JPH01245523A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH01245523A JPH01245523A JP7210788A JP7210788A JPH01245523A JP H01245523 A JPH01245523 A JP H01245523A JP 7210788 A JP7210788 A JP 7210788A JP 7210788 A JP7210788 A JP 7210788A JP H01245523 A JPH01245523 A JP H01245523A
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- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、被加工基板上に高精度に微細パターンを形成
するパターン形成方法に関する。
するパターン形成方法に関する。
（従来の技術）
半導体集積回路の高集積化に伴い、素子および配線はま
すます微細化し、フォトレジストのパターン形成に際し
てその寸法制御性が重要な課題になってきている。とり
わけ、所望のパターンを必要とする被加工基板がフォト
レジストの露光光に波長に対して高い反射率を有する場
合、大きい問題となる。例えば、先の工程で被加工基板
表面に凹凸が形成されていると、露光光が凹凸の側面で
反射され、フォトレジストに対して横方向あるいは斜め
方向に入射される成分が多くなる。例えば、第３図に示
すようにコーナーがある凸部２５に近接してフォトレジ
スト２３のパターンを形成する場合等、凸部２５のコー
ナーで側面からの光が集光する状態になるから、形成さ
れるフォトレジスト２３のパターンに切削部２６が発生
する。
すます微細化し、フォトレジストのパターン形成に際し
てその寸法制御性が重要な課題になってきている。とり
わけ、所望のパターンを必要とする被加工基板がフォト
レジストの露光光に波長に対して高い反射率を有する場
合、大きい問題となる。例えば、先の工程で被加工基板
表面に凹凸が形成されていると、露光光が凹凸の側面で
反射され、フォトレジストに対して横方向あるいは斜め
方向に入射される成分が多くなる。例えば、第３図に示
すようにコーナーがある凸部２５に近接してフォトレジ
スト２３のパターンを形成する場合等、凸部２５のコー
ナーで側面からの光が集光する状態になるから、形成さ
れるフォトレジスト２３のパターンに切削部２６が発生
する。
これは断線の原因となる。この様に凹凸部近傍では正確
なフォトレジストのパターン現像ができない。また、ア
ライメント用の光や焦点合せ用の光がフォトレジスト中
で多重反射し、アライメント精度や焦点合せ精度を劣化
させる。
なフォトレジストのパターン現像ができない。また、ア
ライメント用の光や焦点合せ用の光がフォトレジスト中
で多重反射し、アライメント精度や焦点合せ精度を劣化
させる。
この様な問題を解決するために従来行われている一つ。
方法は、被加工Ｕ板上にフォトレジスト塗布前に反射防
止膜を形成することである。例えば、第２図（ａ）に示
すように被加工基板２１上にアルカリ水溶液に可溶な反
射防止膜２２を０．０５〜０，２μｍの厚さにスピンコ
ードし、加熱処理後、フォトレジスト２３を塗布する。
止膜を形成することである。例えば、第２図（ａ）に示
すように被加工基板２１上にアルカリ水溶液に可溶な反
射防止膜２２を０．０５〜０，２μｍの厚さにスピンコ
ードし、加熱処理後、フォトレジスト２３を塗布する。
そしてフォトレジスト２３を所望パターンに露光後、第
２図（ｂ）に示すように、アルカリ水溶液で現像する。
２図（ｂ）に示すように、アルカリ水溶液で現像する。
このときフォトレジスト２３が溶解した部分では同時に
下地の反射防止膜２２も溶解する。
下地の反射防止膜２２も溶解する。
しかしながらこの方法では、被加工基板に転写されるパ
ターンの精度が、フォトレジストのパターンではなく、
その下の反射防止膜のそれで決まる。そして反射防止膜
のパターン精度は、その膜厚や加熱条件により大きく左
右される。特に被加工基板に凹凸がある場合、スピンコ
ードによる反射防止膜では膜厚の均一性が悪くなり、こ
のため現像時の溶解量を制御することが困難であり、所
望パターンの寸法を高精度に出すことが難しい。
ターンの精度が、フォトレジストのパターンではなく、
その下の反射防止膜のそれで決まる。そして反射防止膜
のパターン精度は、その膜厚や加熱条件により大きく左
右される。特に被加工基板に凹凸がある場合、スピンコ
ードによる反射防止膜では膜厚の均一性が悪くなり、こ
のため現像時の溶解量を制御することが困難であり、所
望パターンの寸法を高精度に出すことが難しい。
（発明が解決しようとする課題）
以上のように従来のフォトレジスト下地に反射防止膜を
形成する方法では、充分な精度の微細パターンを得るこ
とができない、という問題があった。
形成する方法では、充分な精度の微細パターンを得るこ
とができない、という問題があった。
本発明は、この様な問題を解決して微細なパターンを高
精度に形成する方法を提供することを目的とする。
