JPH01240602A - 焼結製品の製造プロセスシステム装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は粉末状の余病を射出成形によって所定の形状に
形成した射出成形品を焼結等して焼結製品にする焼結製
品の製造プロセスシステム装置に関する。

「従来の技術及び発明が解決しようとする課題」従来よ
り、プレス成形品を対象とした真空焼結炉は、特１ｍ昭
６０−９８０１で提案されている。

しかし、これはプレス成形したものを焼結するもので、
脱ワツクス時には減圧して真空状態にしてプレス成形品
のワックスを除去している。射出成形品をこの焼結装置
で行えば、バインダーが減圧時に彫版するので、射出成
形品の保形性が■われたり、破損したりするという欠点
があった。

また、射出成形品を焼結製品′にする場合、射出成形品
よりバインダーを加熱炉を用いて脱バインダーした侵、
脱バインダーされた射出成形品を焼結炉へ収納して焼結
を行なって製造している。

このように脱バインダー工程及び焼結工程を別々に行っ
ている。

射出成形品よりバインダーを加熱炉で脱バインダーする
には、３日〜６日問またはこれ以上という長時間をかけ
４家ければ脱バインダーが完全に行なわれず、炭素化合
物等本製品にとっては不純物となって合金拡散焼結工程
で、これを組織内に巻込み、金属間化合物を生成し、完
全な合金製品になりえず、本来の密度が得られず、割れ
やチッピングの原因になる。

また、脱バインダーに長時間かかると、脱バインダー時
にバインダーが加減圧・加熱制御による彫版や収縮を長
時間にわたって繰返したりして、製品の精度を狂わせた
り、製品の微細な部分を変形させたり損傷させてしまう
という欠点があった。

また、少なくとも１２５０００ｃｆｆｉ３から　１００
００００ｃＷ１３の容積炉内での量産による焼結を行な
うには９日間という長時間をかけなければ、完全な合金
製品になりえず、破損しやすいという欠点があった。

このように脱バインダーと焼結とを別々に行っているの
で、脱バインダーされた射出成形品を一旦大気雰囲気中
に晒す為、射出成形品が大気中の炭素や酸素と反応しな
いように、射出成形品を大気温度よりやや低い温度まで
下げる必要があり、その為の時間を必要とする問題点が
あった。そして冷却された射出成形品を焼結炉へ収納し
た場合、再度高温状態にして焼結するので、前記脱バイ
ンダー時での温度にする為の時間を必要とする。

従って全体としては長時間かかるため、連続的に処理す
ることが不可能とされ、製造効率が悪く、多くのエネル
ギーが必要で、コスト高となっていた。

このため、金属粉末の射出成形技術が脚光を受けている
割りには実用化が進んでいない。

この原因は射出成形用バインダーと！ＦＪ　３Ｂ装買と
がネックとなっているからである。

「本発明の目的」 本発明は以上のような従来の欠点に鑑み、射出成形品よ
り、効率良く脱バインダーや焼結を、割れたり、精度を
狂わせたり、製品の微小部分を破損させたりすることな
く、短時間に効率良く行なうことができ、コストの低減
を図ることのできる焼結製品のＩｆ造プロセスシステム
装置を得るにある。

［課題を達成するための手段Ｊ 本発明は粉末パウダー状の射出成形用金属を射出成形に
よって所定の形状に成形した射出成形品より所定時間加
圧状態にした後減圧状態にしてバインダーを除去する脱
バインダープロセスシステム装置と、この脱バインダー
プロセスシステム装置で脱バインダーされた射出成形品
を脱炭、焼結および冷却する熱処理プロセスシステム装
置と、前記脱バインダープロセスシステム装置より前記
熱処理プロセスシステム装置へ脱バインダーされた射出
成形品を自動移送する移送プロセスシステム機構とから
なることを特徴としている。

「本発明の実施例」 以下、図面に示す実施例により、本発明の詳細な説明す
る。

第１図および第２図の実施例において、１は本発明の焼
結製品の製造プロセスシステム装置で、この焼結製品の
製造プロセスシステム装置１はバインダーが付着された
粉末状の射出成形用金属をＱ（出成形によって所定の形
状の射出成形品２に成形され、この射出成形品２を脱バ
インダー、脱炭、脱酸、焼結、冷却加工等を順次行なっ
て、焼結製品２Ｅに加工するものである。

この焼結製品の製造プロセスシステム装置１に使用され
る射出成形品２に用いられるバインダーは、本願発明者
が発明したものが使用される。

すなわち、このバインダーは低温で流動可塑性機能が十
分に働き、かつ約５０℃〜１５０℃の低温て・脱バイン
ダーを図ることのできるパラフィン系低分子量化合物、
芳香族炭化水糸系低分子Ｗ化合物、アルコール系低分子
？化合物、エーテル系低分子箔化合物、アルデヒド系低
分子量化合物、カルボン酸系低分子晶化合物、ニスデル
系低分子昂化合物、アミド系低分子ｍ化合物、合成系昇
華性炭化水素化合物、変性ワックス、石油系ワックス、
天然系ワックス等の低温用バインダーと、この低温用バ
インダーに所定の割合で混合された、高温で保形機能が
十分に働き、かつ１５０℃〜６００℃の高温で脱バイン
ダーを効率良く図ることのできるポリテトラフルオロエ
チレン、ポリイソブチレン、ポリ−α−メチルスチレン
、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸メチル、ポリメ
タアクリルアミド、ポリ塩化ビニリデン等を加熱または
４０００オングストロ一ム以上の高周波照射、化学的解
重合反応処理、物理的変性反応処理等で主鎖開裂反応に
よる主鎖ラジカル運動で、主鎖が切断され、分子崩壊を
円滑に均質に起こ１崩壊型高分子を用いた＾部用バイン
ダーとで構成されたものが使用されている。

