JPH01238191A - 銅若しくは銅ベース合金の導体とその菫青石セラミック基板との同時焼結方法 - Google Patents

銅若しくは銅ベース合金の導体とその菫青石セラミック基板との同時焼結方法

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JPH01238191A JP1011767A JP1176789A JPH01238191A JP H01238191 A JPH01238191 A JP H01238191A JP 1011767 A JP1011767 A JP 1011767A JP 1176789 A JP1176789 A JP 1176789A JP H01238191 A JPH01238191 A JP H01238191A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 几班二肢貫±１ 本発明は、優れた導電体である銅若しくは銅ベース合金
と、低温（１１００℃以下）で焼結した菫青石（ｃｏｒ
ｄｉｅｒｉｔｅ）タイプの絶縁セラミック基板とを同時
焼結（ｃｏ−ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）する方法に関する。
本発明は更に特定すると、これらに限定されるわけでは
ないが、厚膜及び多層配列と称される方法を使用する、
ハイブリッド電子回路、相互接続回路若しくはボックス
の製造に適用される。
願股狡１皿里 例えばアルミナの絶縁セラミック基板上にある電子主回
路は、そのセラミック基板に導体部品をアルミナ基板を
濡らす液相共晶Ｃｕ−ＣｕｚＯ（融点１０６５℃）の生
成から生じる結合によって定着させ、恐らくスピネル相
ＣｕＡｌ２０＜若しくは化合物ＣｕＡＮＯ□を形成させ
ることによって製造されることが公知である（Ｍ、１１
１１ＴＩＭＥＲ，Ｃ，Ｒ，ＢＯＥＲ，Ｐ、Ｇ［ＩＤＭＵ
ＮＤＳＯＮ及びＪ、ＣＡＲＩＳＯＮ、Ｊ、による＾Ｌｃ
ｅｒａｍ、ｓｏｃ、６５（３）１４９−１５３゜１９８
２）。
絶縁基板と集積回路及び多層回路のための支持体とを製
造するために、菫青石ベースのセラミックから成る基板
を使用することも公知である。このようなセラミックは
、菫青石に近い組成の粉末を１３５０℃程度の温度でＰ
２Ｏ，のような焼結剤を加えて焼結させることによって
製造される。このようなセラミックは、例えばに、居＾
ＴＡＮへＢＥ及びＥ、ＧＩＥＳＳによって八ｍ、ｃｅｒ
ａｎ、ｓｏｃ、６８（４）　、Ｃ−１０２，Ｃ−１０３
，１９８５に記述されている。菫青石の基本式は２８ｇ
０　。
２＾ａ２ｏ、　、５ＳｉＯ２であることを記しておく。
しかし、１３５０℃の温度ではハイブリッド回路に通常
使用される導体材料（銅及び銀）は融解し、耐熱金属を
使用するか又は以下の２段階の操作が必要である。即ち
、セラミック基板を高温で焼結し、次いで冷却してから
、例えば液体媒質中に微細金属粉末を分散させることに
よって製造されるインキの形態で金属導体を塗布し、約
１０６５〜１０７０℃で新たに焼付けして、銅−アルミ
ナ結合を生成する化合物Ｃｕ／ＣｕｚＯ／＾１２０．を
形成させる。この種の方法は特に米国特許第３９９４４
３０号（Ｇｅｎｅｒａ　ＩＥｌｅｃｔｒｉｃ　Ｃｏｍｐ
ａｎｙ）に記述されており、ここでは基板はアルミナの
ような事前に焼結しであるセラミックであり（第２５図
、第５列）、導体は、第二段階で銅−酸化銅共晶の形成
によって銅をアルミナに結合させて形成することができ
る。この方法の半導体パワーボックスへの適用が米国特
許第４１２９２４３号（同上名義）に記述されている。
米国特許第４４１３０６１号（１，Ｂ、Ｍ　Ｃｏｒｐ、
）では、多孔質ではないが１０００℃以下の温度で焼結
することができる「ガラス質セラミック」から成るキャ
リヤを多層回路のために使用することを提示している。
「ガラス質セラミック」はβ−ゆう輝石（ｓｐｏｄｕｖ
ａｅｎｅ）及び菫青石αから選択され、そのガラス化は
、Ｐ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２，５ｎＯｚ、ＬｉＯ２
及びＢ２０．といった添加物少量で促進される。しかし
、焼結操作の過程でこれらの添加物は、セラミック材料
の電気的、熱的及び機械的特性の劣化の一部原因となる
相を引き起こす。
本発明は、この種のセラミックの電気的及び熱的特性を
良好に維持する菫青石の基板を提供することで上記欠点
を排除することを目的としており、導体が外側表面上に
設置されている場合も導体が２つの絶縁層間に設置され
