
ザを、受光素子によって受光するようにし、そのレーザ
を移動物体が遮ることによる、受光素子の出力からその
移動物体が検出される。
(発明が解決しようとする問題点)
ところでレーザ光は周知のように干渉性が強い性質を備
えているため、レーザ発光源と受光素子との位置関係に
よって光路差を生じ、干渉を起し易い。そのため受光素
子に干渉縞が発生し、素子表面における光強度分布が一
定とならず、これがノイズの原因となっていた。
えているため、レーザ発光源と受光素子との位置関係に
よって光路差を生じ、干渉を起し易い。そのため受光素
子に干渉縞が発生し、素子表面における光強度分布が一
定とならず、これがノイズの原因となっていた。
この発明はレーザ光の受光素子における、レーザ光の干
渉によるノイズの発生を低下させることを目的とする。
渉によるノイズの発生を低下させることを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
この発明はレーザ光の受光面の前面に、レーザ光を散乱
させるための散乱体を配置したことを特徴とする6 (作用) レーザ光発光源からのレーザ光を受光素子が受光すると
き、そのレーザ光が受光面に到達する以前に、散乱体に
よって散乱される。そしてその散乱光を受光面が受光す
るようになる。その結果受光面において干渉現象はなく
なり、干渉縞を発生これによって受光面における光強度
分布は一定となり、ノイズが低下するようになる。
させるための散乱体を配置したことを特徴とする6 (作用) レーザ光発光源からのレーザ光を受光素子が受光すると
き、そのレーザ光が受光面に到達する以前に、散乱体に
よって散乱される。そしてその散乱光を受光面が受光す
るようになる。その結果受光面において干渉現象はなく
なり、干渉縞を発生これによって受光面における光強度
分布は一定となり、ノイズが低下するようになる。
(実施例)
この発明の実施例を図によって説明する。図において1
はレーザ発光源、たとえばレザーダイオードのような発
光素子、2はレーザを受光して出力を発生する、たとえ
ばPN接合のホトダイオードのような受光素子である。
はレーザ発光源、たとえばレザーダイオードのような発
光素子、2はレーザを受光して出力を発生する、たとえ
ばPN接合のホトダイオードのような受光素子である。
発光、受光面1,2素子は互いに合い対し、発光素子1
からのレーザを受光素子2が受光するように配置されて
いる。
からのレーザを受光素子2が受光するように配置されて
いる。
この発明にしたがい受光素子2の前方に散乱体3、ここ
では散乱性のシートを設置する。この散乱シートはたと
えば、透明なシートを基体とし、その表面に散乱材たと
えばアルミナ粉末を混入した透明樹脂を塗布するなどし
て構成するとよい。
では散乱性のシートを設置する。この散乱シートはたと
えば、透明なシートを基体とし、その表面に散乱材たと
えばアルミナ粉末を混入した透明樹脂を塗布するなどし
て構成するとよい。
以上のような構成において、発光素子1からのレーザが
受光素子2に向かうとき、受光素子2に到達する以前に
、散乱体3である散乱性のシート衝突するので、ここで
レーザは散乱されてしまう。
受光素子2に向かうとき、受光素子2に到達する以前に
、散乱体3である散乱性のシート衝突するので、ここで
レーザは散乱されてしまう。
そしてこの散乱光が受光素子2を照射するようになる。
このように散乱光が受光素子2を照射するようになるの
で、受光素子2における受光面での干渉はなんら生じる
ことはない。また受光面の表面における酸化膜の多重反
射により、受光面での光強度分布が一定となる。以上の
結果干渉を原因とするノイズの発生は低減される。
で、受光素子2における受光面での干渉はなんら生じる
ことはない。また受光面の表面における酸化膜の多重反
射により、受光面での光強度分布が一定となる。以上の
結果干渉を原因とするノイズの発生は低減される。
また散乱体3が存在しない場合は、受光面からの反射に
よって光学系に攪乱が生じることがあるが、散乱体3を
設けておくと、前記した反射光も散乱されるので、光学
系での攪乱の発生も防止される。
よって光学系に攪乱が生じることがあるが、散乱体3を
設けておくと、前記した反射光も散乱されるので、光学
系での攪乱の発生も防止される。
第1図は発光素子1からのレーザを受光素子2が直接受
光する構成としているが、これに代えて第2図に示すよ
うに集光レンズ4を設け、これからの平行レーザを受光
素子2が受光するように構成した場合でも、散乱体3を
設置するようにしてもよい。
光する構成としているが、これに代えて第2図に示すよ
うに集光レンズ4を設け、これからの平行レーザを受光
素子2が受光するように構成した場合でも、散乱体3を
設置するようにしてもよい。
以上の各実施例は、散乱体3を受光素子2とは別個に設
置した例であったが、第3図、第4図に示すように受光
素子2に一体的に設置するようにしてもよい。
置した例であったが、第3図、第4図に示すように受光
素子2に一体的に設置するようにしてもよい。
第3図に示す例は、ステム5の表面に受光用の半導体チ
ップ6を装填し、これをリードワイヤ7を介して端子8
に接続するとともに、これをたとえばカンのようなパッ
ケージ9で被せ、パッケージには窓10をあけ、この窓
10を透明なガラス11でシールした構成のものである
。
ップ6を装填し、これをリードワイヤ7を介して端子8
に接続するとともに、これをたとえばカンのようなパッ
ケージ9で被せ、パッケージには窓10をあけ、この窓
10を透明なガラス11でシールした構成のものである
。
このような構成において、散乱体3を半導体チップ6の
表面に直接設置しである。この場合は散乱材を混入した
樹脂その他の塗料を、半導体チップ6の表面に直接塗布
するなりして設置するようにしてもよい。
表面に直接設置しである。この場合は散乱材を混入した
樹脂その他の塗料を、半導体チップ6の表面に直接塗布
するなりして設置するようにしてもよい。
第4図に示す例は、その大部分が第3図と同じ構成であ
るが、ここではガラス11として、散乱体からなるもの
を使用している。たとえば散乱材を混入して製作したガ
ラス、または散乱シートを貼り付けたガラスなどが使用
できる。
るが、ここではガラス11として、散乱体からなるもの
を使用している。たとえば散乱材を混入して製作したガ
ラス、または散乱シートを貼り付けたガラスなどが使用
