JPH01243393A - 有機薄膜発光素子とその製造方法 - Google Patents

有機薄膜発光素子とその製造方法

Info

Publication number
JPH01243393A
JPH01243393A JP63071381A JP7138188A JPH01243393A JP H01243393 A JPH01243393 A JP H01243393A JP 63071381 A JP63071381 A JP 63071381A JP 7138188 A JP7138188 A JP 7138188A JP H01243393 A JPH01243393 A JP H01243393A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
thin film
light emitting
organic
added
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63071381A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayasu Ishiko
雅康 石子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63071381A priority Critical patent/JPH01243393A/ja
Publication of JPH01243393A publication Critical patent/JPH01243393A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野J 、 本発明は、安価で発光効率の扁い、有機薄膜発光素
子とその製造方法に関するものでるる。
〔従来の技術〕
電界発光(エレクトロルミネ七ンス]は多くノ吻賀で認
められる。49に有機物?原料とした電界発光素子は安
価で大面積表示素子として注目されている。有機物は更
に次のような特徴を持り◇即ち、40チを越す螢光量子
効率を示す材料が多い〇また1過当な材料辿択で谷撞螢
光色を得ることが可能である。近年、分子レベルの材料
設計可能となり、螢光有機物をオリ用した有機#模発元
素子の発展も期待されている。このような特徴を持つ有
機薄膜発光素子の基本的な構造を第3図に示す。
ガラス等の透光性全似31上にI’l”0などの透明電
極32を形成し、その後電荷(電子あるいは正孔)注入
層33を形成する。次に発光層34を形成し最後に裏面
電極35を形成する。発光は通常2vから20V前後の
直流電圧印加で観劇される。
この素子の発光amは不明な所が残っているが、通常、
仄のように考えられている。卯ち、発光層(螢光平し−
ト錯体等、a合多環芳香族系の多結晶薄膜)に注入され
た正孔と電子が再結合し、分子内にニー?、7)ンを生
成する。そのエキシトンの主に一凰項が発光にあずかる
(例えば、林、蒼藤省吾1M機色素を用いたエレクトロ
ルミネtンス材料」0機能材料12月号、36ページ、
1987年)0索子の製造方法は真空蒸着法、ラングミ
ーア・グロジェ、ト法が報告されている。
〔本発明が解決しようとする線題〕
第3図に示すような、従来提案されている二層型有機薄
膜発光素子の発光特性は近年著しい進展を示している(
例えば、アプライド・フィジイ。
クス・レター、51巻、913ページ(1987))。
しかし、実用的なjifL度を得るため100 mA/
α2程度の電流密度が心安であるため、大面核化ととも
にジュール熱損による影響を無視できなくなる。
例えば、電極等の発熱による素子劣化(発光輝度の低下
や1lilT#iりなどがある。また電流v!!i度が
為いと素子駆動回路の負担も高くなる。例えはジュール
損による効率の低下やIC化・為密嵐実装が困難になる
以上述べたように、平面発光型表示装置への応用を考え
た場合、電流重置の低減、即ち発光効率の1〜2桁改讐
が是非とも心安である。
〔味題を解決するための+段」 前述のS題を解決するために本発明は、少なくとも一刀
が透明である一対の電極間に有機電界発光溝膜層を挾持
してなる有機薄膜発光素子に於いて、前記有機電界発光
溝膜層が電子伝尋性層と正孔伝導性層を交互に二層以上
積層してなることを特徴とする構造とした。このとき各
電子伝専性層および正孔伝導性層の層厚は20〜100
0λの範囲である。更に各電子伝尋性層および正孔伝導
性層からなる横/I膜の少なくとも一層に、アルカリ金
椙、アルカリ土類金槁、ハロゲン、カルコゲン元素の甲
よシ少なくとも1つを重加している。
また、本発明の有機薄膜発光素子に用いた有機電界発光
溝膜層、すなわち、アルカリ金属、アルカリ土類金極、
ハロゲン、カルコゲンの少なくとも1つが象加してなる
多#構造の有機電界発光溝膜層を製造する方法には10
  ’J:’orr以下の高真空中で蒸層形成する方法
を採っている。
〔作用〕
!3図に示すような2増型M機薄膜発光素子に於いて、
発光領域はitA台多環芳香族分子の多結晶薄膜である
発光層のわずか100〜300Aであル(剣先ばタンク
、アプライド・フィジイ、クス・レター、51巻、91
3ページ(1987))。
この理由は次のよ5に考えられている。まず、分子性M
11!物の電気伝導は分子間の電子伝専脣性で律速され
ている。分子間はファンデ1ワールスカでゆるくM台し
ているだけで69、分子間の千ヤリア移#&裏困雌であ
る。移動度は極めて小さく、その拡敵距mはわずか50
〜300人である。分子内で正孔と電子が再結合してニ
ー?7トンが生成され、これが発光の源となりている有
機薄膜発光素子では、上述のとと<aa距随が坦かいた
