JPH01243393A - 有機薄膜発光素子とその製造方法 - Google Patents
有機薄膜発光素子とその製造方法Info
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- JPH01243393A JPH01243393A JP63071381A JP7138188A JPH01243393A JP H01243393 A JPH01243393 A JP H01243393A JP 63071381 A JP63071381 A JP 63071381A JP 7138188 A JP7138188 A JP 7138188A JP H01243393 A JPH01243393 A JP H01243393A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野J
、 本発明は、安価で発光効率の扁い、有機薄膜発光素
子とその製造方法に関するものでるる。
子とその製造方法に関するものでるる。
電界発光(エレクトロルミネ七ンス]は多くノ吻賀で認
められる。49に有機物?原料とした電界発光素子は安
価で大面積表示素子として注目されている。有機物は更
に次のような特徴を持り◇即ち、40チを越す螢光量子
効率を示す材料が多い〇また1過当な材料辿択で谷撞螢
光色を得ることが可能である。近年、分子レベルの材料
設計可能となり、螢光有機物をオリ用した有機#模発元
素子の発展も期待されている。このような特徴を持つ有
機薄膜発光素子の基本的な構造を第3図に示す。
められる。49に有機物?原料とした電界発光素子は安
価で大面積表示素子として注目されている。有機物は更
に次のような特徴を持り◇即ち、40チを越す螢光量子
効率を示す材料が多い〇また1過当な材料辿択で谷撞螢
光色を得ることが可能である。近年、分子レベルの材料
設計可能となり、螢光有機物をオリ用した有機#模発元
素子の発展も期待されている。このような特徴を持つ有
機薄膜発光素子の基本的な構造を第3図に示す。
ガラス等の透光性全似31上にI’l”0などの透明電
極32を形成し、その後電荷(電子あるいは正孔)注入
層33を形成する。次に発光層34を形成し最後に裏面
電極35を形成する。発光は通常2vから20V前後の
直流電圧印加で観劇される。
極32を形成し、その後電荷(電子あるいは正孔)注入
層33を形成する。次に発光層34を形成し最後に裏面
電極35を形成する。発光は通常2vから20V前後の
直流電圧印加で観劇される。
この素子の発光amは不明な所が残っているが、通常、
仄のように考えられている。卯ち、発光層(螢光平し−
ト錯体等、a合多環芳香族系の多結晶薄膜)に注入され
た正孔と電子が再結合し、分子内にニー?、7)ンを生
成する。そのエキシトンの主に一凰項が発光にあずかる
(例えば、林、蒼藤省吾1M機色素を用いたエレクトロ
ルミネtンス材料」0機能材料12月号、36ページ、
1987年)0索子の製造方法は真空蒸着法、ラングミ
ーア・グロジェ、ト法が報告されている。
仄のように考えられている。卯ち、発光層(螢光平し−
ト錯体等、a合多環芳香族系の多結晶薄膜)に注入され
た正孔と電子が再結合し、分子内にニー?、7)ンを生
成する。そのエキシトンの主に一凰項が発光にあずかる
(例えば、林、蒼藤省吾1M機色素を用いたエレクトロ
ルミネtンス材料」0機能材料12月号、36ページ、
1987年)0索子の製造方法は真空蒸着法、ラングミ
ーア・グロジェ、ト法が報告されている。
第3図に示すような、従来提案されている二層型有機薄
膜発光素子の発光特性は近年著しい進展を示している(
例えば、アプライド・フィジイ。
膜発光素子の発光特性は近年著しい進展を示している(
例えば、アプライド・フィジイ。
クス・レター、51巻、913ページ(1987))。
しかし、実用的なjifL度を得るため100 mA/
α2程度の電流密度が心安であるため、大面核化ととも
にジュール熱損による影響を無視できなくなる。
α2程度の電流密度が心安であるため、大面核化ととも
にジュール熱損による影響を無視できなくなる。
例えば、電極等の発熱による素子劣化(発光輝度の低下
や1lilT#iりなどがある。また電流v!!i度が
為いと素子駆動回路の負担も高くなる。例えはジュール
損による効率の低下やIC化・為密嵐実装が困難になる
。
や1lilT#iりなどがある。また電流v!!i度が
為いと素子駆動回路の負担も高くなる。例えはジュール
損による効率の低下やIC化・為密嵐実装が困難になる
。
以上述べたように、平面発光型表示装置への応用を考え
た場合、電流重置の低減、即ち発光効率の1〜2桁改讐
が是非とも心安である。
た場合、電流重置の低減、即ち発光効率の1〜2桁改讐
が是非とも心安である。
〔味題を解決するための+段」
前述のS題を解決するために本発明は、少なくとも一刀
が透明である一対の電極間に有機電界発光溝膜層を挾持
してなる有機薄膜発光素子に於いて、前記有機電界発光
溝膜層が電子伝尋性層と正孔伝導性層を交互に二層以上
積層してなることを特徴とする構造とした。このとき各
