JPH01232795A - 金属ベース基板の製造方法 - Google Patents
金属ベース基板の製造方法Info
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- JPH01232795A JPH01232795A JP5910588A JP5910588A JPH01232795A JP H01232795 A JPH01232795 A JP H01232795A JP 5910588 A JP5910588 A JP 5910588A JP 5910588 A JP5910588 A JP 5910588A JP H01232795 A JPH01232795 A JP H01232795A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野)
本発明は、混成集積回路用基板として適用可能で、特に
熱伝導性並びに耐電圧強度に優れた絶縁基板の連続製造
方法に関する。
熱伝導性並びに耐電圧強度に優れた絶縁基板の連続製造
方法に関する。
混成集積回路としては従来セラミック基板が使用されて
いたが、セラミック基板は、セラミックの脆さのために
大型基板ができない、電気回路がペースト印刷によって
形成されたものであるために大電流が流せない、さらに
連続生産が困難であるので生産コストが高い、などの問
題がある。このためセラミック基板に代わって、アルミ
ニウムなどの金属基板の上に有機絶縁層を設けその上に
電気回路形成用の導体箔をラミネートし、導体箔をエツ
チングして回路を形成してなる所謂金属ベース基板が使
用されつつある。この種の基板は、大型基板を含めて種
々のサイズのものの生産が可能であるので最近特に注目
を浴びている。
いたが、セラミック基板は、セラミックの脆さのために
大型基板ができない、電気回路がペースト印刷によって
形成されたものであるために大電流が流せない、さらに
連続生産が困難であるので生産コストが高い、などの問
題がある。このためセラミック基板に代わって、アルミ
ニウムなどの金属基板の上に有機絶縁層を設けその上に
電気回路形成用の導体箔をラミネートし、導体箔をエツ
チングして回路を形成してなる所謂金属ベース基板が使
用されつつある。この種の基板は、大型基板を含めて種
々のサイズのものの生産が可能であるので最近特に注目
を浴びている。
混成集積回路は、回路上にパワートランジスターや抵抗
体などの発熱部品を搭載するため、その絶縁層は、耐電
圧強度の他に、回路の稼働中に発生する熱を効果的に放
出べく熱伝導性も良好であることが要求される。
体などの発熱部品を搭載するため、その絶縁層は、耐電
圧強度の他に、回路の稼働中に発生する熱を効果的に放
出べく熱伝導性も良好であることが要求される。
絶縁層の熱伝導性を向上させることを目的として、無機
フィラーを含有した電気絶縁性の接着剤を使用して金属
基板と電気回路形成用導体箔とを接着すると同時に電気
絶縁層をも形成せしめる提案が、例えば実公昭46−2
576、特開昭56−62388、特開昭58−152
90、特開昭59−141283などにおいて示されて
いる。この場合、無機フィラーが絶縁層の熱伝導性を向
上する作用をなす。
フィラーを含有した電気絶縁性の接着剤を使用して金属
基板と電気回路形成用導体箔とを接着すると同時に電気
絶縁層をも形成せしめる提案が、例えば実公昭46−2
576、特開昭56−62388、特開昭58−152
90、特開昭59−141283などにおいて示されて
いる。この場合、無機フィラーが絶縁層の熱伝導性を向
上する作用をなす。
(解決を要すべき問題点)
しかし無機フィラーを含有した接着剤は、一般に、含有
無機フィラーのために塗布層内に気泡か残存し易い、溶
剤が抜は難い、等の解決を要する問題があって、未だ耐
電圧強度の優れた絶縁層が得られていない状況にある。
無機フィラーのために塗布層内に気泡か残存し易い、溶
剤が抜は難い、等の解決を要する問題があって、未だ耐
電圧強度の優れた絶縁層が得られていない状況にある。
従って本発明の目的は、無機フィラーを含有した接着剤
を使用して、しかも耐電圧強度と熱伝導性の両方に優れ
た絶縁層を電気回路形成用の導体箔と金属板との間に形
成してなる新規な金属ベース基板の製造方法を提供する
ことにある。
を使用して、しかも耐電圧強度と熱伝導性の両方に優れ
た絶縁層を電気回路形成用の導体箔と金属板との間に形
成してなる新規な金属ベース基板の製造方法を提供する
ことにある。
(問題点を解決するための手段〕
本発明は、平均粒径0.1IJIa〜10μ鋼の無機フ
ィラーを30容量%〜50容量%含右してなる電気絶縁