めに発光領域も小さくなっている。
−更に、前述したように分子性有機物は分子間で伝導が
律速され、高抵抗を示す。夾用輝度レベルの電流密度を
得るためには、高電界印加で強制的に分子向伝尋を生じ
させなけれはならなかった。
しかしながら、正孔と電子の再結合で生じるエキシトン
は高電界中はどその生成−率は低下する。
更に二千シトン解R1確率も増加する。このため、電圧
を高くするにつれ、発光効率も低下した。
以上の考察を基に、各抛実験検討をおこない、本発明に
致った。即ち本発明は発光層を膜厚201000AI/
)@、子伝導性層と正孔伝導性層の積層構造とした。こ
のように多層としであるため実質的な発光領域は大@に
広がった。
更に発光層に不純物を范加した。この不純物のh≦)J
lは分子間バリヤーの低下を促し、またトラ。
ブレベルの世上という効果があった。移動度も大幅に増
力口した。これにより、低電界よ〕充分なキャリアが効
率よく流せるようになり、エキ7トン生成効率の向上、
二千シトン解離確率の低減が可能となつた。史に1!他
からのキャリア圧入効率も大幅に向上した。各層の膜厚
が100OAをこえると、非発光である領域が生じて不
適であった。
上記の不純物はアルカリ金橋、アルカリ土類金楓あるい
はハロゲン、カルコゲン元素等、化学的に活性であり、
従来のA空蒸着やラングミュアプロジェット法では酸系
や水分の影響で重加が困難であった。不純物を有効に添
加する方法を恢村した結果本発明による有機薄膜発光素
子の有機電界発光溝膜層を10  Torr以下の高真
空中で製造すればよいことがわかった。この真空下であ
れば、残vM#に素は他めて少ない上、不純物を添加し
た薄膜層形成時に酸素取り込みが極めて少ない。このた
め、添加した不純物が有効に働いている。
以上述べたように、本発明により、有機薄膜発光素子の
発光効率は従来より大幅な向上が認められた。即ち世い
電R¥!ffでも実用的な輝度が優られた。本発明によ
シ、有機薄膜発光素子が実用化に向けて大きく前進する
ことができた。
〔実施例〕
以下実施例に従゛って本発明の有機m暎発光素子とその
製造方法を詳細忙説明する。
第1図においてガラス基板l上圧約200OAのITO
(酸化インジウム・スズ)透明電極2をマグネトロンス
パ、りで形成する。その後フォトレジスト工程および工
、チングで適当な形の電極パターンを形成す。アセトン
およびアルコールによる充分な洗浄をおこなう。有機電
界発光薄@I’t14のJし成は第2図に示す、超高真
窒博膜形成装置でおこなう。この装置は蒸着421と準
備室2202つに分れており、蒸R421は常に1O−
8Torr台に保たれている。
まず、充分に洗浄した電極付き基板を準備室221c4
人し、10Torr以下まで排気する。次にこの準備室
22の中で加熱ヒータ26にょシ、基板を300℃まで
加熱し充分な脱ガスをおこなう。mガスが終了後、セパ
レージ、ンバルフ25を開き、蒸N421に導入する。
蒸着槽内に設置した後は基板加熱は全くおこなっていな
い。各蒸着原料は襟化ホウ素のルツボ23に入れ、抵抗
加熱で蒸発させている。蒸着槽21は液体窒素の7−ラ
クドでかこまれ、残留ガスおよび再蒸発分子による影響
を少なくしている。各原料の蒸発速度は水晶撮動子でモ
ニターし制御している。本実施列では正孔伝導性層3a
として を使用し、不純物としてSeを利用した。また、電子伝
導性層3bとして を使用し、不純物としてNaを利用した。
各物質の蒸着はシャ、ター24および27テltiij
1MIしている。尚、各原料は蒸着に先立ち、蒸発が無
視できる程度にルツボな原熱し、充分なガス出しがおこ
なわれている。まず第1の工程として正孔伝4注層3a
を5OA形成する。このときSeの添加量が0.5mo
1%になるようにse蒸発賞を制御した。次に第2の工
程として電子伝導性層3bを5OA形成する。このとき
Naの添カ0蓋が1mo1%前後になるようKNa然発
量を制御した。
このティクルを20回〈9返す。その後電子ビーム蒸着
で有機電界発光溝膜層4の上圧1000AのAJ電他を
形成する。このとき基板加熱は全くお仁なっていない。
最後に素子保護用の樹脂6でおおい完了する。
この素子の電極間KI OVの直流電圧を印力口しり)
−t口2.00〜300 cd / m2 0発光カー
−められた。このときのIE&密度4よo、smA/口
 であった0 尚、正孔伝轡性層は芳香族分子系の7 ミン系であれば
効果がみとめられた。下記にその一例を示すO (5)                     t
6)◎ 電子伝導性層はアントラセン。テトラセン、キノリン、
テトラセフ等やその誘導体および金属錯体得、有機色素
であっても、本発明の効果は陥められた。
また、有機電界発光薄膜噛に添加する物質し四e以外に
B、Te、C1化+ ’ml −B r化合物、1化合
物であっても同様であった。更KNa以外にK。
Mg、Ca、SP 、Ba であっても同様でめった。
〔発明の幼果」 従来のM4!!薄膜発光素子は低電圧発光を示したが、
電流駆動による発光であった。それゆえ、ジェール熱慣
を始め、大面横比に対する問題が多かった。本発明は有
機簿膜を使用した平面発光型表示装置実損に恵賛である
、線光効率の向上(%に、低電流@度で^い輝度を得る
)が可能な有機薄膜発光素子とそのJJI!造刀法を方
法した。本発明の効果は以下のとおりである。まず発光
層を多層とすることで、従来よシ発光に関与する鎖酸を
広げた。
更に発光層へのキャリア注入効率及び再結合f4率の向
上とエキ7トン解R確率の低下を図るため不細物を市〃
0した。た疋し不純物としてアルカリ金槁、フルカリ土
類金属やハロゲン、カルコゲ7元系を使用しているため
