JPH01236512A - 積層セラミック体用内部電極ペースト - Google Patents
積層セラミック体用内部電極ペーストInfo
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- JPH01236512A JPH01236512A JP63062384A JP6238488A JPH01236512A JP H01236512 A JPH01236512 A JP H01236512A JP 63062384 A JP63062384 A JP 63062384A JP 6238488 A JP6238488 A JP 6238488A JP H01236512 A JPH01236512 A JP H01236512A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、積、・−セラミックコンデンサやセラミック
多層基板等の積層セラミック体の内部電極として用いら
れる、銅または銅を主成分とする合金贋金形成するため
に用いられる積層セラミック体用内部″准極ペーストに
1関するものである。
多層基板等の積層セラミック体の内部電極として用いら
れる、銅または銅を主成分とする合金贋金形成するため
に用いられる積層セラミック体用内部″准極ペーストに
1関するものである。
従来の技術
近年、電極1−とセラミック層とを層犬に積層−体止し
た積層セラミック体が積層コンデンサやセラミック多層
基板等の電子部品として急速て需要が増大して^る。
た積層セラミック体が積層コンデンサやセラミック多層
基板等の電子部品として急速て需要が増大して^る。
ところで、従来の積層セラミックコンデンサは焼成温度
が1300℃以上のチタン酸バリウム等をセラミック材
、aとして用いており、内部電、セ材料としてはセラミ
ック材料の・焼成温度より融点が烏貝であるPt 、
Pdなどの高′面な金属を用いる必要があった。従って
、製品コスト低減のため安浦な卑金属を内部電極て用い
ようとする試みがなされている。
が1300℃以上のチタン酸バリウム等をセラミック材
、aとして用いており、内部電、セ材料としてはセラミ
ック材料の・焼成温度より融点が烏貝であるPt 、
Pdなどの高′面な金属を用いる必要があった。従って
、製品コスト低減のため安浦な卑金属を内部電極て用い
ようとする試みがなされている。
これに対し発明者らは、9oO〜10oO℃の低温で焼
成可能な鉛ペロブスカイト酸化物を誘電体に用り、銅ま
たは綱を主成分とする合金を内部電極に用いた積層コン
デンサ素子を提案してきた。
成可能な鉛ペロブスカイト酸化物を誘電体に用り、銅ま
たは綱を主成分とする合金を内部電極に用いた積層コン
デンサ素子を提案してきた。
まだ、これとは別にチタン浚バリウム系誘電体を用い、
N1 を内部電極に用いた積層セラミックコンデンサが
晶泰されており、その製置方法については特開昭60−
17’3611号公報に記載の方法などが知られている
。
N1 を内部電極に用いた積層セラミックコンデンサが
晶泰されており、その製置方法については特開昭60−
17’3611号公報に記載の方法などが知られている
。
一方、セラミック多7!f基板は焼成温度が1600〜
17oo℃と高いアルミナをセラミック材料だ用い、W
やMOを内部電属(配線導体)とするアルミナ多層基板
が主体であった。しかしながら。
17oo℃と高いアルミナをセラミック材料だ用い、W
やMOを内部電属(配線導体)とするアルミナ多層基板
が主体であった。しかしながら。
電子機器の高周波比とデジタル化に伴いセラミック材料
の低誘電率化と内部電極(配線導体)の低抵抗化が強く
望まれている。このため、1MlしKおける誘電率が6
゜7と低く(アルミナでは10)、90Q〜1000℃
と低温で焼成可能なム1205−(ao−8in2−M
gO−B20.をセラミック材料としNi 、 Cu
、ムU、ムgまだはλg−Pd等を内部電極(配線導体
)とするセラミック多層基板が虎案されている。
の低誘電率化と内部電極(配線導体)の低抵抗化が強く
望まれている。このため、1MlしKおける誘電率が6
゜7と低く(アルミナでは10)、90Q〜1000℃
と低温で焼成可能なム1205−(ao−8in2−M
gO−B20.をセラミック材料としNi 、 Cu
、ムU、ムgまだはλg−Pd等を内部電極(配線導体
)とするセラミック多層基板が虎案されている。
以上示したような、従来の桐または銅合金を内部電極と
する積層セラミック体の内部電極形成に用Aられていた
内部′心函ペーストは、出発1′Q科に銅合金または金
1桐の粉末もしく・は、CuOを用いていた。
する積層セラミック体の内部電極形成に用Aられていた
内部′心函ペーストは、出発1′Q科に銅合金または金
1桐の粉末もしく・は、CuOを用いていた。
発明が解決しようとする課1項
しかしながら、上記のような従来の技術で7は点眼すべ
き二つの間:照点が生じる。このことは内部′五・鳶ペ
ースト及びセラミック材料中に用いられる有機バインダ
ーに起因している。
き二つの間:照点が生じる。このことは内部′五・鳶ペ
ースト及びセラミック材料中に用いられる有機バインダ
ーに起因している。