性接着剤を電気回路形成用の導体箔に塗布し次いで接着
層をBステージ状態にもたらす工程を少なくとも2回繰
返し、得られた導体箔の当該接着剤層と金属板とを重ね
て加圧下で加熱して導体箔と金属板を1妾着すると同時
に電気絶縁層を形成することを特1枚とする金属ベース
基板の製造方法に関する。
ィラーを30容量%〜50容量%含右してなる電気絶縁
性接着剤を電気回路形成用の導体箔に塗布し次いで接着
層をBステージ状態にもたらす工程を少なくとも2回繰
返し、得られた導体箔の当該接着剤層と金属板とを重ね
て加圧下で加熱して導体箔と金属板を1妾着すると同時
に電気絶縁層を形成することを特1枚とする金属ベース
基板の製造方法に関する。
本発明の製造方法の特徴点を列挙すると、以下の通りで
ある。
ある。
(1) 接着剤として、平均粒径0.1μ11〜10
μmの無機フィラーを30容量%〜50容■%含有し、
しかもBステージ状態になり得るものを使用すること、 (2)該接着剤を電気回路形成用の導体箔に施与するこ
と、および、 (3)接着剤の塗布に続くBステージ化の工程を少な(
とも2回繰返して導体箔上に接着剤層の形成すること。
μmの無機フィラーを30容量%〜50容■%含有し、
しかもBステージ状態になり得るものを使用すること、 (2)該接着剤を電気回路形成用の導体箔に施与するこ
と、および、 (3)接着剤の塗布に続くBステージ化の工程を少な(
とも2回繰返して導体箔上に接着剤層の形成すること。
接着剤として、平均粒径0.Iμm〜10amの無機フ
ィラーを30容量%〜50容量%含有するものは、後記
するように、耐電工強度と熱伝導性の両方に優れた電気
絶縁層を連続的に形成する上で極めて重要である。
ィラーを30容量%〜50容量%含有するものは、後記
するように、耐電工強度と熱伝導性の両方に優れた電気
絶縁層を連続的に形成する上で極めて重要である。
接着剤としてBステージ状態になり得るものを使用し、
且つこれを電気回路形成用導体箔に施与することにより
得られた接着剤層付きの該導体箔は、ドラム巻きなどが
容易となり金属ベース基板の連続製造も可能である。
且つこれを電気回路形成用導体箔に施与することにより
得られた接着剤層付きの該導体箔は、ドラム巻きなどが
容易となり金属ベース基板の連続製造も可能である。
接着剤を金属基板に塗布した場合、金属基板は一般に導
体箔に比べて厚いため熱容量が大きく、このために接着
剤塗膜のBステージ化に時間を要したり、Bステージ化
にムラが生じ易くて塗膜中に溶剤が残存しがちで後工程
の熱プレス時、気泡が生し、絶縁層の耐電圧強度が低下
する傾向が強い問題がある。これに対して本発明のよう
に薄く従って熱容量の小さい導体箔に接着剤をh面与す
る場合には、上記と反対にBステージ化が短時間で均一
に進み、耐電圧強度の優れた絶縁層を形成し易くなる。
体箔に比べて厚いため熱容量が大きく、このために接着
剤塗膜のBステージ化に時間を要したり、Bステージ化
にムラが生じ易くて塗膜中に溶剤が残存しがちで後工程
の熱プレス時、気泡が生し、絶縁層の耐電圧強度が低下
する傾向が強い問題がある。これに対して本発明のよう
に薄く従って熱容量の小さい導体箔に接着剤をh面与す
る場合には、上記と反対にBステージ化が短時間で均一
に進み、耐電圧強度の優れた絶縁層を形成し易くなる。
更に5、たとえ接着剤を導体箔に施与するにしても、た
だ1回の塗布で必要な肉厚の接着剤層を形成し、Bステ
ージ化を施したのではやはり気)C’lの巻き込みや溶
剤残存のに率が高る問題があるが接着nすの塗布に続く
Bステージ化の工程を少なくとも2回あるいはそれ以上
の多数回に分けて必要度の接着剤層前形成することによ
り前記の問題のない、したがって耐電圧強度の優れた絶
縁層を安定して形成することができる。
だ1回の塗布で必要な肉厚の接着剤層を形成し、Bステ
ージ化を施したのではやはり気)C’lの巻き込みや溶
剤残存のに率が高る問題があるが接着nすの塗布に続く
Bステージ化の工程を少なくとも2回あるいはそれ以上
の多数回に分けて必要度の接着剤層前形成することによ
り前記の問題のない、したがって耐電圧強度の優れた絶
縁層を安定して形成することができる。
本発明において使用する接着剤としては、Bステージ状
態になり得るものが使用される。たとえばビスフェノー
ル型エポキシ樹脂脂、クレゾールノボらIり型エポキシ
樹脂、フェノールノボランク型エポキシ樹脂等のエポキ
シ樹脂類、あるいはJQ性を増すためにCTBN、ポリ
アミド、ニド11ルゴム等で変性したエポキシ樹脂等を
例示できる。それら樹脂の有機溶剤としては、メチルエ
チルケト・′、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブ、