、酸素や水分などから影響を充分たちきらなければなら
ない。そのため、発光層を10  Torr以下の真空
中で製造している。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である1機薄膜発光素子の概
念的なW+面構造を表わす。ζこで4の有機電界発光薄
膜は正孔伝専性層3aと電子伝尋性層3bを交互に積層
した構造よシなっている。 第2図は本発明の一実施例である有機簿膜発光素子の製
造に使用した有機薄膜製造用高真空装置の概略図である
。 第3図は従来の有機簿膜発光素子の概念的な断面構造を
示す。 1.31・・・・・・ガラス基板、2.32・・・・・
・透明電極、3a・・・・・・正孔伝専性層、3b・・
・・・・電子伝導性l−15,35・・・・・・電極、
6・・・・・・保’t*HIx。 代理人 5P理士  内 原   晋 損

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 少なくとも一方が透明である一対の電極間に有
    機電界発光溝膜層を挾持してなる有機薄膜発光素子に於
    いて、前記有機電界発光薄膜層が薄い電子伝導性層と正
    孔伝導性層を交互に二層以上積層してなり、かつ、前記
    有機電界発光薄膜層を構成する電子伝導性層および正孔
    伝導性層からなる横層膜の少なくとも一層に、アルカリ
    金属、アルカリ土類金属、ハロゲン、カルコゲン元素の
    中より少なくとも1つを添加したことを特徴とする有機
    薄膜発光素子。
  2. (2) 少なくとも一方が透明である一対の電極間に、
    アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン、カルコゲ
    ンのうち少なくとも1以上が添加してなる多層構造の有
    機電界発光薄膜層を積層してなる有機薄膜発光素子の製
    造方法に於いて、前記アルカリ並属、アルカリ土類金属
    、ハロゲン、カルコゲンのうち少なくとも1以上が添加
    してなる多積構造の有機電界発光薄膜層を10^−^7
    Torr以下の高真空中で形成することを特徴とする有
    機薄膜発光素子の製造方法。
JP63071381A 1988-03-24 1988-03-24 有機薄膜発光素子とその製造方法 Pending JPH01243393A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63071381A JPH01243393A (ja) 1988-03-24 1988-03-24 有機薄膜発光素子とその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63071381A JPH01243393A (ja) 1988-03-24 1988-03-24 有機薄膜発光素子とその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01243393A true JPH01243393A (ja) 1989-09-28

Family

ID=13458870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63071381A Pending JPH01243393A (ja) 1988-03-24 1988-03-24 有機薄膜発光素子とその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01243393A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5059863A (en) * 1989-07-04 1991-10-22 Mitsubishi Kasei Corporation Organic electroluminescent device
JPH03250583A (ja) * 1990-02-28 1991-11-08 Idemitsu Kosan Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JPH03274693A (ja) * 1990-03-26 1991-12-05 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JPH05179239A (ja) * 1991-09-09 1993-07-20 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子
US5739635A (en) * 1995-04-27 1998-04-14 Pioneer Electric Corporation Organic electroluminescent device
US6811897B2 (en) 2002-03-29 2004-11-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Ink for forming a hole injection layer of organic EL display devices and manufacturing method thereof, organic EL display devices, and manufacturing method of the same
US6818324B1 (en) 1997-10-09 2004-11-16 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic thin-film EL device