電子伝専性層および正孔伝導性層の層厚は20〜100
0λの範囲である。更に各電子伝尋性層および正孔伝導
性層からなる横/I膜の少なくとも一層に、アルカリ金
椙、アルカリ土類金槁、ハロゲン、カルコゲン元素の甲
よシ少なくとも1つを重加している。
が透明である一対の電極間に有機電界発光溝膜層を挾持
してなる有機薄膜発光素子に於いて、前記有機電界発光
溝膜層が電子伝尋性層と正孔伝導性層を交互に二層以上
積層してなることを特徴とする構造とした。このとき各
電子伝専性層および正孔伝導性層の層厚は20〜100
0λの範囲である。更に各電子伝尋性層および正孔伝導
性層からなる横/I膜の少なくとも一層に、アルカリ金
椙、アルカリ土類金槁、ハロゲン、カルコゲン元素の甲
よシ少なくとも1つを重加している。
また、本発明の有機薄膜発光素子に用いた有機電界発光
溝膜層、すなわち、アルカリ金属、アルカリ土類金極、
ハロゲン、カルコゲンの少なくとも1つが象加してなる
多#構造の有機電界発光溝膜層を製造する方法には10
’J:’orr以下の高真空中で蒸層形成する方法
を採っている。
溝膜層、すなわち、アルカリ金属、アルカリ土類金極、
ハロゲン、カルコゲンの少なくとも1つが象加してなる
多#構造の有機電界発光溝膜層を製造する方法には10
’J:’orr以下の高真空中で蒸層形成する方法
を採っている。
!3図に示すような2増型M機薄膜発光素子に於いて、
発光領域はitA台多環芳香族分子の多結晶薄膜である
発光層のわずか100〜300Aであル(剣先ばタンク
、アプライド・フィジイ、クス・レター、51巻、91
3ページ(1987))。
発光領域はitA台多環芳香族分子の多結晶薄膜である
発光層のわずか100〜300Aであル(剣先ばタンク
、アプライド・フィジイ、クス・レター、51巻、91
3ページ(1987))。
この理由は次のよ5に考えられている。まず、分子性M
11!物の電気伝導は分子間の電子伝専脣性で律速され
ている。分子間はファンデ1ワールスカでゆるくM台し
ているだけで69、分子間の千ヤリア移#&裏困雌であ
る。移動度は極めて小さく、その拡敵距mはわずか50
〜300人である。分子内で正孔と電子が再結合してニ
ー?7トンが生成され、これが発光の源となりている有
機薄膜発光素子では、上述のとと<aa距随が坦かいた
めに発光領域も小さくなっている。
11!物の電気伝導は分子間の電子伝専脣性で律速され
ている。分子間はファンデ1ワールスカでゆるくM台し
ているだけで69、分子間の千ヤリア移#&裏困雌であ
る。移動度は極めて小さく、その拡敵距mはわずか50
〜300人である。分子内で正孔と電子が再結合してニ
ー?7トンが生成され、これが発光の源となりている有
機薄膜発光素子では、上述のとと<aa距随が坦かいた
めに発光領域も小さくなっている。
−更に、前述したように分子性有機物は分子間で伝導が
律速され、高抵抗を示す。夾用輝度レベルの電流密度を
得るためには、高電界印加で強制的に分子向伝尋を生じ
させなけれはならなかった。
律速され、高抵抗を示す。夾用輝度レベルの電流密度を
得るためには、高電界印加で強制的に分子向伝尋を生じ
させなけれはならなかった。
しかしながら、正孔と電子の再結合で生じるエキシトン
は高電界中はどその生成−率は低下する。
は高電界中はどその生成−率は低下する。
更に二千シトン解R1確率も増加する。このため、電圧
を高くするにつれ、発光効率も低下した。
を高くするにつれ、発光効率も低下した。
以上の考察を基に、各抛実験検討をおこない、本発明に
致った。即ち本発明は発光層を膜厚201000AI/
)@、子伝導性層と正孔伝導性層の積層構造とした。こ
のように多層としであるため実質的な発光領域は大@に
広がった。
致った。即ち本発明は発光層を膜厚201000AI/
)@、子伝導性層と正孔伝導性層の積層構造とした。こ
のように多層としであるため実質的な発光領域は大@に
広がった。
更に発光層に不純物を范加した。この不純物のh≦)J
lは分子間バリヤーの低下を促し、またトラ。
lは分子間バリヤーの低下を促し、またトラ。
ブレベルの世上という効果があった。移動度も大幅に増
力口した。これにより、低電界よ〕充分なキャリアが効
率よく流せるようになり、エキ7トン生成効率の向上、
二千シトン解離確率の低減が可能となつた。史に1!他
からのキャリア圧入効率も大幅に向上した。各層の膜厚
が100OAをこえると、非発光である領域が生じて不
適であった。
力口した。これにより、低電界よ〕充分なキャリアが効
率よく流せるようになり、エキ7トン生成効率の向上、
二千シトン解離確率の低減が可能となつた。史に1!他
からのキャリア圧入効率も大幅に向上した。各層の膜厚
が100OAをこえると、非発光である領域が生じて不
適であった。
上記の不純物はアルカリ金橋、アルカリ土類金楓あるい
はハロゲン、カルコゲン元素等、化学的に活性であり、
従来のA空蒸着やラングミュアプロジェット法では酸系
や水分の影響で重加が困難であった。不純物を有効に添
加する方法を恢村した結果本発明による有機薄膜発光素
子の有機電界発光溝膜層を10 Torr以下の高真
空中で製造すればよいことがわかった。この真空下であ