ている場合（多層配列の場合）も、導体をそのセラミッ
ク支持体と一緒に同時焼結することができる。
九肌圓１１ 本発明の要旨は、銅若しくはその合金（例えば銅−ニッ
ケル）から選択される非貴金属導体と、前記金属若しく
は合金の融点（即ちＣｕであれば１０８３°Ｃ）より低
い温度で焼結することができるセラミックの基板とを同
時焼結する方法である。導体は、外側表面上に設置され
る場合には支持体に固定されねばならず、即ちこの場合
には金属−セラミック結合がなければならない。しかし
、特に高周波用途のために導体が内部にあるときはこの
ような結合は避けるのが有利であろう。
本発明を実施するために選択されるセラミック材料の基
板は、その基本組成が（２８ｇ０，２＾ｂｕｓ　。
５Ｓｉ０２）である「菫青石」タイプであり、焼結添加
剤若しくは補・助剤がなくとも９５０℃に等しいか若し
くはそれより低い温度で焼結し得る２８ｇ０，２八ＬＬ
。
５ＳｉＯ２（純菫青石）と３ΔＮ２０．．２ＳｉＯ２（
ムライト）との中間の使用可能な組成に特別の方法で製
造される。
金属若しくは合金、特に銅は、微粉末を液体媒質中に分
散して形成されるインキの形態で塗布される。低温（＜
９５０℃）で焼結することができる菫青石は、例えばＣ
ＮＲ５名義で１９８５年７月１６日出願の仏国特許出願
第２５８５０１５号明細書に記述された方法によって製
造され、相互接続基板としてのその使用は次いでＸＥＲ
ＡＭ名義で上記と同日出願の仏国特許出願第２５８５１
８１号明細書に記述されているが、この明細書の製品は
外部導体を全く持たない。
完曹し２Ｊ、朋 本発明は、仏国特許出願第２５８５０１５号明細書に従
って製造される粉末又はそれと等価の以下の特性を有す
る粉末を使用することによって実現されるニ ー粒径０．５〜１０マイクロメートル、−非晶質ガラス
型構造、 −５Ｏｎ＋２／ｇ以上の比表面積、 −非晶質相において８００〜９５０°Ｃで焼結し、１０
５０℃で１５分後には少なくとも９５％の密度増加を示
し、その結果少なくとも１つの結晶相ができる、−組成
２＾１２ｏ、、ｚＨｇＯ，５ＳｉＯ２（純量青石）及び
、第１図の三成分図＾ＬＯ１，ＭｇＯ，ＳｉＯ□におけ
る斜線領域に対応する菫青石と３＾１２０ｓ　、２Ｓｉ
Ｏ２（ムライト）との中間の組成。
基板を成形する操作は２つの方法で実施することができ
るニ ー　１５０ＭＰａ程度（５０〜４００ＨＰａ）の圧力で
粉末を圧縮することによって形成する方法、及び −少なくとも３５重量％の鉱物粉末を含有していて、残
りが、通常この方法に使用される種類の溶媒、結合剤、
可塑剤及び分散剤から成る、有機媒質若しくは水性媒質
中の前記粉末のスリップをキャスティングするために使
用される「ドクターブレード」タイプの方法であって、
溶剤若しくは水を蒸発させた後に、厚さ５０〜３００μ
ｍのストリップを得る方法。
前記方法は以下の条件下で実施されることに留意された
い。即ち、スリップは、一方の側部が、懸濁液が流出す
る調整された開口を形成するように鉛直に変位すること
ができる槽に導入する。槽は、スＩ〜リップ状の磨がれ
た金属、又はポリマーフィルム（例えばナイロン若しく
はポリエチレン）、又はガラスプレート上に設置する。
槽はその支持体上を滑動するが、この運動は、槽を変位
させるか又は支持体を運動させるかによって生成され得
る。開口を調節することによってストリップを生成する
ことができ、その乾燥後の厚さは２０〜３００１ｍであ
る。
次いで基板上に堆積される銅ベース導電インキは主に、
銅を含有する粉末状のピグメント、セラミック粉末充填
剤及び担体として使用される有機相によって形成される
。焼結後層を与える銅含有ピグメントの電気特性は、３
つの形態；ＰＬ酸化されていない銅（若しくは銅ベース
合金）の粉末、 Ｐ２ニ一部酸化された銅（若しくは銅ベース合金）の粉
末、 Ｐ３　：ＣｕＯ□、ＣｕＯ又は両者の混合のいずれかの
形態の銅酸化物の粉末、 から選択される。
銅ベース合金のなかでも、例えばニッケル０．１〜１０
重量％を含有する銅−ニッケルは純銅よりも高い融点を
有しており、これは、同時焼結熱処理を実施する上で極
めて好都合な長所と言える。
できるだけ球形に近い形態を有する前記銅を含有する粉
末は、平均粒径が、 一粉末Ｐ１及びＰ２に対しては０．１〜６μｍ、好まし
くは０．２〜３１１ｆｆｌ、及び 一粉末Ｐ３に対しては０．２〜ＬｏｌＪｍ、好゛ましく
け０．５〜６Ｉ、 の２つの限度内にあるように粒径を管理する。
セラミック粉末充填剤は、基板に使用される粉末と同じ
特性を有する菫青石によって形成され、導入される量は
、例えば銅ベース粉末の質量の０．５〜２０％、好まし