すなわち、−6目の問題点はセラミック材料をシート成
形するために用いられる有機バインダー及び内部電函ペ
ーストに含まれる有機バインダーが内部′電極材料の衰
化が発生しないような非酸化性雰囲気では、完全に除去
するのが困、准で有機バインダーのカーボナイズ現象が
発生しやすく、焼成4にセラミック材料が残留している
カーボンにより、還元され素子の絶家抵抗の低下や焼結
密度の低下が生じることにある。
形するために用いられる有機バインダー及び内部電函ペ
ーストに含まれる有機バインダーが内部′電極材料の衰
化が発生しないような非酸化性雰囲気では、完全に除去
するのが困、准で有機バインダーのカーボナイズ現象が
発生しやすく、焼成4にセラミック材料が残留している
カーボンにより、還元され素子の絶家抵抗の低下や焼結
密度の低下が生じることにある。
次に、二爵目の間″頂点は酸化性雰囲気で完全に有機バ
インダーを除去しようとする際に生じる。
インダーを除去しようとする際に生じる。
すなわち、内部電極ペーストの出発原料に金属調及び銅
合金粉末を用いた場合、有機バインダー成分の:除去(
以下単にバインダーアウトと記す)の際に内部電極形成
の・後止やこの除土じる体積膨張により、高置、皮にお
ける誘電損失の増大やクランクが発生するといった間:
質を有していた。また、一方向部電極ペーストの出発原
料にCuOを用いた場合には、酸比ヰ雰囲気でのバイン
ダーアウト時【クラックの発生lマ生じないが、焼成ま
たは座元処理工程にお込て、CuOを金属銅に還元する
1′D:に大きな体積収縮を生じ焼結体Icクラックが
発生したりセラミ′ツク層と電極層との間に空洞が生じ
るいわゆるデラミネーションが発生するといった間、項
を有していた。
合金粉末を用いた場合、有機バインダー成分の:除去(
以下単にバインダーアウトと記す)の際に内部電極形成
の・後止やこの除土じる体積膨張により、高置、皮にお
ける誘電損失の増大やクランクが発生するといった間:
質を有していた。また、一方向部電極ペーストの出発原
料にCuOを用いた場合には、酸比ヰ雰囲気でのバイン
ダーアウト時【クラックの発生lマ生じないが、焼成ま
たは座元処理工程にお込て、CuOを金属銅に還元する
1′D:に大きな体積収縮を生じ焼結体Icクラックが
発生したりセラミ′ツク層と電極層との間に空洞が生じ
るいわゆるデラミネーションが発生するといった間、項
を有していた。
さらに、内部電極ペーストの出発原44KCu20を用
いた場合には、積層数が比較的少ないか電甑面遺が小さ
い場合には間但ないが、積層数が多い場合には金属含有
量の低いCu2Oを用Aているたや、還元処理の1祭ク
ツツクが発生したりして好ましくない。
いた場合には、積層数が比較的少ないか電甑面遺が小さ
い場合には間但ないが、積層数が多い場合には金属含有
量の低いCu2Oを用Aているたや、還元処理の1祭ク
ツツクが発生したりして好ましくない。
以上述べたような間温点は、高密度及び高容昨化等のた
めに積層数の多い積層セラミック体はど顕著にみられる
。
めに積層数の多い積層セラミック体はど顕著にみられる
。
まだ、内部電極ペーストの出発1京科として金属を剛力
た場合ては、平均粒子径の小さり金属粉末が必要で、製
造時の粉砕に要するコスト及び防錆夙理に要するコスト
などのため池金では安浦な卑金属の利点を充分に生かせ
ないという間但があった。
た場合ては、平均粒子径の小さり金属粉末が必要で、製
造時の粉砕に要するコスト及び防錆夙理に要するコスト
などのため池金では安浦な卑金属の利点を充分に生かせ
ないという間但があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、A責層数
の多い銅と内部電極とする晴層セラミック体(において
、酸[ヒキ雰囲気にてバインダー除去が可能で、しかも
、その後の還元処理により、クランク等の溝潰欠陥が発
生しない信@注の優れた内部′電極ペーストを提供する
ことを目的とするものである。
の多い銅と内部電極とする晴層セラミック体(において
、酸[ヒキ雰囲気にてバインダー除去が可能で、しかも
、その後の還元処理により、クランク等の溝潰欠陥が発
生しない信@注の優れた内部′電極ペーストを提供する
ことを目的とするものである。
課須を解決するだめの手段
上記課頭を解決するだめに1本発明の積層セラミック体
用内部′准4原ペーストは出発1原料に平均粒子(X
o 、1〜10μmのOuO及びCuからなる混合物に
おいて、Cu含有量が10〜70wt%である混合物を
用い、CuO及びCuまたは、 CuO及びCuと添加
無4S分の2昆合物に対し、0.5〜10wt%の有機
バインダー及び、@削を添anしたものである。また、
積層するセラミック材料を構成する元素、またはこれを
含む化合物もしくは銅と合金をつくる金・4元素、また
はこれを含む化合物を無機成分として、CuO及びCu
の混合物に対して、1〜60wt%添加したものを重臣
ペーストとしたものである。
用内部′准4原ペーストは出発1原料に平均粒子(X
o 、1〜10μmのOuO及びCuからなる混合物に
おいて、Cu含有量が10〜70wt%である混合物を
用い、CuO及びCuまたは、 CuO及びCuと添加
無4S分の2昆合物に対し、0.5〜10wt%の有機