前記焼結製品の製造プロセスシステム装置１は射出成形
品２より低温用バインダーおよび＾部用バインダーを除
去する脱バインダープロセスシステム装置２０と、この
脱バインダープロセスシステム装置２０で低温およびｎ
温脱バインダーされた射出成形品２Ａを脱炭、脱酸、焼
結および冷却加工をする熱処理プロセスシステム装に！
１ｉ４Ｇと、前記脱バインダープロセスシステム装２ｊ
２０より前記熱処理プロセスシステム装￥７４０へ脱バ
インダーされた射出成形品２Ａを移送する移送プロセス
システムｌ１ｌｖＡ５Ｇとから構成されて〜）る。

前記脱バインダープロセスシステム装置２０は後方に自
ｅＪ間閉のスライド扉２１が前方に自動開閉のｍｍ１２
１△が備えられた脱バインダー室２２と、この脱バイン
ダー室２２の脱バインダー室内２２Ａを１０−２Ｔｏ　
ｒ　ｒの真空にする真空プ［１セスシスデム装置ｆ７２
３と、前記脱バインダー室内２２Ａ・を５０℃〜２００
℃に所定時間加熱した後、１５０℃〜６００℃に所定時
間加熱することのできる加熱プロセスシステム装置１１
７２４と、前記脱バインダー室内２２Ａに窒素ガス等の
不活性ガスを加圧供給する不活性ガス加圧供給プロセス
システム装置２５と、前記脱バインダー室内２２Ａを均
熱にする均熱循環プロセスシステム装置２６と、前記脱
バインダー室内２２Ａで脱バインダーされた低温用バイ
ンダーおよびＴｓ温田川バインダー回収するバインダー
回収プロセスシステム装置２７と、前記脱バインダー室
内２２Ａに設けられた遠赤外線照射プロセスシステム装
置２８と、前記脱バインダー室内２２Ａを冷却する冷却
プロセスシステム装置２９とから構成されている。

なお、前記遠赤外線照射プロセスシステム装置２８は加
熱プロセスシステム装置２４を兼用できるものを用いて
加熱プロセスシステム装置２４を省略しても良い。

前記熱処理プロセスシステム装置４０は脱炭ソークプロ
セスシステムＨＨｅｏと、脱酸ソークプロセスシステム
装ｖ１７０と、前記ＩＢ２Ｂ２−クプロセスシステム装
置６０から脱酸ソークプロセスシステム装置７０へ移送
する脱炭品移送プロセスシステム装置８０と、焼結プロ
セスシステム装置９０と、前記１ｇ１酸ソークプロセス
システム装置７Ｇから焼結プロセスシステム装置９０へ
移送する脱酸管移送プロセスシステム装置１００と、冷
却プロセスシステム装置１１０と、前記焼結プロセスシ
ステム装置９Ｇから冷却プロセスシステム装置１１Ｇへ
移送する焼結品移送プロセスシステム装置１２０と、前
記冷却プロセスシステム装ｆｉ　１１０から外方へ移送
する移動プロセスシステム機構１３０とから構成されで
いる。

前記熱処理プロセスシステム装置４０の脱炭ソークプロ
セスシステム装置６０は、後方に自ｆｊＪ開閉のスライ
ド扉６１が、前方に自ａ間閏の１ｉｉｆｆｌｆｆ１６１
Ａが備えられた脱炭ソーク室６２と、この脱炭ソーク室
６２の脱炭ソーク室内６２Ａを１０　　Ｔｏｒｒ　〜１
Ｇ−４Ｔ０ｒｒの真空にする真空プロセスシステム装置
６３と、前記脱炭ソーク室内６２Ａを６５０℃〜１２０
０℃まで加熱することのできる加熱プロセスシステム装
置６４と、前記脱炭ソーク室内６２Ａにアルゴンガス＋
水素ガスを供給するガス供給プロセスシステム装置６５
と、前記脱炭ソーク室内６２Ａを均熱にする均熱循環プ
ロセスシステム装置６６と、前記脱炭ソーク室内６２Ａ
に設けられた高周波誘導加熱プロセスシステム装置６１
とから構成されている。

なお、前記高周波誘導加熱ブ０ヒスシステム装置６７は
加熱プロセスシステム装置６４を兼用できるものを用い
て加熱プロセスシステム装置６４を省略しても良い。

前記脱酸ソークプロセスシステム装置７０は後方に自ｆ
ｊＪＩｍ閑のスライドｌｙｉ！７１が、前方に自＃１開
閉のｆｉｆｌ　’ｒＭ　Ｕｉ　７１　Ａが備えられた脱
酸ソーク室７２と、この脱酸ソーク室７２の脱酸ソータ
室内７２Ａを１０−３Ｔ　。

ｒｒ〜１０−４７０　ｒ　ｒの真空にする真空プロセス
システム装置１３と、前記ｇ１２酸ソーク室内７２Ａを
７００℃〜１４００℃まで加熱することのできる加熱プ
ロセスシステム装置７４と、前記脱酸ソーク室内７２Ａ
にアルゴンガス＋水素ガスを供給するガス供給プロセス
システム装置７５と、前記脱酸ンーク苗内７２Ａを均熱
にする均熱循環プロセスシステム装置７６と、前記＃！
；２酸ンーク室内７２Δに設けられた高周波誘導加熱プ
ロセスシステム装置γｒとから構成されている。