N−N’−パフメチルフォルムアミド(DMF)、トル
エン等が例示される。
態になり得るものが使用される。たとえばビスフェノー
ル型エポキシ樹脂脂、クレゾールノボらIり型エポキシ
樹脂、フェノールノボランク型エポキシ樹脂等のエポキ
シ樹脂類、あるいはJQ性を増すためにCTBN、ポリ
アミド、ニド11ルゴム等で変性したエポキシ樹脂等を
例示できる。それら樹脂の有機溶剤としては、メチルエ
チルケト・′、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブ、
N−N’−パフメチルフォルムアミド(DMF)、トル
エン等が例示される。
無機フィラーとしては、アルミナ粉、シリカ粉、チ、化
ホウ素粉、チン化アルミニウム粉等、熱伝導性を向上す
る作用をなすものが使用できる。但しその平均粒径は0
. l am =l OuIllの範囲内のものであ
る必要がある。平均粒径が0.1層mより小さい無機フ
ィラーを使用する場合、無機フィラーの過大な合計表面
積のために粘度が大きくなり溶剤が残存し易い問題があ
る。一方10μ鶴より大きい粒子を使用する場合、接着
剤塗布面の外観が悪くなり接着剤層と金属基板との界面
に気泡が残存し易くて絶縁層の耐電圧特性が著しく低下
する問題がある。従って本発明において使用する無機フ
ィラーとしては、平均粒径が0.2μm〜5μm、特に
0.2〜277111の範囲内のものが好ましい。
ホウ素粉、チン化アルミニウム粉等、熱伝導性を向上す
る作用をなすものが使用できる。但しその平均粒径は0
. l am =l OuIllの範囲内のものであ
る必要がある。平均粒径が0.1層mより小さい無機フ
ィラーを使用する場合、無機フィラーの過大な合計表面
積のために粘度が大きくなり溶剤が残存し易い問題があ
る。一方10μ鶴より大きい粒子を使用する場合、接着
剤塗布面の外観が悪くなり接着剤層と金属基板との界面
に気泡が残存し易くて絶縁層の耐電圧特性が著しく低下
する問題がある。従って本発明において使用する無機フ
ィラーとしては、平均粒径が0.2μm〜5μm、特に
0.2〜277111の範囲内のものが好ましい。
なお本発明においては、無機フィラーの平均粒径は、5
EDIGRAP)i 5000Dによる桔算重量が5
0%となる値として定義される。
EDIGRAP)i 5000Dによる桔算重量が5
0%となる値として定義される。
本発明において使用する接着剤中における無機フィラー
の配合量は、30容量%〜50容量%の範囲内である必
要がある。配合量が30容量%より少ないと、接着剤層
(絶縁層)の熱伝導性を向上させる効果が乏しく、一方
50容量%より多いと、やはり接着剤層と金属基板との
界面に気泡が残存し易くて!@縁層の耐電圧特性が著し
く低下する問題がある。従って接着剤中における無機フ
ィラーの配合量は、35〜45容量%、特に35〜40
容量%の範囲とすることが好ましい。
の配合量は、30容量%〜50容量%の範囲内である必
要がある。配合量が30容量%より少ないと、接着剤層
(絶縁層)の熱伝導性を向上させる効果が乏しく、一方
50容量%より多いと、やはり接着剤層と金属基板との
界面に気泡が残存し易くて!@縁層の耐電圧特性が著し
く低下する問題がある。従って接着剤中における無機フ
ィラーの配合量は、35〜45容量%、特に35〜40
容量%の範囲とすることが好ましい。
電気回路形成用の導体箔としては、銅、アルミニウム、
ニッケル、金などの導電性金属、あるいはこれらの合金
からなる1層あるいは2層以上の多数層(メツキ、クラ
ツド材等)からなる厚さ約10〜500μ−程度、特に
40−100μm程度の箔が好適に使用される。
ニッケル、金などの導電性金属、あるいはこれらの合金
からなる1層あるいは2層以上の多数層(メツキ、クラ
ツド材等)からなる厚さ約10〜500μ−程度、特に
40−100μm程度の箔が好適に使用される。
接着剤は、かかる導体箔に連続的にコーティングし、引
き続き加熱などによりBステージ状態にもたらされる。
き続き加熱などによりBステージ状態にもたらされる。
多数回塗布する場合、その回数だけ塗布装置と乾燥炉が
あればよいが、一般には一塗布装置と一乾燥炉からなる
装置が使用されるため、−回の塗布、乾燥の都度、Bス
テージ状態にある接着剤を塗布した導体箔を巻き取り、
再度塗布、乾燥を繰り返すことになる。従って、本発明
に使用する接着剤は、Bステージ状態でロールに巻き取
った時、亀裂を生じ難いものであることが望ましい。
あればよいが、一般には一塗布装置と一乾燥炉からなる
装置が使用されるため、−回の塗布、乾燥の都度、Bス