バインダー及び、@削を添anしたものである。また、
積層するセラミック材料を構成する元素、またはこれを
含む化合物もしくは銅と合金をつくる金・4元素、また
はこれを含む化合物を無機成分として、CuO及びCu
の混合物に対して、1〜60wt%添加したものを重臣
ペーストとしたものである。
作用
本発明の積層セラミック体用内部電極ベーストを用いる
ことにより、酸化性雰囲気にてクランクの発生等の問題
を生じることなく有機バインダーを完全に除去でき、カ
ーボンの残留を防ぐことができるので、焼成時のセラミ
ック材料の還元による絶縁抵抗の低下、焼成密度の低下
を防ぐことができる。すなわち、CuOは金属鋼のよう
に酸化による大きな体潰膨脹が生じないため、金属鋼の
みを用Aた場合に比べ、CuとCuOの混合物を用いた
場合には、酸化性雰囲気でのバインダーアウトの際クラ
ンクが発生しないのである。また、このバインダーアウ
ト時に生成したCuOは、250−850℃の低温で、
かつ比較的高酸素分圧で完全に還元されるため、バイン
ダーアウト後のグリーンボディを適当な還元条件にて還
元処理することにより、良好な導電性を有する内部電画
を得ることができる。また、 CuO及びCuの混合物
を出発原料に用いた場合には、CuOやCu2Oを単独
で出発原料に用いた場合に比べ内部電極ペーストの印刷
・乾燥後の塗膜中における単位体積当だシの金属含有量
が高いため、還元処理の1祭の体積収縮が小さく還元処
理後のグリーンボディ及び焼結体にクランクやデラミネ
ーションが発生しない。さらば、この還元処理後のグリ
ーンボディを内部電極が酸比されず、セラミック材料が
還元されない雰囲気にて5尭成することにより、セラミ
ック層が#密で絶6豫抵抗が高く所望の特・住を有する
とともに、内部電翫層が酸化物の介在がなく良好な導電
性を有する完全な金属鋼である積層セラミyり体が得ら
れることとなる。
ことにより、酸化性雰囲気にてクランクの発生等の問題
を生じることなく有機バインダーを完全に除去でき、カ
ーボンの残留を防ぐことができるので、焼成時のセラミ
ック材料の還元による絶縁抵抗の低下、焼成密度の低下
を防ぐことができる。すなわち、CuOは金属鋼のよう
に酸化による大きな体潰膨脹が生じないため、金属鋼の
みを用Aた場合に比べ、CuとCuOの混合物を用いた
場合には、酸化性雰囲気でのバインダーアウトの際クラ
ンクが発生しないのである。また、このバインダーアウ
ト時に生成したCuOは、250−850℃の低温で、
かつ比較的高酸素分圧で完全に還元されるため、バイン
ダーアウト後のグリーンボディを適当な還元条件にて還
元処理することにより、良好な導電性を有する内部電画
を得ることができる。また、 CuO及びCuの混合物
を出発原料に用いた場合には、CuOやCu2Oを単独
で出発原料に用いた場合に比べ内部電極ペーストの印刷
・乾燥後の塗膜中における単位体積当だシの金属含有量
が高いため、還元処理の1祭の体積収縮が小さく還元処
理後のグリーンボディ及び焼結体にクランクやデラミネ
ーションが発生しない。さらば、この還元処理後のグリ
ーンボディを内部電極が酸比されず、セラミック材料が
還元されない雰囲気にて5尭成することにより、セラミ
ック層が#密で絶6豫抵抗が高く所望の特・住を有する
とともに、内部電翫層が酸化物の介在がなく良好な導電
性を有する完全な金属鋼である積層セラミyり体が得ら
れることとなる。
また、無機成分として積層セラミック体に用いるセフミ
ック材料を構成する元素または、これを含む化合物の形
で添加したり、セラミック材料と親和性のちるガラスフ
リット等を添加することにより、内部重臣層とセラミッ
ク層との接着性を向上させることができる。
ック材料を構成する元素または、これを含む化合物の形
で添加したり、セラミック材料と親和性のちるガラスフ
リット等を添加することにより、内部重臣層とセラミッ
ク層との接着性を向上させることができる。
さらて、積層セラミック体(Cmいるセラミック材料の
!*桔層温度必要とする電照の特性に応じて桐と合金を
つくる他の金属元素を金4、酸化物もしくは他の化合物
の形で添加することにより銅合金内部電至層を得ること
ができる。
!*桔層温度必要とする電照の特性に応じて桐と合金を
つくる他の金属元素を金4、酸化物もしくは他の化合物
の形で添加することにより銅合金内部電至層を得ること
ができる。
実施例
以下に本発明の内部電極ペーストを積層セラミック体と
して積層セラミックコンデンサに適用した場合の実施例
について説明する。
して積層セラミックコンデンサに適用した場合の実施例
について説明する。
(実施例1)
誘電体セラミックとして次に示す組成式で表わされる材
料を用いた。
料を用いた。
(PbtoO”a025 )”g115 Nb215
)(L70 ”[L25(Ni1/2 ”1/2)10
501025誘電体セラミック粉末は連木のセラミック
製造方法に従い製造した。仮焼条件は800℃2時間と
しだ。粉砕した仮焼粉末は仮焼粉末に対し、有機バイン
ダーとしてSwt%のポリビニルブチラール樹脂、可塑
剤として3wt%のジブチルフタレート、s owt%
の溶剤と共〈ボールミルで混合しドクターブレードを用
い1享さ36μmにシート化した。内部電極ペーストと