れば、残vM#に素は他めて少ない上、不純物を添加し
た薄膜層形成時に酸素取り込みが極めて少ない。このた
め、添加した不純物が有効に働いている。
はハロゲン、カルコゲン元素等、化学的に活性であり、
従来のA空蒸着やラングミュアプロジェット法では酸系
や水分の影響で重加が困難であった。不純物を有効に添
加する方法を恢村した結果本発明による有機薄膜発光素
子の有機電界発光溝膜層を10 Torr以下の高真
空中で製造すればよいことがわかった。この真空下であ
れば、残vM#に素は他めて少ない上、不純物を添加し
た薄膜層形成時に酸素取り込みが極めて少ない。このた
め、添加した不純物が有効に働いている。
以上述べたように、本発明により、有機薄膜発光素子の
発光効率は従来より大幅な向上が認められた。即ち世い
電R¥!ffでも実用的な輝度が優られた。本発明によ
シ、有機薄膜発光素子が実用化に向けて大きく前進する
ことができた。
発光効率は従来より大幅な向上が認められた。即ち世い
電R¥!ffでも実用的な輝度が優られた。本発明によ
シ、有機薄膜発光素子が実用化に向けて大きく前進する
ことができた。
以下実施例に従゛って本発明の有機m暎発光素子とその
製造方法を詳細忙説明する。
製造方法を詳細忙説明する。
第1図においてガラス基板l上圧約200OAのITO
(酸化インジウム・スズ)透明電極2をマグネトロンス
パ、りで形成する。その後フォトレジスト工程および工
、チングで適当な形の電極パターンを形成す。アセトン
およびアルコールによる充分な洗浄をおこなう。有機電
界発光薄@I’t14のJし成は第2図に示す、超高真
窒博膜形成装置でおこなう。この装置は蒸着421と準
備室2202つに分れており、蒸R421は常に1O−
8Torr台に保たれている。
(酸化インジウム・スズ)透明電極2をマグネトロンス
パ、りで形成する。その後フォトレジスト工程および工
、チングで適当な形の電極パターンを形成す。アセトン
およびアルコールによる充分な洗浄をおこなう。有機電
界発光薄@I’t14のJし成は第2図に示す、超高真
窒博膜形成装置でおこなう。この装置は蒸着421と準
備室2202つに分れており、蒸R421は常に1O−
8Torr台に保たれている。
まず、充分に洗浄した電極付き基板を準備室221c4
人し、10Torr以下まで排気する。次にこの準備室
22の中で加熱ヒータ26にょシ、基板を300℃まで
加熱し充分な脱ガスをおこなう。mガスが終了後、セパ
レージ、ンバルフ25を開き、蒸N421に導入する。
人し、10Torr以下まで排気する。次にこの準備室
22の中で加熱ヒータ26にょシ、基板を300℃まで
加熱し充分な脱ガスをおこなう。mガスが終了後、セパ
レージ、ンバルフ25を開き、蒸N421に導入する。
蒸着槽内に設置した後は基板加熱は全くおこなっていな
い。各蒸着原料は襟化ホウ素のルツボ23に入れ、抵抗
加熱で蒸発させている。蒸着槽21は液体窒素の7−ラ
クドでかこまれ、残留ガスおよび再蒸発分子による影響
を少なくしている。各原料の蒸発速度は水晶撮動子でモ
ニターし制御している。本実施列では正孔伝導性層3a
として を使用し、不純物としてSeを利用した。また、電子伝
導性層3bとして を使用し、不純物としてNaを利用した。
い。各蒸着原料は襟化ホウ素のルツボ23に入れ、抵抗
加熱で蒸発させている。蒸着槽21は液体窒素の7−ラ
クドでかこまれ、残留ガスおよび再蒸発分子による影響
を少なくしている。各原料の蒸発速度は水晶撮動子でモ
ニターし制御している。本実施列では正孔伝導性層3a
として を使用し、不純物としてSeを利用した。また、電子伝
導性層3bとして を使用し、不純物としてNaを利用した。
各物質の蒸着はシャ、ター24および27テltiij
1MIしている。尚、各原料は蒸着に先立ち、蒸発が無
視できる程度にルツボな原熱し、充分なガス出しがおこ
なわれている。まず第1の工程として正孔伝4注層3a
を5OA形成する。このときSeの添加量が0.5mo
1%になるようにse蒸発賞を制御した。次に第2の工
程として電子伝導性層3bを5OA形成する。このとき
Naの添カ0蓋が1mo1%前後になるようKNa然発
量を制御した。
1MIしている。尚、各原料は蒸着に先立ち、蒸発が無
視できる程度にルツボな原熱し、充分なガス出しがおこ
なわれている。まず第1の工程として正孔伝4注層3a
を5OA形成する。このときSeの添加量が0.5mo
1%になるようにse蒸発賞を制御した。次に第2の工
程として電子伝導性層3bを5OA形成する。このとき
Naの添カ0蓋が1mo1%前後になるようKNa然発
量を制御した。
このティクルを20回〈9返す。その後電子ビーム蒸着
で有機電界発光溝膜層4の上圧1000AのAJ電他を
形成する。このとき基板加熱は全くお仁なっていない。
で有機電界発光溝膜層4の上圧1000AのAJ電他を
形成する。このとき基板加熱は全くお仁なっていない。
最後に素子保護用の樹脂6でおおい完了する。
この素子の電極間KI OVの直流電圧を印力口しり)
−t口2.00〜300 cd / m2 0発光カー
−められた。このときのIE&密度4よo、smA/口