テージ状態にある接着剤を塗布した導体箔を巻き取り、
再度塗布、乾燥を繰り返すことになる。従って、本発明
に使用する接着剤は、Bステージ状態でロールに巻き取
った時、亀裂を生じ難いものであることが望ましい。
本発明に使用する金属基板としては、例えばアルミニウ
ム、銅、鉄などの熱伝導性の金属からなる厚さ約1〜5
ma+程度、特に約1.5〜3M程度の板が好適に使用
される。導体箔に形成された接着層と接着される金属基
板の面は、予め表面処理されていることが望ましい、そ
の表面処理方法としては、クロム酸アルマイト、リン酸
アルマイト、硫酸アルマイト、電解エツチングなどが例
示され就中、加工の際に亀裂が入り難いクロム酸アルマ
イト、リン酸アルマイト、電解エツチングが好適である
。
ム、銅、鉄などの熱伝導性の金属からなる厚さ約1〜5
ma+程度、特に約1.5〜3M程度の板が好適に使用
される。導体箔に形成された接着層と接着される金属基
板の面は、予め表面処理されていることが望ましい、そ
の表面処理方法としては、クロム酸アルマイト、リン酸
アルマイト、硫酸アルマイト、電解エツチングなどが例
示され就中、加工の際に亀裂が入り難いクロム酸アルマ
イト、リン酸アルマイト、電解エツチングが好適である
。
以下、実施例および比較例により本発明を具体的に説明
する。
する。
実施例1
ビスフェノール型エポキシ樹脂(YD7017EK60
)300部、タレゾールノボランク型エポキシ樹脂(E
OCN103)150部、ジシアンジアミドのDMF
10%溶液100重量部、1%2P4MZ3部とからな
る組成物を充分に撹拌後、平均粒径0.3μmのアルミ
ナ粉を40容量%添加し、サンドミルで1時間撹拌して
電気絶縁性の接着剤を得た。
)300部、タレゾールノボランク型エポキシ樹脂(E
OCN103)150部、ジシアンジアミドのDMF
10%溶液100重量部、1%2P4MZ3部とからな
る組成物を充分に撹拌後、平均粒径0.3μmのアルミ
ナ粉を40容量%添加し、サンドミルで1時間撹拌して
電気絶縁性の接着剤を得た。
この接着剤を35μ戴厚の電解銅箔に塗布し、140℃
で2分間連続的に加熱乾燥して膜厚が40tIIIlの
Bステージ化した接着剤層を形成した。
で2分間連続的に加熱乾燥して膜厚が40tIIIlの
Bステージ化した接着剤層を形成した。
これと同じ塗布、乾燥操作を繰り返して合計厚さ80μ
−のBステージ化接着剤層を形成した。
−のBステージ化接着剤層を形成した。
ついで表面清浄化処理し、電解エツチングで表面を粗面
化した厚さ3.0a*のアルミニウム板の表面上に接着
剤層が接触するように当該電解銅箔を重ね、180℃で
40分、圧力10kg/Imの条件で熱プレスし、アル
ミニウムベース基板を得た。
化した厚さ3.0a*のアルミニウム板の表面上に接着
剤層が接触するように当該電解銅箔を重ね、180℃で
40分、圧力10kg/Imの条件で熱プレスし、アル
ミニウムベース基板を得た。
実施例2
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(YD7017EK6
0)300部、フェノールノボラック型エポキシ樹脂1
60部、ジシアンジアミドの10%DMン容液96部、
2部4MZの l %DMF?容/夜3部とからなる
組成物を充分に撹拌後、平均粒径0.2μmのアルミナ
粉を35容量%添加し、サンドミルで1時間撹拌して電
気絶縁性の接着剤を得た。
0)300部、フェノールノボラック型エポキシ樹脂1
60部、ジシアンジアミドの10%DMン容液96部、
2部4MZの l %DMF?容/夜3部とからなる
組成物を充分に撹拌後、平均粒径0.2μmのアルミナ
粉を35容量%添加し、サンドミルで1時間撹拌して電
気絶縁性の接着剤を得た。
この接着剤を35μ…厚の電解銅箔に塗布し、130°
Cで2分間連続的に加熱乾燥して膜厚が40μmのBス
テージ化した接着剤層を形成した。
Cで2分間連続的に加熱乾燥して膜厚が40μmのBス
テージ化した接着剤層を形成した。
これと同し塗布、乾燥操作を繰り返して合計厚さ80μ
偽のBステージ化接着剤層を形成した。
偽のBステージ化接着剤層を形成した。
ついで実施例1と同様にしてアルミニウムへ−スl&キ
反を得た。
反を得た。
実施例3
実施例2で得た接着剤を用いて、3回の塗布、乾燥を繰
り返して合計厚150 ttmのBステージ化した接着
剤層を形成した点を除いては、実施例2と同じ条件でア
ルミニウムベース基板を得た。
り返して合計厚150 ttmのBステージ化した接着
剤層を形成した点を除いては、実施例2と同じ条件でア
ルミニウムベース基板を得た。
比較例1
実施例1で得た接着剤を電解銅箔上に形成する代わりに