精度に形成する方法を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、フォトレジストの下地に露光光に対する反射
防止膜を介在させ、フォトレジストを露光、現像して所
望パターンを形成するに際して、前記反射防止膜として
、ラングミュア・プロジェット膜（ＬＢ膜）を用いるこ
とを特徴とする。
防止膜を介在させ、フォトレジストを露光、現像して所
望パターンを形成するに際して、前記反射防止膜として
、ラングミュア・プロジェット膜（ＬＢ膜）を用いるこ
とを特徴とする。
（作用）
ＬＢ膜は、本質的に基板の凹凸の影響を受けず、分子レ
ベルで薄い均一な膜厚が得られる。従って反射防止膜と
してＬＢ膜を用いれば、これを除去するに必要な時間は
基板内で差異を生じることがなく、寸法精度に対して制
御性のよい微細パターンを形成することができる。
ベルで薄い均一な膜厚が得られる。従って反射防止膜と
してＬＢ膜を用いれば、これを除去するに必要な時間は
基板内で差異を生じることがなく、寸法精度に対して制
御性のよい微細パターンを形成することができる。
特に、ＬＢ膜材料としてシアニン染料を含む長鎖脂肪酸
を用いれば、シアニン染料が広い波長域に亙って吸収を
持つため広い波長域に有効な反射防止膜となる。このた
め、露光光のほか、これと波長の異なるアライメント光
や焦点合せ月光等のフォトレジスト中での多重反射の影
響も防止することができる。
を用いれば、シアニン染料が広い波長域に亙って吸収を
持つため広い波長域に有効な反射防止膜となる。このた
め、露光光のほか、これと波長の異なるアライメント光
や焦点合せ月光等のフォトレジスト中での多重反射の影
響も防止することができる。
（実施例）
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）（ｂ）は一実施例のフォトレジスト・パタ
ーニング工程を示す。第１図（ａ）に示すように、被加
工基板１１上にＬＢＢｉ１２形成してこの上にフォトレ
ジスト１３をスピンコード法により塗布する。基板１１
は例えば、集積回路用の半導体基板あるいはこれに加工
すべき膜が形成された基板である。ＬＢＢｉ１２、シア
ニン染料と長鎖脂肪酸を含む有機薄膜であり、例えば膜
厚約０．１５μｍとする。シアニン染料は一般Ａ”
＝ＣＨ−（ＣＨ−ＣＨ）ｎ −Ｂで表わされるもので
ある。ここでＡ、Ｂは窒素を含む複素環である。このよ
うなシアニン染料ハ、通常フォトレジストの露光に用い
られる水銀ランプのｇ線およびこれより長波長の光に対
し吸収特性を持つ。またこのＬＢＢｉ１２アルカリ水溶
液に可溶である。フォトレジスト１３は例えばポジ型と
し、膜厚１μｍ程度とする。
ーニング工程を示す。第１図（ａ）に示すように、被加
工基板１１上にＬＢＢｉ１２形成してこの上にフォトレ
ジスト１３をスピンコード法により塗布する。基板１１
は例えば、集積回路用の半導体基板あるいはこれに加工
すべき膜が形成された基板である。ＬＢＢｉ１２、シア
ニン染料と長鎖脂肪酸を含む有機薄膜であり、例えば膜
厚約０．１５μｍとする。シアニン染料は一般Ａ”
＝ＣＨ−（ＣＨ−ＣＨ）ｎ −Ｂで表わされるもので
ある。ここでＡ、Ｂは窒素を含む複素環である。このよ
うなシアニン染料ハ、通常フォトレジストの露光に用い
られる水銀ランプのｇ線およびこれより長波長の光に対
し吸収特性を持つ。またこのＬＢＢｉ１２アルカリ水溶
液に可溶である。フォトレジスト１３は例えばポジ型と
し、膜厚１μｍ程度とする。
このようにＬＢＢｉ１２下地して形成したフォトレジス
ト１３を、通常の半導体装置製造に用いられる水銀ラン
プを光源とするパターン転写装置により露光し、有機ア
ルカリ水溶液により現像して、第１図（ｂ）に示すよう
にレジスト・パターンを形成する。その後は、例えばフ
ォトレジスト１３を耐エツチングマスクとしてマスクと
して基板１１に対しエツチング加工を行なう。あるいは
、フォトレジスト１３をリフトオフ材として用いて金属
配線等のリフトオフ加工を行なう。
ト１３を、通常の半導体装置製造に用いられる水銀ラン
プを光源とするパターン転写装置により露光し、有機ア
ルカリ水溶液により現像して、第１図（ｂ）に示すよう
にレジスト・パターンを形成する。その後は、例えばフ
ォトレジスト１３を耐エツチングマスクとしてマスクと
して基板１１に対しエツチング加工を行なう。あるいは
、フォトレジスト１３をリフトオフ材として用いて金属
配線等のリフトオフ加工を行なう。
この実施例によれば、露光の際にＬＢＢｉ１２反射防止
膜として働き、被加工基板１１に凹凸があっても無用な
反射光による露光が防止される。
膜として働き、被加工基板１１に凹凸があっても無用な
反射光による露光が防止される。
そしてアルカリ水溶液による現像工程で、フォトレジス
ト１３と同時の下地のＬＢＢｉ１２溶解除去されて所望
のレジスト・パターンを精度よく得ることができる。し
かも、ＬＢＢｉ１２膜厚の均一性が優れているため、こ
れを除去する際の寸法精度の制御性が優れており、反射
防止膜の膜厚の不均一に基づくパターン寸法精度の劣化
がない。
ト１３と同時の下地のＬＢＢｉ１２溶解除去されて所望
のレジスト・パターンを精度よく得ることができる。し
かも、ＬＢＢｉ１２膜厚の均一性が優れているため、こ
れを除去する際の寸法精度の制御性が優れており、反射
