JPH01243433A - セラミック基板用表面処理剤 - Google Patents
セラミック基板用表面処理剤Info
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- JPH01243433A JPH01243433A JP7151688A JP7151688A JPH01243433A JP H01243433 A JPH01243433 A JP H01243433A JP 7151688 A JP7151688 A JP 7151688A JP 7151688 A JP7151688 A JP 7151688A JP H01243433 A JPH01243433 A JP H01243433A
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Classifications
-
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- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、セラミック基板の表面処理剤に関し、更に詳
しくはセラミック基板を研磨機により「ラッピング」あ
るいは「ポリッシング」した際に生じるセラミック基板
表面の汚れ、付着した異物を洗浄することができるとと
もに基板表面にゆ着した(つきささった)研磨材成分を
除去することのできるセラミック基板用表面処理剤に関
する。
しくはセラミック基板を研磨機により「ラッピング」あ
るいは「ポリッシング」した際に生じるセラミック基板
表面の汚れ、付着した異物を洗浄することができるとと
もに基板表面にゆ着した(つきささった)研磨材成分を
除去することのできるセラミック基板用表面処理剤に関
する。
エレクトロニクスの分野で使用されるセラミック基板類
は、基板表面にミクロンオーダーの汚れ、異物、及び凹
凸があっても、品質的に不良になることが多いため、基
板表面の表面精度(面積度)が強く要求されている。
は、基板表面にミクロンオーダーの汚れ、異物、及び凹
凸があっても、品質的に不良になることが多いため、基
板表面の表面精度(面積度)が強く要求されている。
従来、このようなセラミック基板の面積度を向上させる
ための表面処理剤としては、硫酸、水酸化ナトリウム水
溶液等の酸、アルカリ系、トリクロロエチレン、イソプ
ロパツール等の有機溶剤系等が知られている。しかしな
がら、従来公知の表面処理剤は人指、ワックス等の有機
汚垢およびホコリ等の無機汚垢等には所定の効果を発現
するが、ラッピング及びポリッシング等の研磨処理を施
した際に生ずるセラミック基板につきささったどく微少
の研磨材成分の除去にはほとんど効果を発揮しない。
ための表面処理剤としては、硫酸、水酸化ナトリウム水
溶液等の酸、アルカリ系、トリクロロエチレン、イソプ
ロパツール等の有機溶剤系等が知られている。しかしな
がら、従来公知の表面処理剤は人指、ワックス等の有機
汚垢およびホコリ等の無機汚垢等には所定の効果を発現
するが、ラッピング及びポリッシング等の研磨処理を施
した際に生ずるセラミック基板につきささったどく微少
の研磨材成分の除去にはほとんど効果を発揮しない。
(目 的)
本発明は、セラミック基板表面の有機、無機汚垢はもと
より、研磨時に発生する基板表面にゆ着ないしつきささ
った研磨成分を基板表面を損傷することなく除去するこ
とができ、基板表面の面精度を著しく向上させることが
可能なセラミック基板用表面処理剤を提供することを目
的とする。
より、研磨時に発生する基板表面にゆ着ないしつきささ
った研磨成分を基板表面を損傷することなく除去するこ
とができ、基板表面の面精度を著しく向上させることが
可能なセラミック基板用表面処理剤を提供することを目
的とする。
本発明者らは種々のセラミックス基板用表面処理剤につ
いて鋭意研究を重ねた結果、特定の非イオン界面活性剤
とオキシカルボン酸を必須成分とした表面処理剤が上記
目的に合致することを見出した5本発明はこの知見に基
づいてなされたものである。
いて鋭意研究を重ねた結果、特定の非イオン界面活性剤
とオキシカルボン酸を必須成分とした表面処理剤が上記
目的に合致することを見出した5本発明はこの知見に基
づいてなされたものである。
すなわち1本発明の表面処理剤は、平均分子量が1,0
00−20,000であり、エチレンオキシドの重合部
分が全体の10〜80重量%であるエチレンオキシド/
プロピレンオキシド共重合体及び一般式RO(C,H。
00−20,000であり、エチレンオキシドの重合部
分が全体の10〜80重量%であるエチレンオキシド/
プロピレンオキシド共重合体及び一般式RO(C,H。
o)m (cLn、 a)。11(Rは炭素数6〜20