であった0 尚、正孔伝轡性層は芳香族分子系の7 ミン系であれば
効果がみとめられた。下記にその一例を示すO (5) t
6)◎ 電子伝導性層はアントラセン。テトラセン、キノリン、
テトラセフ等やその誘導体および金属錯体得、有機色素
であっても、本発明の効果は陥められた。
−t口2.00〜300 cd / m2 0発光カー
−められた。このときのIE&密度4よo、smA/口
であった0 尚、正孔伝轡性層は芳香族分子系の7 ミン系であれば
効果がみとめられた。下記にその一例を示すO (5) t
6)◎ 電子伝導性層はアントラセン。テトラセン、キノリン、
テトラセフ等やその誘導体および金属錯体得、有機色素
であっても、本発明の効果は陥められた。
また、有機電界発光薄膜噛に添加する物質し四e以外に
B、Te、C1化+ ’ml −B r化合物、1化合
物であっても同様であった。更KNa以外にK。
B、Te、C1化+ ’ml −B r化合物、1化合
物であっても同様であった。更KNa以外にK。
Mg、Ca、SP 、Ba であっても同様でめった。
〔発明の幼果」
従来のM4!!薄膜発光素子は低電圧発光を示したが、
電流駆動による発光であった。それゆえ、ジェール熱慣
を始め、大面横比に対する問題が多かった。本発明は有
機簿膜を使用した平面発光型表示装置実損に恵賛である
、線光効率の向上(%に、低電流@度で^い輝度を得る
)が可能な有機薄膜発光素子とそのJJI!造刀法を方
法した。本発明の効果は以下のとおりである。まず発光
層を多層とすることで、従来よシ発光に関与する鎖酸を
広げた。
電流駆動による発光であった。それゆえ、ジェール熱慣
を始め、大面横比に対する問題が多かった。本発明は有
機簿膜を使用した平面発光型表示装置実損に恵賛である
、線光効率の向上(%に、低電流@度で^い輝度を得る
)が可能な有機薄膜発光素子とそのJJI!造刀法を方
法した。本発明の効果は以下のとおりである。まず発光
層を多層とすることで、従来よシ発光に関与する鎖酸を
広げた。
更に発光層へのキャリア注入効率及び再結合f4率の向
上とエキ7トン解R確率の低下を図るため不細物を市〃
0した。た疋し不純物としてアルカリ金槁、フルカリ土
類金属やハロゲン、カルコゲ7元系を使用しているため
、酸素や水分などから影響を充分たちきらなければなら
ない。そのため、発光層を10 Torr以下の真空
中で製造している。
上とエキ7トン解R確率の低下を図るため不細物を市〃
0した。た疋し不純物としてアルカリ金槁、フルカリ土
類金属やハロゲン、カルコゲ7元系を使用しているため
、酸素や水分などから影響を充分たちきらなければなら
ない。そのため、発光層を10 Torr以下の真空
中で製造している。
第1図は本発明の一実施例である1機薄膜発光素子の概
念的なW+面構造を表わす。ζこで4の有機電界発光薄
膜は正孔伝専性層3aと電子伝尋性層3bを交互に積層
した構造よシなっている。 第2図は本発明の一実施例である有機簿膜発光素子の製
造に使用した有機薄膜製造用高真空装置の概略図である
。 第3図は従来の有機簿膜発光素子の概念的な断面構造を
示す。 1.31・・・・・・ガラス基板、2.32・・・・・
・透明電極、3a・・・・・・正孔伝専性層、3b・・
・・・・電子伝導性l−15,35・・・・・・電極、
6・・・・・・保’t*HIx。 代理人 5P理士 内 原 晋 損
念的なW+面構造を表わす。ζこで4の有機電界発光薄
膜は正孔伝専性層3aと電子伝尋性層3bを交互に積層
した構造よシなっている。 第2図は本発明の一実施例である有機簿膜発光素子の製
造に使用した有機薄膜製造用高真空装置の概略図である
。 第3図は従来の有機簿膜発光素子の概念的な断面構造を
示す。 1.31・・・・・・ガラス基板、2.32・・・・・
・透明電極、3a・・・・・・正孔伝専性層、3b・・
・・・・電子伝導性l−15,35・・・・・・電極、
6・・・・・・保’t*HIx。 代理人 5P理士 内 原 晋 損
Claims (2)
- (1) 少なくとも一方が透明である一対の電極間に有
機電界発光溝膜層を挾持してなる有機薄膜発光素子に於
いて、前記有機電界発光薄膜層が薄い電子伝導性層と正
孔伝導性層を交互に二層以上積層してなり、かつ、前記
有機電界発光薄膜層を構成する電子伝導性層および正孔
伝導性層からなる横層膜の少なくとも一層に、アルカリ
金属、アルカリ土類金属、ハロゲン、カルコゲン元素の
中より少なくとも1つを添加したことを特徴とする有機
薄膜発光素子。 - (2) 少なくとも一方が透明である一対の電極間に、
アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン、カルコゲ
ンのうち少なくとも1以上が添加してなる多層構造の有
機電界発光薄膜層を積層してなる有機薄膜発光素子の製
造方法に於いて、前記アルカリ並属、アルカリ土類金属
、ハロゲン、カルコゲンのうち少なくとも1以上が添加
してなる多積構造の有機電界発光薄膜層を10^−^7
Torr以下の高真空中で形成することを特徴とする有