できる。
更に受光素子2の半導体チップとして、第5図に示すよ
うな構成のものが使用されることがある。
うな構成のものが使用されることがある。
これは半導体基板15に、P、N、Pの各層16゜17
、.1Bを形成し、各PN接合面を受光部としたもので
あり、これによれば波長の異なるレーザをひとつの半導
体チップによって検出することができるようになってい
る。第6図はその等価回路を示し、図のように2個のホ
トダイオード19゜2oが並列に接続されるようにして
構成される。
、.1Bを形成し、各PN接合面を受光部としたもので
あり、これによれば波長の異なるレーザをひとつの半導
体チップによって検出することができるようになってい
る。第6図はその等価回路を示し、図のように2個のホ
トダイオード19゜2oが並列に接続されるようにして
構成される。
このような構成によると、前記したように干渉が発生す
ると、半導体チップの深さ方向に沿ってレーザの強さが
不均等となり、正確な光の強さを検出することができな
いようになる。しかしこのような半導体チップを第1図
乃至第4図に示すように散乱体3とともに使用すれば、
レーザの深さ方向に沿う不均等性は全くなくなる。
ると、半導体チップの深さ方向に沿ってレーザの強さが
不均等となり、正確な光の強さを検出することができな
いようになる。しかしこのような半導体チップを第1図
乃至第4図に示すように散乱体3とともに使用すれば、
レーザの深さ方向に沿う不均等性は全くなくなる。
なお前記受光素子は、発光素子のモニター用の受光素子
についても適用されることは言うまでもない。
についても適用されることは言うまでもない。
(発明の効果)
以上詳述したようにこの発明によれば、干渉性の強いレ
ーザを利用する場合でも、その受光素子における受光面
での干渉が確実に回避できるようになり、したがってノ
イズの低下が期待できるようになるとともに、正確な検
出が可能となるといった効果を奏する。
ーザを利用する場合でも、その受光素子における受光面
での干渉が確実に回避できるようになり、したがってノ
イズの低下が期待できるようになるとともに、正確な検
出が可能となるといった効果を奏する。
第1図はこの発明の実施例を示す平面図、第2図はこの
発明の他の実施例を示す平面図、第3図はこの発明を受
光素子に適用した場合の断面図、第4図は第3図の変形
例を示す断面図、第5図はこの発明に使用して好適な受
光用の半導体チップの断面図、第6図は第5図の半導体
チップの等価回路図である。
発明の他の実施例を示す平面図、第3図はこの発明を受
光素子に適用した場合の断面図、第4図は第3図の変形
例を示す断面図、第5図はこの発明に使用して好適な受
光用の半導体チップの断面図、第6図は第5図の半導体
チップの等価回路図である。
Claims (1)
- レーザを発光する発光素子と、前記発光素子からのレ
ーザを受光し、その受光したレーザの強さに応じた出力
を出す受光素子とからなるレーザ検出装置において、前
記受光素子の受光面の前面に、受光しようとするレーザ
を散乱させるための散乱体を配置してなるレーザ検出装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63075654A JPH01248573A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | レーザ検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63075654A JPH01248573A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | レーザ検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01248573A true JPH01248573A (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=13582442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63075654A Pending JPH01248573A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | レーザ検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01248573A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008153320A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Hitachi Ltd | 光源システム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5040171B2 (ja) * | 1972-03-23 | 1975-12-22 | ||
JPS6428966A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Hamamatsu Photonics Kk | Photodetector |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP63075654A patent/JPH01248573A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5040171B2 (ja) * | 1972-03-23 | 1975-12-22 | ||
JPS6428966A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Hamamatsu Photonics Kk | Photodetector |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008153320A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Hitachi Ltd | 光源システム |
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