アルミニウム板上に形成し、ついで電解銅箔を接着した
点を除いては、実施例1と同じ条件でアルミニウムベー
ス基板を得た。
アルミニウム板上に形成し、ついで電解銅箔を接着した
点を除いては、実施例1と同じ条件でアルミニウムベー
ス基板を得た。
比較例2
実施例1で得た接着剤を1回の塗布、乾燥で膜厚80μ
踵になるように銅箔に塗布した点を除いては、実施例1
と同じ条件でアルミニウムベース基板を得た。
踵になるように銅箔に塗布した点を除いては、実施例1
と同じ条件でアルミニウムベース基板を得た。
実施例1〜3および比較例1〜2で得たアルミニウムベ
ース基板の各種特性を第1表に示す。
ース基板の各種特性を第1表に示す。
第1表
*・・・20卿角の銅箔パターンを形成後、絶縁油中、
常温でアルミニウム板と1rlff3間に交流電圧を3
.0kVを課電し、絶縁破するまでの時間(n=20)
を測定す *ネ・・20InI11角の51箔パターンを形成後、
絶縁油中、常温でアルミニウム板と銅箔間 に交流電圧を2.0kVより0.5kvごとに昇圧させ
(各電圧で1分間づつ課電、 絶縁破壊する前の電圧(n=50)を 測定する。
常温でアルミニウム板と1rlff3間に交流電圧を3
.0kVを課電し、絶縁破するまでの時間(n=20)
を測定す *ネ・・20InI11角の51箔パターンを形成後、
絶縁油中、常温でアルミニウム板と銅箔間 に交流電圧を2.0kVより0.5kvごとに昇圧させ
(各電圧で1分間づつ課電、 絶縁破壊する前の電圧(n=50)を 測定する。
注1・・300°CXl0分合格
注2・・300°CXl0分合格
注3・・300°CXl0分合格
注4−−300°CXl0分合格
注5・・300”C×10分不合格
300”CX5分合格
注6・・銅箔と接着剤層間に微細な気泡が観察された。
注7・・接着剤層内に気泡が観察された。
本発明によれば、一般に塗布層内に気泡か残存し易い、
溶剤が抜は難い、などの問題のある無機フィラー含有接
着剤を使用して耐電圧強度並びに熱伝導性の両方に優れ
た絶縁層を有する金属へ一ス基板を製造することができ
る。
溶剤が抜は難い、などの問題のある無機フィラー含有接
着剤を使用して耐電圧強度並びに熱伝導性の両方に優れ
た絶縁層を有する金属へ一ス基板を製造することができ
る。
Claims (1)
- 平均粒径0.1μm〜10μmの無機フィラーを30容
量%〜50容量%含有してなる電気絶縁性接着剤を電気
回路形成用の導体箔に塗布し、次いで接着層をBステー
ジ状態にもたらす工程を少なくとも2回繰返し、得られ
た導体箔の当該接着剤層と金属板とを重ねて加圧下で加
熱して導体箔と金属板を接着すると同時に電気絶縁層を
形成することを特徴とする金属ベース基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5910588A JPH01232795A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 金属ベース基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5910588A JPH01232795A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 金属ベース基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01232795A true JPH01232795A (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=13103704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5910588A Pending JPH01232795A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 金属ベース基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01232795A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5527604A (en) * | 1993-08-06 | 1996-06-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Metal base board and electronic equipment using the same |