のアルキル基、アルケニル基、又はアルキル基の炭素数
が4〜16のアルキルフェニル基であり、 m、 nは
平均付加モル数であって、mは4〜20、nは2〜10
であり、9は3あるいは4である)で示される化合物か
ら選ばれた少くとも1種の非イオン界面活性剤とオキシ
カルボン酸を必須成分としたことを特徴とする。
のアルキル基、アルケニル基、又はアルキル基の炭素数
が4〜16のアルキルフェニル基であり、 m、 nは
平均付加モル数であって、mは4〜20、nは2〜10
であり、9は3あるいは4である)で示される化合物か
ら選ばれた少くとも1種の非イオン界面活性剤とオキシ
カルボン酸を必須成分としたことを特徴とする。
本発明で用いる界面活性剤は、平均分子量がt 、 o
oo〜20,000であり、エチレンオキシドの重合部
分が全体の10〜80重量%であるエチレンオキシド/
プロピレンオキシド共重合体(EO/PO共重合体)及
び一般式RO(Cz )140)rm (CiH,0)
。11(Rは炭素数6〜20のアルキル基、アルケニル
基又はアルキル基の炭素数が4〜16のアルキルフェニ
ル基であり、 m、nは平均付加モル数であり、蓮は4
−20、nは2〜10であり。
oo〜20,000であり、エチレンオキシドの重合部
分が全体の10〜80重量%であるエチレンオキシド/
プロピレンオキシド共重合体(EO/PO共重合体)及
び一般式RO(Cz )140)rm (CiH,0)
。11(Rは炭素数6〜20のアルキル基、アルケニル
基又はアルキル基の炭素数が4〜16のアルキルフェニ
ル基であり、 m、nは平均付加モル数であり、蓮は4
−20、nは2〜10であり。
息は3あるいは4である)で示される化合物から選ばれ
た少なくとも1種の非イオン界面活性剤である。
た少なくとも1種の非イオン界面活性剤である。
本発明は前記したように特定の非イオン界面活性剤を用
いるものであるが、平均分子量が1 、000〜20
、000であり、エチレンオキシドの重合部分が全体の
10〜80重量%であるエチレンオキシド/プロピレン
オキシド共重合体(EO/PO共重合体)としては。
いるものであるが、平均分子量が1 、000〜20
、000であり、エチレンオキシドの重合部分が全体の
10〜80重量%であるエチレンオキシド/プロピレン
オキシド共重合体(EO/PO共重合体)としては。
分子量1000〜5ooo、好ましくは1400〜35
00のプロピレングリコール(PPG)にエチレンオキ
シドを10〜80重景%(全体に対して)付加したもの
が好適に使用される。
00のプロピレングリコール(PPG)にエチレンオキ
シドを10〜80重景%(全体に対して)付加したもの
が好適に使用される。
エチレンオキシド(EO)含量が10重量%未満のもの
は洗浄性が減少し、かつ製品(溶液)が乳化、分離をお
こし、製品外観を著しく損う場合がある。
は洗浄性が減少し、かつ製品(溶液)が乳化、分離をお
こし、製品外観を著しく損う場合がある。
また80重量%を越えるものは洗浄時に発泡し過ぎるの
で好ましくない。
で好ましくない。
また、一般式RO(CJ4)+1(CJL21L)nH
(式中、R,m、n及びaは前記のとおり)で示される
非イオン界面活性剤の代表例としては炭素数12の直鎖
及び分枝高級アルコールのような炭素数9〜20の高級
アルコールやノニルフェノール、オクチルフェノールの
ようなアルキル置換フェノールにエチレンオキシド(E
O)を3〜lOモル及びプロどレンオキシド(PO)を
3〜10モル付加させたものが挙げられる。
(式中、R,m、n及びaは前記のとおり)で示される
非イオン界面活性剤の代表例としては炭素数12の直鎖
及び分枝高級アルコールのような炭素数9〜20の高級
アルコールやノニルフェノール、オクチルフェノールの
ようなアルキル置換フェノールにエチレンオキシド(E
O)を3〜lOモル及びプロどレンオキシド(PO)を
3〜10モル付加させたものが挙げられる。
このような非イオン界面活性剤の使用割合は表面処理剤
全量に対して0.5〜20重量%、好ましくは5〜12
重量%である。その使用割合が0.5重、f%未満であ
ると表面に付着した有機又は無機系の汚垢成分の除去効
果が充分に発揮されず、また20重f%を越えると均一
で安定な水溶性の表面処理剤を得ることが困難となる。
全量に対して0.5〜20重量%、好ましくは5〜12
重量%である。その使用割合が0.5重、f%未満であ
ると表面に付着した有機又は無機系の汚垢成分の除去効
果が充分に発揮されず、また20重f%を越えると均一
で安定な水溶性の表面処理剤を得ることが困難となる。
オキシカルボン酸としては、1分子内にカルボキシル基
と水酸基を有する脂肪族オキシカルボン酸あるいは芳香
族オキシカルボン酸の何れもが使用できるが、脂肪族オ