US6908696B2 (en) 2002-03-18 2005-06-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electro luminescence display device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5059863A (en) * 1989-07-04 1991-10-22 Mitsubishi Kasei Corporation Organic electroluminescent device
JPH03250583A (ja) * 1990-02-28 1991-11-08 Idemitsu Kosan Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JPH03274693A (ja) * 1990-03-26 1991-12-05 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JPH05179239A (ja) * 1991-09-09 1993-07-20 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子
US5739635A (en) * 1995-04-27 1998-04-14 Pioneer Electric Corporation Organic electroluminescent device
US6818324B1 (en) 1997-10-09 2004-11-16 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic thin-film EL device
US6908696B2 (en) 2002-03-18 2005-06-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electro luminescence display device
US6811897B2 (en) 2002-03-29 2004-11-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Ink for forming a hole injection layer of organic EL display devices and manufacturing method thereof, organic EL display devices, and manufacturing method of the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5811833A (en) Electron transporting and light emitting layers based on organic free radicals
DE69815576T2 (de) Organisches elektrolumineszentes Bauteil
CN100580976C (zh) 有机发光显示器、阴极复合层及其制造方法
KR101149703B1 (ko) 나노-도트를 갖는 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법
Qiu et al. Dependence of the current and power efficiencies of organic light-emitting diode on the thickness of the constituent organic layers
JPH01312873A (ja) 有機薄膜el素子
JP2004296224A (ja) 発光素子
WO2016188247A1 (zh) Oled器件及其制备方法、显示装置
JPH01243393A (ja) 有機薄膜発光素子とその製造方法
JP3750315B2 (ja) 有機電界発光素子
JP3300065B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20020076171A (ko) 고품질 디스플레이가 가능한 유기 발광 소자
JPH03141588A (ja) 電界発光素子
JP3492535B2 (ja) 有機薄膜el素子とその製造方法
JPH0693257A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH07166160A (ja) 有機薄膜el素子
JP4109979B2 (ja) 有機発光素子
JP2001068272A (ja) 有機el素子
JP2011146610A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法
JP2009088419A (ja) 電界発光素子及びその製造方法、並びに表示装置
JP3891430B2 (ja) 有機el発光素子およびその製造方法
JP2003226871A (ja) 発光素子材料およびそれを用いた発光素子並びに装置
JP4892795B2 (ja) 有機el素子およびその製造方法
US20080007168A1 (en) Tandem Organic Electroluminescent Element and Use of the Same
JP3849937B2 (ja) 有機el素子およびその製造方法