なお、前記高周波誘導加熱プロセスシステム装置７７は
加熱プロセスシステム装Ｆ？７４を兼用できるものを用
いて加熱プロセスシステム装ｊＪ７４を省略しても良い
。

前記熱処理プロセスシステム装置４０の脱炭品移送プロ
セスシステム装置８０は前記脱炭ソークプロセスシステ
ム装置６０の脱炭ソーク室内６２Ａと前記脱酸ソークプ
ロセスシステム装置７０の脱酸ソーク室内７２Ａとを連
通ずる移送室８１と、前記脱炭ソーク室内６２Ａに設け
られた該脱炭ソーク室内６２Ａで脱炭された脱炭量２Ｂ
を開ｒ′Ａ扉６１Ａを開放した復、開閉扉７１を開放し
て前記脱炭ソーク室内６２Δ、移送室８１の移送室内８
１Ａおよび前記脱酸ソーク室内　　　　７２Ａを同−温
度、同一圧力状態にした後、前記移送室内８１Ａを通し
て前記脱酸ソーク室内７２Ａへ移動させる第２図（Ａ）
および第２図（Ｂ）に示すように作動する移動プロセス
システム機構８２とから構成されている。

前記熱処理プロセスシステム装置４０の焼結プロセスシ
ステム装置９０は後方に自動開閉のスライド扉９１が前
方に自動開閉の開閉扉９１Ａが備えられた焼結室９２と
、この焼結室９２の焼結室内９２Ａを１０−４Ｔｏｒｒ
〜１０’Ｔ　ｏ　ｒ　ｒの真空にする真空プロセスシス
テム装置９３と、前記焼結室内９２△を１１００℃〜１
６００℃まで加熱することのできる加熱プロセスシステ
ム装置９４と、前記焼結室内９２△にアルゴンガス士水
素ガスを供給づるガス供給プロレスシステム装置９５と
、前記焼結室内９２Ａを均熱にする均熱循環プロセスシ
ステム装置９６と、前記焼結室内９２Ａに設けられた高
周波誘導加熱プロセスシステム′ｉＩ装置９７と、前記
焼結室内９２Δを冷却する冷却プロセスシステム装置９
８とから構成されている。

なお、前記高周波訓導加熱プロセスシステム装置９７は
加熱プロセスシステム装置９４を兼用することのできる
ものを用いて加熱プロセスシステム装置９４を省略して
も良い。

前記脱酸品移送プロセスシステム装置１００は前記脱酸
ソークプロセスシステム装置７ｏの脱酸ソータ室内７２
△と前記焼結プロセスシステム装置９ｏの焼結室内９２
Ａとを連通ずる移送室１０１と、前記脱酸ソーク室内７
２Ａに設けられた該脱酸ソーク室内７２Ａで脱酸された
ｌＢ２酸品２ｃを開閉扉７１Ａを開放した後、開閉扉９
１を開放して前記脱酸ソーク室内７２Ａ、移送室１０１
の移送室内１０１Ａおよび前記焼結室内９２Ａを同一温
度、同一圧力状態にした後、前記移送室内１０１Ａを通
して前記焼結室内９２Ａへ移動させる第２図（Ａ）およ
び第２図（Ｆ３）に示すように作動する移動プロセスシ
ステムｐ構１０２Ａとから構成されている。

前記熱処理プロセスシステム装置４ｏの冷却プロセスシ
ステム装置１１０は後方に自動開閉のスライド扉１１１
が、前方に自動開閉の開閉琲１１１Ａが備えられた冷却
室１１２と、この冷却室１１２に設けられた高周波誘導
加熱プロセスシステム装置９１と、前記焼結室内９２Ａ
を冷却する冷却プロセスシステム装置９８とから構成さ
れている。

なお、前記高周波誘導加熱プロセスシステム装置９７は
加熱プロセスシステム装δ９４を兼用することのできる
ものを用いて加熱プロレスシステム装置９４を省略して
も良い。

前記脱酸品移送プロセスシステム装置１ｏｏは前記脱酸
ソークプロセスシステム装置７ｏの脱酸ソーク室内７２
Ａと前記焼結プロセスシステム装置９ｏの焼結室内９２
Ａとを連通ずる移送室１０１と、前記脱酸ソーク室内７
２Ａに設けられた該脱酸ソータ室内７２Ａで脱酸された
脱酸品２ｃを開閉扉７１Ａを開放した後、開閉扉９１を
開放してｒｔＪ記脱酸ソーク室内７２Ａ、移送室１０１
の移送室内１（ＩＩＡおよび前記焼結室内９２Ａを同一
温度、同一圧力状態にした後、前記移送室内１０１Ａを
通して前記焼結室内９２Ａへ移動させる第２図（△）お
よび第２図（Ｂ）に示すように作動する移動プロセスシ
ステム機構１０２とから構成されている。