しては、それぞれ平均粒子径α07 μm、1.2pm
、9.3μm、 12μmの4種頌の平均粒子径をもつ
CuOまた平均粒子径0.05 pm 、 0.5 μ
m 、 10pm、 16μrHの4@類の;洞及び平
均粒子径1.0μmのCu2Oを出発1原料として用い
た。このCu 、 Cu2O、CuOまたはCuとCu
2Oの混合物において、Cu含有量が5.10゜50
、70 、80 wtcXの混合物に対しo、3wt5
% 。
)(L70 ”[L25(Ni1/2 ”1/2)10
501025誘電体セラミック粉末は連木のセラミック
製造方法に従い製造した。仮焼条件は800℃2時間と
しだ。粉砕した仮焼粉末は仮焼粉末に対し、有機バイン
ダーとしてSwt%のポリビニルブチラール樹脂、可塑
剤として3wt%のジブチルフタレート、s owt%
の溶剤と共〈ボールミルで混合しドクターブレードを用
い1享さ36μmにシート化した。内部電極ペーストと
しては、それぞれ平均粒子径α07 μm、1.2pm
、9.3μm、 12μmの4種頌の平均粒子径をもつ
CuOまた平均粒子径0.05 pm 、 0.5 μ
m 、 10pm、 16μrHの4@類の;洞及び平
均粒子径1.0μmのCu2Oを出発1原料として用い
た。このCu 、 Cu2O、CuOまたはCuとCu
2Oの混合物において、Cu含有量が5.10゜50
、70 、80 wtcXの混合物に対しo、3wt5
% 。
Q、5 wt%、2,5wt%、 10wt% 、 1
5wt% のエチルセルロースと45wt%のテレピン
油を溶剤として添加し三本ロールで混疎し、電圧ペース
トとしスクリーン印判法を用い、誘電体セラミックグリ
ーンシート上に内部重態パターンを印11i11 した
。
5wt% のエチルセルロースと45wt%のテレピン
油を溶剤として添加し三本ロールで混疎し、電圧ペース
トとしスクリーン印判法を用い、誘電体セラミックグリ
ーンシート上に内部重態パターンを印11i11 した
。
この時の印刷享みは12〜18μmであった。これを電
圧が左右変可に引き出されるように積層し切断した。
圧が左右変可に引き出されるように積層し切断した。
このようにして作戎した積層体は、磁器ボート内に粗粒
ジルコニアを敷き、その上に載せ空気中で昇温速・隻1
2℃/hrにて600℃まで昇1温し600℃にて6時
間保持してバインダーアウトした。
ジルコニアを敷き、その上に載せ空気中で昇温速・隻1
2℃/hrにて600℃まで昇1温し600℃にて6時
間保持してバインダーアウトした。
第1図に示すように、バインダーアウトした積層体試料
14を載せた磁器ポート12を、管状炉中の内径6o・
1の炉心管11の内部に入れ、20℃3wt%アンモニ
ア水15をバブリングした窒素ガスを毎分1リットル流
し、450 ’Cで8時間保持し、内部゛成極を還元し
た。
14を載せた磁器ポート12を、管状炉中の内径6o・
1の炉心管11の内部に入れ、20℃3wt%アンモニ
ア水15をバブリングした窒素ガスを毎分1リットル流
し、450 ’Cで8時間保持し、内部゛成極を還元し
た。
第2・図に焼成時の積層体を入れるマグネシア磁器容器
の断面を示す。また、第3図((焼成炉炉心管の断面を
それぞれ示す。マグネシア磁器容器21内ては上述の仮
焼粉22を体積の1X3程度数きつめれ上に200メツ
シユのZrO□粉23全23.1M敷き、その土に内部
重態を還元処理した積ja体26を置いた。マグネシア
磁器の蓋24をし、管状心気炉の炉心管26内に挿入し
、炉心管内をロータリーポンプで脱気したのち、N2−
N2混合ガスで置換し、酸素分圧がlX10−8とな
るようN2とN2 ガスの混合比を満面しながら混合
ガスを流し980℃まで400’C/hr で昇温し2
時間保持後400℃/hrで降温した。炉心管内のPO
2は挿入した安定化ジルコニア酸素センサー27の大気
側と炉内部側に構成した白金電極から引き出した電極間
の電圧K (V)から次式から求めた。
の断面を示す。また、第3図((焼成炉炉心管の断面を
それぞれ示す。マグネシア磁器容器21内ては上述の仮
焼粉22を体積の1X3程度数きつめれ上に200メツ
シユのZrO□粉23全23.1M敷き、その土に内部
重態を還元処理した積ja体26を置いた。マグネシア
磁器の蓋24をし、管状心気炉の炉心管26内に挿入し
、炉心管内をロータリーポンプで脱気したのち、N2−
N2混合ガスで置換し、酸素分圧がlX10−8とな
るようN2とN2 ガスの混合比を満面しながら混合
ガスを流し980℃まで400’C/hr で昇温し2
時間保持後400℃/hrで降温した。炉心管内のPO
2は挿入した安定化ジルコニア酸素センサー27の大気
側と炉内部側に構成した白金電極から引き出した電極間
の電圧K (V)から次式から求めた。
Po = 0.2− (4FE/RT )2
6)Cp ここで、Fはファラデ一定a96489クーロン。
6)Cp ここで、Fはファラデ一定a96489クーロン。
Rはガス定数8.3144J/d6g@mod、Tは絶
対温度である。
対温度である。
積・−セラミックコンデンサの外形は2.8X1.4X
0.9.川で有効電極面積は一層当たり1.3126−
(1,75X0.75Jff)、 醒極層の享みは3.