くは１〜１５％である。
銅をベースにしたピグメント及び菫青石粉末の量は、イ
ンキの全質量の４５〜８０％、好ましくは５５〜７０％
である。導電層に通常使用される種類の、溶剤、結合剤
、可塑剤及び分散剤から成る有機相によって、スクリー
ン印刷に必要な流動学的特性を与えることができる。有
機相はインキの全重量の２０〜５５％である。
インキを堆積させる方法は好ましくはスクリーン印刷タ
イプであるが、これは本発明には含まれない。
銅の堆積操作の後には熱処理を実施する必要があり、こ
れによって同時焼結が行われる。導体の位置及びインキ
のピクメントの性質に従ってこのような処理を規定する
パラメータを以下に記す。
ａ）製造されるべき製品が外部回路のみを有する場合に
は、ビグメン１〜は上記３種類の形Ｂｐｉ〜Ｐ３から選
択され、実施されるべき熱処理Ｔ１は以下のように定義
されるニ ーインキ及び基板の有機成分を蒸発及び燃焼によって除
去するために、空気中で、温度を２０Ｋ・時間−１を越
えない割合でゆっくり上昇させ、少なくとも１回は温度
２００〜５００　’Ｃに短くとも２時間維持して加。
熱すると、インキ中に存在した金属銅の少なくとも一部
は酸１ヒされ、主にＣｕＯの状態となり、−周囲の温度
に冷却した後に、水素雰囲気中で、好ましくは温度を１
００〜８００Ｋ・時間−１の割合で上昇させ、最高処理
温度＜１２０〜３５０℃）で１０分〜３時間維持し、必
要によっては途中で温度を一定に維持しながら加熱する
ことによって銅を再生しく不活性ガスで希釈された水素
雰囲気中で操作することも可能である）、 一温度を７２０Ｋ・時間−１（好ましくは５００〜１０
０ＯＫ・時間１）の割合で１０７０°Ｃに上昇さぜなが
ら、アルゴンを水中に吹き込んだ湿潤アルゴン（若しく
は不活性ガス、例えば湿潤Ｎ２若しくはｌ１ｅ（露点２
０°Ｃ））の流れにアレンジメントを当て（不活性ガス
に加える水は、少量の、即ち数容積ｐｐｍ例えば５容積
ｐｐ泪の酸素に替えてもよい）、 一温度１０６５〜１０８０℃、最適には１０７０°Ｃ近
幼で１５分〜２時間温度を維持し、更に 一部３時間（好ましくは１〜４時間）で周囲の温度に戻
す。
ｂ）製造されるべき製品が、内部及び外部両方の導体を
包含する多層基板である場合には、インキ中のビグメン
１−は３種類の形態Ｐ１〜Ｐ３から選択されるが、外部
導体については形態Ｐ３のインキが好ましく、以下のよ
うな熱処理タイプＴ２を使用するニー２００〜５００°
Ｃの空気中で加熱し、二周囲の温度に冷却した後に、水
素中で、温度を１００〜８００Ｋ・時間−１の割合で上
昇させ、最高処理温度で１０分〜３時間維持し、必要に
よっては途中で温度を一定に維持しながら加熱すること
によって銅を再生しく不活性ガスで希釈された水素雰囲
気中で操作することも可能である）、 −温度を７２０Ｋ・時間−１（好ましくは５００〜１０
００Ｋ・時間−１）の割合で９５０℃に上昇させながら
、アレンジメンｌ−をアルゴン（若しくは不活性ガス）
の流れに当て、 一温度を上昇させた相で使用したのと同じ雰囲気中で、
１５分〜２時間温度９５０°Ｃ（好ましくは９００〜１
０ｏＯ℃）に維持し、 一温度維持の最後にアレンジメントを湿潤な（露点２０
°Ｃ）中性ガス（例えばアルゴン）の流れに当て、−湿
潤中性ガス中で温度を少なくとも５００Ｋ・時間−１の
割合で１０７０　’Ｃに上昇させ、−同じ雰囲気内で１
０６５〜１０８０°Ｃ，最適には１０７０℃近傍の温度
で１５分〜２時間維持し、更に一部３時間（好ましくは
１〜４時間）で周囲の温度に戻す。
上記方法をまとめて表１に示す。上記記述は、方法の説
明と共にその使用の例を表しており、外部導体は支持体
上にしっかりと定着しており且つ内部導体は菫青石に結
合していない基板ができる。
このような製品は、 一金属一セラミック結合点がないので内部導体のインピ
ーダンスの増大が回避され、基板の表面にＣｕの化合物
を持たないので表面のざらつきが小さく、且つ、 一菫青石は低誘電率（５未満）を有することから高周波
用途に特に適している。
４、（至）和の１１Ｊ悦叩 ヲ４４１　の　唄シ　１　　Ｂ　＋１　、　　メト　４
Ｌ　　ａ＠　　＋＝イ丸１）′さ′　れ　る　１ニラ　
ミ　。
り材料のＡ゛今＃Ｌへ・１水ず多へ゛介−７゛ある。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）銅若しくは銅合金の導体とセラミック基板とを同
    時焼結する方法であって、前記基板が、９５０℃以下の
    焼結温度、５０ｍ＾２／ｇ以上の比表面積、及び２Ａｌ
    ＿２，Ｏ＿３，２ＭｇＯ，５ＳｉＯ＿２（純菫青石）と