前記熱処理プロセスシステム装置Ｆ？４Ｇの冷却プロセ
スシステム装置１１０は後方に自動開閉のスライド扉１
１１が、前方に自動開閉の開閏扉１１１Ａが備えられた
冷却室１１２と、この冷却室１１２の冷却室内１１２八
を１０’Ｔ　Ｏｒ　ｒ　〜１０’Ｔ　Ｏｒ　ｒの真空に
する真空プロセスシステム装ｊｉ’Ｊ　１１３と、前記
冷却室内１１２Ａに窒素ガスを供給するガス供給プロセ
スシステム装置１１４と、前記冷却室内１１２Ａを強制
冷却する冷却プロセスシステム機構１１５と、前記冷却
室内１１２Ａを均熱にする均熱循環プロセスシステム装
置１１６とから構成されている。

前記焼結品移送プロセスシステム装訂１２０は、前記焼
結プロセスシステム装置９０の焼結室内９２Ａと前記冷
却プロセスシステム装置１１０の冷却室内１１２Ａとを
連通ずる移送室１２１と、前記焼結室内９２Ａに設けら
れた該焼結室内９２Ａで焼結された焼結品２Ｄを開１’
［９１Ａを開放しり後、１ｍ　ｒＭ　扉１１１を開放し
て前記焼結室内９２Ａ、移送室１２１の移送室内１２１
Δおよび前記冷却室内１１２Ａを同一温度、同一圧力状
態にした後、前記移送室内１２１Ａを通して前２冷却室
内１１２Ａへ移動させる第２図（Ａ）および第２図（Ｂ
）に示すように作動する移動プロセスシステム機構１２
２とから構成されている。５前記移送プロレスシステム
機構５０は、前記脱バインダープロセスシステム装置２
０の脱バインダー室内２２Ａと前記熱処理プロセスシス
テム装置４Ｑの脱炭ソークプロセスシステム装置６０の
脱炭ソーク室内６２Ａを連通ずる移送室５１と、前記脱
バインダー室内２２Ａに設けられた該脱バインダー室内
２２Ａで脱バインダーされた射出成形品２Ａを開閉ｒｉ
ｉ８２１八を開放した侵、開ｒ１１扉６１Δを開放して
前記脱バインダー室内２２Ａ１移送室５１の移送室内５
１Ａおよび前記脱炭ソータ室内６２Ａを同一温度、同一
圧力状態にした後、前記移送室内５１Ａを通して前記脱
炭ソーク室内６２Ａへ移動させる第２図（Ａ）および第
２図（Ｂ）に示すように作動する移動プロセスシステム
ｉｌｌ　＠　３２とから構成されている。

なお、１３１は焼結品の収納室、１３２は焼結品の収納
室１３１内へ焼結品を移送する第２図（Ａ）および第２
図（Ｂ）に示すように作動する移動プロセスシステム機
構である。１５０は脱バインダー室内２２Ａ内へ射出成
形品２を移送する第２図（Ａ）および第２図（Ｂ）に示
すように作動する移動プロセスシステム機構１５１を備
えた移送プロセスシステム機構である。

前記移動プロセスシステム機構３２（８２，１０２，１
２２，１５１）は第２図（Ａ）および第２図（Ｂ）に示
ずようにレール３２ａ上を前後移動する移動台３２ｂと
、この移動台３２ｂを前後移動させる移動モーター３２
ｃと、前記移動台３２ｂに油圧シリンダー等の上下移動
機構３２６によって上下移動される上下移動台３２ｅと
、この上下移動台３２ｅに取付けられた油圧シリンダー
等の前後移動機構３２ｆと、この前慢移１７１　Ｂ！＄
　３２　ｆに取付けられたトレー４を支持する支持部材
３２ｑとから構成されている。

なお、この移動プロセスシステム機構３２（８２，１０
２，１２２）はこの構造に限ることなく、射出成形品が
ならべられたトレー４を次の処理室へ移送でき、かつ各
処理室の密閉が計れるものであればＯ−ラコンベア等既
存のどんな構造の移動プロセスシステム機構であっても
よい。

上記構成の焼結製品の！！！Ｊ造プロセスシステム装置
１は射出成形品２を移送プロセスシステムｔａｍ１５０
上にセットしたトレー４にならべた後、脱バインダープ
ロセスシステム装置２０のスライド扉２１を開放し、移
送プロセスシステムｍ構１５０を作動させる。

すなわち、移送プロセスシステム機構１５０の移動プロ
セスシステム機構１５１は、トレー４を支持した支持部
材３２Ｇを最上部へ持ち上げた後、前進させてトレー４
を脱バインダー室内２２Ａ内へ位置させ、部品で下降さ
せて支持レール２２Ｂにトレー４を支持させる。しかる
後、支持部材３２Ｑは後退して元の位Ｕに戻ると、スラ
イドの２１を閉じる。

この状態で、脱バインダープロセスシステム装置２０を
作動させる。すなわち、脱バインダー室内２２Ａを真空
プロセスシステム装ｒ１２３によって真空にした後、脱
バインダー室内２２Ａに不活性ガス加圧供給プロセスシ
ステム装置２５、加熱プロセスシステム装置２４、均熱
循環プロセスシステム装置２６、高温用バインダー回収
プロセスシステム装置２７、遠赤外線照）１プロセスシ
ステム装冒２８および冷却プロセスシステム装置２９を
作動させて低温用バインダーおよびＫｍ用バインダーを
射出成形品２より除去した射出成形品２Δにする。この
場合、脱バインダー室内２２Ａを所定時間加圧状態とな
るようにした°後、減圧状態にして行なう。