0〜4.0μm、誘電体層は一層当だ926.0μmで
有効層数は30層、上下に無効層を7層ずつ設けた。
0.9.川で有効電極面積は一層当たり1.3126−
(1,75X0.75Jff)、 醒極層の享みは3.
0〜4.0μm、誘電体層は一層当だ926.0μmで
有効層数は30層、上下に無効層を7層ずつ設けた。
このようにして得られた積層セラミックコンデンサに外
部室・函として、In−Ga合金を塗布し、室温におけ
る容量、tanδを1vの交流電圧を印加しIKt(z
の周波数で測定した。また、抵抗率は50 V / a
の電圧を印加後1分値から求めた。
部室・函として、In−Ga合金を塗布し、室温におけ
る容量、tanδを1vの交流電圧を印加しIKt(z
の周波数で測定した。また、抵抗率は50 V / a
の電圧を印加後1分値から求めた。
第1表及び第2表に容量、tanδ、抵抗直、及び得ら
れた積層セラミック3717丈の構造欠陥や製造工程中
に発生した問題点を備考欄に示した。
れた積層セラミック3717丈の構造欠陥や製造工程中
に発生した問題点を備考欄に示した。
第1表及び第2表から明らかなように、出発原料として
はバインダーアウト時のクラックや還元処理時及び・塊
成時のデラミネーションの発生しないCU金含有瞳が1
o〜7owt%のCuOとCuの混合物が好ましroま
た、その平均粒子径としては0.1〜10μmが好まし
いことがわかる。すなわち0.1μmよシ小さい場合に
は内部電極ペースト印刷時のバッキングが十分でなく塗
膜の密度が低く還元処理後クラックが発生したり、焼成
時にデラミネーションが発生することとなる。一方、1
oItrrLより大きい場合には、バインダーアウト時
にCuOへの散出による体積膨張によりクラックが発生
する。
はバインダーアウト時のクラックや還元処理時及び・塊
成時のデラミネーションの発生しないCU金含有瞳が1
o〜7owt%のCuOとCuの混合物が好ましroま
た、その平均粒子径としては0.1〜10μmが好まし
いことがわかる。すなわち0.1μmよシ小さい場合に
は内部電極ペースト印刷時のバッキングが十分でなく塗
膜の密度が低く還元処理後クラックが発生したり、焼成
時にデラミネーションが発生することとなる。一方、1
oItrrLより大きい場合には、バインダーアウト時
にCuOへの散出による体積膨張によりクラックが発生
する。
有機バインダーの添加酸としては、CuOとOuの混合
物に対し0.5〜10wt%が最適であると思われる。
物に対し0.5〜10wt%が最適であると思われる。
有:幾バインダーの添加11が0.5 wt餐未満では
、電極ペーストとしてのチクソ性が低下し印、訓時に滲
みが発生し好ましくない。一方、10wt%より多いと
バインダーアウト時に有機バインダーの分解により発生
する多量の分解ガスにより、クラックが発生し好ましく
ない。
、電極ペーストとしてのチクソ性が低下し印、訓時に滲
みが発生し好ましくない。一方、10wt%より多いと
バインダーアウト時に有機バインダーの分解により発生
する多量の分解ガスにより、クラックが発生し好ましく
ない。
ところで、実施例1では有機バインダーとしてエチルセ
ルロースを用いたが、アクリル樹脂等の他の有機バイン
ダーを用いてもよい。
ルロースを用いたが、アクリル樹脂等の他の有機バイン
ダーを用いてもよい。
(実施例2)
誘電体セラミック材料、およびそのシート化については
実施例1と同様の方法を用いた。
実施例1と同様の方法を用いた。
内部電極ペーストとしては、平均粒径1.0μmのCu
O及び平均粒子径0.6μmのCuを1=1に混合した
ものを出発原料に用いこの混合物に対し。
O及び平均粒子径0.6μmのCuを1=1に混合した
ものを出発原料に用いこの混合物に対し。
0.5〜s o wt% の無機成分(第3表に示すよ
うな誘電体セラミック材料と同一またはこれを構成する
元素もしくはその化合物)、さらにこのCu2O、Cu
及び無機成分に対し2.5 wtにのエチルセルロース
と4617t%(7)テレピン油を溶剤として添?J1
1して、三本ロールで混練し電極ペーストとし。
うな誘電体セラミック材料と同一またはこれを構成する
元素もしくはその化合物)、さらにこのCu2O、Cu
及び無機成分に対し2.5 wtにのエチルセルロース
と4617t%(7)テレピン油を溶剤として添?J1
1して、三本ロールで混練し電極ペーストとし。
スクリーン印刷法を用い誘′;体セラミックグリーンシ
ート上に内部tiパターンを印刷した。これを電極が左
右交互に引き出されるように積層し切断した。まだ、こ
のとき有効層数が30層及び60層の試料を作製した。
ート上に内部tiパターンを印刷した。これを電極が左
右交互に引き出されるように積層し切断した。まだ、こ
のとき有効層数が30層及び60層の試料を作製した。
このようにして作製した積層体を、実施例1と同様にし
て還元処理及び焼成を行い積層セラミックコンデンサを
作製し、In−Ga合金を外部電極として塗布した。こ
の試料について室温における容量、tanδを1vの交
流電圧を印加しIKl(Zの周波数で測定した。また、
抵抗率は50 V / 、itmの電圧を印加後1分値
から求めた。
て還元処理及び焼成を行い積層セラミックコンデンサを
作製し、In−Ga合金を外部電極として塗布した。こ
の試料について室温における容量、tanδを1vの交
流電圧を印加しIKl(Zの周波数で測定した。また、