キシカルボン酸、特にリンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グ
ルクロン酸等が好ましく用いられる。
と水酸基を有する脂肪族オキシカルボン酸あるいは芳香
族オキシカルボン酸の何れもが使用できるが、脂肪族オ
キシカルボン酸、特にリンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グ
ルクロン酸等が好ましく用いられる。
また、−これらのオキシカルボン酸は単独もしくは二種
以上の混合物として使用される。オキシカルボン酸の使
用量は前記非イオン界面活性剤1重量部に対して0.3
〜10重量部、好まくは(L4−8重量部である。その
使用量が0.3重量部未満であると研磨材成分の除去効
果が充分でなく、また10重量部を越えると安定かつ均
一な表面処理剤を得ることが困難となる。
以上の混合物として使用される。オキシカルボン酸の使
用量は前記非イオン界面活性剤1重量部に対して0.3
〜10重量部、好まくは(L4−8重量部である。その
使用量が0.3重量部未満であると研磨材成分の除去効
果が充分でなく、また10重量部を越えると安定かつ均
一な表面処理剤を得ることが困難となる。
本発明の表面処理剤は、前記したように特定の非イオン
界面活性剤とオキシカルボン酸を必須成分とするもので
あるが、たとえば人指等の油脂成分を除去するために、
通常プロピレングリコール、エチレングリコール、ブチ
ルセルソルブ、ブチルカルピトール等の水溶性有機溶剤
が用いられる。
界面活性剤とオキシカルボン酸を必須成分とするもので
あるが、たとえば人指等の油脂成分を除去するために、
通常プロピレングリコール、エチレングリコール、ブチ
ルセルソルブ、ブチルカルピトール等の水溶性有機溶剤
が用いられる。
その使用量は表面処理剤全重量に対して1〜30重量%
、好まくは5〜25重量%である。
、好まくは5〜25重量%である。
以上、成分量の記載限定、実施例記載はあくまで使用時
の範囲であって、実際製品の場合は、容器、輸送費等の
コストを考慮して当然のことながら、可能なかぎり濃縮
された内容物とするのが好ましい。
の範囲であって、実際製品の場合は、容器、輸送費等の
コストを考慮して当然のことながら、可能なかぎり濃縮
された内容物とするのが好ましい。
また、本発明においては、前記成分に加え、この種゛の
表面処理剤に通常用いられている防錆剤等の補助成分を
添加することもできる。
表面処理剤に通常用いられている防錆剤等の補助成分を
添加することもできる。
本発明の対象とする被洗浄基板はセラミック基板である
。
。
このようなセラミック基板としては、■アルミニウム、
亜鉛、カルシウム、マグネシウム等の金属酸化物と硼素
化合物、炭化物、窒化物の混合物を溶融して作成される
基板、■鉄、銅、アルミニウム等の金属板にアルミニウ
ム、マグネシウム、カルシウム等の金属酸化物を薄膜状
に多層溶融コーティング又は斑瑯処理して作成される基
板等が挙げられ、またこのようなセラミック基板の研磨
に使用される研磨材としては基板表面の硬さに応じて、
酸化アルミニウム、酸化セリウム、炭化ケイ素等が任意
に適用される。
亜鉛、カルシウム、マグネシウム等の金属酸化物と硼素
化合物、炭化物、窒化物の混合物を溶融して作成される
基板、■鉄、銅、アルミニウム等の金属板にアルミニウ
ム、マグネシウム、カルシウム等の金属酸化物を薄膜状
に多層溶融コーティング又は斑瑯処理して作成される基
板等が挙げられ、またこのようなセラミック基板の研磨
に使用される研磨材としては基板表面の硬さに応じて、
酸化アルミニウム、酸化セリウム、炭化ケイ素等が任意
に適用される。
本発明で得られる表面処理剤を用いてセラミック基板の
表面を洗浄するには以下のようにすればよい。
表面を洗浄するには以下のようにすればよい。
研磨材により、ラッピング及びポリッシングを施したセ
ラミック基板をあらかじめ水洗する。ついで前記した特
定の非イオン界面活性剤とオキシカルボン酸を必須成分
とし、好ましくは、水及び水溶性の有機溶剤を加えた表
面処理剤で水洗基板を洗浄する。洗浄温度は15〜80
℃、好ましくは25〜40℃であり、洗浄方法は、超音
波洗浄、スプレー洗浄、刷子洗浄があげられるが、超音
波洗浄が特に好ましい、洗浄時間は、通常1〜10分で
ある。その後、更に水洗し、メタノール、イソプロパツ
ール等の低沸点水溶性有機溶剤中に浸漬後、加熱乾燥な
いし風乾すればよい。
ラミック基板をあらかじめ水洗する。ついで前記した特
定の非イオン界面活性剤とオキシカルボン酸を必須成分
とし、好ましくは、水及び水溶性の有機溶剤を加えた表
面処理剤で水洗基板を洗浄する。洗浄温度は15〜80
℃、好ましくは25〜40℃であり、洗浄方法は、超音