これは、バインダーの膨張を防ぐので、射出成形品の破
損防止が図られ、また保形性が守られる。

次に、脱バインダープロセスシステム装置２０で低温用
バインダーおよび高温用バインダーが除去された射出成
形品２Ａができると、脱バインダープロセスシステム装
置２０の開開１！２１Ａを開放し、脱バインダー室内２
２Ａと移送プロセスシステム礪構５０の移送室内５１Ａ
とを同一温度、同一圧力状態とした後、熱処理プロセス
システム装置４０の脱炭ソークプロセスシステム装置６
０のスライド扉６１を開放し脱炭ソーク室内６２Ａも同
一温度、同一圧力状態にする。しかる後、移送プロ廿ス
シスーテム）１＠５０を作動させる。すなわら、脱バイ
ンダー室内２２Ａの移動プロセスシステム様横３２は上
背して支持レール２２Ｂ上に支持されたトレー４を突出
りる支持部材３２Ｑで支持できるように持上げた後、前
進させてトレー４を移送室内５１Ａを通過させて脱炭ソ
ーク室内Ｇ２Ａへ位置させ、部品で下降させて支持レー
ル６２１３にトレー４を支持させる。しかる後、支持部
材３２Ｑは後退して元の位置に戻ると、スライド扉６１
および開閉扉２１Ａを閉じる。

この状態で、熱処理プロセスシステム’３Ａ　”ｆｌ　
４０の脱炭ソークプロセスシステム装置６０を作すノさ
せる。

すなわら、脱炭ソーク室内６２Ａを真空プロセスシステ
ム装買６３によって真空にした後、ガス供給プロセスシ
ステム装置６５、加熱プロセスシステム装置６４、灼熱
循環プロセスシステム装置６６、高周波誘導加熱プロセ
スシステム装置６７を作動させて、射出成形製品２△を
脱炭した脱炭量２　Ｂ　する。なお、萌記脱バインダー
プロセスシステム装置２０ら前述と同様な動作を繰返し
て行なわれる。

次に熱処理プロセスシステム装置４０の脱炭ソークプロ
セスシステム装置６０で脱炭量２Ｂができると、脱炭ソ
ークプロセスシステム装置６０の開閉扉ｆ３１Ａを開放
し、脱炭ソーク室内６２Ａと脱炭品移送プロセスシステ
ム装置８０の移送室内８１△とを同一温度、同一圧力状
態とした後、熱処理プロセスシステム装置４０の脱酸ソ
ークプロセスシステム装置７０のスライド扉１１を開放
し脱酸ソーク室内７２Ａも同一温度、同一圧力状態にす
る。しかる後、脱炭品移送プロセスシステム装置８０の
脱炭ソーク室内６２Δの移動プロセスシステム１１１１
８２を作動させる。

す°なわち、脱炭ソーク室内６２Ａの移動プロセスシス
テム機構８２は上昇して支持レール６２Ｂ上に支持され
たトレー４を突出する支持部材３２Ｇで支持できるよう
に持−ヒげた後、前進させてトレー４を移送室内８１Ａ
を通過させて脱酸ソーク室内７２Ａへ位置させ、部品で
下陪させて支持レール７２Ｂにトレー４を支持させる。

しかる後、支持部材３２ｇは後退して元の位置に戻ると
、スライドｒ３７１および開ｒｌ′ｌ扉６１Ａヲ閉シル
。

この状態で、熱処理プロヒスシステム装置４０の脱酸ソ
ークプロセスシステム装置７０を作動させる。

すなわら、脱酸ソーク室内７２Ａを真空プロセスシステ
ム装置７３によって真空にした後、ガス供給プロセスシ
ステム装置７５、加熱プロセスシステム装置！７７４、
均熱循環プロセスシステム装置７６、高周波誘導加熱プ
ロセスシステム装置７７を作動させて、脱炭量２Ｂをｌ
１５２酸して脱酸品２Ｃにする。なお、前記脱炭ソーク
プロセスシステム装置６０は前述と同様な動作を繰返し
て行なわれる。

次に熱処理プロセスシステム装置４０の脱酸ソークプロ
セスシステム装置７０で脱酸品２Ｃができると、ｆｌ！
２Ｍソータプロセスシステム装置７０の開閉扉７１Ａを
開放し、脱酸品移送プロセスシステム装置１００の移送
室内１０１Ａとｌ１１２酸ソーク室内７２Ａとを同一温
度、同一圧力状態とした後、焼結プロセスシステム装置
９０のスライド扉９１を開放し焼結室内’１２Ａも同一
温度、同一圧力状態にする。しかる掛、脱酸品移送プロ
セスシステム装置１００を作動させる。すなわち、脱酸
ソーク室内７２Ａの移動プロセスジステム機構１０２Ａ
は１胃して支持レール７２Ｂ上に支持されたトレー４を
突出する支持部材３２Ｑで支持できるように持−Ｅげた
後、前進させてトレー４′を移送室内１０１Ａを通過さ
せて焼結室内９２Ａへ位置させ、部品で下降させて支持
レール９２Ｂにトレー４を支持させる。しかる侵、支持
部材３２０は後退して元の位置に戻ると、スライド扉９
１および開閉１７ｉ！７１Ａが閉じる。

この状態で、熱処理プロセスシステム装置４０の焼結プ
ロセスシステム装置９０を作動させる。すなわち、焼結
室内９２Ａを真空プロセスシステム装置９３によって真
空にした侵、ガス供給プロセスシステム装置１ｆｆ９５
、加熱プロセスシステム装置９４、均熱循環プロセスシ
ステム装置９６、高周波誘導加熱プロセスシステム装置
９７を作動させて、脱酸品２Ｃを拡散焼結して焼結品２
Ｄにする。なお、前記脱酸ソークプロセスシステム装置
ｆｆ１７Ｇは前述と同様な動作を繰返して行なわれる。