抵抗率は50 V / 、itmの電圧を印加後1分値
から求めた。
第3表に容量、tanδ、抵抗値、及び得られた積層セ
ラミックコンデンサの構造欠陥や製造工程中に発生した
問題点を備考瀾に示した。
ラミックコンデンサの構造欠陥や製造工程中に発生した
問題点を備考瀾に示した。
(以下余 白)
第3表から明らかなように、誘電体セラミック材料と同
一またはこれを構成する元素もしくはその化合物を1〜
sowtに添加することにより、積層数を増加させても
内部電極とセラミックとの接着強度が向上し、還元処理
後のクラックや焼成後のデラミネーションのない良好な
積層セラミックコンデンサが得られる。ここで、無機成
分の添加量を1 wt5%未満にすると、接着強度の向
上が不十分で積層数を60層といったような多積層にす
ると、バインダーアウト後の還元処理によシ、CuOが
金属鋼に還元される際の体積収縮が犬きくなり、クラッ
クが発生したシする。一方、無機成分の添加量がsow
tにを越えると内部電極層が網目状になったり、電極と
しての連続性が低下し電極としての機能を果たさなくな
り好ましくない。
一またはこれを構成する元素もしくはその化合物を1〜
sowtに添加することにより、積層数を増加させても
内部電極とセラミックとの接着強度が向上し、還元処理
後のクラックや焼成後のデラミネーションのない良好な
積層セラミックコンデンサが得られる。ここで、無機成
分の添加量を1 wt5%未満にすると、接着強度の向
上が不十分で積層数を60層といったような多積層にす
ると、バインダーアウト後の還元処理によシ、CuOが
金属鋼に還元される際の体積収縮が犬きくなり、クラッ
クが発生したシする。一方、無機成分の添加量がsow
tにを越えると内部電極層が網目状になったり、電極と
しての連続性が低下し電極としての機能を果たさなくな
り好ましくない。
なお、本実施例では誘電体セラミック材料と同一または
これを構成する元素もしくはその化合物を添加した場合
についてのみ示したが、セラミック材料と親和性のある
ホウケイ酸亜鉛ガラス等のガラスフリットを無機成分と
して添加しても同様の効果が得られる。
これを構成する元素もしくはその化合物を添加した場合
についてのみ示したが、セラミック材料と親和性のある
ホウケイ酸亜鉛ガラス等のガラスフリットを無機成分と
して添加しても同様の効果が得られる。
(実施例3)
誘電体セラミックとして次に示す組成式で表される材料
を用いた。
を用いた。
(Pb” )(’g1/!1Nb215)a90[L
5 α5 ”’+y2W 1/2)[Ll 0s シート化については実施例1及び2と同様の方法を用い
た。
5 α5 ”’+y2W 1/2)[Ll 0s シート化については実施例1及び2と同様の方法を用い
た。
内部電極ペーストとしては、平均粒径1.2μmのCu
O及び平均粒子径0.5μmのCuを1:1に混合した
ものを出発原料に用い、銅と合金を形成する金属として
平均粒子径1.0μmのNi f:CuO及びCuの混
合物に対し40wt%添加した1次にこのCuO及びN
iに対し2,5wt(Xのエチルセルロースと4 B1
t’Wf)テレピン油を溶剤として添加して、三本ロー
ルで混練し電極ペーストとし、スクリーン印1nlJ
法を用い誘電体セラミックグリーンシート上に内部電極
パターンを印刷した。これを、電極が左右交互に引き出
されるように積層し切断した。
O及び平均粒子径0.5μmのCuを1:1に混合した
ものを出発原料に用い、銅と合金を形成する金属として
平均粒子径1.0μmのNi f:CuO及びCuの混
合物に対し40wt%添加した1次にこのCuO及びN
iに対し2,5wt(Xのエチルセルロースと4 B1
t’Wf)テレピン油を溶剤として添加して、三本ロー
ルで混練し電極ペーストとし、スクリーン印1nlJ
法を用い誘電体セラミックグリーンシート上に内部電極
パターンを印刷した。これを、電極が左右交互に引き出
されるように積層し切断した。
まだ、このときの有効層数は20層とした。
次に、この積層体を実施例1及び2と同様にして還元処
理したのち、1160℃にて酸素分圧がlX10’−’
となるような条件にて焼成した。
理したのち、1160℃にて酸素分圧がlX10’−’
となるような条件にて焼成した。
一方、比較例としてNiを含まない内部電極ペーストを
作製し、上記と同様にして積層セラミックコンデンサを
作製した。
作製し、上記と同様にして積層セラミックコンデンサを
作製した。
このようにして得られた積層セラミックコンデンサに、
In−Ga合金を外部電離として塗布した。
In−Ga合金を外部電離として塗布した。
この試料について室温における容−省、tanδを1v
の交流電圧を印加し1K)(zの周波数で測定した。
の交流電圧を印加し1K)(zの周波数で測定した。
その結果、Niを含有した本発明による内部電極ペース
トを用Aた試料ておいては、容量が1.2nFでtan
δが20X10−’と良好な結果が得られた。一方、比
較例としてNiを含有しない内部電極ペーストを用いた
試料では、容量が得られなかった。このことは、焼成温
度が1150’Cと高(Niを含有しない場合には、銅
の融点1083℃を越えるため焼成中に銅が溶融し、こ
の際の表面張力により銅が粒状となり、内部電極として
の機能を失うため、容量が得られなくなったと考えられ
る。一方、本発明のNiを含有した内部電極ペーストを