EP0738007A2 (en) * | 1995-04-12 | 1996-10-16 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Metal-base multilayer circuit substrate |
JP2010135749A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-06-17 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光モジュールおよび照明装置 |
-
1988
- 1988-03-11 JP JP5910588A patent/JPH01232795A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5527604A (en) * | 1993-08-06 | 1996-06-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Metal base board and electronic equipment using the same |
US5578367A (en) * | 1993-08-06 | 1996-11-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Metal base board and electronic equipment using the same |
US5670241A (en) * | 1993-08-06 | 1997-09-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Metal base board and electronic equipment using the same |
US5820972A (en) * | 1993-08-06 | 1998-10-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Metal base board and electronic equipment using the same |
US5834101A (en) * | 1993-08-06 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Metal base board and electronic equipment using the same |
DE4427994C2 (de) * | 1993-08-06 | 2000-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | Metallkernsubstrat, insbesondere zur Verwendung für elektronische Schaltungen |
EP0738007A2 (en) * | 1995-04-12 | 1996-10-16 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Metal-base multilayer circuit substrate |
EP0738007A3 (en) * | 1995-04-12 | 1998-04-29 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Metal-base multilayer circuit substrate |
JP2010135749A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-06-17 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光モジュールおよび照明装置 |
JP4572994B2 (ja) * | 2008-10-28 | 2010-11-04 | 東芝ライテック株式会社 | 発光モジュールおよび照明装置 |
US8403536B2 (en) | 2008-10-28 | 2013-03-26 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light-emitting module and illuminating apparatus having an insulating base having a plurality of insulating layers |
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