次に、熱処理プロセスシステム装置４０の焼結プロセス
システム装置９０で焼結品２Ｄができると、焼結プロセ
スシステム装置９０の開閉１１９１Ａを開放し、焼結品
移送プロセスシステム装置１２０の移送室内１２１Ａと
焼結室内９２Ａとを同一温度、同一圧力状態とした後、
冷却プロセスシステム装置１１Ｇ’のスライド扉１１１
を開放し、冷却室内１１２Ａも同一温度、同一圧力状態
にする。

しかる後、焼結品移送プロセスシステム装置１２０を作
動させる。すなわち、焼結室内９２Ａの移動プロセスシ
ステム機構１２２八は上昇して支持レール９２Ｂ上に支
持されたトレー４を突出する支持部材３２Ｑで支持でき
るように持上げた後、前進させてトレー４を移送室内１
２１Ａを通過させて冷却室内１１２Ａへ位置させ、部品
で下降させて支持レール１１２Ｂにトレー４を支持させ
る。しかる後、支持部材３２Ｑは後退して元の位置に戻
ると、スライド扉１１１および聞ｍ扉９１Ａが閉じる。

この状態で、冷却プロセスシステム装置ｉ！７１１０を
作動させる。すなわち、冷却室内１１２Ａを真空ブ０セ
スシステム装置１１３によって真空にした後、ガス供給
プロセスシステム装置１１４、均熱循環プロセスシステ
ム装置１１６、冷却プロセスシステム装置１１５を作動
させて、焼結品２Ｄを冷却して焼結製品２Ｅに仕上げる
。

この場合、冷却室内１１２Ａが９００℃以下の条件下で
、ガス供給プロセスシステム装置１１４を作動させる。

なお、前記焼結プロセスシステム製品９０は前述と同様
な動作を繰返して行なわれる。冷却室内１１２Ａで冷却
された焼結品２Ｄは移動プロセスシステムｉ構１３０の
作動によって、焼結品の収納室１３１内の支持レール１
３２Ｂ上へ移送される。

このような動作を順次行なって射出成形品２を焼結製品
２Ｅに仕上げる。

「本発明の他の実施例」 次に第３図ないし第８図に示す本発明の異なる実施例に
つき説明する。なお、これらの実施例の説明に当って、
前記本発明の実施例と同一構成部分には同一符号を付し
て重複する説明を省略する。

第３図の実施例において、前記本発明の実施例と主に異
なる点は、脱バインダープロセスシステム装四２０の接
方に移送室１７０を介して１０−２■Ｏｒｒの真空にす
る真空プロセスシステム装置１４１と、窒素ガス等の不
活性ガスを供給する不活性ガス供給プロセスシステム装
置１４２と、自動ｊＲ１！ｆ１のスライドの１４３およ
び自動開閉の開ｒＩＩ扉１４４とを備える準備室１４５
とからなる準備プロセスシステム装置ｉ！７１４０を設
けた点と、移送プロセスシステム装置１６Ｇとを設けた
点で、このように焼結製品の製造プロセスシステム装置
１Ａを構成しても良い。

第４図の実施例において、前記本発明の実施例と主に異
なる点は、熱処理プロセスシステム装「？４０Δで、こ
の熱処理プロセスシステムＩ　ｉＮ　４０Ａは脱炭ソー
タブ０セスシステム装置ｉ！ｒ６０、脱炭品移送プロセ
スシステム装置８Ｇ、焼結プロセスシステム装置９０、
焼結品移送プロセスシステム装置゛１２０、冷却プロセ
スシステム装置１１Ｇおよび移動プロセスシステム機構
１３Ｇとで構成した点で、この熱処理プロセスシステム
装！ｆｆ　４０Ａでは、焼結プロセスシステム装置９０
で脱酸と焼結を行なうように操作する。このように焼結
製品の製造プロセスシステム装置ＮＩＢを構成しても良
い。

第５図の実施例において、前記本発明の実施例と主に異
なる点は、熱処理プロセスシステム装置４０Ｂで、この
熱処理プロセスシステム製品４０３は焼結プロセスシス
テム装置９０．焼結品移送プロセスシステム装置１２０
、冷却プロセスシステム装置１１０および移動プロセス
システム１構１３０とで構成した点で、この熱処理プロ
セスシステム装置４０Ｂでは焼結プロセスシステム装置
９０で脱炭、脱酸、焼結を順次行なうように操作する。

このように焼結製品の製造プロセスシステム装置１Ｃを
構成してもよい。

第６図の実施例において、前記本発明の実施例と主に異
なる点は、熱処理プロセスシステム装置４０Ｇで、この
熱処理プロセスシステム装置４０Ｇは焼結プロセスシス
テム装置９０と移動プロセスシステム機構１３０とで構
成した点で、この熱処理プロセスシステム装置４０Ｇで
は焼結プロセスシステム装置９０で、脱炭、脱酸、焼結
および冷却を順次行なうように操作する。このように焼
結製品のＷＪ　造プロセスシステム装置１Ｄを構成して
も良い。