    ３Ａｌ＿２Ｏ＿３，２ＳｉＯ＿２（ムライト）との中間
    の化学的組成を有する菫青石タイプのセラミック粉末か
    ら製造され、ａ）前記粉末から前記セラミック基板を成
    形するステップと、 ｂ）銅ベースインキを使用して前記セラミック基板上に
    銅を堆積するステップと、 ｃ）同時焼結熱処理を行なうステップとから成り、一前
    記銅堆積ステップｂ）を、少なくとも銅をベースとする
    粉末ピグメントと菫青石粉末とを含有するインキを使用
    して実施することと、 −前記熱処理ステップｃ）が、 （１）前記セラミック基板中及び／又は前記インキ中に
    存在する有機化合物を、５００℃を越えない温度の酸化
    雰囲気中で前記有機化合物を分解することによって除去
    する相と、 （２）減圧雰囲気中で銅を再生する相と、 （３）１０６５〜１０８０℃の一定温度での維持を含む
    、湿潤不活性ガスの流れ中で全部若 しくは一部を実施する文字通りの同時焼結の相とから成
    ることとを特徴とする方法。 （２）前記銅を、未酸化の銅若しくは銅合金をベースと
    する粉末の形態で前記インキ中に導入する請求項１に記
    載の方法。 （３）前記銅を、一部酸化された銅若しくは銅合金をベ
    ースとする粉末の形態で前記インキ中に導入する請求項
    １に記載の方法。 （４）前記銅を、Ｃｕ＿２Ｏタイプ及び／又はＣｕＯタ
    イプ或いは前記２つのタイプの混合物の酸化銅の粉末の
    形態で前記インキ中に導入する請求項１に記載の方法。 （５）前記銅粉末の平均粒径が０．１〜６μｍ、好まし
    くは０．２〜３μｍである請求項２又は３に記載の方法
    。 （６）前記酸化銅粉末の平均粒径が０．２〜１０μｍ、
    好ましくは０．５〜６μｍである請求項４に記載の方法
    。 （７）前記インキが、前記基板に使用したのと同じ性質
    をもつ菫青石粉末を銅ベースピグメントの０．５〜２０
    重量％、好ましくは１〜１５重量の量で含有する請求項
    ５又は６に記載の方法。 （８）前記インキが、銅をベースとするピグメント及び
    菫青石粉末を該インキの全質量の４５〜　８０％、好ま
    しくは５５〜７０％の量で含有する請求項７に記載の方
    法。 （９）前記有機化合物を除去する相を、空気中で、温度
    を２０Ｋ・時間＾−＾１を越えない割合でゆっくり上昇
    させ、少なくとも１回は２００〜５００℃の一定温度少
    なくとも２時間維持して実施する請求項１及び８に記載
    の方法。 （１０）前記銅を再生する相を純水素若しくは不活性ガ
    スで希釈した水素雰囲気中１２０〜３５０℃の温度で、
    温度を１００〜８００Ｋ・時間＾−＾１の割合で上昇さ
    せ、前記温度を処理温度に１０分から３時間維持して実
    施する請求項１及び９に記載の方法。 （１１）全 部若しくは一部を湿潤な不活性ガスの流れの中で行ない
    、１０６５〜１０８０℃の一定温度での維持を含む前記
    文字通りの同時焼結の相を、温度を５００〜１０００Ｋ
    ・時間＾−＾１の割合で上昇させ、前記温度を処理温度
    に１５分から２時間維持して実施する請求項１及び１０
    に記載の方法。 （１２）前記文字通りの同時焼結を実施する相を湿潤ア
    ルゴンの流れ中で実施する請求項１１に記載の方法。 （１３）前記湿潤な不活性ガスの流れを、前記減圧雰囲
    気で再生する相の最後から導入する請求 項１１に記載の方法。 （１４）前記湿潤不活性ガスの流れを９５０℃から導入
    し、前記銅を再生する相の終わりから９５０℃になるま
    での前記同時焼結相の雰囲気が不活性ガスで生成される
    請求項１１に記載の方法。 （１５）外部導体のみを有するセラミック基板の製造の
    ための請求項１３に記載の方法。 （１６）内部導体及び外部導体を有するセラミック材料
    の多層基板を製造するための請求項１４に記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101628195A (zh) * 2009-07-22 2010-01-20 河北理工大学 一种高温气体过滤器支撑体及其制备方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4100145A1 (de) * 1990-01-10 1991-07-11 Murata Manufacturing Co Substrat fuer die montage von integrierten schaltkreisen und es umfassendes elektronisches bauteil
