JPH01239849A - 微細パターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体基板などの上に微細パターンを形成する
方法に関するものである。

従来の技術 従来のパターン形成法は、フォトレジストを使用するフ
ォトエツチング法やスクリーン印刷法がある。

その−例について、第６図を用いて説明する。

まず、第６図（ａ）に示すように、シリコン基板１１上
に、周知の方法で、フォトレジストまたはストリッパブ
ルインキで所定のパターン膜１２を形成する。次に、塗
布膜１３を塗装またはスピンナーコートで形成する。そ
の後、フォトレジストを用いた場合には、有機溶剤また
はアルカリ溶液等でパターン膜１２を除去し、ストリッ
パブルインキを用いた場合には、それを剥離して除去し
、ぞれぞれ塗布膜１３を所定パターンとして残すもので
ある。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、このような従来の方法では、フォトレジ
ストまたはストリッパブルインキによる塗膜が薄いため
、塗布膜１３間が第６図（ｂ）に示すように連結してパ
ターンが不鮮明となる。そして、フォトレジストの場合
には、同図（Ｃ）に示すようにフォトレジストが完全に
除去されずに、パターン層１２の一部分が塗布膜１３間
に残留することが多い。また、フォトレジストに代えて
ストリッパブルインキをイ吏用すると、ストリッパブル
インキはシリコン基板上では、にじみを生じやすく、パ
ターンを明確に形成できなかったり、パターン形成後に
ストリッパブルインキを剥離するときに、塗布膜もとも
に剥離してしまうということが生じる。

本発明は上記従来の課題を解決するもので、正確かつ薄
膜から厚膜までの微細パターンの形成方法を提供するこ
とを目的とする。

課題を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明の微細パターンの形
成方法は、基板上を、希望する第１のパターンとは反対
の第２のパターンの、有機材料からなるマスク膜で覆う
工程と、このマスク膜上に第２のパターンと同じパター
ンの薄板状マスクをパターン合わせして配置する工程と
、この薄板状マスクの配置後、第１のパターンの構成要
素を形成すべき材料を薄板状マスク上から基板表面に付
着させてから、前記マスク膜および前記薄板状マスクを
除去する工程とを有する。

基板上にフォトレジストでパターン膜を形成し、このパ
ターン膜上にメタルマスク、セラミックマスクまたはプ
ラスチックマスクのいずれかを密着させた後、塗布膜を
塗布する。　作用 この構成によって、薄膜から厚膜まで微細パターンを鮮
明にバターニングすることができる。

実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。

第１図〜第５図は本発明の一実施例における微細パター
ンの形成方法を説明するための図で、それぞれの図（ａ
）は斜視図、同じく図（ｂ）は断面図である。

なお、第１図は、シリコン基板１上にフォトレジストを
塗布して、フォトレジスト膜２を形成した状態を示して
いる。第２図はシリコン基板１上のフォトレジスト膜２
を希望する第１のパターンとは反対の第２のパターンと
した状態を示している。第３図は第２図で形成したフォ
トレジスト膜２上にそれと同じパターン上に薄板上のマ
スクたとえばメタルマスク３を密着さぜた状態を示して
いる。第４図は第３図の状態に所定のパターンの構成要
素たとえば電極もしくは抵抗体などを構成すべき材料を
塗装またはスピンナーコートして付着させた状、態を示
している。第５図は第４図の状態のものから上記メタル
マスク３およびフォトレジスト膜２を除去した状態を示
している。

まず、第１図に示すように、シリコン基板ｌ上にフォト
レジストを塗布して、フォトレジスト膜２を形成してか
ら、それを周知の方法で選択的に除去して、第２図に示
すように所定の微細パターンを形成する。次に、第３図
に示すように、そのパターンに合わせてメタルマスク３
をフォトレジスト膜２上に密着させて、その上から所定
のパターンの構成要素を形作るための材料を塗布する。

これにより、第４図に示すように、塗布材料の一部分は
メタルマスク３を通して、フォトレジスト１］莫２のパ
ターンを埋めて、所定のパターン膜４を形成するととも
に、残余の塗布材料はメタルマスク３上に塗布膜５とな
って残る。その後、メタルマスク３を塗布ｌｌｌ５が付
着したままで取り外し、さらにフォトレジスト膜２を有
機溶剤やアルカリ溶液などによって除去し、希望するパ
ターン膜４゜だけをシリコン基板１上に残す。

以上のように、本実施例によれば、フォトレジストの微
細パターン上にメタルマスクを密着させたことにより、
シリコンスライス面とマスク面との段差を大きくするこ
とができ、パターン膜形成のための材料の塗布厚さを任
意にコントロールすることができ、また、正確な微細パ
ターンを形成することができる。

なお、本実施例ではフォトレジストでまずパターニング
するとしたが、それに代えて紫外線により硬化する樹脂
を利用してもよい。また、メタルマスクに限らずセラミ
ックマスク、プラスチックマスクといった薄い板状のマ
スクを使用してもよいことは言うまでもない。

発明の効果 本発明の方法は、基板上に有機材料からなるマスク材料
でパターニングをするので、基板上に所定パターン措成
要索形成のための材料が塗布時に広がる現象を防止する
ことができる。さらに、有機材料からなるマスク上に薄
板状のマスクを配置するので、所定パターン構成要素の
厚膜化と微細パターンの鮮明なパターニング化を実現で
きるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第５図は本発明の一実施例における微細パター
ンの形成方法の工程を示し、それぞれの図（ａ）は斜視
図であり、同じく図（ｂ）は断面図である。 第６図（ａ）〜（Ｃ）は従来のパターンの形成方法を説
明するための断面図である。 ■・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・フォトレ
ジスト膜、３・・・・・・メタルマスク、４・・・・・
・希望パターン膜。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　ほか１名第６図 （ω） （ｂ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板上を、希望する第１のパターンとは反対の第２の
   パターンの、有機材料からなるマスク膜で覆う工程と、
   前記マスク膜上に前記第２のパターンと同じパターンの
   薄板状マスクをパターン合わせして配置する工程と、前
   記薄板状マスクの配置後、前記第１のパターンの構成要
   素を形成すべき材料を前記薄板状マスク上から前記基板
   の表面に付着させてから、前記マスク膜および前記薄板
   状マスクを除去する工程とを有することを特徴とする微
   細パターンの形成方法。