第７図の実施例において、前記第４図の実施ｉ？１と主
に異なる点は、真空プロレスシスデム装置１１４１と、
窒素ガス等の不活性ガスを供給する不活性ガス供給プロ
セスシステム装置１４２とが設けられていない準備プロ
セスシステム装置１４０を設けた点で、このように構成
された焼結製品の製造プロごスジステム装置１Ｆは第８
図に示す具体例で実施される。

「本発明の効果」 以上の説明から明らかなように、本発明にあっては次に
列挙する効果がある。

（１）粉末パウダー状の射出成形用金属を射出成形によ
って所定の形状に成形した射出成形品より所定時間加圧
状態にした後減圧状態にしてバインダーを除去する脱バ
インダープロセスシステム装置と、この脱バインダープ
ロセスシステム装置で脱バインダーされた射出成形品を
脱炭、焼結および冷却する熱処理プロセスシステム装置
と、前記脱バインダープロセスシステム装置より１１４
記熱処理プロセスシステム装置へ脱バインダーされた射
出成形品を自動移送する移送プロセスシステム線溝とで
構成されており、真空下で同一温度、同一圧力を保った
状態で自＄ｌＩ移送できるので、射出成形品より、該射
出成形品を劣化または破損することなく、効率良く、バ
インダーを除去することができる。

（２）前記（１）によって、射出成形品を効率良く脱バ
インダー、脱炭、脱酸、焼結、冷却を行なって、焼結製
品を製造することができ製品の性能が向上する。

（３）前記（１）によって、連続作業で処理できるので
、効率良く焼結製品を製造することができる。

（４）射出成形品を脱バインダーするとき、脱バインダ
ー室を所定ｒＲ間加圧した（す、減圧するので、射出成
形品の破損が防止されるとともに保形性が保たれる。

４、図面のｆ！！Ｉｔｌな説明 第１図は本発明の一実施例を示す概略説明図、第２図（
Ａ）および第２図（Ｂ）は移動プロセスシステムｖ１Ｍ
４の動作説明図、第３図、第４図、第５図、第６図、第
７図および第８図はそれぞれ本発明の異なる実施例を示
す説明図である。

１．１Ａ〜１Ｄ：焼結製品の製造プロセスシステム装置
、 ２：ｌ）ｌ出成形品、　　　２Ｅ：焼結製品、２０：脱
バインダープロセスシステム装置、２１ニス５イｔ’ｇ
、　　　２？Ａ：ｔｍｒｒＩｉ、２２：１ｌｊ２バイン
ダー室、　２２△：脱バインダー室内、２３：真空プロ
セスシステム装置、 ２４：加熱プロセスシステム５Ａ首、 ２５：ガス加圧供給プロセスシステム装置、２６：均熱
循環プロセスシステム装置、２７：バインダー回収プロ
セスシステム装置、２８：遠赤外線照射プロセスシステ
ム装置、２９：冷却プロセスシステム装置、 ４０：熱処理プロセスシステム装置、 ５０：移送プロセスシステム機構、 ５１；移送室、　　　　　５１Δ：移送室内、５２：移
動プロセスシステム機構、 ６０：脱炭ソークプロセスシステム装置、６１ニスライ
ド扉、　　　６１Ａ：開閉扉、６２：脱炭ソーク室、　
　６２Ａ：脱炭ソーク室内、６３：真空プロセスシステ
ム装置、 ６４：加熱プロセスシステム装置、 ６５：ガス供給プロセスシステム装置、６６：均熱％ｌ
Ｉ環プロセスシステム装置装置７：Ｂ周波誘導加熱プロ
セスシステム装置、７０：脱酸ソークプロレスシステム
装置、１１ニスライド扉、　　　７１Ａ：開閉扉、７２
：ＩＩｔ２Ｍソーク室、　　７２Ａ：脱酸ソーク室内、
１３：真空プロセスシステム装置、 ７４：加熱プロセスシステム装置、 １５：ガス供給プロセスシステム装置、７６：均熱循環
プロセスシステム装胃、７７：高周波誘導加熱プロセス
システム装置、８０：脱炭品移送プロセスシステム装置
、８１：移送室、　　　　　８１Ａ：移送室内、８２：
移動プロセスシステム機構、 ９０：焼結プロセスシステム装置、 ９１ニスライド扉、　　　９１Ａ：開閉扉、９２：焼結
室、　　　　　９２Ａ：焼結室内、９３：真空プロセス
システム装置、 ９４：加熱プロセスシステム装置、。

９５：ガス供給プロセスシステム装置、９６：均熱循環
プロセスシステム装置、９７：高周波＝’ｃ　ＶＪ加熱
プロセスシステム装置１９８：冷却プロセスシステム装
４． １００：脱酸品移送プロセスシステム装置、１０１：移
送室、　　　　　１０１Ａ　：移送室内、１０２：移動
プロセスシステム機構、 １１０：冷却プロセスシステム装置、 １１１ニスライト扉、　　　１１１Ａ　：開ｒｆ扉、１
１２：冷却室、　　　　　１１２Ａ　：冷却室内、１１
３：真空プロセスシステム装胃、 １１４：ガス供給プロセスシステムｖｔ首、１１５：冷
却プロセスシステム機構、 １１６：均熱循環プロセスシステム装置、１２０：焼結
品移送プロセスシステム装置、１２１：移送室、　、　
　　　１２１Ａ：移送室内、１２２：移動プロセスシス
テム機構、 １３０：移送プロセスシステム装置、 １３１Ａ　：焼結品の収納室、 １３２：移動プロセスシステム機構、 １４０：準備室、 １４１：真空プロセスシステムＩＡａ、１４２：ガス供
給プロセスシステム装δ、１５０：移動ブＤｔ？スジス
テム機構。