波洗浄、スプレー洗浄、刷子洗浄があげられるが、超音
波洗浄が特に好ましい、洗浄時間は、通常1〜10分で
ある。その後、更に水洗し、メタノール、イソプロパツ
ール等の低沸点水溶性有機溶剤中に浸漬後、加熱乾燥な
いし風乾すればよい。
本発明のセラミック基板用表面処理剤は、セラミック基
板表面に付着される有機系、無機系汚垢はもとより基板
表面にささくれたり、つきささった研磨材をも、数分以
内という短時間で基板自体を損傷させることなく除去す
ることができる。
板表面に付着される有機系、無機系汚垢はもとより基板
表面にささくれたり、つきささった研磨材をも、数分以
内という短時間で基板自体を損傷させることなく除去す
ることができる。
本発明の表面処理剤がこのような顕著な作用効果を奏す
る理由は定かでないが、セラミック基板表面のささくれ
たり、つきささったた研磨材成分である金属酸化物の表
面の一部が、オキシカルボン酸と反応、溶解することに
よって、離脱しやすくなり、また前記特定界面活性剤の
作用により、この離脱現象が更に増大することによるも
のと推定される。
る理由は定かでないが、セラミック基板表面のささくれ
たり、つきささったた研磨材成分である金属酸化物の表
面の一部が、オキシカルボン酸と反応、溶解することに
よって、離脱しやすくなり、また前記特定界面活性剤の
作用により、この離脱現象が更に増大することによるも
のと推定される。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例1〜12、比較例1,2
表−1記載の所定の成分を所定量配合した表面処理剤I
Qを、超音波洗浄材(ブロンソン社製、B−521)に
入れ、水溶液の温度を30℃に調整した。
Qを、超音波洗浄材(ブロンソン社製、B−521)に
入れ、水溶液の温度を30℃に調整した。
次に、研磨材にて研磨後の水洗処理した斑瑯基板(50
nu++ X 70+am X 1++u++(厚み)
)を上記超音波洗浄槽内の表面処理剤に浸漬し、5分間
超音波洗浄した。
nu++ X 70+am X 1++u++(厚み)
)を上記超音波洗浄槽内の表面処理剤に浸漬し、5分間
超音波洗浄した。
次いで、イオン交換水の入った別の超音波洗浄機の浴槽
中に、前記処理した斑瑯基板を浸漬し、5分間超音波洗
浄を行った。水洗浄後の基板をメタノールに浸漬後、と
り出し、風乾により乾燥し、基板表面を下記方法にて評
価した。その結果を表−1に示す。
中に、前記処理した斑瑯基板を浸漬し、5分間超音波洗
浄を行った。水洗浄後の基板をメタノールに浸漬後、と
り出し、風乾により乾燥し、基板表面を下記方法にて評
価した。その結果を表−1に示す。
■顕微鏡判定(光学系、落下方式、暗視タイプ偏光併用
、倍率500) 評価基準は下記の通りである。
、倍率500) 評価基準は下記の通りである。
■表面粗さ測定機での面積度の評価
被洗浄処理基板表面の面精度は表面粗さ測定機(小坂製
作所製、万能計上測定機5E−3G)にて、表面の凹凸
の高さを測定の上、次式に従って算出した。
作所製、万能計上測定機5E−3G)にて、表面の凹凸
の高さを測定の上、次式に従って算出した。
実施例13〜16
実施例1において、被洗浄基板をアルミニウム基板(実
施例13)、フォルステライト基板(実施例14)、チ
タン酸バリウム基板(実施例15)、ジルコニア混合物
基板(実施例16)に代えた以外は実施例1と同様に処
理した。その評価を顕微鏡にて判定したところ、実施例
13.14.15.16のいずれもOであった。
施例13)、フォルステライト基板(実施例14)、チ
タン酸バリウム基板(実施例15)、ジルコニア混合物
基板(実施例16)に代えた以外は実施例1と同様に処
理した。その評価を顕微鏡にて判定したところ、実施例
13.14.15.16のいずれもOであった。
Claims (2)
- (1)平均分子量が1,000〜20,000であり、
エチレンオキシドの重合部分が全体の10〜80重量%
であるエチレンオキシド/プロピレンオキシド共重合体
及び一般式RO(C_2H_4O)_m(C_lH_2
_l)_nH(Rは炭素数6〜20のアルキル基、アル
ケニル基、又はアルキル基の炭素数が4〜16のアルキ
ルフェニル基であり、m、nは平均付加モル数であって
、mは4〜20、nは2〜10であり、lは3あるいは
4である)で示される化合物から選ばれた少くとも1種
の非イオン界面活性剤とオキシカルボン酸を必須成分と
したことを特徴とするセラミック基板用表面処理剤。 - (2)オキシカルボン酸が、リンゴ酸、クエン酸、酒石
酸及びグルクロン酸から選ばれた少くとも1種である特
許請求の範囲第1項記載のセラミック基板用表面処理剤