用いた場合には、この合金の融点が1150℃を越える
ため、焼成中に1容1′Mすることなく内部電極が焼結
し、良好な内部電極をもつ、積層セラミックコンデンサ
が得られることとなる。
トを用Aた試料ておいては、容量が1.2nFでtan
δが20X10−’と良好な結果が得られた。一方、比
較例としてNiを含有しない内部電極ペーストを用いた
試料では、容量が得られなかった。このことは、焼成温
度が1150’Cと高(Niを含有しない場合には、銅
の融点1083℃を越えるため焼成中に銅が溶融し、こ
の際の表面張力により銅が粒状となり、内部電極として
の機能を失うため、容量が得られなくなったと考えられ
る。一方、本発明のNiを含有した内部電極ペーストを
用いた場合には、この合金の融点が1150℃を越える
ため、焼成中に1容1′Mすることなく内部電極が焼結
し、良好な内部電極をもつ、積層セラミックコンデンサ
が得られることとなる。
なお、本実施例では金@Niを用いたが、その曲の化合
吻の形で用いても同様の効果が得られる。
吻の形で用いても同様の効果が得られる。
また、その他の銅と合金を形成する金属もしくはその化
合物を添加することにより、内部電極材料の、@点や導
電性等の特性を制御することができる。
合物を添加することにより、内部電極材料の、@点や導
電性等の特性を制御することができる。
さらに、実施例2で示したように積層数の多い積層セラ
ミック体において、内部電極層とセラミック材料層との
接着強度を改善する目的で添加した無機成分を銅と合金
を形成する金属もしくはその化合−吻と同時に添加する
ことにより、積層数の多力漬層セラミック体に適した内
部電極ペーストが得られる。
ミック体において、内部電極層とセラミック材料層との
接着強度を改善する目的で添加した無機成分を銅と合金
を形成する金属もしくはその化合−吻と同時に添加する
ことにより、積層数の多力漬層セラミック体に適した内
部電極ペーストが得られる。
以上の三つの実施例より明らかなように、本発明による
平均1粒子径0.1〜10 ItmのCuO及びCuか
らなる混合物において、Cu含有量が1O−V7゜wt
にである混合物を用い、この混合・物に対し0.5〜1
0 wt%の有機バインダー及び溶剤を添加したことを
特徴とする積層セラミック体用内部電極ペーストもしく
は、積層するセラミック材料を構成する元素またはこれ
を含む化合物もしくは銅と合金をつくる金嘱元素または
これを含む化合物を無機成分として、OuO及びOuの
混合物て対して1〜6owt%添/111しだものて対
し、0.5〜10wt%の有(幾バインダー、さらに溶
剤を含有することを特徴とする積層セラミック体用内部
電極ペーストを用いることによシ、構造欠陥のない良好
な積層セラミック体が得られることとなる。
平均1粒子径0.1〜10 ItmのCuO及びCuか
らなる混合物において、Cu含有量が1O−V7゜wt
にである混合物を用い、この混合・物に対し0.5〜1
0 wt%の有機バインダー及び溶剤を添加したことを
特徴とする積層セラミック体用内部電極ペーストもしく
は、積層するセラミック材料を構成する元素またはこれ
を含む化合物もしくは銅と合金をつくる金嘱元素または
これを含む化合物を無機成分として、OuO及びOuの
混合物て対して1〜6owt%添/111しだものて対
し、0.5〜10wt%の有(幾バインダー、さらに溶
剤を含有することを特徴とする積層セラミック体用内部
電極ペーストを用いることによシ、構造欠陥のない良好
な積層セラミック体が得られることとなる。
なお、本実施例では積層セラミック体として積層セラミ
ックコンデンサに限って説明したが、セラミック多層基
板やセラミック積層アクチュエータ等の他の積層セラミ
ック体において、本発明の内部電極ペーストを用いるこ
とによシ、同様の効果が得られることは言うまでもない
。
ックコンデンサに限って説明したが、セラミック多層基
板やセラミック積層アクチュエータ等の他の積層セラミ
ック体において、本発明の内部電極ペーストを用いるこ
とによシ、同様の効果が得られることは言うまでもない
。
発明の効果
本発明の内部電極ペーストを用いることにより、クラッ
クやデラミネーション等の構造欠陥の発生しない、信頼
性の浸れた銅または銅合金を内部電極とする、積層セラ
ミック体を得ることができるとともに、積層セラミック
体の多積層化が可能となり、部品の高、生能化と高密・
変実装が可能となる。
クやデラミネーション等の構造欠陥の発生しない、信頼
性の浸れた銅または銅合金を内部電極とする、積層セラ
ミック体を得ることができるとともに、積層セラミック
体の多積層化が可能となり、部品の高、生能化と高密・
変実装が可能となる。
第1図は本発明の一実施例てよる内部電極の還元装置を
示す断面図、第2図は焼成時Dマグネシア容器を示す断
面図、第3図は焼成炉の炉心管を示す断面図である。 1゛1・・・・・・炉心管、12・・・・・磁器ボート
、13・・・・・粗1位ジルコニア、14・・・・・・
積層本試料、16・・・・・・アンモニア水。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第3rl!J
示す断面図、第2図は焼成時Dマグネシア容器を示す断
面図、第3図は焼成炉の炉心管を示す断面図である。 1゛1・・・・・・炉心管、12・・・・・磁器ボート
、13・・・・・粗1位ジルコニア、14・・・・・・