特　　許　　出　　願　　人 セコメックス株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）粉末パウダー状の射出成形用金属を射出成形によつ
   て所定の形状に成形した射出成形品より所定時間加圧状
   態にした後減圧状態にしてバインダーを除去する脱バイ
   ンダープロセスシステム装置と、この脱バインダープロ
   セスシステム装置で脱バインダーされた射出成形品を脱
   炭、焼結および冷却する熱処理プロセスシステム装置と
   、前記脱バインダープロセスシステム装置より前記熱処
   理プロセスシステム装置へ脱バインダーされた射出成形
   品を自動移送する移送プロセスシステム機構とからなる
   ことを特徴とする焼結製品の製造プロセスシステム装置
   。 ２）脱バインダープロセスシステム装置は加圧媒体を使
   って脱バインダー室を加圧状態にするガス加圧供給装置
   を具備することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の焼結製品の製造プロセスシステム装置。 ３）脱バインダープロセスシステム装置は内部を真空に
   することのできる脱バインダー室と、この脱バインダー
   室内を加圧媒体を使つて１０＾３Ｔｏｒｒの加圧が可能
   でかつ１０＾−＾３Ｔｏｒｒの真空にすることのできる
   真空プロセスシステム装置と、前記脱バインダー室内を
   ５０℃〜２００℃に所定時間加熱した後、１５０℃〜６
   ００℃に所定時間加熱することのできる加熱プロセスシ
   ステム装置と、前記脱バインダー室内に窒素ガス等の不
   活性ガスを加圧供給する不活性ガス加圧供給プロセスシ
   ステム装置と、前記脱バインダー室内を均熱にする均熱
   循環プロセスシステム装置と、前記脱バインダー室内で
   脱バインダーされたバインダーを回収するバインダー回
   収プロセスシステム装置と、前記脱バインダー室内に設
   けられた遠赤外線照射プロセスシステム装置とからなる
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
   載の焼結製品の製造プロセスシステム装置。 ４）熱処理プロセスシステム装置は１０＾−＾３Ｔｏｒ
   ｒ〜１０＾−＾６Ｔｏｒｒの真空で６００℃〜２２００
   ℃まで加熱して脱炭、焼結および冷却を行なうことので
   きる焼結プロセスシステム装置と、１０＾−＾３Ｔｏｒ
   ｒ〜１０＾−＾４Ｔｏｒｒの真空で急冷却媒体ガスを導
   入して強制冷却することのできる冷却プロセスシステム
   装置と、前記焼結プロセスシステム装置内から前記冷却
   プロセスシステム装置内へ焼結品を移送する焼結品移送
   プロセスシステム機構とからなることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項ないし第３項いずれかに記載の焼結製
   品の製造プロセスシステム装置。 ５）熱処理プロセスシステム装置は１０＾−＾３Ｔｏｒ
   ｒ〜１０＾−＾４Ｔｏｒｒの真空で１２００℃以下で加
   熱して脱炭を行なう脱炭ソークプロセスシステム装置と
   、１０＾−＾３Ｔｏｒｒ〜１０＾−＾６Ｔｏｒｒの真空
   で２２００℃まで加熱して焼結を行なう焼結プロセスシ
   ステム装置と、前記脱炭ソークプロセスシステム装置か
   ら前記焼結プロセスシステム装置へ脱炭品を移送する脱
   炭品移送プロセスシステム機構と、１０＾−＾３Ｔｏｒ
   ｒ〜１０＾−＾４Ｔｏｒｒの真空で急冷却媒体ガスを導
   入して強制冷却することのできる冷却プロセスシステム
   装置と、前記焼結プロセスシステム装置から前記冷却プ
   ロセスシステム装置内へ焼結品を移送する焼結品移送プ
   ロセスシステム機構とからなることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項ないし第４項いずれかに記載の焼結製品
   の製造プロセスシステム装置。 ６）移送プロセスシステム機構は脱バインダープロセス
   システム装置と熱処理プロセスシステム装置とを連通す
   る移送室と、前記脱バインダープロセスシステム装置内
   に位置する脱バインダーされた射出成形品を収納したト
   レー等を前記熱処理プロセスシステム装置内へ移動させ
   る移動プロセスシステム機構とからなることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項ないし第５項いずれかに記載の
   焼結製品の製造プロセスシステム装置。 ７）粉末パウダー状の射出成形用金属を射出成形によっ
   て所定の形状に成形した射出成形品を準備処理する真空
   プロセスシステム装置および不活性ガス供給プロセスシ
   ステム装置が備えられた準備プロセスシステム装置と、
   この準備プロセスシステム装置で準備処理された射出成
   形品よりバインダーを除去する脱バインダープロセスシ
   ステム装置と、前記準備プロセスシステム装置より、前
   記脱バインダープロセスシステム装置内へ準備処理され
   た射出成形品を移送する準備処理された射出成形品移送
   プロセスシステム機構と、前記脱バインダープロセスシ
   ステム装置で脱バインダーされた射出成形品を脱炭、焼
   結および冷却処理する熱処理プロセスシステム装置と、
   前記脱バインダープロセスシステム装置より前記熱処理
   プロセスシステム装置へ脱バインダーされた射出成形品
   を移送する移送プロセスシステム機構とからなることを
   特徴とする焼結製品の製造プロセスシステム装置。