防止膜の膜厚の不均一に基づくパターン寸法精度の劣化
がない。
また、この実施例のＬＢＢｉ１２．４３０ ｎｍの露光
光の他、Ｈｅ−Ｎｅレーザによる６ ３０ ｎｍのアラ
イメント光やＬＥＤによる７４０ｎｎの焦点位置検出用
の光をも吸収するため、これらの光のフォトレジスト内
での多重反射がなくなり、これもパターンの寸法精度向
上に寄与している。
光の他、Ｈｅ−Ｎｅレーザによる６ ３０ ｎｍのアラ
イメント光やＬＥＤによる７４０ｎｎの焦点位置検出用
の光をも吸収するため、これらの光のフォトレジスト内
での多重反射がなくなり、これもパターンの寸法精度向
上に寄与している。
本発明は上記実施例に限られない。例えば、ＬＢ膜形成
の前に予め、無機物あるいは有機物を用いて基板表面の
四部を埋める平坦化処理を施しておく場合も本発明は有
効である。フォトレジストの下地に用いたＬＢ膜は、フ
ォトレジストの現像時に同時に現像されること−は必ず
しも必要ではなく、フォトレジスト現像とは別工程で、
現像されたフォトレジストをマスクとしてエツチング除
去するようにしてもよい。露光法や現像法も適宜疫更し
て実施することができる。
の前に予め、無機物あるいは有機物を用いて基板表面の
四部を埋める平坦化処理を施しておく場合も本発明は有
効である。フォトレジストの下地に用いたＬＢ膜は、フ
ォトレジストの現像時に同時に現像されること−は必ず
しも必要ではなく、フォトレジスト現像とは別工程で、
現像されたフォトレジストをマスクとしてエツチング除
去するようにしてもよい。露光法や現像法も適宜疫更し
て実施することができる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、フォトレジストの下
地に形成する反射防止膜としてＬＢ膜を用いることによ
って、フォトレジストの露光、現像によるパターン形成
を制御性よく高精度に行なうことができる。
地に形成する反射防止膜としてＬＢ膜を用いることによ
って、フォトレジストの露光、現像によるパターン形成
を制御性よく高精度に行なうことができる。
第１図（ａ）（ｂ）は、本発明の一実施例によるパター
ン形成工程を示す図、第２図（ａ）（ｂ）は従来のパタ
ーン形成工程を示す図、第３図は露光光の反射による問
題を説明するための図である。 １１・・・被加工基板、１２・・・ＬＢ膜（反射防止膜
）、１３・・・フォトレジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 １ 図 第 ２ 図
ン形成工程を示す図、第２図（ａ）（ｂ）は従来のパタ
ーン形成工程を示す図、第３図は露光光の反射による問
題を説明するための図である。 １１・・・被加工基板、１２・・・ＬＢ膜（反射防止膜
）、１３・・・フォトレジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (2)
- （１）被加工基板上に露光光に対する反射防止膜を形成
してこの上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現
像して、被加工基板に所望パターンを転写するに際し、
前記反射防止膜としてラングミュア・プロジェット膜を
形成することを特徴とするパターン形成方法。 - （２）前記ラングミュア・プロジェット膜はシアニン染
料を含むことを特徴とする請求項１記載のパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7210788A JPH01245523A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7210788A JPH01245523A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01245523A true JPH01245523A (ja) | 1989-09-29 |
Family
ID=13479837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7210788A Pending JPH01245523A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01245523A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012247777A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 近赤外光吸収膜形成材料及び近赤外光吸収膜を有する積層膜 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP7210788A patent/JPH01245523A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012247777A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 近赤外光吸収膜形成材料及び近赤外光吸収膜を有する積層膜 |
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