US5230846A (en) * 1990-10-11 1993-07-27 The Boc Group, Inc. Method for preparing multilayered ceramic with internal copper conductor
TW215079B (ja) * 1990-10-11 1993-10-21 Boc Group Inc
JPH0747793B2 (ja) * 1991-04-26 1995-05-24 株式会社クボタ 酸化物分散強化耐熱焼結合金
US5682018A (en) * 1991-10-18 1997-10-28 International Business Machines Corporation Interface regions between metal and ceramic in a metal/ceramic substrate
CH711817A1 (de) * 2015-11-27 2017-05-31 Lakeview Innovation Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Keramikteilen.

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5245059A (en) * 1975-10-07 1977-04-08 Fujitsu Ltd Method of producing ceramic circuit substrate
JPS61292392A (ja) * 1985-06-20 1986-12-23 松下電器産業株式会社 セラミツク配線基板の製造方法
JPS6221257A (ja) * 1985-07-16 1987-01-29 アンテルコネクシオン・セラミツク 電子素子用の相互接続基板及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3994430A (en) * 1975-07-30 1976-11-30 General Electric Company Direct bonding of metals to ceramics and metals
US4340436A (en) * 1980-07-14 1982-07-20 International Business Machines Corporation Process for flattening glass-ceramic substrates
JPS60250686A (ja) * 1984-05-25 1985-12-11 日本碍子株式会社 セラミツク配線基板の製造方法
FR2585015A1 (fr) * 1985-07-16 1987-01-23 Centre Nat Rech Scient Poudre ceramique de type cordierite frittable a basse temperature, procede de preparation et composition ceramique obtenue par frittage de cette poudre
JPS62113758A (ja) * 1985-10-25 1987-05-25 株式会社住友金属セラミックス 低温焼成セラミツクス

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5245059A (en) * 1975-10-07 1977-04-08 Fujitsu Ltd Method of producing ceramic circuit substrate
JPS61292392A (ja) * 1985-06-20 1986-12-23 松下電器産業株式会社 セラミツク配線基板の製造方法
JPS6221257A (ja) * 1985-07-16 1987-01-29 アンテルコネクシオン・セラミツク 電子素子用の相互接続基板及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101628195A (zh) * 2009-07-22 2010-01-20 河北理工大学 一种高温气体过滤器支撑体及其制备方法

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