積層本試料、16・・・・・・アンモニア水。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第3rl!J
Claims (4)
- (1)平均粒子径0.1〜10μmのCuO及びCuか
らなる混合物において、Cu含有量が10〜70wt%
である混合物に対し、0.5〜10wt%の有機バイン
ダー、さらに溶剤を含有することを特徴とする積層セラ
ミック体用内部電極ペースト。 - (2)平均粒子径0.1〜10μmのCuO及びCuか
らなる混合物において、Cu含有量が10〜70wt%
である混合物に対し、1〜50wt%の無機成分を含有
し、CuO,Cu及びその他の無機成分の混合物に対し
、0.5〜10wt%の有機バインダー、さらに溶剤を
含有することを特徴とする積層セラミック体用内部電極
ペースト。 - (3)無機成分が積層セラミック体におけるセラミック
材料と同一または、これを構成する元素もしくはその化
合物であることを特徴とする請求項2に記載の積層セラ
ミック体用内部電極ペースト。 - (4)無機成分が積層セラミック体における、電極材料
である銅と固溶体を形成する元素もしくはその化合物で
あることを特徴とする請求項2記載の積層セラミック体
用内部電極ペースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63062384A JP2825812B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 積層セラミック体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63062384A JP2825812B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 積層セラミック体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01236512A true JPH01236512A (ja) | 1989-09-21 |
JP2825812B2 JP2825812B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=13198576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63062384A Expired - Fee Related JP2825812B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 積層セラミック体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2825812B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020111682A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | Jx金属株式会社 | 導電性組成物 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62263894A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-16 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | 銅導電ペ−スト |
JPS6481106A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Sumitomo Metal Mining Co | Composition for forming conductive film |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP63062384A patent/JP2825812B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS62263894A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-16 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | 銅導電ペ−スト |
JPS6481106A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Sumitomo Metal Mining Co | Composition for forming conductive film |
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JP2020111682A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | Jx金属株式会社 | 導電性組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2825812B2 (ja) | 1998-11-18 |
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