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7151688A JPH01243433A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | セラミック基板用表面処理剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7151688A JPH01243433A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | セラミック基板用表面処理剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01243433A true JPH01243433A (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=13462957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7151688A Pending JPH01243433A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | セラミック基板用表面処理剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01243433A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0537627A2 (en) * | 1991-10-15 | 1993-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer planarization |
FR2722511A1 (fr) * | 1994-07-15 | 1996-01-19 | Ontrak Systems Inc | Procede pour enlever les metaux dans un dispositif de recurage |
JP2009074717A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Shin Ootsuka Kk | 被処理物乾燥装置 |
WO2010123300A3 (en) * | 2009-04-22 | 2011-03-31 | Lg Chem, Ltd. | Slurry for chemical mechanical polishing |
JP2016138282A (ja) * | 2007-05-17 | 2016-08-04 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | Cmp後洗浄配合物用の新規な酸化防止剤 |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP7151688A patent/JPH01243433A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0537627A2 (en) * | 1991-10-15 | 1993-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer planarization |
FR2722511A1 (fr) * | 1994-07-15 | 1996-01-19 | Ontrak Systems Inc | Procede pour enlever les metaux dans un dispositif de recurage |
JP2016138282A (ja) * | 2007-05-17 | 2016-08-04 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | Cmp後洗浄配合物用の新規な酸化防止剤 |
JP2009074717A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Shin Ootsuka Kk | 被処理物乾燥装置 |
WO2010123300A3 (en) * | 2009-04-22 | 2011-03-31 | Lg Chem, Ltd. | Slurry for chemical mechanical polishing |
US9080079B2 (en) | 2009-04-22 | 2015-07-14 | Lg Chem, Ltd. | Slurry for chemical mechanical polishing |
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