機薄膜発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63071381A JPH01243393A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 有機薄膜発光素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63071381A JPH01243393A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 有機薄膜発光素子とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01243393A true JPH01243393A (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=13458870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63071381A Pending JPH01243393A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 有機薄膜発光素子とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01243393A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5059863A (en) * | 1989-07-04 | 1991-10-22 | Mitsubishi Kasei Corporation | Organic electroluminescent device |
JPH03250583A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JPH03274693A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-05 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JPH05179239A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-07-20 | Fuji Electric Co Ltd | 有機薄膜発光素子 |
US5739635A (en) * | 1995-04-27 | 1998-04-14 | Pioneer Electric Corporation | Organic electroluminescent device |
US6811897B2 (en) | 2002-03-29 | 2004-11-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ink for forming a hole injection layer of organic EL display devices and manufacturing method thereof, organic EL display devices, and manufacturing method of the same |
US6818324B1 (en) | 1997-10-09 | 2004-11-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic thin-film EL device |
US6908696B2 (en) | 2002-03-18 | 2005-06-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electro luminescence display device |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP63071381A patent/JPH01243393A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH03250583A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
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US6811897B2 (en) | 2002-03-29 | 2004-11-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ink for forming a hole injection layer of organic EL display devices and manufacturing method thereof, organic EL display devices, and manufacturing method of the same |
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